电子科大微电子工艺复习提纲.pdf

电子产品结构设计与制造工艺

第一章概述 1．1电子设备结构设计与制造工艺 1．1．1现代电子设备的特点 当前，电子技术广泛地应用于国防、国民经济各部门以及人民生活等各个领域。 由于生产和科学技术的发展，新工艺和新材料应用，超小型化元器件和中大规模、超大规模集成电路的研制和推广，使电子设备在电路上和结构上产生巨大的变化。小型化、超小型化、微型化结构的出现，使得一些传统的设计方法逐渐被机电结合、光点结合等新技术所取代，再加上电子设备要适应更加广泛的用途和恶劣苛刻的工作环境，就使当代电子设备具有不同于过去的特点。这些特点可归纳为以下几方面： 1．设备组成较复杂，组装密度大 现代电子设备要求具有多种功能，设备组成较复杂，元器件、零部件数量多，且设备体积要小，组装密度大。尤其是超大规模集成电路及其衍生的各种功能模块的出现，使电子设备的组装密度较过去提高了很多。 2．设备使用范围广，所处的工作环境条件复杂。 现代电子设备往往要在恶劣而苛刻的环境条件下工作。有时要承受高温、低温和巨大温差变化；高湿度和低气压；强烈的冲击和振动；外界的电磁干扰等。这些都会对电子设备的正常工作产生影响。 3．设备可靠性要求高、寿命长 现代电子设备要求具有较高的可靠性和足够的工作寿命。可靠性低的电子设备将失去使用价值。高可靠性的电子设备，不仅元器件质量要求高，在电路设计和结构设计中都要作出较大的努力。 4．设备要求高精度、多功能和自动化

现代电子设备往往要求高精度、多功能和自动化，有的还引入了计算机系统，因而其控制系统较为复杂。精密机械广泛地应用于电子设备是现代电子设备的一大特点。自控技术、遥控遥测技术、计算机数据处理技术和精密机械的紧密结合，有的电子设备要求有智能实现人机交流，使电子设备的精度和自动化程度达到了相当高的水平。 上述电子设备的特点，只是对整体而言，具体到某种设备又各具自己的特点。由于当代电子设备具有上述特点，对电路设计和结构设计的要求更高了，设计、生产人员充分了解电子设备的特点，对于确保电子设备的性能满足使用要求十分必要的。 1．1．2 电子设备的制造工艺和结构设计 工艺工作是企业生产技术的中心环节，是组织生产和指导生产的一种重要手段。在产品的设计阶段，它的内容是确定产品的制造方案并完善生产前的技术准备工作；在产品的生产制造阶段，它的主要内容是组织指导符合设计要求的加工生产，直至出厂为止而采取的必要的技术和管理措施。工艺工作按内容可分为工艺技术和工艺管理，前者是生产实践劳动技能和应用科学研究成果的积累和总结，是工艺工作的核心；后者是对工艺工作的计划、组织、协调与实施，是保证工艺技术在生产中贯彻和发展的管理科学。工艺技术的实现和发展是由科学的工艺管理工作来保证和实现的。工艺工作将各个部门、各个生产环节联系起来成为一个完整的整体。它的着眼点就是促进每项工作操作简单、流畅、高效率、低强度。 设计和制造电子设备，除满足工作性能的要求外，还必须满足加工制造的要求，电路性能指标的实现，要通过具体的产品结构体现出来。电子设备是随着电子技术的发展而发展的，其结构和构成形式也随之发生变化。初期的设备较简陋，考虑的主要问题是电路设计。到二十世纪四十年代，出现了将复杂设备分为若干部件，树立起结构级别的先进想法；为防止气候影响，研制出密封外壳；为防止机械过载而研制出减振器，设备结构功能进一步完善，结构设计成为电子设备设计的内容。随后，由于军用电子技术的发展和野战的需要，结构设计的内容逐步丰富起来。目前，结构设计在电子设备的设计中占有较大的

《半导体制造工艺及设备》课程教学大纲

《半导体制造工艺及设备》课程教学大纲 课程类别：技术基础必修课课程代码：BT1410_2 总学时：总学时48 （双语讲授48） 适用专业：微电子制造工程 先修课程：大学物理、半导体物理、微电子制造基础 一、课程的地位、性质和任务 本课程是微电子制造工程专业的一门必修的专业技术基础课。其作用与任务是：使学生对集成电路制造工艺及其设备有一个比较系统、全面的了解和认识，初步掌握硅材料制备、氧化、淀积、光刻、刻蚀、离子注入、金属化、化学机械平坦化等工艺及其设备，工艺集成以及CMOS工艺的基础理论。 二、课程教学的基本要求 1.初步掌握半导体工艺流程的基本理论与方法； 2.掌握半导体制造技术的基本工艺（硅材料制备、氧化、淀积、光刻、刻蚀、离子注 入、金属化、化学机械平坦化）及其设备； 3.初步掌握工艺集成与当前最新的CMOS工艺流程。 三、课程主要内容与学时分配 1、半导体制造概述3学 时 半导体制造在电子制造工程中的地位与概述、基本概念、基本内容 2、硅材料制备3学 时 直拉法、区熔法 3、氧化4学时 氧化物作用、氧化原理、氧化方法、氧化工艺、氧化炉 4、淀积5学 时 物理淀积与化学气相淀积（CVD）、淀积工艺、CVD淀积系统 5、光刻8学 时 光刻胶、光刻原理、光刻工艺、光刻设备、先进光刻技术、光学光刻与软光刻。 6、刻蚀4学 时 刻蚀方法、干法刻蚀、湿法刻蚀、等离子刻蚀、刻蚀反应器 7、离子注入3学 时 扩散、离子注入原理、离子注入工艺、离子注入机 8、金属化4学时 金属类型、金属化方案、金属淀积系统、铜的双大马士革金属化工艺 9、化学机械平坦化（CMP）2学时 传统平坦化技术、化学机械平坦化CMP工艺、CMP应用

