简答题——光电检测技术期末整理

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光电检测技术与应用期末考试复习资料

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26、 外差检测:a、外差检测增益高,b、微弱光线下,外差检测表现出十分高的转换 增益,c、光外差检测方式具有天然检测微弱信号的能力。 27、 外差检测输出电流包含有信号光的振幅、 频率和相位的全部信息, 这是直接检测所 做不到的。 28、 信噪比用来衡量其质量的好坏,其灵敏度的高低与此密切相关。 29、 直接检测方法不能改善输入信噪比。 30、 对应检测电路的不同工作状态,频率特性可有不同的简化形式。 31、 在保证所需检测灵敏度的前提下获得最好的线性不失真和频率不失真是光电检测 电路设计的两个基本要求。 32、 检测电路频率特性的设计包括:a、确定信号的频谱分布,b、确定多级光电检测 电路的允许通频带宽和上限截止频率,c、确定单级检测电路的阻容参数。 33、 光敏电阻与其他半导体光电器件相比,有以下特点:a、光谱响应范围宽,b、工 作电流大,可达数毫安,c、所测的光电强度范围宽,即可测弱光也能侧强光。d、灵敏 度高,e、无选择极性之分,使用方便。 34、 硅光电二极管与硅光电池相比,前者掺杂浓度低。 35、 光生伏特效应是指光照射在半导体 PN 结或金属和半导体的接触面上时,会在 PN 结或金属半导体接触面上产生光生电动势的现象,属于内光电效应。 36、 光电检测电路设计的原则: 保证光电器件和后续电路的最佳工作状态, 基本要求: a、灵敏的光电转换能力,b、快速的动态响应能力,c、最佳的信号检测能力,d、长期 工作的稳定性和可靠性。 37、 条形码识别:a、要求建立一个光学系统,b、要求一个接受系统能够采集到光点 运动时打在条形码条符上反射回来的反射光,c、要求一个电子电路将接受到的光信号 不失真的转换成电脉冲。 38、 L=(1) (2) ( 3) (4)第一个括号是目标辐射特性及大气透过率对作用距离的影响, 第二和第三个括号是表示光学系统及检测器特性对作用距离的影响,第四个括号是信息 处理系统对作用距离的影响。 39、 φ=Ad/f²,增大视场角φ时,可增ห้องสมุดไป่ตู้检测器面积或减小光学系统的焦距,这两个方 面对检测系统的影响都是不利的:a、增加检测器的面积意味着增大系统的噪声,b、减 小焦距使系统的相对孔径加大,这也是不允许的,另一方面视场角增大后引入系统的背 景辐射也增加,使系统灵敏度下降。 40、 硅光电池的负载特性:a、光电流在弱光下与光照度呈线性关系,b、光照增加到 一定条件时光电流趋于饱和,c、负载大的时候更易出现 饱和,要获得较大的线性度负载不能太大。

光电检测技术期末考试试卷

光电检测技术期末考试试卷

光电检测技术期末考试试卷1、光具有的一个基本性质是波粒二象性。

2、光电检测技术研究的主要内容是信息变换技术电信___________________ 号处理技术。

------------- 3、光源调制通常分为机械调制和电调制或内调制和外调 ---------------------------------- 制。

_4、激光的形成必须满足粒子数反转、谐振腔共振、阈值 ________________________________ 条件。

______5、为了提高光电二极管的响应频率,应适当加大反向偏 ------ 压O ---------6、光敏电阻受温度影响大,通常工作在低温环境___________________ 下。

7、光电检测技术是光学与电子技术结合而产生的一门新 ________________ 兴检测技术,它是利用光电子技术对光信息进行检测。

--------------------------8、假设调制盘的转速为N转/分,得到调制光的频率为f,则调制盘的孔数为60f/N。

------学年第一学期期末考试试卷2009-2010.、填空题(共13分.毎小题1分)1、光纤传输损耗分类为______________ 、_______________ . _______________________ _________________ 、 ____________________ 以及_______________________________2、线性光列阵有•两种基本形式,一是________________ ,二是_________________ o3、为保证测呈的高将度,光扫描检测系统.必须满足三点基本要求;第一,_________________________________________________________________________緒一刑一9 ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ 第三,_________________________________________________________________________ 4、纳米扫描测虽系统要解决的关键是______________________________________________ 以及___________________________________________________________________________二、判断正确与错谋(正确的标T.错谋的标F,共8分,毎题2分)1、相关测呈和匹配滤波是从频率域来考虑的。

