(完整word版)半导体器件基础教案
半导体器件电子教案
• 数字集成电路 • 模拟集成电路 • 混合集成电路
集成电路的设计与制造工艺
集成电路的设计
• 电路设计 • 布图设计 • 工艺设计
集成电路的制造工艺
• 硅片制备 • 光刻 • 掺杂 • 薄膜沉积 • 刻蚀 • 测试
集成电路的应用与实例
集成电路的应用
• 计算机芯片 • 通信芯片 • 消费电子产品
半导体器件电子教案
01
半导体器件基础知识
半导体材料的性质与应用
半导体材料的特点
• 介于导体和绝缘体之间 • 能带结构 • 温度和掺杂影响导电性
半导体材料的分类
• 元素半导体（如硅、锗） • 化合物半导体（如镓砷化物） • 合金半导体（如硅锗合金）
半导体材料的应用
• 集成电路 • 二极管、三极管等半导体器件 • 光电器件 • 传感器
二极管的实例
• 整流二极管在电源电路中的应用 • 发光二极管在显示屏中的应用 • 稳压二极管在稳压电路中的应用
03
半导体三极管
三极管的结构与类型
三极管的结构
• NPN型 • PNP型 • MESFET型
三极管的类型
• 双极型三极管 • 结型场效应晶体管 • 高电子迁移率晶体管
三极管的特性与参数
07
半导体传感器
传感器的基本概念与分类
传感器的基本概念
• 将物理量或化学量转换为电信号 • 敏感元件与转换电路的结合
传感器的分类
• 物理传感器 • 化学传感器 • 生物传感器
传感器的原理与应用
传感器的原理
• 压电效应 • 热电效应 • 光电效应 • 化学效应
传感器的应用
• 压力检测 • 温度检测 • 光照检测 • 气体检测
1.1半导体基础知识电子(教案)教学设计
教学设计(第01章01节）PN结的形成及空间电荷区内多数载流子已扩散到对方并复合掉了,或者说消耗尽了,因此空间电荷区又称为耗尽层。
PN结特点：正偏导通，反偏截止，说明PN 结具有单相导电特性可分为空穴（P）型和电子(N)型半导体两类。
N型半导体：掺入5价磷元素（或砷元素）P型半导体：掺入3价铝元素（或硼元素）三、PN结的形成及特性PN 结的形成在一块完整的晶片上,通过一定的掺杂工艺,一边形成P型半导体,另一边形成N型半导体。
在交界面两侧形成一个带异性电荷的离子层,称为空间电荷区,并产生内电场,其方向是从N区指向P区,内电场的建立阻碍了多数载流子的扩散运动,随着内电场的加强,多子的扩散运动逐步减弱,直至停止,使交界面形成一个稳定的特殊的薄层,即PN结。
因为在2. PN结的单向导电特性1)PN结正向偏给PN结加正向偏置电压,即P区接电源正极,N区接电源负极,此时称PN结为正向偏置(简称正偏),如图1.6所示。
由于外加电源产生的外电场的方向与PN结产生的内电场方向相反,削弱了内电场,使PN结变薄,有利于两区多数载图1.6 PN结加正向电压流子向对方扩散,形成正向电流,此时PN结处于正向导通状态。
图1.7 PN结加反向电压2) PN结反向偏置给PN结加反向偏置电压,即N区接电源正极,P区接电源负极,称PN结反向偏置(简称反偏),如图1.7所示。
由于外加电场与内电场的方向一致,因而加强了内电场,使PN结加宽,阻碍了多子的扩散运动。
在外电场的作用下,只有少数载流子形成的很微弱的电流,称为反向电流。
此时PN结内几乎无电流流过，PN结处于反向截止状态＋＋＋＋－－－－空穴(少数)电子(少数)变厚P N内电场外电场AIRRU＋＋＋＋＋＋＋＋－－－－－－－－＋－＋＋＋＋－－－－空穴(多数)电子(多数)变薄P N内电场外电场mA＋－IRU。
半导体的基本知识教案
半导体的基本知识教案第一篇：半导体的基本知识教案电工电子技术教案第一章半导体二极管§1-1 教学目的：1、了解半导体导电性及特点。
2、初步掌握PN结的基本特性及非线性的实质。
3、熟悉二极管外形和电路符号，伏安特性和主要参数。
4、了解特殊功能的二极管及应用。
半导体的基本知识教学重点、难点：教学重点：1）半导体导电性及特点。
2）PN结的基本特性及非线性的实质3）二极管外形和电路符号，伏安特性和主要参数。
教学难点：二极管外形和电路符号，伏安特性和主要参数一、半导体的基本概念人们按照物质导电性能，通常将各种材料分为导体、绝缘体和半导体三大类。
导电性能良好的物质称为导体，例如金、银、铜、铝等金属材料。
