Cell制程介绍
➢主要作为增加偏光板与 Panel 表面间的黏着性，进而将 Panel 表面的气泡均匀 功 分散，使点灯时符合厂内规格要求 能 ➢机台针对外部与易发尘部位需作隔離，防止异物混入 需 ➢具稳定输送机构 求 ➢可设定保持时间、压力、温度的功能
➢具重工加压脱泡制程功能 ➢具充足保养与破片清理空间 ➢符合 华星光电工安规定 ➢易人员维修、操作与更换耗材设计
基板切割
磨边导角
洗净
一次点灯
将大基板变成小 panel
修整锐角以 利IC bonding 及预防裂片
去除前制程 之碎屑
LCM
二次点灯
炉子 烘烤
贴附偏 光板
确认品质状 态
洗净
确认品质状 态
利用温度去除 偏光板贴附间 的bubble
将偏光板贴附 Panel 两侧
保持panel表面 洁净以利偏光 板贴附
2. PI制程简介
3. 6框胶固化
UV照射部相关参数: * UV波长cut (300nm以下cut(DUV filter),800nm以上cut(IR UV filter). * UV照射强度 (85~130mw/cm2). * UV照射能量 (照射强度*时间 mj/cm2). * UV照射均一度 (±20%以下). * Seal胶材使用UV波长 (365nm).
3.5贴合
在高真空状态下，利用机台对位系统读取Mark，将CF 和TFT 基板准确的压合在一起，要确保Stage 表面平行度和压合后组 立基板脱离状况良好，对位精度质量才会稳定。
①上下基板投入
②上下基板真空吸着
③基板位置贴合（非接触）
《画像处理：５μm程度》
④Chamber内抽真空 →实施对位
⑤大气开放（大气压力）
2、抽检出货，有效将不良品拦截在厂内。
点灯驱动原理(shorting bar)
R
为降低成本，提早发现Defect，
G B
简化的点灯方式
Shorting Bar
Gate odd Gate even
Gate odd
3D2G
123 456 789
3 Data: 将所有R短路串联一起，以简化Data讯号的输入（G,B 同样方式串联） 2 Gate:将所有gate端奇数短路串联，以简化Gate讯号的输（偶 数同样方式短路串联）
4. HVA制程简介
HVA是在液晶中加入一定的高分子单体，加上电压后，上下两层液 晶偏转，同时用UV Curing，将高分子单体固定在PI膜上。这样撤去 电压后，上下两层液晶被固定成一定的角度，不能恢复到原状态。 下次再通电压时，液晶会按照上下两层液晶形成的倾角方向偏转， 有序且响应时间短。
4.1一次UV光照
可靠度(RA)及降低各种defect(mura、pinhole)的产生。
※如果没有配向膜会怎样？ 液晶在没有配向膜的基板上呈散乱状的排列 无法控制光的
方向 无法制造我们想要的影像 无法控制电压施加时液 晶Tilt的方向(reverse tilt) 影像质量不佳
2.2 PI的材质 Polyimide: 学名为 聚酰亚胺，是由二胺与二酸酐单体反应合 成的材料具有耐高温、电气绝缘性好、光学性能佳的优点 。
6.2 偏贴
偏光板(离形纸已撕离) 面板
面板
面板
离形纸剥离 & 除电
X 轴
90°垂直
贴付 Y 轴
贴付
ALIGN.
Shift検査
E/V
90°水平
X 轴Cartridge Port
B/F
取出部
Y 轴 ALIGN.