光电技术期末复习题目总结

光电技术期末复习题目总结

光电技术期末复习题目总结篇一:光电技术概念题总结答:为了评价探测器性能优劣,比较不同探测器之间的差异,从而达到根据具体需要合理正确选择光电探测器件的目的,制定了一套性能参数。

通常包括积分灵敏度,也成为响应度,光谱灵敏度,频率灵敏度,量子效率,通量阈和噪声等效功率,归一化探测度及工作电压、电流、温度及入射光功率允许范围。

答:光子效应是指单个光子的性质对产生的光电子起直接作用的一类光电效应。

探测器吸收光子后,直接引起原子或分子的内部电子状态的改变。

光子能量的大小,直接影响内部电子状态改变的大小。

因为,光子能量是h,h是普朗克常数,是光波频率,所以,光子效应就对光波频率表现出选择性,在光子直接与电子相互作用的情况下,其响应速度一般比较快;光热效应和光子效应完全不同。

探测元件吸收光辐射能量后,并不直接引起内部电子状态的改变,而是把吸收的光能变为晶格的热运动能量,引起探测元件温度上升,温度上升的结果又使探测元件的电学性质或其他物理性质发生变化。

所以,光热效应与单光子能量h的大小没有直接关系。

原则上,光热效应对光波频率没有选择性。

只是在红外波段上,材料吸收率高,光热效应也就更强烈,所以广泛用于对红外线辐射的探测。

因为温度升高是热积累的作用,所以光热效应的响应速度一般比较慢,而且容易受环境温度变化的影响。

值得注意的是,以后将要介绍一种所谓热释电效应是响应于材料的温度变化率,比其他光热效应的响应速度要快得多,并已获得日益广泛的应用。

答:(1)PbS:近红外辐射探测器,波长响应范围在1~3.4μm,峰值响应波长为2μm,内阻(暗阻)大约为1mΩ,响应时间约200μs。

(2)inSb:在77k下,噪声性能大大改善,峰值响应波长为5μm响应时间短(大约50×10-9s)答:光电池总的来说频率特性不是很好,这是由于两个方面的原因:第一,光电池的光敏面一般做的较大,因而极间电容较大;第二,光电池工作在第四象限,有较小的正偏压存在,所以光电池的内阻较低,而且随入射光功率变差,因此光电池的频率特性不好.视效能?答:在光度体系中,被选作基本单位的不是光量或光通量,而是发光强度,其单位是坎德拉定义为一个光源发出频率为的单色辐射,如果在一给定方向上的辐射强度为,则该光源在该方向上的发光强度为1坎德拉,光度量和辐射度量之间可以用光是效能与光视效率联系起来。