另一类是几乎不导电的物质称为绝缘体，例如陶瓷、橡胶、塑料等材料。
再一类是导电性能介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体，例如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓等都是半导体。
纯净半导体也叫本征半导体，这种半导体只含有一种原子，且原子按一定规律整齐排列。
如常用半导体材料硅（Si）和锗（Ge）。
在常温下，其导电能力很弱；在环境温度升高或有光照时，其导电能力随之增强。
常常在本征半导体中掺入杂质，其目的不单纯是为了提高半导体的导电能力，而是想通过控制杂质掺入量的多少，来控制半导体的导电能力的强弱。
在硅本征半导体中，掺入微量的五价元素(磷或砷)，就形成N型半导体。
在硅本征半导体中，掺入微量的三价元素(铟或硼)，就形成P 型半导体。
二、PN结及单向导电性1、当把一块P型半导体和一块N型半导体用特殊工艺紧密结合时，在二者的交界面上会形成一个具有特殊现象的薄 1电工电子技术教案层，这个薄层被称为PN结。
2、PN结的单向导电性1）PN结加正向电压――正向导通正极接Ｐ区，负极接Ｎ区，称“正向偏置”或正偏。
２）PN结加反向电压――反向截止电源负极接Ｐ区，正极接Ｎ区，称“反向电压”或反偏。
ＰＮ结加正向电压导通，加反向电压截止，即ＰＮ结的――单向导电性§1-２一、二极管的结构、符号和分类 1.二极管的结构、符号半导体二极管晶体二极管是由一个PN结构成的，从P区引出的电极为二极管正极，N区引出的电极为二极管负极，用管壳封装起来即成二极管。
第1章 半导体器件基础
甘肃工业职业技术学院教案一、教学内容1.1 PN结1.2 半导体二极管1.3 双极型三极管1.4 场效应晶体管二、内容提要本章首先介绍半导体的导电特性、PN结的形成及其单向导电特性，然后介绍在电子技术领域中广泛应用的半导体二极管、三极管和场效应管的工作原理、特性曲线和主要参数。
图解法和微变等效电路法两种放大电路的基本分析方法。
三、教学过程（教案）第一章半导体器件基础1.1 PN结半导体器件是用半导体材料制成的电子器件。
常用的半导体器件有二极管、三极管、场效应晶体管等。
半导体器件是构成各种电子电路最基本的元件。
1.1.1 本征半导体的导电特征半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。
本征半导体：纯净的半导体。
如硅、锗单晶体。
热激发：热激发产生自由电子和空穴对。
载流子：自由运动的带电粒子。
共价键：相邻原子共有价电子所形成的束缚【结论】这种纯净半导体也称为本征半导体1．本征半导体中电子空穴成对出现，且数量少；2．半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电；3．本征半导体导电能力弱，并与温度有关。
1.1.2 杂质半导体的导电特性杂质半导体（N型半导体、P型半导体）在纯净半导体中掺入某些微量杂质，其导电能力将大大增强1．N型半导体：在纯净半导体硅或锗中掺入磷、砷等5价元素，靠自由电子导电。
2．P型半导体：在纯净半导体硅或锗中掺入硼、铝等3价元素，靠空穴运动【结论】掺入的杂质元素的浓度越高，多数载流子的数量越多，导电能力越强。
少数载流子是热激发而产生的，其数量的多少决定于温度。
无论是P型半导体还是N型半导体都是中性的，对外不显电性。
1.1.3 PN结及其单向导电性1．PN结的形成――将一块半导体的一侧掺杂成P型半导体，另一侧掺杂成N型半导体，在两种半导体的交界面处将形成一个特殊的薄层→ PN结。
2．PN结的单向导电性①外加正向电压（也叫正向偏置）：外加电场与内电场方向相反扩散运动加强，形成较大的正向电流，这时称PN结处于导通状态。
半导体基础知识教案
半导体基础知识教案教案：半导体基础知识一、教学目标1.了解半导体的基本概念和特性。
2.认识半导体器件的分类和特点。
3.理解PN结的形成原理。
4.掌握半导体材料的基本性质和载流子的性质。
5.能够解释N型和P型半导体的形成过程及其特点。
二、教学重点1.半导体的基本概念和特性。
2.PN结的形成原理和性质。
