模电第六章模拟电子技术基础 ppt课件
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模拟电子技术课件-简介导论
A typical electrical engineer will perform many diverse functions, and is likely to use, design, or build system incorporating some form of electronics.
分析是为实现综合而积累知识和经验的过程。
6
Microelectronics Circuit Analysis and Design
Prologue to Analog Electronics
Electronics is defined as the science of the motion of charges in a gas, vacuum, or semiconductor.
Electronic Circuits Amplifiers
Notation
Prologue to Electronics 6.1 Analog Signals and Linear Amplifiers 6.3 Basic Amplifier Configurations
10
Amplifiers
(1) 课程性质与教学目标 (2) 课程内容与教学安排 (3) 关键词与核心内容 (4) 模电课程特点与学习方法 (5) 参考资源 (6) 考核与答疑
电类专业的一门技术基础课
Amplifiers
工程性质、 实践性很强
Operational Amplifiers (Op-Amp)
Transistor BJT
(4h) (4h)
(12h)
(4h)
(4h) (4h) 运放 内部电路 (6h)
(7h) (7h) (共52h)
分析是为实现综合而积累知识和经验的过程。
6
Microelectronics Circuit Analysis and Design
Prologue to Analog Electronics
Electronics is defined as the science of the motion of charges in a gas, vacuum, or semiconductor.
Electronic Circuits Amplifiers
Notation
Prologue to Electronics 6.1 Analog Signals and Linear Amplifiers 6.3 Basic Amplifier Configurations
10
Amplifiers
(1) 课程性质与教学目标 (2) 课程内容与教学安排 (3) 关键词与核心内容 (4) 模电课程特点与学习方法 (5) 参考资源 (6) 考核与答疑
电类专业的一门技术基础课
Amplifiers
工程性质、 实践性很强
Operational Amplifiers (Op-Amp)
Transistor BJT
(4h) (4h)
(12h)
(4h)
(4h) (4h) 运放 内部电路 (6h)
(7h) (7h) (共52h)
《模电课件大全》课件
THANKS
感谢观看
案例二：无线通信系统的实现
总结词
无线通信系统的实现案例探讨了模拟电子技术在无线通信领域的应用，重点介绍了无线发射机和无线 接收机的设计和实现。
详细描述
该案例首先介绍了无线通信系统的基本原理和组成，然后详细阐述了无线发射机和无线接收机的设计 和实现过程。通过电路图、原理分析和测试数据等手段，展示了无线通信系统的关键技术和性能指标 。最后，对无线通信系统的优势和局限性进行了分析和讨论。
模拟电子技术的发展趋势
总结词
随着科技的不断发展，模拟电子技术也在不断进步和 完善，未来将朝着更高精度、更高速度、更低功耗的 方向发展。
详细描述
随着集成电路和微电子技术的不断发展，模拟电子器件 的精度和稳定性得到了显著提高，同时其体积和成本也 在不断降低。此外，随着数字信号处理技术的广泛应用 ，模拟电子技术也与数字电子技术相互融合，形成了混 合信号处理技术。未来，模拟电子技术将继续朝着更高 精度、更高速度、更低功耗的方向发展，为各领域的科 技进步提供更加有力的支持。
02
模拟电子技术基础
电子元件
01
02
03
电子元件的种类
电子元件是构成电子设备 的基本单元，包括电阻、 电容、电感、二极管、晶 体管等。
电子元件的作用
电子元件在模拟电子技术 中起着关键作用，它们可 以用于信号处理、放大、 滤波、振荡等。
电子元件的特性
每种电子元件都有其独特 的电气特性，如电阻的阻 值、电容的容值、电感的 感值等。
音频信号的滤波
通过模拟电子技术，可以 对音频信号进行滤波处理 ，去除噪声和其他干扰。
音频信号的调制
通过模拟电子技术，可以 将音频信号调制到高频载 波上，以便于传输和广播 。
清华模电华成英PPT课件
模拟电子技术基础
清华大学 华成英
.
1
华成英 hchya@
绪论
一、电子技术的发展 二、模拟信号与模拟电路 三、电子信息系统的组成 四、模拟电子技术基础课的特点 五、如何学习这门课程 六、课程的目的 七、考查方法
.
2
华成英 hchya@
一、电子技术的发展
结电容： Cj Cb Cd
结电容不是常量！若PN结外加电压频率高到一定程度， 则失去单向导电性！
.
24
华成英 hchya@
问题
• 为什么将自然界导电性能中等的半导体材料制 成本征半导体，导电性能极差，又将其掺杂， 改善导电性能？
• 为什么半导体器件的温度稳定性差？是多子还 是少子是影响温度稳定性的主要因素？
PN 结的单向导电性
PN结加正向电压导通： 耗尽层变窄，扩散运动加
剧，由于外电源的作用，形 成扩散电流，PN结处于导通 状态。
P必N要结吗加？反向电压截止：
耗尽层变宽，阻止扩散运动，
有利于漂移运动，形成漂移电
流。由于电流很小，故可近似
认为其截止。
.