光电检测技术期末试卷试题大全

光电检测技术期末试卷试题大全

光电检测技术期末试卷试题大全1.选择题1. 红外光电传感器是一种常见的光电检测设备,它的工作原理是通过检测红外线的______来实现对目标物的检测。

A. 强度B. 频率C. 极性D. 相位2. 光电二极管是一种常见的光电检测器件,它的工作原理是基于______效应。

A. 光电B. 热释电C. 雷射D. 压电3. 光电检测技术在工业自动化中的应用主要包括______。

A. 物体检测B. 位置测量C. 温度测量D. 速度测量4. 光电检测器件中,______是用来控制光电转换效率的重要参数。

A. 光敏面积B. 波长范围C. 频率D. 光电流5. 光电检测技术在机器人领域中的应用主要包括______。

A. 图像识别B. 人脸识别C. 声音识别D. 语音识别2.填空题1. 光电检测技术中,______是指通过发光二极管或激光二极管产生光信号的过程。

2. 光电检测器件中,______是指当光照射到光敏元件表面时产生的电荷量。

3. 光电检测技术中,______是指将光信号转化为电信号的过程。

4. 光电检测技术中,______是指通过对检测光信号进行处理获得目标物的信息。

3.简答题1. 请简要描述红外光电传感器的工作原理,并举例说明其在实际应用中的使用场景。

2. 光电二极管与普通二极管相比有什么不同之处?为什么光电二极管被广泛应用于光电检测技术领域?3. 光电检测技术在工业自动化中的应用主要有哪些优势?请列举并解释其中的一两个优势。

4. 光电检测器件的频率响应是什么?如何调节光电检测器件的频率响应?5. 光电检测技术在机器人领域中的应用主要有哪些优势?请列举并解释其中的一两个优势。

4.综合问题现代工业生产过程中,光电检测技术扮演着重要的角色。

请结合实际案例,阐述光电检测技术在工业自动化中的应用,并分析其对提高生产效率和质量的影响。

在答题过程中,可参考以下结构进行撰写:1. 引言:介绍光电检测技术在工业自动化中的重要性和应用需求。

光电检测技术期末试卷试题大全

光电检测技术期末试卷试题大全

1、光电器件的基本参数特性有哪些?(响应特性噪声特性量子效率线性度工作温度)@响应特性分为电压响应度电流响应度光谱响应度积分响应度响应时间频率响应@噪声分类:热噪声散粒噪声产生-复合噪声 1/f噪声信噪比S/N 噪声等效功率NEP2、光电信息技术是以什么为基础,以什么为主体,研究和发展光电信息的形成、传输、接收、变换、处理和应用。

(光电子学光电子器件)3、光电检测系统通常由哪三部分组成(光学变换光电变换电路处理)4、光电效应包括哪些外光电效应和内光电效应)外光电效应:物体受光照后向外发射电子——多发生于金属和金属氧化物。

内光电效应:物体受到光照后所产生的光电子只在物质内部而不会逸出物体外部——多发生在半导体。

内光电效应又分为光电导效应和光生伏特效应。

光电导效应:半导体受光照后,内部产生光生载流子,使半导体中载流子数显著增加而电阻减少的现象。

光生伏特效应:光照在半导体PN结或金属—半导体接触面上时,会在PN结或金属—半导体接触的两侧产生光生电动势。

5、光电池是根据什么效应制成的将光能转换成电能的器件,按用途可分为哪几种?(光生伏特效应太阳能光电池和测量光电池)6、激光的定义,产生激光的必要条件有什么?(定义:激光是受激辐射的光放大粒子数反转光泵谐振腔)7、热释电器件必须在什么样的信号的作用下才会有电信号输出?(交变辐射)8、CCD是一种电荷耦合器件,CCD的突出特点是以什么作为信号,CCD的基本功能是什么?(电荷 CCD的基本功能是电荷的存储和电荷的转移。

)9根据检查原理,光电检测的方法有哪四种。

(直接作用法差动测量法补偿测量法脉冲测量法)10、光热效应应包括哪三种。

(热释电效应辐射热计效应温差电效应)11、一般PSD分为两类,一维PSD和二维PSD,他们各自用途是什么?(一维PSD主要用来测量光点在一维方向的位置;二维PSD用来测定光点在平面上的坐标。