电子科技大学2018年《物理光学 》硕士研究生考研大纲_电科考研论坛

电子科技大学2018年《物理光学》硕士研究生考研大纲考试科目840物理光学考试形式笔试（闭卷） 考试时间180分钟考试总分150分 一、总体要求 主要考察学生掌握《物理光学》的基本知识、基本理论的情况以及分析和解决物理光学问题的能力。 二、内容及比例 1.光的电磁理论（约25%） 光波在各向同性介质中的传播特性（光波的波长或频率范围，光波区别于其它电磁波的特性，光强、折射率、时谐均匀平面波、光程） 光波的偏振特性（五种偏振光的概念以及之间的关联、左旋与右旋光波、偏振度） 光波在各向同性介质分界面上的反射和折射特性（反射定律和折射定律、菲涅耳公式、反射率与透射率、全反射、布儒特性定律、半波损失、附加光程差） 光波场的频率谱（时间频谱与空间频谱、实际光波与时谐均匀平面波的关联） 时谐均匀球面波（波函数） 2.光的干涉（约20%） 光的干涉现象及其基本原理（波叠加原理、相干与不相干） 光的相干条件和获得相干光的方法 双光束干涉（分波面与分振幅） 多光束干涉（高反射率膜、多层介质膜） 单层光学薄膜（增透或增反的条件） 迈克耳逊干涉仪和F-P干涉仪（结构、原理及应用） 光的相干性（部分相干、时间相干与空间相干性的起源和表征） 3.光的衍射（约20%） 光的衍射现象及其基本原理（衍射现象明显与否的条件、基尔霍夫衍射积分的近似条件、衍射的分类及处理方法） 夫琅和费单缝衍射、圆孔衍射、多缝衍射 光学成像系统的衍射和分辨本领 光栅（光栅方程、分光性能、闪耀光栅的特性） 菲涅耳圆孔和圆屏衍射、波带片 4.晶体光学（约25%） 光波在各向异性介质中的传播特性（介电张量、单色平面波在晶体中的相速度和光线速度、菲涅耳方程、光在单轴晶体中的传播、单轴晶体的折射率椭球和折射率面） 光波在单轴晶体界面的双反射和双折射

半导体工艺及芯片制造技术问题答案(全)

常用术语翻译 active region 有源区 2.active ponent有源器件 3.Anneal退火 4.atmospheric pressure CVD (APCVD) 常压化学气相淀积 5.BEOL（生产线）后端工序 6.BiCMOS双极CMOS 7.bonding wire 焊线，引线 8.BPSG 硼磷硅玻璃 9.channel length沟道长度 10.chemical vapor deposition (CVD) 化学气相淀积 11.chemical mechanical planarization (CMP)化学机械平坦化 12.damascene 大马士革工艺 13.deposition淀积 14.diffusion 扩散 15.dopant concentration掺杂浓度 16.dry oxidation 干法氧化 17.epitaxial layer 外延层 18.etch rate 刻蚀速率 19.fabrication制造 20.gate oxide 栅氧化硅 21.IC reliability 集成电路可靠性 22.interlayer dielectric 层间介质（ILD） 23.ion implanter 离子注入机 24.magnetron sputtering 磁控溅射 25.metalorganic CVD(MOCVD)金属有机化学气相淀积 26.pc board 印刷电路板 27.plasma enhanced CVD(PECVD) 等离子体增强CVD 28.polish 抛光 29.RF sputtering 射频溅射 30.silicon on insulator绝缘体上硅（SOI）

电子科技大学微固考研复试经验

今年考上了电子科大，微固专业，作为回报，我简单说一下吧。 我初试分数不高，外校考生，初试分数340+，而今年线是340，可以说希望不 大。但是既然过线，就要努力试试吧。 我比较走运，其实大多数考到340+的，很容易在复试时被淘汰。不过，既然 上了分数线，就别太灰心。电子科大是一个非常公平的学校，你是人才，他们一定会招你，你把总分搞上去，还有机会，他们的复试公平公正。如果你有一些竞赛获奖那就更好了，或者你的专业知识非常扎实。 个人建议在复试前联系一下导师，发个简历什么的，让老师对你有个大致的了 解，如果能征得老师同意，提前见一面，那就更好了。 复试流程第一项是导师考察，这个，同学一定要重视，尽管不计入分数，但是， 至关重要，如果老师很喜欢你，那么，你在复试时会有一定优势的，一定要重视。 然后就是笔试了，笔试电路分析，这两年题不难，按照指定书目看一下，做做 课后题，有时间可以到网上买复试题，淘宝上好像就有，一共四本。有本科试题，研究生复试试题，某学院电分初试题等等。 接下来就是面试了。面试会随机分成几组，你提前不会知道那几个老师面试你， 老师也不会提前知道他会面试到谁，所以，你面试不一定有你报的导师。学生被领到一个屋子里，里面有五个老师。进去后，先是英语面试。自己提前准备一下英文自我介绍。但不一定会问到。我比较幸运，被问到这个了。这个每个人情况不同，问题是老师随口问的，每个学生不同。简单的有自我介绍，你为什么选择电子科大，你的爱好，等等。还有人被问到你喜欢哪个季节，为什么等等。难的可能会问点专业性的，这个几率不大，如果被问到了，自认倒霉吧。英语面试也就五分钟左右。然后专业面试。面试的问题也很随机，可能难，也可能很基础。如果你初试考的数模电，那么复试也重视一下数模电。复习的科目主要就是数模