三、教学难点1.半导体材料的基本性质和载流子的性质。
2.N型和P型半导体的形成过程及其特点。
四、教学过程1.导入（10分钟）通过展示一些常见的电子器件，引导学生思考半导体在电子器件中的作用，并提出相关问题。
2.讲解半导体的基本概念和特性（30分钟）（1）什么是半导体？（2）半导体的特性：导电性介于导体和绝缘体之间，自由载流子密度较低，导电性可通过控制去控制。
（3）半导体的晶体结构：满足共价键结构，可分为三维晶体和二维薄膜。
3.讲解PN结的形成原理和性质（40分钟）（1）PN结的形成原理：在P型和N型半导体相接触时，P型区域的空穴会向N型区域扩散，而N型区域的电子会向P型区域扩散，从而形成PN结。
（2）PN结的特性：具有整流作用，在正向偏置时导通，在反向偏置时截止。
4.讲解半导体材料的基本性质和载流子的性质（40分钟）（1）半导体材料的基本性质：硅和锗是常见的半导体材料，它们的常见性质包括禁带宽度和载流子浓度等。
（2）载流子的性质：包括载流子类型、载流子浓度和载流子迁移率等。
5.解释N型和P型半导体的形成过程及其特点（40分钟）（1）N型半导体的形成：掺杂少量的五价元素，如砷、锑等，形成多余电子，增加了电子浓度，形成N型半导体。
（2）N型半导体的特点：导电性主要由电子提供，因此电子迁移到P 型区域发挥导电作用。
（3）P型半导体的形成：掺杂少量的三价元素，如硼、铝等，形成多余空穴，增加了空穴浓度，形成P型半导体。
（4）P型半导体的特点：导电性主要由空穴提供，空穴迁移到N型区域发挥导电作用。
6.总结与讨论（20分钟）总结半导体的基本概念、特性以及PN结的形成原理和性质。
半导体器件基础教案
半导体器件基础教案课程目标：通过本课程的学习，学生将能够掌握半导体器件的基本原理和应用，了解其在电子设备中的重要性，培养学生的分析和解决问题的能力。
教学内容：第一节：半导体材料1.硅和锗的基本性质2.p型和n型半导体的特点3.禁带宽度和载流子浓度的关系第二节：pn结和二极管1. pn结的形成与特点2. pn结的正向和反向偏置3.二极管的工作原理和特性曲线4.常见二极管应用：整流、电压稳定器等第三节：晶体管和放大器1.晶体管的结构和工作原理2. npn型和pnp型晶体管的区别3.放大器的基本原理4.常见晶体管放大器电路的设计和应用第四节：场效应管和操作放大器1.MOSFET的特点和工作原理2.MOSFET与JFET的区别3.操作放大器的组成和特性4.操作放大器的基本应用电路：反相放大器、非反相放大器等第五节：光电子器件1.光电二极管和光敏电阻的工作原理和特性2.发光二极管和激光二极管的工作原理和应用3.光电晶体管和光耦合器件的工作原理和应用教学方法：1.演讲教学：介绍半导体器件的基本原理和概念，引导学生理解。
2.实验演示：展示实验装置，演示相关实验操作及结果分析，加深学生对器件原理的理解。
3.小组讨论：组织学生就特定话题进行讨论，激发学生思维，培养学生分析和解决问题的能力。
4.案例分析：引用实际案例，分析器件在电子设备中的应用，并结合实际问题进行讨论，加深学生对理论的理解和应用能力。
教学辅助：1.教材：选用适合初学者的半导体器件基础教材，遵循课程目标和内容。
2.实验设备：提供基本的半导体器件实验设备，如二极管、晶体管等，以进行相关实验演示。
3.多媒体教学：准备课件，包括图表、实验操作演示视频等，用于清晰展示器件的结构和原理。
评估方式：1.课堂互动：结合课堂准备情况、提问回答情况等，评估学生的知识掌握程度和思维能力。
2.实验报告：要求学生根据实验内容和结果撰写实验报告，评估学生对实验原理的理解和实验操作能力。
《半导体的基本知识》教学设计
《电子技术基础》1-1半导体的基本知识教学设计1教学重点1．半导体的导电特性；2．两种杂质半导体的形成、特点。
教学难点 1. PN结的形成及其特点。
教学资源及手段多媒体课件；智慧树平台；YN智慧校园；钉钉；智慧黑板以及彩色粉笔。
教学方法讲授法；提问法；练习法；演示法；讨论法；自主学习法。
教学环节教学内容及过程课前教学内容教师活动学生活动设计意图1.通过智慧树平台，让学生利用微课视频提前预习教学内容；2.通过钉钉线上布置任务，让学生明确学习任务；3.通过钉钉线上提交课前预习情况及时调整课堂教学内容；4.准备电子课件、电子教案；课前，教师通过钉钉平台家校本功能发布预习任务；根据学生提交的课前学习任务完成情况，适时调整教学内容。