Set table
Sepa.film
偏贴后 検査
6.3脱泡
BACV 功能：此装置主要将贴付偏光板后的Panel进行加热与加压。 要求：使偏光板与Panel能更紧密接触，进而减少Bubble的异常。
※ 需编辑滴下位置,
1.第一点和seal 位置不适当会造成Edge Gap 或 是液晶未扩散Bubble issue
2. 点跟点位置不适当也会造成液晶未扩散的 Bubble issue
LC Margin是新产品设计完成，需要保 证一定Gap下，液晶可以灌注的范围， 少滴会有Bubble，多滴的话会出现重力 Mura。 一般该Margin越大，我们认为对于制程 方面越有可调整优势。
CHINA STAR
OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY
CELL制程简介
1. CELL概论 2. PI制程简介 3. ODF制程简介 4. HVA制程简介 5. 切割制程简介 6. 偏贴制程简介 7. 测试试程简介
1.Cell概论
在Array和CF制程中得到的玻璃基板，要在Cell制程中贴合、灌入液晶、涂 上框胶、切割成型panel、贴偏，液晶电视在个制程里具备了基本雏形。 如下是一个完整的Cell结构图：
切割顺序：
流程
切割裂片示意图
倒角
下磨边 上磨边
IC CF
TFT
尖 锐
IC线路
TFT
Lateral Crack
Median Crack
CF
Weak
6. 偏贴制程简介
6.1 偏光板介绍
偏光板功能
偏光板构造
保护膜 TAC
PVA(高分子膜) TAC 离型纸
两片偏光通方向垂直，光无法通过，通过液晶转动改变入射光 偏振方向，达到控制光通量的目的。
※利用CCD撷取影像后，以周期性比对方式找出Defect
2.7 PI Postbake Oven
利用IR炉内高温(Max.250度)将PI膜固烤环化
N2 IN
IR涂层 AL板
绝缘层 AL板 加热线
排气
Glass
IR Heater
支撑PIN
3. ODF制程简介
AU
3.1制程目的
新人技术培训课程
ODF制程中会在玻璃上按panel尺寸涂上框胶和金球，滴注液晶
• PI液放入冰箱冷却,需待12小时后方可取出。 • PI液由冰箱取出退冰后须等待8小时以上,方可使用。 • PI液由冰箱取出超过16小时须回冰.如要再拿出使用,PI回冰需满12小时。 • 不同时间点退冰之PI液,不可混在同一瓶中。
2.3 Before PI Cleaner
※以毛刷(混合洗剂)-高压水柱-二流体-风刀的配置进行湿洗制程 利用IR炉内高温(Max.150度)将 水气去除
CF 厂
素玻璃上形成 彩色滤光片
将驱动IC,PCB及背光板 加工至面板上,完成半成品
驱动IC PC
backlight
B
1.2 CELL 流程简介
TFT 基板
洗净
配向膜涂布
配向膜成型
配向
CF 基板
去除基板表面微粒 印刷方式将配向膜 子及有机物等污染 均匀涂布基板上
先以低温帮助solvent离开 及PI分层后再以高温帮助 单体进行聚合反应
2.1 PI的角色
CELL的构造：
配向膜：供给液晶分 子的排列媒介(预倾角)
制程目的：在玻璃基板(TFT、CF)上均匀涂布上一层薄膜，并且升温 把其溶剂挥发，其涂布区域/范围依照产品设计而定；薄膜厚度依据 所选定的PI材料&吐出量而有不同。经预烤后会呈金黄色(依不同膜厚 而有不同之颜色)。 制程要求：均匀将PI液涂布至基板表面，符合制程要求之膜厚均匀性、
2.4 PI Inkjet Printer
以电压驱动 振动子 或挤压 压电陶瓷使PI液滴下
2.5 PI Prebake Oven
目的 :预烤(去除solvent)及使PI膜 平整化 , 将溶剂挥发掉(约80%)
温度控制（升温曲线）： 在预烤段时，玻璃基板温度由室温慢慢上升，在温度上升过程中PI内的溶剂会慢
一次点灯
一次点灯制程：机台通过shorting bar方式对Panel进行点灯，API将点灯画面拍摄为图像； 人员在IMS room 检查API图像对Panel进行分类 。
效益：1、对不同等级Panel进行分类；（按优劣之分价格不同） 2、将不良品拦截在偏贴之前，避免偏光板浪费。
二次点灯
二次点灯制程：机台通过shorting bar方式，full contact方式；1D1G方式对Panel进行点灯； 有人员直观检查。 优势：1、可以完全模拟实际点亮效果，人员可以直观检查。（full contact mode完全模拟）
框胶作用：
利用框胶黏着性将Cell 上下两片玻离基板组合固 定;保护液晶不和外界水气及杂质接触，防止 液晶外流
AU点胶制程之电场
液晶分子在不同方向的介电系数不同，外加电场可 改变液晶分子的排列方向，从而可以控制光的方向。
CHINA STAR
框胶 TFT 偏光板
Black Matrix Color Filter
Photo Spacer
配向膜 液晶
偏光板
1.1 TFT-LCD 流程简介
Array厂
素玻璃上形成 薄膜晶体管
CELL厂
TFT与CF基板表面进行配向工程, 注入LC后将两基板组立,分割成 Panel Size并贴上偏光片
LCM 厂
Seal材有光硬化组分与热硬化组分UV硬化时，进行Seal材的光 组分硬化，若此时温度过高，热组分提前硬化则影响光组分充 分 硬 化 ， 所 以 进 行 温 度 控 制 对 系 统 进 行 冷 却 ， 包 括 Lamp 及 Stage
3.7ODF滴注液晶的优势
传统LCD的液晶注入方式，是在上下玻璃对组之后以毛细 原理将液晶慢慢吸入。ODF法则是在先将液晶直接滴在玻璃上， 然后在进行上下玻璃的对组。这种新的制程可以大幅节省灌液 晶的时间与液晶材料，尤其在超大尺寸面板具有绝对的优势。 但是容易形成气泡，出现框胶污染液晶
monomer
聚合monomer
5. CUT
➢具重工加压脱泡制程功能 ➢具充足保养与破片清理空间 ➢符合 华星光电工安规定 ➢易人员维修、操作与更换耗材设计
基板切割
磨边导角
洗净
一次点灯
将大基板变成小 panel
修整锐角以 利IC bonding 及预防裂片
去除前制程 之碎屑
LCM
二次点灯
炉子 烘烤
贴附偏 光板
确认品质状 态
洗净
确认品质状 态
利用温度去除 偏光板贴附间 的bubble
将偏光板贴附 Panel 两侧
保持panel表面 洁净以利偏光 板贴附
2. PI制程简介
3. 6框胶固化
UV照射部相关参数: * UV波长cut (300nm以下cut(DUV filter),800nm以上cut(IR UV filter). * UV照射强度 (85~130mw/cm2). * UV照射能量 (照射强度*时间 mj/cm2). * UV照射均一度 (±20%以下). * Seal胶材使用UV波长 (365nm).
