第3章-静电场及其边值问题的解法
第3章 边值问题及静电场的求解

r r
Q Q
const.
若镜像位置满足
OQ ~ P OPQ
r r
R0 a
const .
由三角形相似,
b R0 R0 a
2 R0 b a Q R0 Q a
导体球外部空间的电势为
Q R 0Q 4 0 r ar 1 4 0 1 Q R a 2 Ra cos
sin d
(sin
sin
0
该方程的解有两种情况
■
1 d
2
d
2
m
2
的解
0,
当电位与方位角无关时,
2 即: m 0
( ) A
■
1 d R dr
(r
2
2
dR dr
) n ( n 1) 的解
1
(1) n 0 时, R ( r ) A0 B 0 r
n
|S f 2 ( S )
称为第二类边界条件或“诺伊曼”条件。 这类问题称为第 二类边值问题。 (3)已知场域边界面S上各点电位和电位法向导数的线性 组合值, 即给定
( N ) |S f 3 ( S )
称为第三类边界条件或“混合边界条件”。 这类问题称为 第三类边值问题。
P
Q Q 4 0 r r 1
考察空间:导体球外部空间。 镜像电荷:用位于对称轴上的等效代
替导体球面上的感应电荷。
球面上任意点P 的电势
Q Q ( P) 0 4 0 r r 1
r r
Q Q
镜像电荷不应随P 变化,
第三章 静电场的边值问题

u (1 2 ) 0
积分后 , 1 - 2 C, 该式既满足场域 , 又满足边界 , 故 C 0,1 2 ,得证
若导体边界为第二类边 界条件 , 即已知电荷面密度
1 2 , n n
即
(1 -2 ) u 0 n n
q
1 2 q 1 2
q
2 2 q 1 2
0
( y 0 ,b x a )
0
例 设有电荷均匀分布在半径为a的介质球型区域中,电荷体密度
为 ,试用解微分方程的方法求球体内、外的电位及电场。
解: 采用球坐标系,分区域建立方程 1 d d 21 2 (r 2 1 ) (0 r a ) r dr dr 0
2u 21 2 2
利用矢量恒等式
0 (uu) u2u (u) 2 ( u )2
对场域求体积分, 并利用高斯散度定理
V
(uu )dV uu dS (u ) 2 dV
s V
S为体积 V的边界面 ,即S S0 S , S S1 S2 Sn , 由于在无穷远 S0处电位为零 ,因此有
静电场的边值问题 数学物理方程定解条件通常分为初始条件和边界条件。 静电场与时间无关,因此电位所满足的泊松方程及拉普拉斯
方程的解仅决定于边界条件。根据给定的边界条件求解泊松方程
或拉普拉斯方程就是静电场的边值问题。
边值问题 微分方程
边界条件
2 2 0
场域 边界条件
分界面 衔接条件
S f1 (s)
已知场域边界 上各点电位 的法向导数
布或边界是电力线的条 件是等价的? 边值问题框图
第3章---- 静电场及其边值问题的解法--4

电磁场
第3章 静电场及其边值问题的解法
结论:
由两个半无限大接地导体平面形成角形边界,当其夹角 , n
π n
为整数时,该角域中的点电荷将有(2n-1)个镜像电荷,该角 域中的场可以用镜像法求解;
当n=3时:
/3
q
/3
q
电磁场
第3章 静电场及其边值问题的解法
q
q
当n=3时:
r
2π
r
S
衔接条件
----不同媒质分界面上的边界条件,如
1 2 1 2 , 1 2 n n
1 2
1
2
电磁场
第3章 静电场及其边值问题的解法
例:
b
y
U0
2 2 2 0 2 x y (0, y) 0, (a, y) 0
1
d1
q d2 2 q1 d2
d1 R1