)12、真空光电器件是基于什么效应的光电探测器,它的结构特点是有一个真空管,其他元件都在真空管中,真空光电器件包括哪两类。

光电技术期末复习题目总结

光电技术期末复习题目总结

A 0.5104 1.25105 (sr)
r2
22
再计算光电探头所接收的光通量
φv=EvS=100×0.5 cm2=5.0×10-3(lm) 因而可以计算出灯在该方向上的发光强度Iv
Iv=φ v/Ω =5.0×10-3/1.25×10-5=400(cd)
标准钨丝灯在整个球面空间各向同性发光,因此, 灯所发出的光通量为
试求: 输出电压为8V时的照度为多少lx ?
Rb DW
解:首先看稳压二极管是否工作在稳压状态,
Ubb R
Iw
U bb U w Rb
12 4 820
9.8(mA)
稳压二极管工作在稳压区; U0
再求流过恒流偏置的光敏电阻的电流Ip,
Re
Ip =Ie=(Uw- Ube)/Re
=1(mA)
试求:(1)幕的光照度为多少lx? (2)幕的反射出射度为多少lx? (3)幕每秒钟接收多少个光子?
解:先将氦氖激光器输出单色辐射的辐射功率转换为光通量φv φv=KmV(λ)φe=683×0.268×6×10-3=1.098(lm)
白色屏幕上的光照度应为 Ev=φv/S=1.098/0.8×10-4=1.37×104 (lx)
Φv

Ev
A
4

5.0 103 4
1.25 105
5000(lm)
第一章第2题、某输出功率为6mW的氦氖激光器,发出波长为 0.6328μ m的光束,均匀地投射到0.8cm2的白色屏幕上。已知屏幕 的反射系数为0.96,设光速C= 3108m/s,普朗克常数 h =
6.62610-34j·s ,氦氖激光的视见函数V(6328) = 0.268,

光电检测技术考点整理

光电检测技术考点整理

光电检测技术考点整理一、填空题(35分)1.能带形成原因电子共有化。

2.本征吸收在长波方向存在一个界限0λ,称为长波限。

也称红线:gg E E hc 24.10==λ 半导体的禁带宽度愈窄,长波限0λ愈长。

掺杂半导体的长波限大于本征半导体的长波限。

本征吸收发生条件:光子能量必须大于等于材料禁带宽度:g E hc ≥λ3.载流子包括自由电子和自由空穴。

4.N 型:由施主(易释放电子的原子)能级激发到导带中去的电子来导电的半导 体称为N 型半导体。

自由电子的浓度>自由空穴浓度; 施主能级E d 靠近导带E c ;施主电离能△E d ↑,电子更容易跃迁到导带。

P 型:由受主(容易获取电子)控制材料导电性的半导体。

自由空穴的浓度>自由电子浓度; 受主能级E a 靠近价带E v ; 受主电离能△E a ↓,电子更容易跃迁到受主能级。

5.载流子复合过程一般有直接复合和间接复合两种。

掺杂半导体一间接复合为主。

同一类材料掺杂半导体吸收光的长波限比本征半导体吸收光的长波限长。

6.单色辐出度:任何物体的单色辐出度和单色吸收比之比,等于同一温度时绝对 黑体的单色辐出度。

),(),(),(T M T T M eB e λλαλ= ),(),(),(),(T T M T M T eB e λαλλλε==,含义:物体光谱发射率总等于其光谱吸收比,也就是强吸收体必然是强发射体。

7.黑体中温度位移关系(维恩位移定律):B T m =λ,B 不变。

得:当绝对黑体的温度增高时,单色辐出度的最大值向短波方向移动。

绝对黑体的光谱吸收比是物体的光谱发射率;称:?8.光电二极管:加反偏电压工作物质激光器 谐振腔 电学光泵泵浦原 化学光泵热学光泵光学光泵发光二极管:加正偏电压激光器(优)与发光二极管(缺)比较优点:高亮度、单色性好(相干性)、方 向性强。

液晶:被动型发光。

9.半导体结型光器件按结的种类不同,分为:PN 结型、PIN 结型和肖特基结型 等。

光电检测复习

光电检测复习

光电检测复习第一章1、什么是光电检测:采用不同的手段和方法获取信息,运用光电技术的方法来检验和处理信息,从而实现各种几何量和物理量的测量,称为光电检测。

2、构成:辐射源,光学系统,光电系统,电子学系统,计算机系统第二章1、什么是光电效应?光电效应:当光照射到物体上,使物体发射电子,或电导率发生变化、或产生光电动势等,这种因光照而引起物体电学特性的改变统称为光电效应外光电效应(光电子发射效应)被光激发产生的电子逸出物质表面,形成真空中的电子的现象内光电效应被光激发所产生的载流子(自由电子或空穴)仍在物质内部运动,使物质的电导率发生变化或产生光生电动势的现象内光电效应有:光电导效应、光生伏特效应等2、什么是光电导效应?光电导效应:因光照使半导材料中导带内的电子和价带内空穴浓度增加(即电子—空穴对增加),从而使电导率变大光生伏特效应:光伏现象——半导体材料的“结”效应。