《物理光学》课程教学大纲

《物理光学》课程教学大纲 课程编码：MF 课程名称：物理光学 课程英文名称：Physical Optics 总学时：50 讲课学时：50 实验学时：上机学时：课外辅导学时：学分：3.0 开课单位：航天学院光电子信息科学与技术系 授课对象：电子科学与技术专业本科生 开课学期：2春 先修课程：工科数学分析、大学物理、电动力学 主要教材及参考书： 教材：《物理光学与应用光学》石顺祥等编著，西安电子科技大学出版社，2008。 参考书：1、Born & Wolf, Principles of Optics, 7th edition, Cambridge University Press, 1999；2、《物理光学》（第三版），梁铨廷，电子工业出版社，2008年4月；3、《物理光学学习指导与解题》刘翠红编著，电子工业出版社，2009。 一、课程教学目的 光学是研究光的本性，光的产生、传播、接收，以及光与物质相互作用的科学；同时又是与现代科学技术以及现代工程有紧密联系的一门学科。本课程作为一门重要的专业基础课，以光的电磁理论为理论基础，着重讲授光在各向同性介质、各向异性介质中的传播规律，光的干涉、衍射、偏振特性，以及光的吸收、色散、散射现象。其教学目的是使学生深入了解并熟练掌握物理光学的重要知识，掌握重要的分析问题的方法，培养学生运用光学知识，解决后续课程以及今后工作中所遇有关问题的能力。

二、教学内容及基本要求 1. 本门课程的教学内容 第一章光在各向同性介质中的传播特性（共10学时） 光波的特性：光波与电磁波、麦克斯韦电磁方程、物质方程；几种特殊形式的光波；光波场的时域频率谱；相速度和群速度；光波场的空间频率与空间频率谱；光波的横波性、偏振态及其表示。光波在介质界面上的反射和折射：包括反射和折射定律；菲涅耳公式；反射率和透射率；反射和折射的相位特性；反射和折射的偏振特性；全反射。光波在金属表面上的反射和折射等。 第二章光的干涉（共10学时） 双光束干涉；平行平板的多光束干涉；典型干涉仪及其应用；光的相干性理论。 第三章光的衍射（共10学时） 衍射的基本理论：包括光的衍射现象；惠更斯—菲涅耳原理；基尔霍夫衍射公式。夫琅和费衍射：包括夫琅和费衍射装置；矩孔、单缝、多缝以及圆孔的夫琅和费衍射；巴俾涅原理。菲涅耳衍射：包括圆孔和直边菲涅耳衍射。衍射的应用和傅立叶光学基础等。 第四章光波在各向异性介质中的传播特性（共10学时） 晶体的光学各向异性：包括张量的基础知识；晶体的介电张量。单色平面光波在晶体中的传播：包括光波在晶体中传播的解析法和几何法描述。平面光波在晶体界面上反射和折射。晶体光学元件及晶体的偏光干涉等。 第五章晶体的感应双折射（共4学时） 晶体的电光效应（原理及应用）、声光效应和旋光效应（自然旋光现象、菲涅耳的解释、磁致旋光效应、应用）。

电子产品结构设计过程

电子产品的结构设计过程 一个完整产品的结构设计过程 1.ID 造型; a. .......................... I D 草绘 b. ............................. ID 外形图 c. ............................. MD 外形图 2.建模; a. 资料核对 ..... b. 绘制一个基本形状...... c. 初步拆画零部件 ..... 1.ID 造型; 一个完整产品的设计过程, 是从ID 造型开始的，收到客户的原始资料（可以是草图，也可以是文 字说明），ID即开始外形的设计；ID绘制满足客户要求的外形图方案，交客户确认，逐步修改直至客户认同；也有的公司是ID 绘制几种草案，由客户选定一种，ID 再在此草案基础上绘制外形图；外形图的类型，可以是2D的工程图，含必要的投影视图；也可以是JPG彩图；不管是哪一种，一般需注名整体尺寸，至于表面工艺的要求则根据实际情况，尽量完整；外形图确定以后，接下来的工作就是结构设计工程师（以下简称MD的了； 顺便提一下，如果客户的创意比较完整，有的公司就不用ID直接用MD故外形图； 如果产品对内部结构有明确的要求，有的公司在ID绘制外形图同时MD就要参与进来协助外形的调整；MD开始启动，先是资料核对，ID给MD的资料可以是JPG彩图，MD将彩图导入PROEt描线；ID 给MD勺资料还可以是IGES线画图，MD各IGES线画图导入PROE!描线，这种方法精度较高；此外，如果是手机设计，还需要客户提供完整的电子方案，甚至实物； 2。建摸阶段， 以我的工作方法为例，MD根据ID提供的资料，先绘制一个基本形状（我习惯用BASE乍为文件名）；BASE就象大楼的基石，所有的表面元件都要以BASB的曲面作为参考依据； 所以MD故3D的BASE和ID做的有所不同，ID侧重造型，不必理会拔模角度，而MD不但要在BASE 里做出拔模角度，还要清楚各个零件的装配关系，建议结构部的同事之间做一下小范围的沟通，交换一下意见，以免走弯路；

2007年1月物理光学试题及答案

系别 班次 学号 姓名 . ………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 电子科技大学二零零五至二零零六学年第一学期 一．选择题（每小题3分） 1. 自然光正入射，其反射光为 D 。 A ．椭圆偏振光 B ．线偏振光 C ．部分偏振光 D ． 自然光 2. s E 极大时，H A ．极大 B ．极小 C ．等于常数 D ．不确定 3. 光在12/n n 界面发生全反射，入射光为线偏振光,其方位角 0,/2i απ≠， 已知入射角2 1 arcsin i n n θ≠，2 i π θ≠ ，则反射光为 B 。 A ．线偏振光 B ．椭圆偏振光 C ．自然光 D ．圆偏振光 4. 平行平板的等倾干涉图样定域在 A 。 A ．无穷远 B ．平板上界面 C ．平板下界面 D ．自由空间 5. 在白炽光入射的等倾干涉中，同级圆环中相应于颜色兰到红的空间位置是 A 。 A ．由外到里 B ．由里到外 C ．不变 D ．随机变化 6. 杨氏双缝干涉装置中，双缝间距离超过横向相干线度并逐渐增加时，干涉图样的可见度 D 。 A ．=0 B ．单调递增 C ．单调递减 D ．小幅波动，振幅逐渐减小 7. 使芙琅和费矩孔衍射装置中的矩孔在其自身面内平移，则衍射图样 A 。 A ．不变 B ．同向平移 C ．反向平移 D ．旋转 8. 在各向异性晶体中， E 、D 的方向 D 。 A ．一定不同 B ．一定相同 C ．互相垂直 D ．不一定相同