d1 R
q
d2
d2
q3
R3
d1
R2
d1
d2
q2
电位函数 q 1 1 1 1 ( ) 4π R R1 R2 R3
镜像电荷q1=-q,位于(-d1, d2 ) 镜像电荷q3 = q , 位于(-d1, -d2 )
镜像电荷q2=-q,位于( d1, -d2 )
(第三类边值问题)
§3.5 电磁场
静电场边值问题,唯一性定理
第3章 静电场及其边值问题的解法
3. 边值型问题的解法
解析法
镜像法
分离变量法
复变函数法 格林函数法 计算法
…
有限差分法 有限元法 数值法 边界元法 矩量法
第三章 静电场边值关系

电位所满足的拉普拉斯方程在圆柱坐标系
中的展开式只剩下包含变量r 的一项,即电 位微分方程为
2 1 d d r 0 r dr dr
求得
C1 ln r C 2
利用边界条件:
V r a
C1 ln a C 2 V C1 ln b C 2 0
q q 4 π r 4 π r
可见,为了保证球面上任一点电位为零,必须选择镜像电荷为
r q q r
上任一点均具有同一数值。由上图可见,若要求三角形 △OPq
r 为了使镜像电荷具有一个确定的值,必须要求比值 对于球面 r
r a 与 △ OqP 相似,则 常数。由此获知镜像电荷应为 r f
代入上述边界条ห้องสมุดไป่ตู้,求得镜像电荷如下:
q
1 2 q 1 2
q
2 2 q 1 2
例 已知同轴线的内导体半径为a,电位为V,外导体接地,其
内半径为b。试求内外导体之间的电位分布函数以及电场强度。
解
V a b
O
对于这种边值问题,镜像法不适
用,只好求解电位方程。为此,选用圆柱 坐标系。由于场量仅与坐标 r 有关,因此,
以格林函数表示的积分解。
数学物理方程是描述物理量随空间和时间的变化规律。对于某 一特定的区域和时刻,方程的解取决于物理量的初始值与边界值, 这些初始值和边界值分别称为初始条件和边界条件,两者又统称为 该方程的定解条件。静电场的场量与时间无关,因此电位所满足的 泊松方程及拉普拉斯方程的解仅决定于边界条件。根据给定的边界 条件求解空间任一点的电位就是静电场的边值问题。
q q
电场线与等位面的分布特性与第二章所述的电偶极子的上半
《静电场的边值问题》课件

用离散的差分代替微分方程中的导数项,将微分方程转化为差分方程进行求解。
有限元方法
将连续的求解区域离散化为有限个小的单元,用每个单元的中心函数近似代替该单元上的函数,从而将 微分方程转化为线性方程组进行求解。
2023
PART 03
静电场的边界条件
REPORTING
边界条件的定义
01
边界条件是指在求解静电场问题时,电场在边界处的
2023
PART 05
静电场的实际应用
REPORTING
电场在物理中的应用
静电感应
当一个带电体靠近导体时,导体因静电感应 而带电。
电容器的充放电
电容器在充电和放电过程中,电荷在电场的 作用下移动。
电子显微镜
利用电场对电子的加速和聚焦作用,实现高 分辨率的显微成像。
电场在化学中的应用
离子交换
利用电场对离子的作用力,实现离子的分离 和纯化。
VS
详细描述
有限元法是一种将连续的静电场划分为有 限个小的区域(即元),然后对每个元进 行求解的方法。这种方法能够处理复杂的 几何形状和边界条件,并且具有较高的计 算精度和稳定性。
边界元法
总结词
只对静电场的边界进行离散化,然后对边界上的离散点进行求解的方法。
详细描述
边界元法是一种只对静电场的边界进行离散化,然后对边界上的离散点进行求解的方法。这种方法能够大大减少 未知数的数量,并且适用于处理具有复杂边界条件的问题。但是,由于只对边界进行离散化,因此需要更高的计 算精度和更复杂的数学处理。