PN 结的形成:扩散(多子)与漂移(少子)相平衡光电池、光电二极管、光电晶体管、光电场效应管、PIN 管、雪崩光电二极管、阵列式光电器件、象限式光电器件、位置敏感探测器(PSD )、电荷耦合器、光电耦合器件等3、由于载流子迁移率的差别产生受照面与遮蔽面之间的伏特现象称为丹倍效应。

半导体部分遮蔽、部分光照,载流子向遮蔽区扩散;电子迁移率大于空穴迁移率,遮蔽区积累电子+光照区积累空穴;形成光生伏特现象。

4、磁光效应:丹倍效应+载流子的洛伦兹偏转5、半导体对光的吸收半导体吸收光子的能量使价带中的电子激发到导带,在价带中留下空穴,产生等量的电子与空穴,这种吸收过程叫本征吸收。

非本征吸收包括杂质吸收、自由载流子吸收、激子吸收和晶格吸收等。

杂质吸收:杂质能级上的电子(或空穴)吸收光子能量从杂质能级跃迁到导带(空穴跃迁到价带),这种吸收称为杂质吸收。

杂质吸收的波长阈值多在红外区或远红外区。

自由载流子吸收:导带内的电子或价带内的空穴也能吸收光子能量,使它在本能带内由低能级迁移到高能级,这种吸收称为自由载流子吸收,表现为红外吸收。

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1、雪崩光电二极管的工作原理 (当光敏二极管的PN结上加相当大的反向偏压(100~200V)时,在结区产生一个很强的电场,使进入场区的光生载流子获得足够的能量,在与原子碰撞时可使原子电离,而产生新的电子—空穴对。只要电场足够强,此过程就将继续下去,使PN结内电流急剧增加,达到载流子的雪崩倍增,这种现象称为雪崩倍增效应。) 2、光生伏特效应与光电导效应的区别和联系? (共性:同属于内光电效应。区别:光生伏特效应是少数载流子导电的光电效应,而光电导效应是多数载流子导电的光电效应。) 什么是敏感器?敏感器与传感器的区别和联系? (将被测非电量转换为可用非电量的器件。共性:对被测非电量进行转换。 区别:敏感器是把被测量转换为可用非电量,传感器是把被测非电量转换为电量) 发光二极管的工作原理。 (在PN结附近,N型材料中的多数载流子是电子,P型材料中的多数载流子是空穴,PN结上未加电压时构成一定的势垒,当加上正向偏压时,在外电场作用下,P区的空穴和N区的电子就向对方扩散运动,构成少数载流子的注入,从而在PN 结附近产生导带电子和价带空穴的复合。一个电子和一个空穴对每一次复合,将释放出与材料性质有关的一定复合能量,这个能量会以热能、光能、或部分热能和部分光能的形式辐射出来。 说明光子器件与热电器件的特点。