23
华成英 hchya@
1. 单向导电性
正向特性为 指数曲线
u
i IS(eUT 1)
u
若正u 向 U 电 T，压 i则 ISeUT
若反向 u电 UT， 压i则 IS
2. 伏安特性受温度影响 反向特性为横轴的平行线
T（℃）↑→在电流不变情况下管压降u↓ →反向饱和电流IS↑，U(BR) ↓ 增大1倍/10℃
T（℃）↑→正向特性左移. ，反向特性下移
PN 结的形成
由于扩散运动使P区与N区的交界面缺少多数载流子，形成内 电场，从而阻止扩散运动的进行。内电场使空穴从N区向P区、 自由电子从P区向N 区运动。
清华大学 华成英
.
1
华成英 hchya@
绪论
一、电子技术的发展 二、模拟信号与模拟电路 三、电子信息系统的组成 四、模拟电子技术基础课的特点 五、如何学习这门课程 六、课程的目的 七、考查方法
.
2
华成英 hchya@
一、电子技术的发展
结电容： Cj Cb Cd
结电容不是常量！若PN结外加电压频率高到一定程度， 则失去单向导电性！
.
24
华成英 hchya@
问题
• 为什么将自然界导电性能中等的半导体材料制 成本征半导体，导电性能极差，又将其掺杂， 改善导电性能？
• 为什么半导体器件的温度稳定性差？是多子还 是少子是影响温度稳定性的主要因素？
PN 结的单向导电性
PN结加正向电压导通： 耗尽层变窄，扩散运动加
剧，由于外电源的作用，形 成扩散电流，PN结处于导通 状态。
P必N要结吗加？反向电压截止：
耗尽层变宽，阻止扩散运动，
有利于漂移运动，形成漂移电
流。由于电流很小，故可近似
认为其截止。
.
23
华成英 hchya@
1. 单向导电性
正向特性为 指数曲线
u
i IS(eUT 1)
u
若正u 向 U 电 T，压 i则 ISeUT
若反向 u电 UT， 压i则 IS
2. 伏安特性受温度影响 反向特性为横轴的平行线
T（℃）↑→在电流不变情况下管压降u↓ →反向饱和电流IS↑，U(BR) ↓ 增大1倍/10℃
T（℃）↑→正向特性左移. ，反向特性下移
PN 结的形成
由于扩散运动使P区与N区的交界面缺少多数载流子，形成内 电场，从而阻止扩散运动的进行。内电场使空穴从N区向P区、 自由电子从P区向N 区运动。
从模电到数电的电子技术课件-dzchap06
•一、下行迟滞比较器
• 1. 没加参考电压的
•分析
下行迟滞比较器
•ui •R ••－+ •+
•uo
•
1. 因为有正反馈，所 以输出饱和。
• 2. 当uo正饱和时(uo
=+UOM) ：
•R1 •U+ •R2
•参考电压由 •输出电压决定
• 3. 当uo负饱和时(uo =–UOM) ：
•ui •R ••－+ •+
•5V •0
•ui
•R •－•+
•+
•UR •R •R
1
2
•t
•uo •Uom •uo
•UL
•0
•-Uom
•UH
•ui
•ui
•R ••－+ •+
•uo
•UR
•R •R
1
2
•首先计算上下门限电压：
•根据传输特性画输出波形图。
•u
•ui
•R •－•+
•uo
•1i0V •5V
•+ •UR
•2•V0
•t
•+UO
•ui •+ •+ •u
M
•0
•ui
o
•-UOM
•+
•+ •u
•ui
o
•uo
•+UO
M
•0
•ui
•-UOM
• 例：利用电压比较器
•ui
将正弦波变为方波。
•t
•ui •+ •+ •u
•uo
•+Uo
m
•t
o
•Uom
模电童诗白课件ppt
选用电子器件需要根据电路需求和性 能指标，选择合适的型号和规格，以 确保电路的正常工作和稳定性。
电子器件的特性
电子器件的特性包括伏安特性、频率 特性、时间常数等，这些特性决定了 电子器件在电路中的行为和功能。
放大电路基础
放大电路的作用
放大电路的作用是将微弱的电信号放大成较强的信号，以满足各种 应用需求，如音频放大、视频处理等。
反馈电路
反馈的概念和分类
反馈是指将电路的输出信号反馈 到输入端，以改变电路的性能。 根据反馈的性质，可以分为正反
馈和负反馈。
反馈电路的分析
通过使用方框图、根轨迹法和频 率响应等方法，对含有反馈的模
拟电路进行分析。
反馈的应用
研究反馈在模拟电路中的应用， 如放大器、振荡器和滤波器等， 以及如何通过反馈来改进电路的
，例如手机芯片、MEMS传感器等。
03
微纳电子学的发展趋势
随着技术的不断发展，微纳电子学正朝着更高集成度、更低功耗、更小
尺寸等方向发展，为信息技术领域带来更多的创新和突破。
绿色能源电子学
绿色能源电子学概述
绿色能源电子学是研究利用可再生能源进行电力转换和应用的科学，旨在促进可持续发展 。
绿色能源电子学的应用
模电童诗白课件
汇报人： 202X-12-30
目录
• 引言 • 模拟电子技术基础 • 模拟电路分析 • 模拟电路应用 • 模拟电子技术发展前沿
引言