查看钉钉课前预习任务并按时提交，“智慧树”平台观看电子技术概述微课视频。
提升学生学习电子技术这门技术的兴趣，把握学生预习情况。
中复习旧知(2min) 准备上课：用YN智慧校园点名功能，进行签到；上次课内容的回顾本节课是电子技术基础的第一节课，可以直接新课导入，通过多媒体播放图片、实物展示等让学生在直观上感知电子技术的魅力，激发学生学习的好奇心。
把全班学生进行分组，对每个小组课前预习情况及完成率进行总结，并计入课堂考核。
教师提问，电子技术这门课的初步印象。
（提问法）分小组回答老师提出的问题，并互相评价每个小组回答的是否准确。
（讨论法）让学生对本门课程产生兴趣和认知2新课导入(5min)多媒体播放图片、微视频演示、实物观察让学生在直观上感知学习任务，激发学生学习的好奇心和求知欲。
YN智慧校园点名；视频演示、电路板实物演示。
(演示法)学生在YN智慧校园APP完成本节课考勤；观看视频、观察电路板的组成。
提高学生课堂注意力，激发学生学习兴趣。
新课讲解(32min)一、概述(5min)1.半导体（semiconductor）指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。
常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，硅是各种半导体材料应用中最具有影响力的一种。
半导体物理与器件 教案
半导体物理与器件教案一、课程简介本课程旨在介绍半导体物理与器件的基本概念、理论与应用。
通过学习本课程，学生将了解半导体物理的基本原理，掌握常见的半导体器件的工作原理和特性，为深入研究和应用领域奠定基础。
二、教学目标1.掌握半导体物理的基本概念与原理；2.了解常见的半导体器件的结构、工作原理和特性；3.熟悉半导体器件的制备工艺和性能测试方法；4.能够分析和解决半导体器件相关问题；5.培养学生的动手实践能力和团队合作意识。
三、教学内容1. 半导体物理基础•半导体的基本概念与性质；•半导体材料的禁带宽度与导电性；•共价键与导电机理。
2. PN结与二极管•PN结的形成与特性；•二极管的工作原理；•二极管的电流-电压特性。
3. 势垒与电容•势垒高度与势垒宽度的关系；•势垒电容与反向偏置；•PN结的充放电过程。
4. 功率器件•理想二极管的特性与应用；•肖特基二极管的特性与应用；•功率二极管的特性与应用。
5. 晶体管•双极型晶体管的工作原理与特性；•型号代号与参数标识；•三极型晶体管的工作与特性。
6. 场效应晶体管•MOS结构与工作原理；•MOSFET的特性与应用；•IGBT的特性与应用。
7. 光电器件•光电二极管的工作原理与特性；•光敏电阻的工作原理与特性；•光电导的工作原理与特性。
四、教学方法1.理论讲解：通过教师授课的形式讲解半导体物理与器件的基本概念与原理；2.实验实践：设计实验让学生操作和观察实际的半导体器件，巩固理论知识；3.讨论与交流：鼓励学生积极参与讨论，提问与回答问题，促进彼此交流与学习；4.团队合作：通过小组讨论、任务分工等方式培养学生的团队合作意识和解决问题的能力；5.多媒体辅助：运用多媒体展示课件、实验视频等辅助材料，提升教学效果。
五、教学评价1.平时成绩：包括作业完成情况、实验报告、参与度等；2.期中考试：测试学生掌握的基础知识和理解能力；3.期末考试：测试学生对全课程内容的整体掌握和应用能力；4.课堂表现：学生的发言和表达能力、提问质量等；六、参考教材1.高等学校电子类教材编写组. 半导体物理与器件[M].高等教育出版社, 2008.2.张勃. 半导体物理学[M]. 科学出版社, 2012.3.曹健. 半导体物理导论[M]. 电子工业出版社, 2015.七、教学时长•总学时：36学时•理论学时：24学时•实验学时：12学时以上就是《半导体物理与器件》教案的大致内容，希望能够帮助您进行教学设计和准备教学材料。
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第一章半导体器件基础【学习目标】1.了解PN结的单向导电性。