光子器件 热电器件

响应波长有选择性,一般有截止波长,超过该波长,器件无响应。 响应波长无选择性,对可见光到远红外的各种波长的辐射同样敏感

响应快,吸收辐射产生信号需要的时间短, 一般为纳秒到几百微秒 响应慢,一般为几毫秒

PIN型的光电二极管的结构、工作原理及特点 (它的结构分三层,即P型半导体和N型半导体之间夹着较厚的本征半导体I层,它是用高阻N型硅片做I层,然后把它的两面抛光,再在两面分别作N+和P+杂质扩散,在两面制成欧姆接触而得到PIN光电二极管。原理:层很厚,对光的吸收系数很小,入射光很容易进入材料内部被充分吸收而产生大量的电子-空穴对,因而大幅度提供了光电转换效率,从而使灵敏度得以很高。两侧P层和N层很薄,吸收入射光的比例很小,I层几乎占据整个耗尽层,因而光生电流中漂移分量占支配地位,从而大大提高了响应速度。特点: PIN管的最大特点是频带宽,可达10GHz。缺点:由于I层的存在,管子的输出电流小,一般多为零点几微安至数微安。) 热辐射检测器通常分为哪两个阶段?哪个阶段能够产生热电效应。 (第一步:是热探测器吸收红外辐射引起温升,这一步对各种热探测器都一样; 第二步:利用热探测器某些温度效应把温升转换为电量的变化。 第二阶段) 8、光电检测系统由哪几部分组成?作用分别是什么? 1.论述光电检测系统的基本构成,并说明各部分的功能。(10分) 下面是一个光电检测系统的基本构成框图: (4分) (1)光源和照明光学系统:是光电检测系统中必不可少的一部分。在许多系统中按需要选择一定辐射功率、一定光谱范围和一定发光空间、分布的光源,以此发出的光束作为载体携带被测信息。 (2)被测对象及光学变换:这里所指的是上述光源所发出的光束在通过这一环节时,利用各种光学效应,如反射、吸收、折射、干涉、衍射、偏振等,使光束携带上被检测对象的特征信息,形成待检测的光信号。光学变换通常是用各种光学元件和光学系统来实现的,实现将被测量转换为光参量(振幅、频率、相位、偏振态、传播方向变化等)。 (3)光信号的匹配处理:这一工作环节的位置可以设置在被检测对象前面,也可设在光学变换后面,应按实际要求来决定。光信号匹配处理的主要目的是为了更好地获得待测量的信息,以满足光电转换的需要。 (4)光电转换:该环节是实现光电检测的核心部分。其主要作用是以光信号为媒质,以光电探测器为手段,将各种经待测量调制的光信号转换成电信号(电流、电压或频率),以利于采用目前最为成熟的电子技术进行信号的放大、处理、测量和控制等。 (5)电信号的放大与处理:这一部分主要是由各种电子线路所组成。光电检测系统中处理电路的任务主要是解决两个问题:①实现对微弱信号的检测;②实现光源的稳定化。 (6)存储、显示与控制系统:许多光电检测系统只要求给出待测量的具体值,即将处理好的待测量电信号直接经显示系统显示。 9、简述光电检倍增管的结构组成和工作原理 (光电倍增管主要由入射窗口、光电阴极、电子光学系统、电子倍增系统、和阳极5部分组成。 @1光照射到阴极转换成电子,出射到下一电极。 @2电子撞到下一电极,倍增,更多的电子出射,直奔下一电极。 @.3经过若干次倍增,到达阳极,形成信号电流。) 10简述CCD器件的结构和工作原理 (MOS电容器件+输入输出端=CCD Ccd的工作原理:由目标发射来的光学图像,经透镜聚焦后成像在CCD的像敏单元上; 在耗尽层中或距耗尽层为一定范围内的光生电子迅速被势阱收集,汇集到界面附近形成电荷包,存储在像敏单元中。 电荷包的大小与光强和积分时间成正比。 电荷包在时钟脉冲作用下,由转移寄存器读出。 即在CCD栅极上施加按一定规律变化、大小超过阈值的电压,则在半导体表面形成不同深浅的势阱。势阱用于存储信号电荷,其深度同步于信号电压变化,使阱内信号电荷沿半导体表面传输,最后从输出二极管送出视频信号。) 11、简述热电偶的工作原理 (热电偶工作原理是基于赛贝克(seeback)效应,即两种不同成分的导体两端连接成回路,如两连接端温度不同,则在回路内产生热电流的物理现象。) ////////////////////////////////////////////////////////////////////////////// 三、简答题(共 46 分) 4、在微弱辐射作用下,光电导材料的光电灵敏度有什么特点?为什么要把光敏电阻造成蛇形?(8 分) 光电导器件的响应时间(频率特性)受哪些因素限制?光伏器件与光电导器件工作频率 哪个高?实际使用时如何改善其工作频率响应 ?(8 分) 答:在微弱辐射作用下,光电导材料的光电灵敏度是定值,输出光电流与入射光通量成正比, 即保持线性关系。 光敏电阻做成蛇形,一方面既可以保证有较大的受光面积,一方面减小电极之间的距离,从 而既可以减小载流子的有效极间渡越时间,也有利于提高灵敏度。 2、响应时间主要受光电导器件中载流子的平均寿命τ 有关,减小τ ,则频率响应提高;其 次,光电导器件的响应时间与运用状态也有光,例如,光照强度和温度的变化,因为它们都 影响载流子的寿命。 光伏特器件的工作频率高于光电导器件。 要改善光伏器件的频率响应,主要是减小响应时间,所以采取的措施主要有: ①减小负载电阻;②减小光伏特器件中的结电容,即减小光伏器件的受光面积;③适当增加 工作电压。 6、 试问图 2 (a) 和图 2(b)分别属哪一种类型偏置电路?为什么?分别写出输出电压 U0 的表达式。 (10 分)