3.5贴合
在高真空状态下，利用机台对位系统读取Mark，将CF 和TFT 基板准确的压合在一起，要确保Stage 表面平行度和压合后组 立基板脱离状况良好，对位精度质量才会稳定。
①上下基板投入
②上下基板真空吸着
③基板位置贴合（非接触）
《画像处理：５μm程度》
④Chamber内抽真空 →实施对位
⑤大气开放（大气压力）
2、抽检出货，有效将不良品拦截在厂内。
点灯驱动原理(shorting bar)
R
为降低成本，提早发现Defect，
G B
简化的点灯方式
Shorting Bar
Gate odd Gate even
Gate odd
3D2G
123 456 789
3 Data: 将所有R短路串联一起，以简化Data讯号的输入（G,B 同样方式串联） 2 Gate:将所有gate端奇数短路串联，以简化Gate讯号的输（偶 数同样方式短路串联）
4. HVA制程简介
HVA是在液晶中加入一定的高分子单体，加上电压后，上下两层液 晶偏转，同时用UV Curing，将高分子单体固定在PI膜上。这样撤去 电压后，上下两层液晶被固定成一定的角度，不能恢复到原状态。 下次再通电压时，液晶会按照上下两层液晶形成的倾角方向偏转， 有序且响应时间短。
4.1一次UV光照
可靠度(RA)及降低各种defect(mura、pinhole)的产生。
※如果没有配向膜会怎样？ 液晶在没有配向膜的基板上呈散乱状的排列 无法控制光的
方向 无法制造我们想要的影像 无法控制电压施加时液 晶Tilt的方向(reverse tilt) 影像质量不佳
2.2 PI的材质 Polyimide: 学名为 聚酰亚胺，是由二胺与二酸酐单体反应合 成的材料具有耐高温、电气绝缘性好、光学性能佳的优点 。
6.2 偏贴
偏光板(离形纸已撕离) 面板
面板
面板
离形纸剥离 & 除电
X 轴
90°垂直
贴付 Y 轴
贴付
ALIGN.
Shift検査
E/V
90°水平
X 轴Cartridge Port
B/F
取出部
Y 轴 ALIGN.
Set table
Sepa.film
偏贴后 検査
6.3脱泡
BACV 功能：此装置主要将贴付偏光板后的Panel进行加热与加压。 要求：使偏光板与Panel能更紧密接触，进而减少Bubble的异常。
※ 需编辑滴下位置,
1.第一点和seal 位置不适当会造成Edge Gap 或 是液晶未扩散Bubble issue
2. 点跟点位置不适当也会造成液晶未扩散的 Bubble issue
LC Margin是新产品设计完成，需要保 证一定Gap下，液晶可以灌注的范围， 少滴会有Bubble，多滴的话会出现重力 Mura。 一般该Margin越大，我们认为对于制程 方面越有可调整优势。
CHINA STAR
OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY
CELL制程简介
1. CELL概论 2. PI制程简介 3. ODF制程简介 4. HVA制程简介 5. 切割制程简介 6. 偏贴制程简介 7. 测试试程简介
1.Cell概论
在Array和CF制程中得到的玻璃基板，要在Cell制程中贴合、灌入液晶、涂 上框胶、切割成型panel、贴偏，液晶电视在个制程里具备了基本雏形。 如下是一个完整的Cell结构图：
切割顺序：
流程
切割裂片示意图
倒角
下磨边 上磨边
IC CF
TFT
尖 锐
IC线路
TFT
Lateral Crack
Median Crack
CF
Weak
6. 偏贴制程简介
6.1 偏光板介绍
偏光板功能
偏光板构造
保护膜 TAC
PVA(高分子膜) TAC 离型纸
两片偏光通方向垂直，光无法通过，通过液晶转动改变入射光 偏振方向，达到控制光通量的目的。
※利用CCD撷取影像后，以周期性比对方式找出Defect
2.7 PI Postbake Oven