………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 9. 光波沿晶体主轴方向传播时，其场矢量 E 和相应的电位移矢量 D A 。 A ．一定平行 B ．一定垂直 C ．可能平行 D ．可能垂直 10. 应用波片时，波矢传播方向一般 D 。 A ．平行于快轴 B ．平行于慢轴 C ．平行于快、慢轴 D ．垂直于快、慢轴 11. 沿Z 轴方向施加电场的KDP 晶体一般呈 B 。 A ．单轴晶体 B ．双轴晶体 C ．各向同性晶体 D ．均匀媒质 12. 相对于入射光波,散射光波会发生频率变化的是 D 。 A ．瑞利散射 B ．米氏散射 C ．分子散射 D ．拉曼散射 二．计算题（每小题8分） 1. 已知一组F-P 标准具的间距为1 mm ，10 mm ，60 mm 和120 mm ，对于55.0=λm μ的入射光来说， 其相应的自由光谱范围f )(λ?为多少？为测量6328.0=λm μ、波长宽度为m μ4 1001.0-?的激光， 应选用多大间距的F-P 标准具？ 自由光谱范围nh f 2)(2 λλ= ? 对于1mm ，10mm ，60mm 和120mm ，自由光谱范围f )(λ?分别为m μ4 10 1.513-?、m μ5101.513-?、 m μ610521.2-?、m μ610260.1-?。 为测量6328.0=λm μ、波长宽度为m μλ4 10 01.0-?=?的激光，由nh 22 λλ= ?知， 间距20010 1001.02)106328.0(26 42 62 =????=?=---λλn h mm 2. 介质膜厚度约10m μ，折射率为4.1=n ，平行入射光中心波长500 nm ，谱线宽100=?λnm ，垂 直入射时，问能否观察到介质上、下表面反射光所产生的干涉现象？ 为什么？

电子产品工艺细节大全

电子产品工艺细节大全 1.根据加热方式分，电烙铁可分为内热式和外热式两种。内热式电烙铁的特点：优点是热效率高（高达85%-90%），烙铁头升温快，相同功率时的温度高、体积小、重量轻；缺点是内热式烙铁芯在使用过程中温度集中，容易导致烙铁头被氧化、烧死，长时间工作易损坏，因而其寿命较短，不适合做大功率的烙铁。外热式电烙铁的特点：优点是经久耐用、使用寿命长，长时间工作时温度平稳，焊接时不易烫坏元器件。缺点是体积大，热效率低。 2.常用的电阻标称值有E48、E24、E12、E6。 3.电阻常用的标注方法有：直标法、文字符号法、数码表示法和色标法等四种。 5.常用的手工焊接工具有:电烙铁、电热风枪和烙铁架等，常用的自动焊接设备有：波峰焊机和再流焊机设备。 6.对于有绝缘层的导线，其加工分为以下几个过程：剪裁、剥头、捻头（多股线）、搪锡、清洗和印标记等工序。 7.元器件引线的预加工处理主要包括引线的校直、表面清洁及搪锡三

个步骤。 8..直插元器件安装时，通常分为立式安装和卧式安装两种。 9.焊点的常见缺陷有虚焊，拉尖，桥接，球焊，印制电路板铜箔起翘、焊盘脱落，导线焊接不当等。 10.自动焊接技术主要有浸焊、波峰焊接技术、再流焊接技术。 11. 无铅化技术的无铅化所涉及的范围包括：焊接材料、焊接设备、焊接工艺、阻焊剂、电子元器件和印制电路板的材料等方面。 12. 接触焊接主要有：压接、绕接、穿刺等。 13.印制电路板的制作过程分为：底图胶片制版、图形转移、腐刻、印制电路板的机械加工与质量检验等。 14.常用的抗干扰措施有:屏蔽，退耦，选频、滤波，接地。 16. 电子产品装配的工艺流程是装配准备、装联、调试、检验、包装、入库或出厂等。

电子科技大学840物理光学考研历年真题及解析

电子科技大学考研历年真题解析 ——840物理光学 主编：弘毅考研 编者：青玉天堂 弘毅教育出品 https://www.360docs.net/doc/8c7034720.html,

目录 2012年840物理光学真题............................................... - 1 - 2011年840物理光学真题................................... 错误!未定义书签。2010年840物理光学真题................................... 错误!未定义书签。2009年840物理光学真题................................... 错误!未定义书签。2008年840物理光学真题................................... 错误!未定义书签。2012年840物理光学答案................................... 错误!未定义书签。2011年840物理光学答案................................... 错误!未定义书签。2010年840物理光学答案................................... 错误!未定义书签。2009年840物理光学答案................................... 错误!未定义书签。2008年840物理光学答案................................... 错误!未定义书签。

2012年840物理光学真题

电子产品生产工艺流程

产品生产总流程 接到订单 SMT 方案组装方案包装方案 BOM 工艺方案 研发输出方案 订单评审 输出给工程 采购 不合格入库通知采购退货 PMC(计划) 订单要求订购数量 订购 物料回仓 IQC 抽检 合格入库 计划安排SMT 仓库 SMT 备好相关物料（1天） SMT 贴片（3天） 品质检查（1天） 不合格入库，计划安排返工 计划安排组装 备好组装相关物料 物料加工处理（1天）IPQC 巡检 合格入库 合格 不合格 AOI 测试 外观检查升级测试 PWB 后加 PWB 测试 IPQC 巡检 首件 内核程序烧录