答:都属于共射极电路,

3、如果硅光电池的负载是R,画出等效电路。写出流过负载I的电流方程及Uoc,Isc的表达式,说明含义 硅光电池的工作原理和等效电路为下图:

(a)光电池工作原理图 (b)光电池等效电路图 (c)进一步简化 (4分) 从图(b)中可以得到流过负载RL的电流方程为:

)1()1(/0/0KTqVsEKTqVspDpeiESeiiiii- (1)

其中,SE为光电池的光电灵敏度,E为入射光照度,Is0是反向饱和电流,是光电池加反向偏

压后出现的暗电流。 (2分) 当i=0时,RL=∞(开路),此时曲线与电压轴交点的电压通常称为光电池开路时两端

的开路电压,以VOC表示,由式(1)解得:



1ln0IIqkTVp

OC

(2).。。(4分)

当Ip》Io时,)/ln()/(0IIqkTVpOC 当RL=0(即特性曲线与电流轴的交点)时所得的电流称为光电流短路电流,以Isc表

示,所以Isc=Ip=Se·E (3)。。(4分)

从式(2)和(3)可知,光电池的短路光电流Isc与入射光照度成正比,而开路电压Voc与光照度的对数成正比。 4.光伏探测器的工作模式分为哪几种?为什么(分类依据)?他们的主要区别?(10 分) 答:光伏探测器的工作模式分为光电导工作模式和光伏特工作模式,它的工作模式则由外偏 压回路决定。在零偏压的开路状态,PN 结型光电器件产生光生伏特效应,这种工作原理成 光伏工作模式。当外回路采用反偏电压,即外加 P 端为负,N 端为正的电压时。无光照时的 电阻很大,电流很小;有光照时,电阻变小,电流就变大,而且流过它的光电流随照度变化 而变化。从外表看,PN 结光伏探测器与光敏电阻一样,同样也具有光电导工作模式,所以 称为光导工作模式。 主要区别:器件处于光伏工作模式时,器件内阻远低于负载电阻,相当于一个恒压源;在光 电导模式下,器件内阻远大于负载电阻,此时器件相当于恒流源。 论述题(共 26 分) 1.为什么说光外差检测方式是具有天然检测微弱信号的能力?( 12分) (第六章)

而中频电流输出对应的电功率为: ,其中 R L 为光电探测器的负载电阻。所以,

这里的横线是对中频周期求平均。 从物理过程的观点看, 直接探测是光功率包络变换的检波过程; 而光频外差探测的光电 转换过程不是检波,而是一种“转换”过程,即把以 ω S 为载频的光频信息转换到以 ω IF 为 载频的中频电流上,这一“转换”是本机振荡光波的作用,它使光外差探测天然地具有一种 转换增益。 为了衡量这种转换增益的量值,我们以直接探测为基准加以描述。为此令

把(1)和(2)式代入(3)中得到:

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