利用IR炉内高温(Max.250度)将PI膜固烤环化
N2 IN
IR涂层 AL板
绝缘层 AL板 加热线
排气
Glass
IR Heater
支撑PIN
3. ODF制程简介
AU
3.1制程目的
新人技术培训课程
ODF制程中会在玻璃上按panel尺寸涂上框胶和金球，滴注液晶
• PI液放入冰箱冷却,需待12小时后方可取出。 • PI液由冰箱取出退冰后须等待8小时以上,方可使用。 • PI液由冰箱取出超过16小时须回冰.如要再拿出使用,PI回冰需满12小时。 • 不同时间点退冰之PI液,不可混在同一瓶中。
2.3 Before PI Cleaner
※以毛刷(混合洗剂)-高压水柱-二流体-风刀的配置进行湿洗制程 利用IR炉内高温(Max.150度)将 水气去除
CF 厂
素玻璃上形成 彩色滤光片
将驱动IC,PCB及背光板 加工至面板上,完成半成品
驱动IC PC
backlight
B
1.2 CELL 流程简介
TFT 基板
洗净
配向膜涂布
配向膜成型
配向
CF 基板
去除基板表面微粒 印刷方式将配向膜 子及有机物等污染 均匀涂布基板上
先以低温帮助solvent离开 及PI分层后再以高温帮助 单体进行聚合反应
2.1 PI的角色
CELL的构造：
配向膜：供给液晶分 子的排列媒介(预倾角)
制程目的：在玻璃基板(TFT、CF)上均匀涂布上一层薄膜，并且升温 把其溶剂挥发，其涂布区域/范围依照产品设计而定；薄膜厚度依据 所选定的PI材料&吐出量而有不同。经预烤后会呈金黄色(依不同膜厚 而有不同之颜色)。 制程要求：均匀将PI液涂布至基板表面，符合制程要求之膜厚均匀性、
2.4 PI Inkjet Printer
以电压驱动 振动子 或挤压 压电陶瓷使PI液滴下
2.5 PI Prebake Oven
目的 :预烤(去除solvent)及使PI膜 平整化 , 将溶剂挥发掉(约80%)
温度控制（升温曲线）： 在预烤段时，玻璃基板温度由室温慢慢上升，在温度上升过程中PI内的溶剂会慢
一次点灯
一次点灯制程：机台通过shorting bar方式对Panel进行点灯，API将点灯画面拍摄为图像； 人员在IMS room 检查API图像对Panel进行分类 。
效益：1、对不同等级Panel进行分类；（按优劣之分价格不同） 2、将不良品拦截在偏贴之前，避免偏光板浪费。
二次点灯
二次点灯制程：机台通过shorting bar方式，full contact方式；1D1G方式对Panel进行点灯； 有人员直观检查。 优势：1、可以完全模拟实际点亮效果，人员可以直观检查。（full contact mode完全模拟）
框胶作用：
利用框胶黏着性将Cell 上下两片玻离基板组合固 定;保护液晶不和外界水气及杂质接触，防止 液晶外流
AU点胶制程之电场
液晶分子在不同方向的介电系数不同，外加电场可 改变液晶分子的排列方向，从而可以控制光的方向。
CHINA STAR
框胶 TFT 偏光板
Black Matrix Color Filter
Photo Spacer
配向膜 液晶
偏光板
1.1 TFT-LCD 流程简介
Array厂
素玻璃上形成 薄膜晶体管
CELL厂
TFT与CF基板表面进行配向工程, 注入LC后将两基板组立,分割成 Panel Size并贴上偏光片
LCM 厂
Seal材有光硬化组分与热硬化组分UV硬化时，进行Seal材的光 组分硬化，若此时温度过高，热组分提前硬化则影响光组分充 分 硬 化 ， 所 以 进 行 温 度 控 制 对 系 统 进 行 冷 却 ， 包 括 Lamp 及 Stage
3.7ODF滴注液晶的优势
传统LCD的液晶注入方式，是在上下玻璃对组之后以毛细 原理将液晶慢慢吸入。ODF法则是在先将液晶直接滴在玻璃上， 然后在进行上下玻璃的对组。这种新的制程可以大幅节省灌液 晶的时间与液晶材料，尤其在超大尺寸面板具有绝对的优势。 但是容易形成气泡，出现框胶污染液晶