电化学反应
在电解池和原电池中,电场驱动离子在溶液 中的迁移,并参与化学反应。
电泳技术
在电场的作用下,带电粒子在介质中移动, 用于分离和纯化生物分子。
电磁场及电磁波_第三章

从而电场为:
3.1.3 导体系统的电容
电容是导体系统的一种基本属性, 它是描 述导体系统储存电荷能力的物理量。 定义两导体系统的电容为任一导体上的总 电荷与两导体之间的电位差之比, 即
电容单位是F(法拉), 此比值为常数
1. 双导体的电容计算
在电子与电气工程中常用的传输线,例如 平行板线、平行双线、同轴线都属于双导 体系统。通常,这类传输线的纵向尺寸远 大于横向尺寸。因而可作为平行平面电场 (二维场来研究),只需要计算传输线单 位长度的电容。 其计算步骤如下:
√ 所有电位系数
, 且具有对称性, 即
(2)电容系数
对电位系数的矩阵方程求逆,可得:
或表示为:
式中, 称为电容系数或感应系数。下
标相同的系数
称为自电容系数或自
感应系数,下标不同的系数
称
为互电容系数或互感应系数。
电容系数具有以下特点:
√ 在数值上等于第j个导体的电位为一个 单位而其余导体接地时, 第i个导体上的电 量, 即
可见, 点P、Q之间电位差的物理意义是把 一个单位正电荷从点P沿任意路径移动到点 Q的过程中, 电场力所做的功, 根据静电场 的无旋性, 这个功是路径无关的。因而电 位差是唯一的。。
为了使电场中每一点电位具有确定的值, 必须选定场中某一固定点作为电位参考点, 即规定该固定点的电位为零。 例如,若选定Q点为零,则
电场强度为: • 内外导体间的电压为:
可得同轴线单位长度的绝缘电阻为:
方法之二:
已经知道同轴线单位长度的电容为: 因此,同轴线单位长度的漏电导为:
例二: 计算半球形接地器的接地电阻 解: 通常要求电子、电气设备与大地有良 好的连接,将金属物体埋入地内,并将需 接地的设备与该物体连接就构成接地器。
静电场的边值问题

静电场的边值问题
第三章 静电场旳边值问题
1. 电位微分方程 2. 镜像法 3. 直角坐标系中旳分离变量法 4. 圆柱坐标系中旳分离变量法 5. 球坐标系中旳分离变量法
1
电磁场与电磁波
静电场的边值问题
3.1 电位微分方程
已知电位 与电场强度 E 旳关系为
E 对上式两边取散度,得
E 2
r0作为参照点,则 及l 在l 圆柱面上P点共同产生
旳电位为
P
l 2π
ln r0 l r 2π
ln r0 r
l 2π
ln r r
已知导体圆柱是一种等位体,必须要求比值
r 常数 r
与前同理,可令 r a d
r fa
d a2 f
21
电磁场与电磁波
静电场的边值问题
(4)点电荷与无限大旳介质平面
或者
X (x) C sinh x D cosh x
含变量 x 或 y 旳常微分方程旳解完全相同。
♣这些解旳线性组合依然是方程旳解。一般为了
满足给定旳边界条件,必须取其线性组合作为方
程旳解。
解旳形式旳选择决取于给定旳边界条件。
解中待定常数也取决于给定旳边界条件。
30
电磁场与电磁波
静电场的边值问题
8
电磁场与电磁波
静电场的边值问题
3.2 镜像法
实质: 以一种或几种等效电荷替代边界旳影响, 将原来具有边界旳非均匀空间变成无限大旳均匀自 由空间,从而使计算过程大为简化。
这些等效电荷一般处于原电荷旳镜像位置,所以 称为镜像电荷,而这种措施称为镜像法。
9
电磁场与电磁波
静电场的边值问题
根据:惟一性定理。等效电荷旳引入不能变化原 来旳边界条件。
第三章静电场边值问题