生产工艺检验规程 DPF 组装生产 品质IPQC 巡检软件升级 产线测试根据具体需要进行 不合格返工处理 合格机器老化 品质IPQC 巡检删除不要内容 清洁机器装袋 入成品库 计划安排包装 品质IPQC 巡检品质QC 抽检 合格 不合格返工处理 包装备料（半天） 生产（根据订单数、加工、包装难度决定） 机器称重、装箱 产品塑封 整箱称重、封箱 QA 抽检 不合格返工处理 合格 合格 品质PASS 入成品库 客户验货 合格不合格 出货品质通知返工，计划安排时间 首件

1.0目的： 为了规范确保产品实现过程中各个环节的检验，以确保产品达到质量要求，特制定并执行本规程。 2.0适用范围： 适用本公司生产过程的工艺控制。 3.0工作程序： 3.1进货检验 原材料及外加工件上线之前的检验参照《来料检验规范》进行。 3.2 生产过程控制及检验 3.2.1 PCB （1）上线前需在烘烤箱里以100℃的设定温度烘烤6小时。 （2）烘烤前PCB在烘烤箱里的摆放必须确保被烘烤后不会变弯曲。 （3）烘烤时间到后不可马上打开烤箱门，需让PCB在箱内冷却后方可取用。 （4）生产时PCB不可一次性从烤箱内取出，每次取用25大片。 3.2 .2印刷 （1）锡膏的使用依照《锡膏管制、使用、回收规范》进行作业。 （2）印刷出来的每一片PCB，需在放大镜下检查无误后方可流到下一工序. （3）生产中印刷不良的PCB，需清洗干净、进行烘烤后方可再次上线。 （4）印刷机作业时依照《全自动印刷机作业指导书》。 3.2.3 贴片 （1）每片经过贴片的PCB，需在放大镜下检查无误后方可流到下一工序。 （2）贴片中如有拆掉密封包装的BGA/CSP需进行烘烤后方可上线。 （3）拆封后的BGA/CSP烘烤时间表如下： BGA/CSP厚度烘烤温度烘烤时间 ≤1.4MM100℃14小时 ≤2.0MM100℃36小时 ≤3.0MM100℃48小时 （4）回流炉的温度设定依照后页的温度曲线要求。 3.2.6 焊接 焊接操作的基本步骤： （1）、准备施焊；左手拿焊丝，右手握烙铁，进入备焊状态。要求烙铁头保持干净，无焊渣等氧化物，并在表面镀有一层焊锡。 （2）、加热焊件；烙铁头靠在两焊件的连接处，加热整个焊件全体，时间大约1~2秒钟。对于在印制板上焊接件来说，要注意使烙铁同时接触焊盘的元器件的引线。 （3）、送入焊丝；焊接的焊接面被加热到一定温度时，焊锡丝从烙铁对面接触焊件。 （4）、移开焊丝；当焊锡丝熔化一定量后，立即向左上450 方向移开焊锡丝。 （5）、移开烙铁；焊锡浸润焊盘的焊部位以后，向右上450方向移开烙铁，结束焊接。从第三步开始到第五步结束，时间大约1~3秒钟。 正确的防静电操作 （1）、操作 E S D元件时必须始终配戴不良好的接地的手带，手带须与人的皮肤相触。

半导体器件设备制作工艺的制作流程

本技术属于建筑材料领域，尤其是一种半导体器件制备工艺，针对现有只是将晶粒利用包装盒进行包装，这样的包装方式容易导致晶粒损坏的问题，现提出如下方案，其包括S1：首先将成卷的碳纤维复合膜放置在支撑架上，然后进行开卷，S2：将碳纤维复合膜放置在工作台上，支撑台上设有导向机构，以此可以防止碳纤维复合膜出现走偏的问题，S3：在支撑台的一侧卡装有夹紧机构，将碳纤维复合膜的一侧放置在夹紧机构上，并由夹紧机构对碳纤维复合膜进行夹紧。本技术通过将圆晶棒经过切割、打磨、过筛、抽真空以及密封包装，以此可以实现对圆晶粒进行真空包装的目的，可有效避免圆晶粒上附着水汽，所以便不会造成圆晶粒损坏。 权利要求书 1.一种半导体器件制备工艺，其特征在于，包括以下步骤： S1：首先将圆晶棒放入干燥剂中，将晶粒上所含有的水汽进行吸附； S2：将干燥完后的圆晶棒放入振荡筛中，以此可以将圆晶棒与干燥剂进行分离； S3：将放置于在Fab中，利用Fab可对晶圆棒完成切割； S4：在对圆晶棒进行切割后，将圆晶粒放入打磨箱内，并利用搅拌器对圆晶粒进行搅拌，以此可以实现对圆晶粒的外表面进行打磨； S5：在打磨之后，利用筛网对圆晶粒进行过筛，以此可以得到大小均匀的圆晶粒； S6：将圆晶粒放入漏斗内，并且漏斗上设有关门装置，使得圆晶粒通过漏斗投放寨包装袋内； S7：利用抽风机将包装袋内进行抽真空处理，之后利用热封机对包装袋进行封口处理；