monomer
聚合monomer
5. CUT
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CELL制程简介ppt课件
12
13
☆ Rinsing(潤濕) or Shower 原理:
14
Cavitations Jet 洗淨原理
上下沖洗基板，水壓越 大則洗淨能力越好。而 氣泡則可以緩衝強大的 水流，避免造成基板的 損傷
水壓:10 ~ 20Kg/cm2
氣泡
Air
15
PI轉寫機
★轉寫機 : 基板進入後, 經過對位, 真空吸著, A輪與P輪(凸版) 展色, 便開始印刷,將PI液均勻的印在基板上為面板最複雜的製程。 ★預烤爐
ITO (0.15μ SiO2 CF (1.30μ
SiO2 Glass (0.7mm)
3
LCD 面 板 構 造 圖
彩色濾光板
上偏光板
液晶層
ITO 電極
上玻璃基板
下玻璃基板 下偏光板 配向膜 間隔劑 液晶分子 框膠
4
LCD 模組分解示意圖
間隔橡膠-X 螺絲
Y-TAB
Y-PCB
AAA AAA
AAA AAAAA
21
刮刀的清潔
用無塵紙沾NMP 擦拭直到刮刀上無殘留PI為止,再用無塵紙沾 酒精擦拭,注意要點是擦拭時須小心不能傷到刀刃部。
PI供給管路的清潔
將NMP裝入鋼瓶中 ,沖洗管路中的PI液然後再將管路中的NMP 噴乾淨,拆下濾心( 此時須注意濾心內的細部零件)泡入NMP溶 劑中。
挑點
目前轉寫工程最棘手的作業，原因是必須靠作業者經驗的累 積才能作好的工作，以目前生產的經驗挑點往往影響不少生產 時間，也會降低良率，提生作業者能力是很重要的。
物的污染源…….等等。 2. 無機污染: 人體的汗、顏料、塵埃、金屬屑……等等。 3. 工程污染: 搬運、裝置運轉、包裝紙材、其他製程殘留
13
☆ Rinsing(潤濕) or Shower 原理:
14
Cavitations Jet 洗淨原理
上下沖洗基板，水壓越 大則洗淨能力越好。而 氣泡則可以緩衝強大的 水流，避免造成基板的 損傷
水壓:10 ~ 20Kg/cm2
氣泡
Air
15
PI轉寫機
★轉寫機 : 基板進入後, 經過對位, 真空吸著, A輪與P輪(凸版) 展色, 便開始印刷,將PI液均勻的印在基板上為面板最複雜的製程。 ★預烤爐
ITO (0.15μ SiO2 CF (1.30μ
SiO2 Glass (0.7mm)
3
LCD 面 板 構 造 圖
彩色濾光板
上偏光板
液晶層
ITO 電極
上玻璃基板
下玻璃基板 下偏光板 配向膜 間隔劑 液晶分子 框膠
4
LCD 模組分解示意圖
間隔橡膠-X 螺絲
Y-TAB
Y-PCB
AAA AAA
AAA AAAAA
21
刮刀的清潔
用無塵紙沾NMP 擦拭直到刮刀上無殘留PI為止,再用無塵紙沾 酒精擦拭,注意要點是擦拭時須小心不能傷到刀刃部。
PI供給管路的清潔
將NMP裝入鋼瓶中 ,沖洗管路中的PI液然後再將管路中的NMP 噴乾淨,拆下濾心( 此時須注意濾心內的細部零件)泡入NMP溶 劑中。
挑點
目前轉寫工程最棘手的作業，原因是必須靠作業者經驗的累 積才能作好的工作，以目前生產的經驗挑點往往影響不少生產 時間，也會降低良率，提生作業者能力是很重要的。
物的污染源…….等等。 2. 無機污染: 人體的汗、顏料、塵埃、金屬屑……等等。 3. 工程污染: 搬運、裝置運轉、包裝紙材、其他製程殘留
TFT--cell制程简介
16
Cell TEST-2 CELLtest-1
WO/SB TEST Waveform
data c b scan 63.5us 16.7ms a
com
19
CELL TEST-2
WO/SB TEST 的 作 用 (一)
• 有些產品 shorting bar 受傷使信號無法傳 遞 , 故借由導電橡皮將線路short .
