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HNMR-化学位移

HNMR-化学位移
分子间氢键:与样品浓度、测定温度以及溶剂等有关,因
此相应质子 不固定。 醇羟基和脂肪胺基: 0.5~5;酚羟基:4~7。
分子内氢键:强度与分子结构有关。 温度升高,不利于氢键形成,质子化学位移向高场移动。 NMR是研究氢键的一种有力的工具。
乙醇的羟基随浓度增加,分子间氢键增强,化学位移增大
例 对甲基苯胺的1H NMR谱中,出现在δ4.0ppm处的一个单峰在 加入重水后再次测定时消失,表明此峰代表( )吸收峰。
A. 氨基 B. 甲基 C. 苯环答案:A10/29.55
交换快速时,NH表现为尖锐单峰,相邻CH上质子不被
NH裂分。大多数脂肪族胺属此种情况。δ= 0.5 ~ 3.0
中等交换速率时,NH部分去耦表现为一个宽峰,但相邻 CH上质子不被NH裂分。如N-甲基对硝基苯胺。
交换缓慢时,NH质子能“看到”以中等速度变化的14N核 的三种自旋,表现为宽峰,相邻CH上质子被NH裂分。吡
(6) 范德华效应
当两个质子在空间结构上非常靠近时,电子云就会互相 排斥,从而使这些质子周围的电子云密度减少,屏蔽作用下 降,共振信号向低场移动,这种效应称为范德华效应。这种 效应与相互影响的两个原子之间的距离密切相关。
(7)溶剂效应
由于溶质分子受到不同溶剂影响而引起的化学位移变 化称为溶剂效应。例如:
电负性:Csp > Csp2 > C sp3 乙烷 0.88; 乙烯 5.23; 乙炔 2.88
(3) 磁的各向异性效应
化合物中非球形对称的电子云(如:π电子系统)因电子的流动而产生诱 导磁场,这个磁场是各向异性的。在不同区域,磁场方向不一致。
与外磁场H0方向相同的区域, 对其中的质子产生顺磁屏
使用三氟乙酸作为溶剂(同时作为质子化试剂),可以 将胺分类为伯胺、仲胺、叔胺。

7.3.2 屏蔽效应和化学位移

7.3.2 屏蔽效应和化学位移
试样 TMS 106 0
7.3.2 屏蔽效应和化学位移
二、化学位移
低场
TMS
高场
9 8 7 6 6 5 4 3 2 1 0 -1 -2 -3
磁场强度增加的方向是 值减小的方向;
标准物: 四甲基硅烷 (CH3)4 Si, TMS =0(单峰) 例:CHCl3: = —4—37—HZ— 106 = 7.28 ppm
10.5—12
6—8.5
9—10
4.6—5.9
1.7—3 0.2—1.5
13 12 11 10 9 8
RCOOH
R
RCHO
7654
CR2=CH-R
H CH2F CH2Cl CH2Br CH2I CH2O CH2NO2
3210
CH2Ar CH2NR2 CH2S CCH CH2C=O
CH2=CH-CH3
■ 取代基的数目越多,对δ的影响越显著:
7.3.2 屏蔽效应和化学位移
三、影响化学位移的主要因素 2. 磁各向异性效应
具有多重键或共轭多重键的分子,在外磁场作用下,电 子沿分子某一方向流动,产生感应磁场。 此感应磁场与外加磁场方向在环内相反(抗磁),在环外 相同(顺磁),即对分子各部位的磁屏蔽不相同,称为磁 的各向异性效应。
7.3.2 屏蔽效应和化学位移
三、影响化学位移的主要因素 2. 磁各向异性效应 1)芳环
苯环上的氢处于去屏蔽区(-); 苯环的上下方处于屏蔽区(+); =6-8.5 ppm
7.3.2 屏蔽效应和化学位移
三、影响化学位移的主要因素 2. 磁各向异性效应 1)芳环
7.3.2 屏蔽效应和化学位移
三、影响化学位移的主要因素 2. 磁各向异性效应 2)羰基和碳碳双键