2.熟悉二极管的伏安特性3.了解开关二极管、整流二极管、稳压二极管的基本用途。
4.掌握三极管输出特性曲线中的截止区、放大区和饱和区等概念.5.熟悉三极管共发射极电流放大系数β的含义。
6.熟悉对三极管开关电路工作状态的分析方法.7.熟悉三极管的主要参数。
8.熟悉MOS场效应管的分类及符号.9.熟悉增强型NMOS管的特性曲线.10.了解MOS场效应管的主要参数。
【内容提要】本章介绍三种常用的半导体器件,即半导体二极管、三极管及MOS场效应管。
重点介绍这些器件的外部特性曲线、主要参数及电路实例。
一、教学内容(一）半导体二极管1．PN 结的伏安特性PN 结的伏安特性描述了PN 结两端电压u 和流过PN 结电流i 之间的关系。
图是PN 结的伏—安特性曲线。
可以看出：（1）当外加正向电压较小(u I <U ON )时，外电场不足以克服PN 结内电场对多子扩散所造成的阻力，电流i 几乎为0，PN 结处于截止状态；（2）当外加正向电压u I 大于U ON 时,正向电流i 随u 的增加按指数规律上升且i 曲线很陡 。
（3）当外加反向电压(u<0）时，反向电流很小, 几乎为0，用I R 表示；（4）当u £ U （BR ） 时，二极管发生电击穿,｜u| 稍有增加,|i ｜急剧增大, u » U BR 。
把PN 结外加正向电压导通、外加反向电压截止的性能称作单向导电特性。
U ON 称作导通电压，也叫开启电压, U （BR) 称作反向击穿电压，I R 称作反向电流。
2．半导体二极管应用举例半导体二极管是将PN 结用外壳封装、加上电极引线构成。
可以用作限幅电路、开关电路等。
（1）用作限幅电路图2.2(a)是二极管电路。
假设输入电压u I 是一周期性矩形脉冲,输入高电平U IH =+5V 、低电平U IL =-5V ，见图(b ）。
可以知道，当输入信号的正半周时，二极管导通，u O =u I =+5V ，负半周时,二极管截止，i D »0,u O »0，对应波形见图中（c)所示.通过二极管电路，使输出电压负半周的幅度受到了限制。
（2)用作开关电路在图2。
2（a）所示的二极管电路中，假设二极管为理想二极管。
可以知道，当输入信号的正半周时，二极管导通，二极管可以看作只有很小（»0)压降的闭合开关，负半周时，二极管截止，i D»0,二极管可以看作断开的开关。
在数字电路中，二极管常被当做开关使用。
（二）双极型三极管1．双极型三极管及其三种工作状态NPN硅三极管的共射输出特性如图2.3所示。
把IB =0这条曲线以下部分称为截止区，此时,三极管各极电流iB»iC»0，对应三极管截止的条件是uBE<0.5V；在特性的中间部分，曲线是一族近似水平的直线,这个区域称为放大区，此时，Ic=bI B，对应三极管放大的条件是u BE³0.5V. u BC〈0V；把输出特性靠近纵轴的上升部分，对应不同的IB 值的各条曲线几乎重叠在一起的区域称为饱和区，此时,UCE£UCES,对应三极管饱和的条件是uBE ³0.7V。
uBC〉0V。
2．三极管的主要参数（1）共发射极电流放大系数b共发射极电流放大系数b表示管子做成后，其收集电流和基区复合电流之比，是一个常数。
（2）集电极-发射极饱和电压U CES集电极-发射极饱和电压U CES指管子饱和时，集电极-发射极间的管压降,小功率管£0。
3V. （3）集电极最大电流I CM集电极最大电流I CM指集电极允许流过的最大电流。
（4）集电极最大功率损耗P CM集电极最大功率损耗P CM指集电极允许的最大功率。
（5)集电极—发射极击穿电压U CEOI CM、P CM、U CEO是极限值,使用管子时，不要超过极限值。
（三)MOS场效应管1．MOS场效应管的分类MOS场效应管按其沟道和工作类型可分为四种：N沟道增强型、P沟道增强型、N沟道耗尽型、P沟道耗尽型。
表2.1列出了四种场效应管的特点.2．特性曲线图2.4示出了增强型NMOS管共源电路的转移特性和输出特性曲线。
图（a）的转移特性曲线描述MOS管栅源电压u GS和漏极电流i D之间的关系。
因为u GS是输入回路的电压，而i D是输出回路的电流，故称转移特性.可以看出：当u GS很小时：i D基本上为0,管子截止;当u GS大于U TN（U TN称作开启电压）时：i D随u GS的增加而增加。