metal film
O-ring
flat heater
4-6a.Scribe & Break
【製程目的】將組合熱壓完成之大片基板組，切裂成最終尺寸之cell。
4-6b.切割方式
切割是以硬度比玻璃高的工具，在玻璃表面施加壓力行走，使玻璃產生線狀 crack；基本上cell與單板的切割方法相同。 1、diamond scriber(point tool)：其median crack深度會有各種變化，因 diamond尖端會磨耗，故難以得到穩定的銳利度。 2、超硬/diamond wheel chip：現行LCD之切割皆採用此方式。 3、Laser criber：尚在基礎實驗中。
Scan driver(Gate-line)
CF ITO電極 Source Gate 液晶分子 Pixel電極 Drain
2-4.TFT-LCD剖面圖
3-2.LCD流程-Overall
TFT基板
PI塗布
PI配向
框膠/銀點
TFT/CF 組合/ 熱壓/切裂
CF基板 PI塗布 PI配向 Spacer撒布
4-6c.裂片方式
Cell的裂片方法，是在產生引張應力的地方，施加局部壓縮應力進行裂片。Cell進行裂 片時，切割面接觸裂片檯面，上方以樹脂製成之加壓片施加壓縮荷重；此時因Glass與 檯面的縱向彈性係數不同，會沿著切割線形成引張應力及彎曲應力。
Cell工程工艺简介2006.7
7
Cell工艺简介
CJ洗净（Cavitation Jet） 洗净（ 洗净 ）
8
Cell工艺简介
Hyper Mix洗净 洗净
9
Cell工艺简介
基板干燥方法：
气刀（Air Knife）干燥：气刀是使用高压干燥空气从狭缝中吹出，将停留在 基板表面的纯水除去。经过气刀干燥的基板还需要进一步干燥。
IR干燥：利用高温加热(IR)的方式将残留在基板表面的水分彻底除去，IR干 燥只能用于除去少量水分，干燥效果与加热温度和时间有关。基板经过IR干燥后需 要冷却，一般有冷板（Cold Plate）型和空冷型。
处理枚数管理，空烧 IR温度时间，搬送速度 除电方法位置，搬送速度
20
Cell工艺简介
2.4 摩擦取向 摩擦处理的目的： 1.通过布摩擦配向膜，使配向膜具有配向液晶的能力 2.使液晶排列具有预期的预倾角
摩擦处理过程： 摩擦布 US Cleaner 玻璃基板 US Cleaner
21
Cell工艺简介
湿式清洗
6
Cell工艺简介
洗净原理
UV(EUV)洗净： 洗净： 洗净 紫外线（UV）使O2生成O3 ，并进一步分解为具有强氧化性氧自由基（O）,使有 机物氧化分解达到洗净效果。 EUV的原理相同，只是其波长更短（即光子能量更高），产生O的能力更强，因而 洗净效果更好。 Brush(滚刷)洗净： Brush(滚刷)洗净： 滚刷 利用滚刷在一定压入量（压力）的条件下，在基板表面旋转时产生的机械剥离力 将异物粒子除去。它针对的主要是大粒径的异物粒子。
摩擦取向原理：
PI
摩擦方向 摩擦前 配向材分子 摩擦后
22
Cell工艺简介
摩擦工艺管理项目
《CELL制程简介》课件
未来Cell制程的发展将更加注重环保、高效、智能化。随着技术的不断进步和应用领域的拓展，Cell制程将不断向更高效、更环保、更智能化的方向发展。
随着Cell制程技术的不断发展，也面临着诸多挑战，如技术瓶颈、成本问题、伦理问题等。解决这些挑战需要不断探索和创新，同时也需要政府、企业和社会各界的共同努力。
流体力学
细胞培养
细胞培养是Cell制程中的重要技术之一，通过模拟细胞生长的环境条件，促进细胞的增殖和代谢。
酶促反应
酶促反应在Cell制程中起到重要作用，酶能够加速生物体内的代谢过程，从而影响细胞生长和产物生成。
基因工程
基因工程在Cell制程中用于对细胞进行遗传改造，以实现高产、高表达或具有特殊功能的细胞系建立。
总结词
05
CHAPTER
Cell制程的实验操作与注意事项
确保实验环境整洁、安全，准备好所需的实验器材和试剂。
实验准备
实验操作
实验结束
按照规定的步骤进行实验，注意观察实验现象，记录实验数据。
清理实验现场，确保实验室安全。
03
02
01
穿戴好实验服、护目镜等防护装备，避免皮肤直接接触化学试剂。
注意个人防护
总结词
常见的分离设备包括离心机、过滤器、萃取塔、蒸馏塔等。这些设备通过物理或化学的方法，将反应产物和副产物从反应液中分离出来，并进行纯化处理，以获得高纯度的产品。分离设备的效率和效果直接影响到产品的质量和产量。
详细描述
总结词
检测仪器用于检测和监测Cell制程中的各项参数，如温度、压力、浓度、流速等。
详细描述
检测仪器包括温度计、压力计、流量计、浓度计等。这些仪器通过测量和监测Cell制程中的各项参数，帮助操作人员了解反应过程和产品情况，及时发现和解决问题，确保制程的稳定性和安全性。
OLED CELL制程及设备介绍
Array
5.5G Array基板4分切 割以便投入蒸镀
CELL
Cell 切 割
Cell Aging
测试
Gap sealing
1/4中片切割成Panel 前制程&本制程不良检出 完成Aging/Gap seal/偏光 片贴附后output to MOD
偏光片贴附