第三节化学位移

第三节化学位移
第三节 化学位移
化学位移: 化学位移:
处于不同化学环境中的氢核所产生的 共振吸收峰,会出现在图谱的不同位置上。 共振吸收峰,会出现在图谱的不同位置上。 这种因化学环境的变化而引起的共振谱线 在图谱上的位移称为化学位移。 在图谱上的位移称为化学位移。
一、化学位移的产生
• 核外电子在外加磁场 。的诱导下,产生一 核外电子在外加磁场H。的诱导下, 个与磁场方向相反的感应磁场He 个与磁场方向相反的感应磁场
化合物 CH3X 电负性 (X) δ(ppm)
CH3F CH3OH 4.0(F) 3.5(O) 4.26 3.40
CH3Cl 3.1(Cl) 3.05
CH3Br 2.8(Br) 2.68
CH3I 2.5(I) 2.16
(二)化学键的磁各向异性
• 由于感生磁场使氢核受到的实际磁场强度 不同的作用称为磁的各向异性效应。 不同的作用称为磁的各向异性效应。 • 主要发生在 π 电子的基团。 电子的基团。
Hc Hb H a OH Hc Hb HO Ha
δ(ppm) Ha Hb Hc
(Ⅰ) Ⅰ 4.68 2.40 1.10
(Ⅱ) Ⅱ 3.92 3.55 0.88
四、有机化合物中质子化学位移规律
饱和碳原子上的质子的δ 叔碳>仲碳> 1. 饱和碳原子上的质子的δ值:叔碳>仲碳>伯碳 2. 与H相连的碳上有电负性大的原子或吸电子基团 CO等),δ值变大。 (N, O, X, NO2, CO等),δ值变大。电负性越 吸电子能力越强, 值越大。 大,吸电子能力越强,δ值越大。 3. δ值:芳氢 > 烯氢 > 烷氢
• 由于屏蔽作用的存在,氢核产生共振需要更大的 由于屏蔽作用的存在, 外磁场强度(相对于裸露的氢核), ),来抵消屏蔽 外磁场强度(相对于裸露的氢核),来抵消屏蔽 影响。 影响。