图（b)的输出特性曲线描述漏源电压u DS和漏极电流i D之间的关系。
可以看出,它分作三个区域：夹断区: u GS < U TN的区域。
在夹断区，管子处于截止状态,漏源间的等效电阻极高。
漏极电流几乎为0，输出回路近似开路;可变电阻区：u GS >U TN且u DS较小(u DS〈 u GS—U TN）的区域。
在可变电阻区，i D和u DS之间呈线性关系，u GS值越大，曲线越陡,漏源间的等效电阻就越小；恒流区：u GS〉U TN且u DS较大（u DS〉 u GS—U TN）的区域。
在恒流区，i D只取决于u GS,而与u DS无关。
表2。
2列出了MOS管工作在截止和导通状态时的条件及特点.表2.2NMOS管 PMOS管特点截止u GS〈U TN u GS >U TP R DS非常大，相当于开关断开导通u GS³ U TN u GS£ U TP r ON非常小,相当于开关闭合二、例题解析（答案供参考）例 2.1 在图P2。
1（a）（b）（c）所示的电路中，设二极管为理想二极管，输入电压解：分析二极管电路,要抓住二极管导通和截止的条件和特点。
设理想二极管的导通电压为0V,导通时，管压降为0V(非理想状态一般为0.7V）；二极管两端的正向电压小于0.5V时，管子截止，i D»0。
抓住这些要点,可以知道在输入图(d）所示波形的情况下，图（a)电路中，在输入信号的正半周，二极管导通，输出电压等于管压降，约为0V，在输入信号的负半周，二极管截止，i D»0，电阻上的压降»0，输出电压等于输入电压，u O»u I；图(b）电路中，在输入信号的正半周，二极管导通,管压降约为0V，输出电压约等于输入电压，u O»u I；在输入信号的负半周，二极管截止，i D»0，电阻上的压降»0，输出电压等于0;图（c）电路中,在输入信号的正半周，二极管因反向偏置而截止，i D»0,电阻上的压降»0，输出电压等于0；在输入信号的负半周,二极管导通,管压降约为0V，输出电压约等于输入电压。
相应波形见答图P2。
1。
答图2。
5例2。
2 在图P2.2中，若已知管子的导通电压U ON=0。
6V，b=80，管子导通后U BE=0。
7V,U CES =0.3V，若输入电压u I幅值为5V、频率为1kHz的脉冲电压源，试分析:（1）当u I= U IL=0V和u I= U IH=5V时三极管的工作状态（放大、饱和、截止）;（2）若R b值不变，求电路工作在临界饱和区时R C的最小值；若RC 值不变，求电路工作在临界饱和区时Rb的最大值。
解：分析三极管电路.同样要抓住三极管三种工作状态的条件和特点.（1）当u I =U IL=0时：由于u I < U ON =0。
6V时,管子工作在截止状态；当u I =U IH=5V时：三极管导通i B =（5—0.7）/40=0.1075mA， i c =80´0.1075=8。
6 mA,u CE = U CC- i c R c =12—8。
6´2= -5。
2V,故可判断出管子工作在饱和状态［ i CS =（U CC— U CES）/R C]=(12-0。
3）/2=5。
85mA，I BS = I CS /b = 0。
073mA，i B > I BS]（2)固定R b值不变,求临界饱和时的R cmin可得R cmin=1.4KW。
(3）固定R C值不变，求临界饱和时的R bmax可得R bmax=61KW.一、内容总结二、学习要求三个元件：二极管、三极管和M O S管两个重点：1、元件的外特性2、作开关元件的应用本章基础部分自学为主，不苛求元件内部工作原理的掌握，学会运用“黑箱"的方法理解元件的外特性及开关特性.三、思考题1、共价键结构，本征半导体，自由电子，空穴，载流子的是什么？2、N型和P型半导体的区别，它们的多子和少子是什么？3、P N结是如何形成的?4、如何由P N结的伏安特性来理解它的单向导电性？5、三极管的放大原理是什么？6、怎么在输出特性曲线上理解三极管的三个工作区?7、M O S管有那几种类型?8、与三极管输出特性比较，M O S管的三个工作区有何特点？9、二极管、三极管和M O S管的开关时间怎么理解？。