OLED CELL工艺流程简介
1/4切割
磨边 (Grinding)
清洗(Clean)
外观检 查
OLED蒸镀/封 装
【清洗目的】：利用毛刷、2流体喷淋去离子水等冲洗干净Glass，并风刀风干，避免 Particle污染后制程。
毛刷
2流体喷淋
纯水洗净
Air Knife风干
OLED CELL工艺流程及设备介绍
LTPS/Cove r Input
外观检 查
OLED蒸镀/封 装
【切割原理】：利用高硬度的聚合金刚石刀轮，在玻璃表面形成沿着刀轮行进方向，垂直 于玻璃表面的纵向裂纹，从而使玻璃能沿切割方向断开。
以产生Median Crack为主,其它Crack越小越好。
OLED CELL工艺流程及设备介绍
LTPS/Cove r Input
1/4切割
Output
Align System
Pogo Pin 最小Pitch: 300um
Aging Chamber System
Unloading System
FPCB 最小Pitch: 180um
Blade 最小Pitch: 85um
OLED CELL工艺流程及设备介绍
Cell input
清洗覆膜
Cell切割
2流体喷淋
纯水洗净
TFTCell制程原理
TFTCell制程原理引言TFTCell（薄膜晶体管电池）是一种非常重要的电子组件，广泛应用于液晶显示器（LCD）和有机发光二极管（OLED）等显示技术中。
本文将介绍TFTCell的制程原理，包括其结构、制造过程以及工作原理。
结构TFTCell的基本结构由三个主要元件组成：薄膜晶体管、电容和像素电极。
薄膜晶体管是TFTCell的核心部件，它负责控制电流流过电容和像素电极，从而达到控制像素点的亮度和颜色的目的。
电容存储电荷，而像素电极是通过对电容上的电荷进行驱动来控制每个像素点的亮度。
制造过程TFTCell的制造是一个复杂的过程，涉及到多个步骤。
下面将介绍TFTCell的制造过程的主要步骤。
1. 基板制备TFTCell的制造通常以玻璃作为基板，因为玻璃具有良好的透明性和平整度。
制造过程的第一步是在玻璃基板上涂覆一层透明导电薄膜，通常使用氧化锌（ZnO）或二氧化锡（SnO2）等材料的薄膜来实现。
2. 薄膜晶体管的形成在涂覆导电薄膜的基板上，通过光刻和蒸发等技术，制造薄膜晶体管。
薄膜晶体管通常由一层绝缘层、一层半导体层和一层金属电极组成。
绝缘层用于隔离半导体层和金属电极，确保电流只流过晶体管的通道部分。
3. 像素电极的制造在薄膜晶体管的制造完成后，需要制备像素电极。
像素电极通常是由透明导电材料制成的，例如氧化铟锡（ITO）等，可以通过光刻和蒸发等工艺在晶体管上制造出一个个微小的像素电极。
4. 电容的形成在像素电极的制造完成后，需要在像素电极和薄膜晶体管之间形成一个电容。
电容是由两个金属层之间的绝缘层组成，通过光刻和蒸发等工艺在晶体管上制造出。
工作原理TFTCell的工作原理是基于薄膜晶体管的开关特性。
当TFTCell中的薄膜晶体管通电时，电流流过绝缘层到达半导体层，通过控制垂直方向的电场的强度，可以调节半导体层的导电特性。
当半导体层导电时，电流可以流过像素电极和电容，从而改变像素点的亮度和颜色。
TFTCell的工作原理可以通过外部电源和信号控制电流的开闭，从而实现TFTCell的快速响应和高精度的亮度调节。
《Cell与LCM制造流程介绍》
Panel Cleaning 玻璃清洗
刮膠
Autoclave 消泡
End seal & UV exposure 封口及曝光
Panel Cleaning 玻璃清洗
Polarizer Attachment 偏貼
切割裂片站製程說明
目的：將玻璃基板切割成各種尺寸之產品 GlassBase Cell/Panel
從目前的市場消費理來看T.F.T LCD的份額正在逐 步提高，相信在不遠的將來液晶顯示器會成為顯 示器領域的主導！
二、Cell製造流程
cell段製程
切割裂片 液晶注入
封口＆磨邊導角
切割裂片站
OK
液晶注入
OK
封口
OK
磨邊＆導角
OK
清洗
OK
偏貼
一般製程 檢查製程 修復製程
三、LCM製造流程
JI段製程
2.自学预习的习惯 自学是获取知识的主要途径。就学习过程而言，教师只是 引路人，学生是学习的真正主体，学习中的大量问题，主要* 自己去解决。
阅读是自学的一种主要形式，通过阅读教科书，可以独立 领会知识，把握概念本质内涵，分析知识前后联系，反复推敲， 理解教材，深化知识，形成能力。学习层次越高，自学的意义 越重要，目前我国的高考为选拔有学习潜能的学生，对考生的 自学能力有较高的要求。
二、中学生必须养成哪些良好的学习习惯？ 1.尊重与欣赏老师的习惯 亲其师，信其道。一个学生同时面对的各学科教师，长短
不齐,在所难免。所以学生要学习好，除了我们老师努力提高能 力水平，适应学生外，学生更要尊重老师，适应老师，并学会 欣赏自己的老师。不同层次的老师，学生用不同的方式，眼睛 向内、提高自我的方式去适应，与老师共同进步。从现在适应 老师，长大了适应社会。不会稍不如意就埋怨环境。
oled cell制程
oled cell制程
OLED（有机发光二极管）是一种应用于显示技术的有机材料。