化学位移

化学位移

核磁共振图谱的解析1.一般来说,分析核磁共振图谱需要按如下步骤进行:(1)看峰的位置,即化学位移。

确定该峰属于哪一个基团上的氢。

(2)看峰的大小。

可用核磁共振仪给出的积分图的台阶高度看出各峰下面所包围的面积之比,从而知道基团含氢的数目比。

例如,从图7.3-2的积分图可看出乙基苯三个基团的含氢数目为5∶2∶3。

(3)看峰的形状(包括峰的数目、宽窄情况等),以确定基团和基团之间的相互关系。

这一步较复杂,需应用n+1律、二级分裂和耦合常数等知识。

(4)如遇到二级分裂,解析时显然要比一级分析时困难得多,好在人们已经根据不同的二级分裂,将它们分成不同的自旋系统进行了相应的计算可供参阅,这里不再详述。

2.影响核磁共振谱的因数(1)旋转边峰为了提高核磁共振信号的分辨能力,样品管需要吹风推动它旋转,使样品所受到的磁场趋于均匀化。

但由于样品管旋转,核磁共振图谱上的主峰两旁便会对称地出现新峰,这就是旋转边峰。

旋转边峰离主峰的距离等于样品管的旋转速度。

旋转边峰不难判断,只要改变样品管的转速,观察其离主峰的距离是否相应改变。

如果距离随样品管转速增大而变大,便可断定是旋转边峰。

(2)13C同位素边峰若样品中同时含有13C和1H者可以发生耦合。

在图谱放大或者在非重氢溶剂的溶剂峰中可以观察到由于这种耦合产生的13C边峰。

它在共振图谱上出现的形式和旋转边峰类似,也是左右对称地出现在主峰两旁,但两者很易识别,因为同位素边峰不会因样品管转速的改变而改变其离开主峰的距离。

(3)杂质峰和溶剂峰在核磁共振图谱中,因样品含有杂质,经常可观察到杂质峰。

溶剂峰可包括结晶溶剂、样品中部分残留的合成或提取时所用的溶剂以及做核磁共振实验时所用溶剂的溶剂峰。

这两种附加峰都应根据具体情况作具体分析,然后判别之。

(4)活泼氢的影响在含氢化合物中,—OH基团中的氢是常见的一种活泼氢。

它的化学位移由于温度、浓度、氢键等因数的影响变化范围较大,从而会改变核磁共振图谱的形状。

第三章 核磁共振氢谱2-化学位移

第三章 核磁共振氢谱2-化学位移

一、 饱和碳上质子的化学位移 甲基 甲基的化学位移在0.7~4ppm之间。
亚甲基(CH2)和次甲基(CH):1-2ppm Shoolery经验计算: δ :-CH< = 0.23 + ∑Ci
0.23是甲烷的化学位移值,Ci是与次甲基(亚甲
基)相连的取代基的影响参数(P95,表3.1)。 例:BrCH2Cl Br: 2.33; Cl: 2.53
(1)屏蔽效应强,共振信号在高场区,绝大多数吸收峰 均出现在它的左边。
(2)结构对称,是一个单峰。 (3)容易回收(b.p低),与样品不反应、不缔合。 低场 9 高场
8 7 6 6 5 4 3 2 1 0 -1 -2 -3
TMS
化学位移用表示,以前也用表示, 与的关系为: = 10 -
•杂环芳氢的的化学位移值 杂环芳氢的化学位移受溶剂的影响较大。一般α 位 的杂芳氢的吸收峰在较低场
6.30 7.40 6.22 6.68 7.04 7.29 7.75 7.38 6.47 7.29 8.04 7.51
O
N H
S
N
8.29
N H 吲哚 (DMSO)
N 喹啉 (DMSO)
9.10
噻吩 吡咯 呋喃 (CDCl3) (CDCl3) (CDCl3)
八、 溶剂效应
• 溶剂不同使化学位移改变的效应。
• 原因:溶剂与化合物发生相互作用。
如形成氢键、瞬时配合物等。
• 一般化合物在CCl4和CD3Cl中NMR谱重现性好。
在苯中溶剂效应则较大。
苯的溶剂效应:
1、苯对环己酮衍生物1H-NMR谱的影响 在氯仿与苯中测定的化学位移差值Δ(δCDCl3-δC6H6)对环
• 氢键效应和溶剂效应

第三章 核磁共振1H-NMR

第三章 核磁共振1H-NMR

3.2 化学位移定义:在照射频率确定时,同种核因在分子中的化学环境不同而在不同共振磁场强度下显示吸收峰的现象称为化学位移。

因此一个质子的化学位移是由其周围的电子环境决定的。

3.2.1 化学位移的由来——屏蔽效应化学位移是由核外电子的屏蔽效应引起的。

H 核在分子中不是完全裸露的,而是被价电子所包围的。

因此,在外加磁场作用下,由于核外电子在垂直于外加磁场的平面绕核旋转,从而产生与外加磁场方向相反的感生磁场H ’。

这样,H 核的实际感受到的磁场强度为:若质子的共振磁场强度只与γ(磁旋比)、电磁波照射频率v 有关,那么,试样中符合共振条件的1H 都发生共振,就只产生一个单峰,这对测定化合物的结构是毫无意义的。

实验证明:在相同的频率照射下,化学环境不同的质子将在不同的磁场强度处出现吸收峰。

)1('H 0000σσ-=-=-=H H H H H 实式中:σ为屏蔽常数3.3 影响化学位移的因素凡影响电子云密度的因素都将影响化学位移。

其中影响最大的是:诱导效应和各向异性效应。

a. 双键碳上的质子烯烃双键碳上的质子位于π键环流电子产生的感生磁场与外加磁场方向一致的区域(称为去屏蔽区),去屏蔽效应的结果,使烯烃双键碳上的质子的共振信号移向稍低的磁场区,其δ= 4.5~5.7 ppm。

同理,羰基碳上的H质子与烯烃双键碳上的H质子相似,也是处于去屏蔽区,存在去屏蔽效应,但因氧原子电负性的影响较大,所以,羰基碳上的H 质子的共振信号出现在更低的磁场区,其δ= 9.4~10 ppm。

b.三键碳上的质子:碳碳三键是直线构型,π电子云围绕碳碳σ键呈筒型分布,形成环电流,它所产生的感应磁场与外加磁场方向相反,故三键上的H质子处于屏蔽区,屏蔽效应较强,使三键上H质子的共振信号移向较高的磁场区,其δ= 2~3 ppm。

3.3.3 共轭效应O)取代,由于p–苯环上的氢被给电子基(如CH3π共轭,使苯环的电子云密度增大,δ值高场位移;吸电子基(如C=O、NO)取代,由于π–π共轭,使苯2环的电子云密度降低,δ值低场位移。