S8：将软质填充入放入包装箱内，之后将经过真空处理后的圆晶粒放入包装箱内； S9：将干燥剂放入包装箱，之后将包装箱封装一层保护膜，在利用热风枪对保护膜，使得保护膜受热处于紧绷状态。 2.根据权利要求1所述的一种半导体器件制备工艺，其特征在于，所述S1中，干燥剂的成分是无水氯化钙，且无水氯化钙与圆晶棒的比例为 3.5:100。 3.根据权利要求1所述的一种半导体器件制备工艺，其特征在于，所述S2中，振荡筛的工作频率为10Hz，且振荡筛的孔径为5目。 4.根据权利要求1所述的一种半导体器件制备工艺，其特征在于，所述S3中，Fab设定尺寸为3微米，切割频率为1Hz。 5.根据权利要求1所述的一种半导体器件制备工艺，其特征在于，所述S4中，打磨箱内设有打磨球，利用打磨球对圆晶粒进行打磨，且搅拌器的转速为20r/min。 6.根据权利要求1所述的一种半导体器件制备工艺，其特征在于，所述S5中，筛网的孔径为15目，并且筛网由振动电机进行驱动。 7.根据权利要求1所述的一种半导体器件制备工艺，其特征在于，所述S6中，漏斗上设有推杆马达，且推杆马达与关门装置进行连接，以此利用推杆马达带动关门装置对漏斗进行开启或者关闭，漏斗上设有颗粒计数器，且颗粒计数器与推杆马达电性连接，利用颗粒技术器可以对圆晶粒进行计数，且数量在49-51之间，以此可以保证包装袋内的圆晶粒的数量基本一致。 8.根据权利要求1所述的一种半导体器件制备工艺，其特征在于，所述S7中，热封机的温度设置为180摄氏度，热风机的工作时长为30s。 9.根据权利要求1所述的一种半导体器件制备工艺，其特征在于，所述S8中，软质填充物为

电子产品结构工艺.(试题答案)

电子产品结构工艺 （中级） 一．判断题 1. 电子仪器仪表往往要求在恒温的室内等条件下工作。（X） 2. 工艺工作就象一条纽带将企业的各个部门，将生产的各个环节联系起 来。成为一个完整的制造体系。（“） 3. 有了良好的电路设计，就能制造出优良的电子产品。（X） 4. 工艺工作的着眼点是采用先进的技术、改善工作环境。（X） 5. 影响电子仪器仪表正常工作的环境条件包含了气候条件、机械条件。 （X） 6. 电子仪器仪表的生产必须满足设计对它的要求，否则是无法进行生产 的。（X） 7. 电子仪器仪表应具有操作简单、安全可靠、结构轻便及良好的工作条件 等要求。（“） 8. 电子产品应具有便于更换备件、便于测量、便于拆装及故障预报装置等 多个方面的特点。（X ） 9. 电子产品在一定的时间内和规定条件下，完成规定功能的能力。（X ） 10. 可靠性主要指标有可靠度、故障率、失效密度等。（X ）

11. 电子仪器仪表可靠性设计中原则是尽量发挥软件功能，减少硬件、尽量 采用优化的标准电路、尽量采用新技术、新器件、尽量追求高性能、咼指标等。（x ） 12. 选择电子元器件正确的原则是电性能和工作环境条件相适应、提高元 器件的复用率、元器件择优选用、选用经过筛选后的元器件。（“） 13. 气候因素的防护主要是三防，防潮湿、防盐雾、防霉菌。（“） 14. 电子仪器仪表的潮湿的有憎水处理、浸渍、灌封、密封措施。 （“） 15. 电子仪器仪表防盐雾的主要是电镀，严格电镀工艺保证电镀层最小厚 度，选择适当镀层种类。（x ） 16. 电子仪器仪表防霉的主要措施有密封、应用防霉剂、使用防霉材料等方 式。（x ） 17. 电子产品的金属防护方法有改变金属内部组织结构、电化学保护法等方 法。（x ） 18. 电子仪器仪表的传热有传导、对流、辐射等三种方式。（“） 19. 电子仪器仪表的强制散热方式有强制风冷、蒸发冷却、半导体致冷等。 （ x ） 20. 电子仪器仪表中的大、中功率管一般都用平行筋片散热器。（x ） 21. 自然冷却是一种最简便的散热形式，它广泛用于各种类型的电子仪器

电子产品总装工艺规范

电子产品总装工艺规范 整机装配就是将机柜、设备、组件以及零、部件按预定的设计要求装配在机箱、车厢、平台，再用导线将它们之间进行电气连接，它是电子产品生产中一个重要的工艺过程。 1 整机装配的顺序和基本要求 图1 整机结构树状图 1.1整机装配的基本顺序 电子设备的整机装配有多道工序，这些工序的完成顺序是否合理，直接影响到设备的装配质量、生产效率和操作者的劳动强度。 电子设备整机装配的基本顺序是：先轻后重、先小后大、先铆后装、先装后焊、先里后外、先平后高，上道工序不得影响下道工序。

1.2整机装配的基本要求 电子设备的整机装配是把半成品装配成合格产品的过程。对整机装配的基本要求如下： 1）整机装配前，对组成整机的有关零部件或组件必须经过调试、检验，不合格的零部件或组件不允许投入生产线。检验合格的装配件必须保持清洁。 2）装配时要根据整机的结构情况，应用合理的安装工艺，用经济、高效、先进的装配技术，使产品达到预期的效果，满足产品在功能、技术指标和经济指标等方面的要求。 3）严格遵循整机装配的顺序要求，注意前后工序的衔接。 4）装配过程中，不得损伤元器件和零部件，避免碰伤机壳、元器件和零部件的表面涂敷层，不得破坏整机的绝缘性。保证安装件的方向、位置、极性的正确，保证产品的电性能稳定，并有足够的机械强度和稳定度。 5）小型机大批量生产的产品，其整机装配在流水线上按工位进行。每个工位除按工艺要求操作外，要求工位的操作人员熟悉安装要求和熟练掌握安装技术，保证产品的安装质量，严格执行自检、互检与专职调试检查的“三检”原则。装配中每一个阶段的工作完成后都应进行检查，分段把好质量关，从而提高产品的一次通过率。 2 整机装配中的流水线