OLED 细胞是一种非常重要的元件，它由多个薄层构成，包括玻璃基板、透明电极、电荷注入层、电荷传输层、发光层和金属电极。
OLED细胞
的制程包括以下步骤：
1. 选择基板和透明电极：基板可以是玻璃、金属或塑料，透明
电极通常采用氧化锡或氧化铟锡。
2. 制备电荷注入层和电荷传输层：电荷注入层主要用于改善电
子和空穴的传输，电荷传输层则帮助电子和空穴在下一层的发光层中相遇。
3. 制备发光层：发光层是OLED细胞的关键层，它由有机分子组成，可以自发发光，产生各种颜色。
4. 加工金属电极：金属电极用于在OLED细胞中引入电流，并产生光亮。
5. 通过真空蒸镀或喷墨印刷等方式将各层材料组装到一起。
6. 将OLED细胞封装在保护壳中，以保证其长期稳定性和耐用性。
OLED细胞制程的关键在于各层材料的精确组装和薄膜的控制。
未来，随着技术的发展，OLED细胞将得到更广泛的应用，从手机屏幕、电视显示器到汽车仪表盘，甚至是灯光设计上都会产生更大的影响。
- 1 -。
CELL制程原理
框胶制程 胶制程
Seal框胶之目的，在于提供panel中AR与CF之固着，同时提供panel 中液晶与外界的隔绝。 Ag点胶之目的，则导通CF与AR上之COM电极，以形成控制液晶分子驱 动之电场。 银胶 氮气 (N2) 框胶
液晶注入口
针头 Nozzle
玻璃基板
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Print roll GLASS 基板
APR板 ·
stage
行进方向
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PI material Requirements(TFT)
项目 成膜性 机械特性 配向特性 配向膜具备特性 Good printing property Low bake temp. 无ruቤተ መጻሕፍቲ ባይዱbing 刷痕 Rubbing时无产生PI剥落 Pretilt angle stability 配向后,经加热后亦保有安定配向性 Solvent resistance
(2π(T+R)-2π(a+R))
2π(T+R) =1-2*(T-a)/D 1 2*(TT:版总厚度 a:底版厚度 D:滚轮直径 D
SPEC：
Mesh：需比anilox roller mesh数低 范围:200~600mesh(每一inch內多少格) Angle ：75 度,45度 75 Pattern area: 20 30 40 APR plate: thickness: 0.7~2.84mm±0.02mm 底版胶厚度:0.2mm Hardness: K-11 rubber hardness 55
R
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配 向 绒 布
PI膜配向 基板和 roller成45度角, 膜配向:基板和 膜配向 成 度 TFT和CF基板方向差 90 度. 和 基板方向差 Roller高速旋转时 绒毛上的纤维 高速旋转时 高速旋转时,绒毛上的纤维 会甩立起来, PI膜刷出纹路 会甩立起来,将PI膜刷出纹路 Rubbing的情况 的情况, Rubbing的情况,类似于重铺柏油 刨路机, 马路之前的刨路机 马路之前的刨路机,将路面刨出纹 路.
3_Cell 介绍--含制程
PI Coating
藉著APR版上的Pattern，將配向膜 材料均勻地轉印在AR/CF Sub.上。
配向膜溶液
APR版
Doctor & blade
(2)Doctor blade type (1)Doctor roller type Doctor roller PI dispenser Doctor blade Anilox roller Print roller Anilox roller Print roller APR版 APR版 PI dispenser
Scribe & Break
將組合熱壓完成之大片基板組 ，切裂成最終尺寸之cell。
Injection
注入封口的目的是利用壓力差與毛細力，將空cell填充 滿液晶，經再壓合後將多餘液晶從panel中擠出，以UV 膠將注入口封閉，再放鬆後將塗在封口之UV吸入並曝光 硬化，以達封口與外界隔絕之目的。
分子間作用力
(1)dipole-dipole作用力：為分子中dipole-dipole moment直接相互作用。在電場外，具dipole-dipole moment之分子由於熱流攪動，其在空間的取向較不規則。 (2)induced dipole作用力：非極性分子在電場作用下， 被極化而產生分極之induced dipole-moment相互作用。 (3)凡得瓦耳力。
Liquid Crystal
Array:電晶體
矩形陣列
Cell:顯示單元體
Module
Module:產品模組
製程簡要製程簡要-2
ARRAY CELL
外購
一廠:320*400(mm) 二廠:610*720(mm)
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