武汉科技大学811无机材料科学基础考研真题试题(含标准答案)2019—2020年
武汉科技大学2020年《811无机材料科学基础》考研专业课真题试卷
第 1 页 共 4 页 考生姓名：报考专业：准考证号码：密封线内不要写题2020年全国硕士研究生招生考试初试自命题试题 （ B 卷)参考答案 科目代码： 811 科目名称： 无机材料科学基础 注意：所有答题内容必须写在答题纸上，写在试题或草稿纸上的一律无效；考完后试题随答题纸交回。
一、单项选择题(共10小题，每小题2分，共 20分) 1、宏观晶体中可能存在的对称型有（ C ）种。
A 、7 B 、14 C 、32 D 、230 2、由n 个等径球体紧密堆积时，则有（ C ）个四面体空隙。
A 、1/2n B 、n C 、2n D 、3n 3、NaCl 晶体结构属于（A ）晶系。
A 、立方 B 、四方 C 、六方 D 、三方 4、绿宝石晶体结构类型属于（ B ）结构。
A 、岛状 B 、组群状 C 、链状 D 、层状 5、连线规则是用来判断相图（ C ）。
A 、界线的性质 B 、无变量点的性质 C 、界线温度走向 D 、化合物性质 6、单健强＞335kJ/mol 的氧化物为（ A ）。
A 、玻璃网络形成体 B 、网络变性体 C 、网络中间体 D 、晶体 7、在离子晶体中，晶界是（ D ）快速扩散的通道。
A 、阳离子 B 、所有离子 C 、原子 D 、阴离子 8、单元系统平衡共存的相最多有（ C ）个。
A 、1 B 、2 C 、3 D 、4 9、粒子由高浓度向低浓度方向扩散称为（ A ）扩散。
A 、正 B 、逆 C 、稳定 D 、不稳定 10、相变按热力学可分类为（ C ）。
A 、固－固相变与固－液相变 B 、固－固相变与固－气相变 C 、一级相变与二级相变 D 、成核生长相变与不稳分解相变二、名词解释(共4小题，每小题10 分，共 40分)1、弗伦克尔缺陷与肖特基缺陷如果原子能量足够大，离开平衡位置，挤到正常晶格的间隙位置，形成间隙质点，在原来位置留下空位，这种缺陷称为弗伦克耳缺陷；如果原子移动到晶体的表面，内部留下空位，该缺陷称为肖特基缺陷。
2016年武汉科技大学811无机材料科学基础考研真题(B卷)
2016年武汉科技大学811无机材料科学基础考研真题（B卷）(总分：150.00，做题时间：180分钟)一、填空题(总题数：8，分数：30.00)1.宏观晶体存在（）种对称型，（）种晶系，（）种布拉维格子，（）空间群。
（分数：4.00）填空项1:__________________ （正确答案：32；7；14；230）解析：2.根据缺陷产生的原因，可以把点缺陷分为三种类型（），（），（）。
（分数：3.00）填空项1:__________________ （正确答案：热缺陷；杂质缺陷;；非化学计量化合物）解析：3.单键强（）称为玻璃网络形成体；单键强（）称为玻璃网络变性体；单键强（）称为玻璃网络中间体。
（分数：3.00）填空项1:__________________ （正确答案：>335kJ/mol；<250 kJ/mol；介于以上两者之间）解析：4.种玻璃的组成为15mol％的Na2O，15mol％CaO，70mol％SiO2，则四个结构参数是：（），（），（），（）。
（分数：4.00）填空项1:__________________ （正确答案：X= 0.86；Y= 3.14；Z= 4；R= 2.43）解析：5.晶界按照其两边原子排列的连贯性划分为：（），（），（）。
（分数：3.00）填空项1:__________________ （正确答案：共格晶界；半共格晶界；非共格晶界）解析：6.润湿是固液界面上的重要行为，根据润湿程度不同可以分为三种（），（），（）。
（分数：3.00）填空项1:__________________ （正确答案：附着润湿；铺展润湿；浸渍润湿）解析：7.固相反应一般都包含以下两个基本过程，分别是（）、（）。
（分数：2.00）填空项1:__________________ （正确答案：化学反应；物质转移）解析：8.属于固相烧结的典型传质有（）和（）两种，液相烧结的典型传质有（）和（）。
武汉科技大学811无机材料科学基础2017(A卷答案)年考研真题答案
△Go2= -232.5-0.168T (kJ/mol) △Go3= -43.07-0.0322T (kJ/mol)
当[Al]在Fe液中浓度为0.025％时，试求Al2O3(在P外总＝105Pa)与碳
发生激烈反应的温度？
解：根据以上三个反应式，3×（2）＋4×（3）－（1）得反应式（4）：
6C(s)+2Al2O3(s)=4[Al]1%+6CO(g) （4） (也可以是3C(s)+Al2O3(s)=2[Al]1%+3CO(g)) △Go4=3×△Go2+4×△Go3-△Go1=2490.02-1.2748T (kJ/mol) 假定碳和Al2O3为纯物质，则C和Al2O3的活度为1，则有下式： △G4=△Go4+RT ln pCO 6 [ Al]4 （5）
以1%稀溶为标准，则α[Al]=0.025; 而PCO=1，且当△G4=0时，有下式： （2490.02-1.2748T）×1000+8.314T×4ln(0.025)=0
得T=1781.8K
2、非化学计量化物FexO中，Fe3+/Fe2+＝0.1，求FexO中空位浓度及x 值。
解：非化学计量化物FexO，可以认为是a（mol）的Fe2O3溶入FeO中，缺陷反