第三章 静电场边值问题在上一章中,我们已经知道了几种从电荷分布求静电场的问题。
一种是直接积分式(2-2-1)求得已知电荷分布情况下的电场;另一种是利用式(2-2-4)高斯定理求解某些具有对称性电荷分布的静电场问题;再一种就是由式(2-2-10)求出静电势,再利用关系式ϕ=-∇E求出电场,这些问题一般都不存在边界。
然而,对于许多实际静电问题,电荷的分布是复杂的,计算积分很困难,甚至是不能积分,有些静电问题只给出了边界上的面电荷或电势。
在这种情况下,需有其它有效的方法求解静电问题,这种方法就是求解静电势所满足的偏微分方程。
这偏微分方程就是由式(2-2-10)给出的方程:2ρϕε∇=-因此,对于有边界存在的情况下,我们不得不求解给定边界条件下静电势微分方程,然后求出静电场,这一问题称为静电场边值问题错误!未找到引用源。
即求出满足给定边界条件的泊松方程的解。
在这一章中,我们首先介绍静电唯一性定理,它是解决静电场边值问题的基础。
基于静电唯一性定理,我们主要介绍两种求解静电场边值问题的方法:电像法和分离变量法。
当然,求解边值问题还有其它的方法。
值得一提的是,本章所介绍的方法不仅仅适用于静电场,它同样适用于静磁场和时变电磁场。
3-1 静电唯一性定理我们将证明,如果我们得到了满足给定边界条件的泊松方程的解,那么,这个解是唯一的。
这就是静电唯一性定理错误!未找到引用源。
下面我们证明这一定理并初步介绍它的应用。
在由边界面s 包围的求解区域V 内,若: 1) 区域V 内的电荷分布给定;2) 在边界面s 上各点,给定了电势s ϕ,或给定了电势法向偏导数snϕ∂∂,则V 内的电势唯一确定。
以上的表述就是静电唯一性定理。
下面,我们用反证法证明静电唯一性定理。
证: 假定在区域V 内的电荷密度分布为ρ(r ),且有两个不同的解φ1和φ2满足泊松方程及给定边界条件(给定的电势值s ϕ或电势法向偏导数snϕ∂∂)。
即:2212,ρρϕϕεε∇=-∇=-并有12sssϕϕϕ==或12sssnnnϕϕϕ∂∂∂==∂∂∂式中s ϕ和snϕ∂∂为给定的边界条件。
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q + q′ = 0 得 q′ = −q 4πεR0
()
()
()
R R R
φ r′ = φ r′ = φ r′ =
( ) ( ) ( )
1 4 πε 1 4 πε 1 4 πε
0 0 0
∫ ∫ ∫
ρv r′ ρ s r′ ρl r′
v
( )d v ′
s
( )d s ′
l
( )d l ′
式中 R =| r − r ′ | ,为源点至场点的距离。
5
§3.1
因此,任一极化介质区域内部的体束缚电荷总量与其表面的总束缚电荷是等值 异性的,介质整体呈电中性。
13
§3.2
静电场中的介质
二、介质中的高斯定理,相对介电常数
介质中的高斯定理: ∇ ⋅ E =
′ ρv + ρv ε0
′ 带入可得: 将 ρv
∇⋅ ε0 E + P = ρv
(
)
定义电通量密度: D = ε 0 E + P = ε 0 (1 + χ e )E = ε E 式中: ε = ε0εr ,
第3章 静电场及其边值问题解法
本章先研究静电场的电位方程和介质特性。 本章还将介绍两种求解静电场边值问题的方法。
主要内容 静电场与电位方程 静电场的介质 镜像法 分离变量法
§3.1 静电场基本方程与电位方程
一、静电场基本方程
静电场的场源电荷和所有场量都不随时间变化,只是空间坐标的函数。
由麦克斯韦方程组得静电场基本方程:
r>a:
2 ∫ E ⋅ ds = rˆE ⋅ rˆ 4π r = s
E 4π r 2 =
− ρ0 4 3 πa , ε0 3
− ρ0 4 3 − ρ 0r ˆ πr , E = r ε0 3 3ε 0 − ρ 0a 3 ˆ E =r 3ε 0 r 2
(b)采用球坐标旋度和散度表示式,因 E只有
∇ × E = θˆ
ε r −1 q 2 4πε r r
则在紧贴q的表面上,总的面束缚电荷量为:
εr −1 q εr r→0 r→0 ε r −1 q ′ ′ q q Q q q = + = − = 此时产生电场的总电荷量减少为: εr εr
ˆ ⋅ P = lim4πr2 (− r ˆ) ⋅ P = − Q′ = lim4πr2n
,并利用矢量恒等式
∇ ⋅ φ A = φ∇ ⋅ A + A ⋅ ∇φ
( )
12
§3.2
静电场中的介质
可将电位中的积分分为两项:
φr =
()
⎛ P r′ ⎜ ′ ∇ ⋅ 4πε 0 ∫v ⎜ ⎝ R 1
( )⎞ ⎟ dv ′ −
⎟ ⎠
1 ∇′ ⋅ P r ′ 或 ′ d v φ r = 4πε 0 ∫v R 4πε 0
( )dv′ , R =| r − r ′ |
∇2φ = 0
在无源区,泊松方程化为拉普拉斯方程:
6
§3.1
静电场基本方程与电位方程
例3-1 空气中有一个半径为a的球形电子云,其中均匀分布着体电荷密度为 ρ v = − ρ 0 (C m3 ) 的电荷,求: (a)球内外的电场强度; (b)验证静电场的两个基本方程; (c)球内外的电位分布; (d)验证静电场的电位方程。 解:(a)因为电荷均匀分布于球体中,所有电场有球对称性。可应用高斯 定理求距球心r处的电场强度。取该处球面为高斯面,有: 当 r<a: 当
静电场基本方程与电位方程
三、电位方程
根据静电场的基本方程 ∇⋅ E = ρv ε ,以及 E = −∇ φ ,得泊松方程:
∇ 2φ = − ρv ε
在无界均匀媒质中,当体积V中有体电荷密度 ρ v r ′ 分布时,泊松 方程的解为:
()
φ r′ =
证明:见P.66-67
()
1 4πε
∫
ρv r′
R
v
21
§ 3.6 镜像法
z
q
p ( x, y , z )
ε
h
x
* 选无穷远处为参考点,则在z>0的空间任一点p的总电位是: φ =
q 4 πε R
+
q′ 4 πε R ′
* 此时要保证z=0平面边界条件不变,即应为零电位。 故对z=0平面上任意点有 (R = R′ = R0 ) :
φ=
q ⎛1 1 ⎞ q ⎡ 1 − = − φ= ⎢ 2 ⎜ ⎟ 2 2 4πε ⎝ R R ′ ⎠ 4πε ⎢ ⎣ x + y + ( z − h)
1 ∂ ⎛ 2 ⎜r r 2 ∂r ⎜ ⎝ 1 ∂ ⎛ 2 ⎜r r > a: ∇⋅E = 2 r ∂r ⎜ ⎝ r < a: ∇⋅E =
得证。 得证。
(c)取 r → ∞处为电位参考点,得 当 当
r <a: φ = r > a: φ =
∫ ∫
∞
r ∞
Edr =
∫
a
r
− ρ0r dr + 3ε 0
∞
εr =1+ χe
则可得:
∇ ⋅ D = ρv
可见,D 的源是自由电荷, D矢量线从正自由电荷出发终止于负的自由电荷。
14
§3.2
静电场中的介质
作业:3.1-3,3.2-2
举例说明介质极化是如何影响电场的:
ˆ 坐标原点处点电荷q在P点产生的电场为: E = r
由上式得:
q 4πε0ε r r 2
ˆ P = D − ε0 E = r
惟一性定律为静电场问题的多种解法(解析解、数值解等)提供了思 路及理论根据。