集成电路制造工艺原理

集成电路制造工艺原理 课程总体介绍： 1．课程性质及开课时间：本课程为电子科学与技术专业（微电子技术方向和光电子技术方向）的专业选修课。本课程是半导体集成电路、晶体管原理与设计和光集成电路等课程的前修课程。本课程开课时间暂定在第五学期。 2．参考教材：《半导体器件工艺原理》国防工业出版社 华中工学院、西北电讯工程学院合编《半导体器件工艺原理》（上、下册） 国防工业出版社成都电讯工程学院编著 《半导体器件工艺原理》上海科技出版社 《半导体器件制造工艺》上海科技出版社 《集成电路制造技术-原理与实践》 电子工业出版社 《超大规模集成电路技术基础》电子工业出版社 《超大规模集成电路工艺原理-硅和砷化镓》 电子工业出版社 3．目前实际教学学时数：课内课时54学时 4．教学内容简介：本课程主要介绍了以硅外延平面工艺为基础的，与微电子技术相关的器件（硅器件）、集成电路（硅集成电路）的制造工艺原理和技术；介绍了与光电子技术相关的器件（发光器件和激光器件）、集成电路（光集成电路）的制造工艺原理，主要介绍了最典型的化合物半导体砷化镓材料以及与光器件和光集成电路制造相关的工艺原理和技术。 5．教学课时安排：(按54学时) 课程介绍及绪论2学时第一章衬底材料及衬底制备6学时 第二章外延工艺8学时第三章氧化工艺7学时第四章掺杂工艺12学时第五章光刻工艺3学时第六章制版工艺3学时第七章隔离工艺3学时 第八章表面钝化工艺5学时 第九章表面内电极与互连3学时 第十章器件组装2学

课程教案: 课程介绍及序论（2学时） 内容： 课程介绍： 1 教学内容 1.1与微电子技术相关的器件、集成电路的制造工艺原理 1.2 与光电子技术相关的器件、集成电路的制造 1.3 参考教材 2教学课时安排 3学习要求 序论： 课程内容： 1半导体技术概况 1.1 半导体器件制造技术 1.1.1 半导体器件制造的工艺设计 1.1.2 工艺制造 1.1.3 工艺分析 1.1.4 质量控制 1.2 半导体器件制造的关键问题 1.2.1 工艺改革和新工艺的应用 1.2.2 环境条件改革和工艺条件优化 1.2.3 注重情报和产品结构的及时调整 1.2.4 工业化生产 2典型硅外延平面器件管芯制造工艺流程及讨论 2.1 常规npn外延平面管管芯制造工艺流程 2.2 典型pn隔离集成电路管芯制造工艺流程 2.3 两工艺流程的讨论 2.3.1 有关说明 2.3.2 两工艺流程的区别及原因 课程重点：介绍了与电子科学与技术中的两个专业方向（微电子技术方向和光电子技术方向）相关的制造业，指明该制造业是社会的基础工业、是现代化的基础工业，是国家远景规划中置于首位发展的工业。介绍了与微电子技术方向相关的分离器件（硅器件）、集成电路（硅集成电路）的制造工艺原理的内容，指明微电子技术从某种意义上是指大规模集成电路和超大规模集成电路的制造技术。由于集成电路的制造技术是由分离器件的制造技术发展起来的，则从制造工艺上看，两种工艺流程中绝大多数制造工艺是相通的，但集成电路制造技术中包含了分离器件制造所没有的特殊工艺。介绍了与光电子技术方向相关的分离器件、集成电路的制造工艺原理的内容。指明这些器件（发光器件和激光器件）和集成电路（光集成电路）多是由化合物半导体为基础材料的，最常用和最典型的是砷化镓材料，本课程简单介绍了砷化镓材料及其制造器件时相关的工艺技术与原理。在课程介绍中，指出了集成电路制造工艺原理的内容是随着半导体器件制造工艺技术发展而发展的、是随着电子行业对半导体器件性能不断提高的要求（小型化、微型化、集成化、以及高频特性、功率特性、放大特性的提高）而不断充实的。综观其发展历程，由四十年代末的合金工艺原理到五十年代初的合金

电子科技大学光电信息学院840物理光学考研资料

2015年电子科技大学考研的成功与否，不仅仅取决于自己是否足够努力，更多在于自己能否拿到真正有价值的电子科技大学专业课备考复习资料和获得内部考研信息，这将极大地决定着自己一年的辛苦努力是否能划上圆满的句号。 鉴于此，弘毅考研根据自己多年考研专业课成功辅导经验，联合电子科技大学高分研究生团队，同时和高分研究生团队一起将最有价值的考研复习资料通过科学的排版，荣誉推出了2015版《弘毅胜卷系列——完备复习指南、历年真题解析、高分辅导讲义、最后三套模拟卷》专业精品复习资料，该辅导系统从根本上解决了广大考研学子考研专业课信息不对称、考研专业课复习难度大等问题，三年来倍受好评，每年考取我校的大部分同学 来自我们电子科技大学考研论坛的全程辅导，“弘毅胜卷”也成为每一个报考电子科技大学光电信息学院专业的考生人手一册、不可或缺的考研专业课复习备考资料。 《弘毅胜卷》的特点： 1.“全”：本资料把参考书可能考到的知识点都全部列出，并做了详细的讲解，并对历年真题进行透彻的解析； 2.“简”：为不增加考生负担，对考点的讲解，尽量做到精简，除去了教材繁琐臃肿的语言，直击要害； 3.“具实用性”：各高校考题的重复率非常高。针对此规律，本资料将专业涉及到的真题举例附在每个考点后面，方便大家查阅。 4.“具时效性”：本资料会根据最新的招生简章和目录、最新的参考书目和考试大纲对资料进行及时调整、更新，让弘毅胜卷臻于完善！ 提醒：为保证产品质量，我们在反盗版技术上投入了很大人力物力，首先在阅读体验上远远超越盗版资料（加了水印和红白页，复印基本看不清楚），同时弘毅考研每年均根据当年最新考试要求进行改版升级并提供超值的售后服务，并将后续重要资料分期发送，盗版将丢失这些重要资料，请考生务必谨慎辨别，不要为了省一点小钱购买其他机构或个人销售的盗版材料而耽误备考，甚至影响前途的大事情。同时也请大家支持正版，你们一如既往的支持，是我们一直大力度的投入开发的动力。