请预测下列化合物1HNMR谱中各质子的化学位移

★★★★★
请预测下列化合物1HNMR谱中各质子的化学位移、峰形和积分高度,并绘制示意图。

例化合物a
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炔质子的化学位移

❖ 3. 氢和碳分别具有相同的化学环6境,它的核磁信号为单峰。
6
二、化学位移标准物质和化学位移的表示
❖ 化学位移有以下两种方式表示:
❖ 1. 共振频率差(Δν,Hz) ❖ 2. 化学位移常数(δ 值)
7
7
二、化学位移标准物质和化学位移的表示
❖ 1. 共振频率差(Δν,Hz):
v v样品 - v标准 2 B0 标准 - 样品
9
三、影响化学位移的因素
❖ 影响质子核外电子云分布的因素是影响其化学位移的 主要因素,主要有以下几种:
❖ 一、电性效应
❖ 二、磁各向异性效应
❖ 三、氢键效应
❖ 四、溶剂效应等。
10
10
三、影响化学位移的因素
❖ 一、电性效应
❖ 1. 诱导效应 ❖ 电负性大的取代基吸电子作用较强能使邻近质子的电子云密度减少,
❖ 具有π电子的基团,如三键、芳环、双键等在外磁场中,π电子环 流产生感应磁场,使与这些基团邻近的某些位置的质子处于该基团的 屏蔽区,而使另一些位置的质子处于该基团的去屏蔽区,化学位移值 向低场移动,这种现象称为磁各向异性效应。C—C单键也有磁各向 异性,但比π电子引起的磁各向异性效应要小的多。
13
❖ 共轭取代基可使与之共轭结构中的价电子分布发生改变,从而引起质
子的化学位移变化。如醛基(-CHO)与苯环间呈吸电子共轭效应,
使苯环上总的电子云密度减少,苯环上各质子δ 值都大于未取代苯上
质子的δ值。
Hδ7.26
CHO
H δ7.85
12
H δ7.45 H δ7.54

12
三、影响化学位移的因素
❖ 二、磁各向异性效应
C
O (C)