19
§3.6 镜像法
镜像法:
用虚设的镜像电荷来替代实际边界,将原来具有边界的空间变成同一媒质 空间,使计算简化。
要点:
确定镜像电荷的个数、位置与大小,使镜像电荷和原电荷共同产生的场 保持原有边界条件不变,根据惟一性定律,所得的解是惟一的。
∇× E = 0
微分形式
∇ ⋅ D = ρv ∇ ⋅ E = ρv ε
积分形式
∫ ∫ ∫
l l l
E ⋅ dl = 0 D ⋅ ds = Q E ⋅ ds = Q ε
第三个仅适用于简单媒质,其中
D =εE
2
§3.1
静电场基本方程与电位方程
二、电位定义
1)电位的引出
∵∇× E = 0
根据矢量恒等式
∇ × ∇φ = 0
r >a: φ =
r
∫
0
a
− ρ 0r − ρ 0a 3 ρ 0a 2 dr = + 3ε 0 3ε 0 r 2ε 0
由上可见,电位参考点取得不同,电位值仅差一常数 − ρ 0 a 2 2ε 0 ,它是以 r → ∞ 处为零电位时球心(r=0)处的电位。
8
§3.1
静电场基本方程与电位方程
(d)采用球坐标拉普拉斯表示式,因 当 当
可见,正是总电荷量由真空时的 q 减少至 q′ = q εr ,从而使电场也减弱至 1 ε r 。
15
§3.5
一、静电场边值问题
静电场边值问题,惟一性定律
电位方程
∇ 2φ = − ρ v ε
电位边界条件
∂ϕ1 ∂ϕ2 = ε2 两种介质分界处 ϕ1 = ϕ 2、ε 1 ∂n ∂n ∂ϕ1 = − ρs 导体介质分界处 ϕ1 = Cons.、ε 1 ∂n
r<a: r>a: ∇ 2φ =
φ 只是r函数,得
得证。
1 ∂ ⎛ 2 ∂φ ⎞ 1 ∂ ⎛ 2 ρ 0 r ⎞ − ρ v ⎜r 2 ⎟= , ⎜r ⎟= ε0 6ε 0 ⎟ r 2 ∂r ⎝ ∂r ⎠ r 2 ∂r ⎜ ⎝ ⎠ 1 ∂ ⎛ 2 − ρ 0a 3 ⎞ 2 ⎜r ⎟ = 0, ∇φ= 2 得证。 2 ⎟ ε 3 r ∂r ⎜ r 0 ⎝ ⎠
∫
∞
a
ρ 0r 2 ρ 0a 2 − ρ 0a 3 dr = − 3ε 0 r 2 6ε 0 2ε 0
r
Edr = − ∫
a
− ρ 0a 3 ρ0a3 dr = − 3ε 0 r 2 3ε 0 r
若取r=0处为电位参考点,则得 当 当
r<a:
φ =
∫ ∫
0
r a
− ρ 0r ρ 0r 2 dr = 3ε 0 6ε 0 − ρ 0a 3 dr + 3ε 0 r 2
dv′
,其电偶极矩为 d p = Pd v ′,产生的电位为(P70):
ˆ P r′ ⋅ R dφ r = dv ′, 2 4πε 0 R
() ( )
R = r − r′
则体积v中的所有电矩在场点产生的电位为:
ˆ P r′ ⋅ R φr = dv′ 2 ∫ 4πε 0 v R
()
1
()
ˆ R ⎛1 ⎞ ′ 由式 ∇ ⎜ ⎟ = 2 ⎝R⎠ R
10
§3.2
静电场中的介质
极化强度
极化强度定义为介质中给定点处单位体积中电矩的矢量和: P =
∑p
i =1
N
i
Δv
对于均匀、线性,各向同性的简单媒质: 式中电极化率
P = χ eε 0 E
χ e [ka:]是正实数。
11
§3.2
静电场中的介质
束缚电荷密度
极化介质对电场的影响可归结于束缚电荷所产生的影响,极化介质内取一微分 体积元
9
§3.2 静电场中的介质
一、介质的极化
理想的电介质内部没有自由电子,其电子被原子核紧紧束缚于其周围,这些电子不 会自由运动,称这些电荷为束缚电荷。 无极分子 有极分子
E0 = 0
±±±±± ±±±±± ± ±± ±±