电子科大微电子器件--后摩尔时代的新型微电子器件

后摩尔时代的新型微电子器件

摘要 随着半导体产业的不断发展，摩尔定律已经无法正确的对其进行预测，它的局限性在如今的后摩尔时代逐渐体现出来，微电子技术中的任何物理过程都必须遵守物理规律的限制，这些物理规律的存在使得摩尔定律陷入了瓶颈期。 摩尔定律的逐渐失效预示着后摩尔时代的到来，所谓的后摩尔时代，就是业者不再以追求更大效能的芯片为尚，而是强调多元化与实用性的原则。也就是说，产品能发挥实际效用就是最好的质量，也是最具经济价值的东西。本文针对后摩尔时代的微电子器件研制过程中的材料、设计、技术、封装展开讨论，给出后摩尔时代的相关微电子器件前沿知识。 关键词：后摩尔时代；微电子；材料；技术； 1摩尔定律及后摩尔定律 摩尔定律由仙童公司的创始人之一的摩尔提出，他指出：集成电路的集成度，每18个月增加一倍，即集成度每三年翻两番，特征尺寸缩小，而且集成电路芯片的需求量也以相同的速度增加，在集成电路性能提高的同时价格下降。

然而，微电子技术中的任何物理过程必然遵循物理规律的限制，这些限制包括在电磁学、量子力学测不准关系、热力学等方面的限制，它们对信号的传输速度、器件开关转换的器件功率、器件开关引起的能量变化、集成系统能量耗散和热量产生等形成限制。这些基本的物理限制是不可逾越的，可以说是集成电路技术的物理极限。其次，微电子学的大部分理论建立在经典物理理论基础之上，随着器件特征尺寸缩小，量子效应变得显著，这些传统的微电子学理论需要利用量子力学理论对其进行改造。 同样，在材料，资金，技术等发面，摩尔定律的局限性依然存在。 因此，国际半导体技术路线图组织（ITRS)在2005年的技术路线图中，即提出了“后摩尔定律”(More-than-Moore)的概念，提出未来微电子产业发展方向之一是按“后摩尔定律”的多重技术创新应用向前发展，即在产品多功能化(功耗、带宽等)需求下，将硅基CMOS和非硅基等技术相结合，以提供完整的解决方案来应对和满足层出不穷的新市场发展。 2后摩尔时代的微电子研究方向 首先，在CMOS工艺上，原始的按比例缩小将不再适用，新的材料系统和器件架构需要突破比例缩小的壁垒，我们需要在引入高介电常数介质材料的同时，抑制带隙变窄带来的隧穿电流，还要控制短沟效应来权衡迁移率和漏电功耗。 其次，在装配与封装中，SIP封装技术成为热门，其中，硅通孔（TSV）是解决3D系统集成的一种有效方案。TSV工艺的制造流程可粗略分为通孔先行和通孔后行两火类。对这两种工艺而言，其关键工序均集中在：TSV刻蚀、介质沉积、阻挡层／种子层沉积、铜填充以及表面平坦化。通常芯片被固定在载体(玻璃或陪衬硅片)上并将厚度减薄至30～125 ，这势必引入包含热预算控制在内的诸多挑战。 在整个TSV生产流程中最具挑战且代价最高的工艺是阻挡层的沉积以及随后的通孔金属填充。一个良好的铜扩散阻挡层(如钽或钛)是必不可少的，同时连续的种子层对铜的填充效果至关重要。填充工艺必须具有高速率的特点（为了降低成本)，且在整个芯片内均匀性良好，这样才能保证平坦化后表面特性仍能满足要求。 再者，在材料方面，因为硅材料的加工极限一般认为是10nm线宽，受物理原理的制约，小于10nm后不太可能生产出性能稳定、集成度更高的产品。可能的替代方案是使用电子迁移率更高、尺寸更小的碳纳米管及石墨烯，二者具有相似的性质，都可以用于制作性能优良

电子科大物理光学试卷(模拟题一)

1. 单色平面光波在均匀介质中传播时，与介质电磁特性有关的物理量是 C 。 A.电矢量振幅 B.频率 C.波长 D.初相位 2．光在折射率为n 的介质中传播了 L 的距离，下列说法正确的 是 C 。 A.光在该介质中经过的光程与真空中 L 距离对应的光程相等 B.光在该介质中经过的光程与真空中 L/n 距离对应的光程相等 C.光在该介质中经过的光程与折射率 n1的介质中nL/n1距离对应的光程相等 D.光在该介质中经过的光程与折射率 n1的介质中n1L/n 距离对应的光程相等 3. 已知电场振幅为 E 0的线偏振光的光强为 I ，一束椭圆偏振光的电场矢量可表示为 EiE 0cost kz jE 0cos t kz 4 ，则其光强为 B 。 A ．I B ．2I C ．4I D ．2I 4. 如图所示，一束自然光自空气射向一块平板玻璃，设入射角等于布鲁斯特角 i 0，则在界 面2的反射光 B 。 A. 自然光 B. 是完全偏振光且光矢量的振动方向垂直于入射面 C. 是完全偏振光且光矢量的振动方向平行于入射面 D. 是部分偏振光 5. 在双缝干涉实验中，以白光为光源，在屏幕上观察到了彩色干涉条纹。若在双缝中的一 缝前放一红色滤光片（滤出红光） ，另一缝前放一绿色滤光片，则此时 C 。 A. 只有红色和绿色的双缝干涉条纹，其它颜色的双缝干涉条纹消失 B. 红色和绿色的双缝干涉条纹消失，其它颜色的双缝干涉条纹依然存在 C. 任何颜色的双缝干涉条纹都不存在，但屏上仍有亮光 D. 屏上无任何光亮 6.在如图所示的迈克尔孙干涉仪中，向后逐渐移动 m2，干涉图样的变化应是 A 。 A. 圆环由中心向外吐出，中心产生亮暗变化 B.圆环由中心向外吐出，中心始终为亮纹 C. 圆环由外向中心吞入，中心产生亮暗变化 D. 圆环由外向中心吞入，中心始终为亮纹