注意：所有答题内容必须写在答题纸上，写在试题或草稿纸上的一律
无效；考完后试题随答题纸交回。
一、名词解释(共 3 小题，每小题 10 分，共 30分)
1. 四面体空隙与八面体空隙(处于四个球体包围之中的空隙，四个球体中 心的连线恰好成一个四面体的形状称为四面体空隙；处于六个球体包围 之中的空隙，六个球体中心的连线恰好成一个八面体的形状称为八面 体空隙) 2. 肖特基缺陷与弗伦克尔缺陷(如果原子能量足够大，离开平衡位置，挤 到正常晶格的间隙位置，形成间隙质点，在原来位置留下空位，这种缺 陷称为弗伦克耳缺陷；如果原子移动到晶体的表面，内部留下空位，该 缺陷称为肖特基缺陷。) 3. 晶粒生长与二次再结晶(无应变的材料在热处理过程中，平均晶粒尺寸 在不改变其分布的情况下连续长大的过程称为晶粒生长；在细晶消耗时 ，以大晶粒为成核基体成核长大形成少数巨大晶粒的过程称为二次再 结晶)
武汉科技大学811无机材料科学基础2008,2013--2017(2013--2017有答案)考研真题+答案
2012年武汉科技大学考研试题811无机材料科学基础及答案
第 1 页 共 7 页二O 一二年招收硕士研究生入学考试试题考试科目及代码： 无机材料科学基础 811 适用专业： 材料科学与工程可使用的常用工具：计算器。
答题内容写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上一律无效。
考完后试题随答题纸交回。
考试时间3小时，总分值 150 分。
姓名： 报考学科、专业： 准考证号码：密封线内不要写题六、凝聚系统相图测定方法有静态法和动态法两种，说明这两种方法的基本原理，并扼要阐述相图中等温线的获得方法。
（20分）七、试述铝矾土（主要成分为：高岭石Al2O3·2SiO2·2H2O和水铝石Al2O3·H2O）从室温加热到1600℃烧结过程中的所有物理化学变化，并写出有关的反应方程式。
（15分）第 2 页共 7 页考试科目及代码： 无机材料科学基础 811适用专业： 材料科学与工程可使用的常用工具：计算器。
答题内容写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上一律无效。
考完后试题随答题纸交回。
考试时间3小时，总分值 150 分。
一、名词解释（40分）1. 液相独立析晶（如果冷却速度不是快到使液相完全失去析晶能力，但也不是慢到足以使它能够和系统中其它晶相保持原有相平衡关系，则此时液相犹如一个原始配料高温熔体那样独立析晶，重新建立一个新的平衡体系，不受系统中已经存在的其它晶相的制约）2. 本征扩散与非本征扩散（由于原子本征热振动产生的扩散称为本征扩散；由外来原子或离子进入晶体而产生缺陷导致的扩散称为非本征扩散）3. 组份数与独立组份数（具有独立的化学组成和晶体结构的物质的数量；构成平衡物系所有各相组成所需要的最小组份数为独立组份数）4. 类质同晶与同质多晶（物质结晶时，晶体结构位置上的某些离子或原子的位置部分或全部地被介质中性质相近的其他离子或原子所置换，共同结晶成的均匀的、呈单一相的混合晶体，而不改变晶体结构和键性发生质变，只引起晶胞参数微小变化的现象为类质同晶；化学组成相同的物质在不同的热力学条件下结晶成结构不同的晶体的现象称为同质多晶）5. 热压烧结与活化烧结（在烧结的同时加上一定的外压力称为热压烧结；采用物理的或者化学处理使烧结温度降低，烧结速度加快，或使烧结体的密度和其他性能提高的烧结方法为活化烧结。
武汉科技大学810金属材料科学基础考研真题答案
1一、名词解释(共6个，每个3 分，共 18分)配位数：晶体结构中，与任一原子最近邻且等距离的原子数。
堆垛层错: 晶体中不全位错扫过的晶面，该晶面两侧原子面生产错排，使得该原子层面出现错误的堆垛，这称为堆垛层错位错密度：单位体积晶体中位错线的总长度。
晶内偏析：因合金中溶质在凝固时候发生再分配，从而导致晶粒内部成分不均匀的现象称为晶内偏析。
成分过冷：合金结晶时由于溶液中溶质分布的变化，使得低熔点组元在结晶固相前沿富集，并改变了此区域的熔点，使结晶前沿液相过冷度随着离开其距离而变化，这种因液相成分变化所引起过冷称为成分过冷。
离异共晶：当合金成分偏离共晶成分很远时，先共晶结晶完后，所发生的共晶不平衡凝固，形成两相分离的组织，称为离异共晶。
二、填空题(共10空，每空1分，共10分)1. {111}、<110>、0.74；2. 切过、奥罗万绕过机制；3. 台阶、割阶4. 化学位梯度、冷变形产生的储存能、晶粒长大前后的界面能差三、辨析题，小题中有错误则改正 (共5小题，每小题6分，共30分)1、错，面心立方结构晶体的（111）晶面的正常堆垛次序为ABCABCABC……。
2、错，液体结晶为，固态相变32443V G r G r ππσ∆=∆+323244433V G r G r r E ππσπε∆=∆++3、对4、错，在晶体滑移过程中，由于位错不断移出滑移面，同时位错源开动产生更多位错，位错密度随形变量的增加而增加。
5、错，溶质原子的扩散一般是由浓度高的部位向浓度低的部位进行，但在溶质化学位驱动下也向高浓度处向低浓度扩散。
2019年全国硕士研究生招生考试初试自命题A 卷试题参考答案精都考研h t t p ://w w w .j i n g d u k a o y a n .c o m /武汉科技大学2019年考研专业课真题答案。