电力电子复习题答案

一、填空题

.同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流I L的数值大小上有I L大于（或2~4）I H。

1．功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是_智能功率集成电路_。2．晶闸管断态不重复电压U DSN与转折电压U BO数值大小上应为，U DSM

3．电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压U Fm=1.414U2，设U2为相电压有效值。

4．三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_1200___。5．对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使输出电压平均值下降。

6．晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是静态均压措施。

7．三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有T形和Y 形_二种方式。

8．抑制过电压的方法之一是用_储能元件吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。10．180°导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在同一相的上、下二个开关元件之间进行。

11．改变SPWM逆变器中的调制比，可以改变输出电压基波的幅值。

12．为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是（一个）较大的电流。

13．恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是减小存储时间。

14．功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用快速恢复型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。

15.晶闸管是三端器件，三个引出电极分别为：阳极、阴极和门极。

22.处于阻断状态的晶闸管，只有在阳极承受正向电压，且门极有触发电流时，才能使其开

通。

23.晶闸管额定通态平均电流I VEAR是在规定条件下定义的，条件要求环境温度为40℃。

24.在晶闸管单相半波可控整流电路中，从晶闸管开始承受正向电压算起，到触发脉冲到来

时刻为止，这段时间的电角度称为触发角。

25.在电感性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为2.45U2。

26.三相全控桥的共阴极组要求触发脉冲以120°为间隔，依次在电源电压的正_半周触发共

阴极组的各晶闸管。

27.在输入相同幅度的交流电压和相同控制角的条件下，三相可控整流电路比单相可控整流

电路可获得较高_的输出电压。

28.有源逆变器是将直流电能转换为交流电能馈送回电网的逆变电路。

29.逆变器可分为无源逆变器和有源逆变器两大类。

30.有源逆变产生的条件之一是：变流电路输出的直流平均电压U d的极性必须保证与直流电

源电势E d的极性成反极性相连，且满足|U d|<|E d|。

31.三相桥式全控变流电路的同步相控触发电路，分为垂直控制和横向控制二种方式。

32.SPWM有两种调制方式：单极性和双极性调制。

33.斩波器的时间比控制方式分为定宽调频、定频调宽、混合调宽三种方式。

34.载波比(又称频率比)K是PWM主要参数。设正弦调制波的频率为f r，三角波的频率为f c，

则载波比表达式为K=f c/_f r。

35.DC/DC变换的两种主要形式为逆变整流型和斩波电路控制型。

1. 处于阻断状态的晶闸管，只有在阳极加正向电压，且在门极加正向触发电压时，才能使其开通。

2. 造成在不加门极触发控制信号，即能使晶闸管从阻断状态转为导通状态的非正常转折有

二种因素。一是阳极的电压上升率du/dt 太快，二是阳极电压过高。

3. 功率集成电路PIC 分为二大类，一类是智能功率集成电路，另一类是高压集成电路。

4. 单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角a 大于不导电角δ时，晶闸管的导通角 Ø=π-δ-α。

5.将直流电能转换为交流电能又馈送回交流电网的逆变电路称为有源逆变器。

6.确定最小逆变角βmin 要考虑的三个因素是晶闸管关断时间t af 所对应的电角度δ，安全裕量角Ø0和换相重叠角γ。

7. 三相全控桥式有源逆变电路，每个晶闸管导通角1200，每隔600产生一次换相。

8. RC 电路可用作直流侧的过电压保护元件。

9. 金属氧化物非线性压敏电阻可作为过电压保护元件。

10. 晶闸管变流器主电路要求角发电路的触发脉冲应具有一定的宽度，且前沿尽可能陡。

11. 电流型逆变器中间直流环节以电感贮能。

12. 电流源型逆变器的输出电流波形为矩形波。

13. 在PWM 斩波器中，电压比较器两个输入端信号分别是三角波信号和直流信号。

14. 在升压斩波电路中，已知电源电压U d =16V,导通比3

1=Kv ,则负载电压U 0=24V 。 15. 功率晶体管的驱动电路，一般有恒流驱动电路和比例驱动电种型。

二、 单项选择题

在每小题烈出的四个选项中只有一个选项是符合题目要求的，请将正确选项前的字母填在题后的括号。

16.已经导通了的晶闸管可被关断的条件是流过晶闸管的电流（ ① ）

①减小至维持电流I H 以下 ②减小至擎住电流I L 以下

③减小至门极触发电流I G 以下 ④减小至5A 以下

17.功率晶体管的安全工作区由以下四条曲线限定:集电极-发射级允许最高击穿电压线,集电极最大允许直流功率线,集电极最大允许电流线和(④ )

①基极最大允许直流功率线 ②基极最大允许电压线

③临界饱和线 ④二次击穿触发功率线

18.对于同一晶闸管,维持电流I H 与擎住电流I L 的关系是( ② )

①I H ≈(2~4)I L ②I L ≈(2~4)I H ③I H =I L ④I H ≥I L

19.可关断晶闸管，（GTO ）的电流关断增益βaff 的定义式为（ ① ）

①min

G A I I -②A G I I min -