课程简介
模电童诗白课件是一门针对儿童学习 模拟电路的课程，通过简单易懂的方 式向儿童介绍模拟电路的基本概念、 原理和应用。
该课程以儿童易于理解的语言和情势 ，通过生动有趣的课件，激发儿童对 模拟电路的兴趣和好奇心，培养他们 的科学素养和创新能力。
模拟电子技术说课(参考课件)
扬中绿扬
常州Amicc
四、教学设计
1、基本信息
课程名称：模拟电子技术
课程性质: 专业基础课程
学
时：80（理论60 实践20）
适用专业：应用电子技术
开课学期：1年级第2学期
2. 教材选取
曾经使用教材
现在使用教材
主要特点：理论讲解细致 可作为主要参考书
主要特点：项目化导向，知 识点融入于不同项目中。提 高了学生的学习兴趣
3、具备团结协 作精神
4、创新意识 5、查找资料及 自学能力
三、授课条件
1、学生情况分析 2、师资情况 3、实训条件
1. 学情分析
学生差异
高 中 文 科 毕 业 生
高 中 理 科 毕 业 生
前 导 课 程 掌 握 程 度
学生共同点
排喜思渴自 斥动维望信 传手活成不 统不跃功足 教善但但易 学学缺缺于 模理韧耐放 式论性心弃
【重点难点】 单相桥式整流电路工作原理和波形分析
(一) 导入新课
手机师充生电一器起工观作看流以程下图图片
A
R1
R2
各式各样充电器VD1
VD2
了解手机充电器
v1
V2
VD4
输入
桥式
电卡路通充电器整 流
智能集成化快速充电器
座充充电器
C1 VD3
B 滤波
C2 VZ
稳压 输出
最常见的充电器外形图 充电器拆开后
4、实验项目
天煌模电实验台及实验配套教材
4、实验项目
实验项目
知识目标
学时分配
实验1
学习电子电路中常用电子仪器：示波器、 函数信号发生器、直流稳压电源、交流毫
2
常用电子仪器使用 伏表、频率计等的主要技术指标、性能及
华中科技大学 -模电PPT
＋
v－id －
vi －
R2
vn
R1
vo
＋
vi
vp
ip →
＋
vid=0
－
→in
＋ －
－
Avo(vp－vn)
＋
vo
－
iR R2
vn= vi R1
iR
vn R1
vi R1
（a）电路图
（b）小信号电路模型
11
华中科技大学 张林
2.3.1 同相放大电路
2. 几项技术指标的近似计算
（1）电压增益Av
根据虚短和虚断的概念有
电压传输特性 vO＝ f (vP－vN)
7
华中科技大学 张林
2.1 集成电路运算放大器
当Avo(vP－vN) V＋ 时 vO＝ V＋
当Avo(vP－vN) V-时 vO＝ V-
电压传输特性 vO＝ f (vP－vN)
线性范围内 vO＝Avo(vP－vN) Avo——斜率
8
华中科技大学 张林
2.2 理想运算放大器
根据虚短和虚断的概念有 vn≈ vp＝ 0 ， ii＝0
vi
i1
R1
ii
vn＋ii －
vo
所以 i1＝i2
vp
＋
即 vi vn vn vo
R1
R2
Av
vo vi
R2 R1
（可作为公式直接使用）
17
华中科技大学 张林
2.3.2 反相放大电路
2. 几项技术指标的近似计算
（2）输入电阻Ri
4
华中科技大学 张林
2.1 集成电路运算放大器
1. 集成电路运算放大器的内部组成单元 符号
西安交大模电PPT
T 2IB2
U CE 2
–+
U I E 2
BE2
RB
–
U C V E C ( C V E ) E I C R C 2 I E R E
RE VEE
V C C V E E IC (R C 2 R E )
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模拟电子技术基础
3. 动态分析
(1) 小信号差模特性
+
差模信号：
u I1
模拟电子技术基础
VCC
RC
u od R C
RB
u Id1
T
1
u od1 R L
T u od2 2
RB
u Id2
等效电路
RE VEE
RB u Id1
RC
RC
uOd
u RL RL
Od1 2 2
T1
uOd2
T2
RB
uId2
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模拟电子技术基础
Aud
uOd uId
2 uOd1 2 uId1
1 uOd1 2 uId1
RC
2 RB rbe
RB u Id1
RC RC
uOd
T1 u Od1 u Od2T 2
RB uId2
上页 下页 后退
模拟电子技术基础
(b) 输出uO2
Aud
uOd2 uId
uOd1 2 uId1
1 uOd1 2 uId1
RC
2 RB rbe
RB u Id1
U CE 2
–+
U I E 2
BE2
RB
–
RE VEE
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模拟电子技术基础