共轭效应使质子的化学位移值

共轭效应使质子的化学位移值
共轭效应是有机化学中一个重要的概念,它能够影响质子的化学位移值。

质子的化学位移值是核磁共振(NMR)谱图中的一个重要参数,能够提供有关分子结构和化学环境的信息。

在有机分子中,共轭效应指的是共轭双键或环中的π电子系统对相邻原子的化学环境产生的影响。

共轭双键或环中的π电子系统能够通过电子共轭作用来影响相邻原子的电子密度分布,从而改变质子的化学位移值。

共轭效应可以通过改变π电子的分布来改变相邻原子的电子云密度。

当共轭双键或环中的π电子系统与相邻原子的有机基团形成共轭体系时,共轭体系中的π电子能够在整个体系中传递电子,从而改变相邻原子的电子云分布。

这种电子共轭作用可以导致相邻原子电子云的偏移,从而改变质子的化学位移值。

例如,苯环是一个典型的共轭体系。

苯环中的π电子能够在整个环中传递电子,从而改变相邻原子的电子云密度。

这种电子共轭作用导致苯环中的质子化学位移值出现了特征性的峰。

共轭效应还可以通过改变相邻原子的电荷分布来影响质子的化学位移值。

当共轭体系中的π电子系统与相邻原子的有机基团发生共轭作用时,π电子系统能够改变相邻原子的电荷分布,导致质子的化学位移值发生改变。

共轭效应是影响质子化学位移值的重要因素。

通过共轭作用,π电子能够改变相邻原子的电子云分布和电荷分布,从而影响质子的化学位移值。

在有机化学中,理解和应用共轭效应对于解读NMR谱图和确定分子结构具有重要意义。

第二节 化学位移

在乙醚分子中ch由于吸电子原子o的影响使ch质子的外围电子云密度低于甲基质子的外围电子云密度屏蔽常数ch化合物chclch3055337242磁各向异性效应重键化合物双键三键及芳香族化合物如果在外磁场的作用下一个基团中的电子环流取决于它相对于磁场的取向则该基团具有磁各向异性效应
核磁共振波谱分析法
(Nuclear Magnetic resonance NMR)
由于屏蔽作用的存在,氢核产生共振需要更大的外磁场强度(相对 于裸露的氢核),来抵消屏蔽影响。
这种由于屏蔽效应使共振磁感应强度或共振频率发生位移 的现象称为化学位移.
化学位移的大小与原子核所处的化学环境密切相关,因此化 学位移能提供有机化合物的结构信息.
二、化学位移的表示方法:
1.化学位移的表示 由于屏蔽效应引起质子共振频率的变化量是极小的,很难分
③ 1H核相邻的电负性原子数越多,则δ其值越大.
如: 化合物 δH
CH3Cl 3.05
CH2Cl2 5.33
CHCl3 7.24
2、磁各向异性效应
重键化合物(双键、三键及芳香族化合物) 如果在外磁场的作用下,一个基团中的电子环流取决于它相对 于磁场的取向,则该基团具有磁各向异性效应。
(1)双键化合物 π电子云垂直于双键平面。当外磁场方 向垂直于双键平面时,π电子云在外磁场B0作用下,产生电子 环流,又感应产生一个与外磁场方向相反的感应磁场Be。
化学位移
3.3~4.0 3.4~3.8 4.5~7.7 4.6~7.7 5.0~6.0 5.5~8.5 6.0~9.5 7.1~7.7
7.27 8.0~8.2 8.5~9.5 9.0~10.5 9.4~12.0 9.7~13.2 1.0~13.0 15.0~16.0
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特征质子的化学位移 由于不同类型的质子化学位移不同, 因此化学位移值对于分辨各类质子是重要的, 子类型对于阐明分子结构是十分有意义的。 下表列出了一些特征质子的化学位移, 字的 H 是要研究的质子。 特征质子的化学位移 质子的类型 化学位移 质子的类型 化学位移 RCH3 0.9 ArOH 4.5-4.7 (分子内缔合 10.5〜16) R2CH2 1.3 R3CH 1.5 R2C=CR—OH 15〜19(分子内缔合)

0.22 RCH2OH 3.4〜4 R2C=CH2 4.5〜5.9 ROCH3 3.5〜4 R2C=CRH 5.3 RCHO 9〜 10 R2C=CR—CH3 1.7 RCOCR2—H 2〜2.7 RC≡ CH 7〜3.5 HCR2COOH 2〜2.6 ArCR2—H 2.2〜3 R2CHCOOR 2〜22 RCH2F

4 〜 4.5 RCOOCH3 3.7〜4

而确定质 表中黑体 RCH2Cl 3 〜 4 RC≡ CCOCH3 2〜3 RCH2Br 3.5〜4

RNH2或 R2NH 0.5 〜 5(峰不尖锐,常呈馒头形) RCH2I 3.2~4 ROH 0.5〜5.5(温度、溶剂 、浓度改变时影响很大) RCoNRH或 ArCoNRH

5 〜 9.4 [1] 烷烃 甲烷氢的化学位移值为 0.23,其它开链烷烃中,一级质子在高场 δ≈9 处出现,二级质子移 向低场在 δ≈1.33 处出现,三级质子移向更低场在 δ≈1.5 处出现。例如: 烷烃 CH4 CH3—CH3 CH3—CH2—CH3 (CH3)3CH δ 0.23 0.86 0.86 0.91 1.33 0.91 0.86 1.50 甲基峰一般具有比较明显的特征, 亚甲基峰和次甲基峰没有明显的特征, 而且常呈很复杂的 峰形, 不易辨认。当分子中引人其它官能团后,甲基、次甲基及亚甲基的化学位移会发生变 化,但其δ值极少超出0.7〜4-5这一范围。 环己烷的各向异性屏蔽效应 [1] 环烷烃能以不同构象形式存在, 未被取代的环烷烃处在一确定的构象中时, 由于碳碳单键的 各向异性屏蔽作用,不同氢的 δ 值略有差异。例如,在环己烷的椅型构象中,由于 C-I 上的 平伏键氢处于 C2)— C⑶键及C⑸一C6)键的去屏蔽区,而 C-I上的直立键氢不处在去屏蔽 区,(图环己烷的各向异性屏蔽效应)。所以平伏键氢比直立键氢的化学位移略高 0.2〜0.5。 在低温(-100 C)构象固定时,NMR谱图上可以清晰地看出两个吸收峰,一个代表直立键 氢,一个代表平伏键氢。但在常温下,由于构象的迅速转换(图环己烷构象的转换) ,一般 只看到一个吸收峰(见右图) 。 环己烷构象的转换 [1] 其它未取代的环烷烃在常温下也只有一个吸收峰。环丙烷的 δ值为0.22 ,环丁烷的δ值为 1.96,别的环烷烃的 δ 值在 1.5 左右。取代环烷烃中,环上不同的氢有不同的化学位移,它 们的图谱有时呈比较复杂的峰形,不易辨认。 [1] C6D1伯在不同温度下的 伯-NMR谱[1] 烯烃 烯氢是与双键碳相连的氢, 由于碳碳双键的各向异性效应, 烯氢与简单烷烃的氢相比 δ值均 向低场移动 3〜 4 乙烯氢的化学位移约为 5.25,不与芳基共轭的取代烯氢的化学位移约在 4.5〜6.5 范围内变化,与芳基共轭时 δ 值将增大。乙烯基对甲基、亚甲基、次甲基的化学位 移也有影响。例如:

化合物 CH4 CH3—CH=CH2 CH3—CH3 CH3—CH2—CH=CH2 (CH3)2CH2 (CH3)2CH—CH=CH2 δ 0.23 1.71 0.86 0.86 1.00 2.00 1.33 1.73

从上面的数据可以看出, 同碳上有乙烯基的氢 δ 值约在 1.59〜2.14之间, 变化较大, 邻碳上 有乙烯基的氢, δ 值变化较小。 [1] 炔烃 炔基氢是与三键碳相连的氢, 由于炔键的屏蔽作用,炔氢的化学位移移向高场, 一般δ =1.7〜 3-5 处有一吸收峰。例如, HC≡ CH(1.80), RC≡ CH(1.73 〜1.88) , ArC≡ CH(2.71 〜3-37),— CH=CH-C≡ CH(2.60〜3.10), — C≡C— C≡CH(1.75〜2.42),CH3-C≡C-C≡C-C≡CH(1.87)。HC≡C —若连在一个没有氢的原子上, 则炔氢显示一个尖锐的单峰。 炔基对甲基、 亚甲基的化学位 移有影响,与炔基直接相连的碳上的氢化学位移影响最大,其 δ 值约为 1.8〜2.8。 [1] 芳烃 由于受π电子环流的去屏蔽作用,芳氢的化学位移移向低场,苯上氢的 δ =7.27。萘上的质 子受两个芳环的影响 δ值更大,α质子的δ为7.81 , β质子的δ为7.46。一般芳环上质子的 在δ值在6.3〜8.5范围内,杂环芳香质子的 δ值在6.0〜9.0范围内。[1] 卤代烃 由于卤素电负性较强, 因此使直接相连的碳和邻近碳上质子所受屏蔽降低, 质子的化学位移 向低场方向移动,影响按 F,Cl,Br,I 的次序依次下降。与卤素直接相连的碳原子上的质子 化学位移一般在δ =2.16〜4.4之间,相邻碳上质子所受影响减小, δ =1.25〜1.55之间,相 隔一个碳原子时,影响更小, δ = 1.03〜1.08之间。[1] 其他 醇的核磁共振谱的特点参见后文。醚 α-H 的化学位移约在 3.54 附近。 酚羟基氢的核磁共振的 δ 值很不固定,受温度、浓度、溶剂的影响很大,只能列出它的大致 范围。一般酚羟基氢的 δ 值在 4〜8 范围内,发生分子内缔合的酚羟基氢的 δ 值在 10.5〜 16 范围内。 羧酸 H 的化学位移在 2〜 2.6 之间。羧酸中羧基的质子由于受两个氧的吸电子作用,屏蔽大 大降低,化学位移在低场。 R2CHCOOH δ H=10〜12。 胺中,氮上质子一般不容易鉴定,由于氢键程度不同,改变很大,有时 N— H和C一 H质 子的化学位移非常接近,所以不容易辨认。一般情况在 α-H δ H=2.7〜3.1, β-H δ =1.1〜 1.71。N-H δ =0.5〜5,RNH2,R2NH的 δ值的大致范围在 0.4〜3.5, ArNH2, ArzNH,ArNHR的 δ 值的大致范围在 2.9〜4.8之间。 [1] 羧酸衍生物 酯中烷基上的质子 RCOOCH2R的化学位移δ H=3.7〜4。酰胺中氮上的质子 RCONHR的化学 位移,一般在 δ = 5〜 9.4 之间,往往不能给出一个尖锐的峰。 羰基或氮基附近α碳上的质子具有类似的化学位移=2〜3 ,例如,CH3COCl δ H=2.67,CH3COOCH3 δ H=2.03, RCH2COOCH3δ H=2.13,CH3CONH2 δ H= 2.08, RCH2CONH2 δ H=2.23, CH3CN δ H=1.98, RCH2CN δ H=2.30° [1] 偶合常数 自旋偶合和自旋裂分 两张图谱分别是低分辨核磁共振仪和高分辨核磁共振仪所作的乙醛 (CH3CHQ的PMR图谱。 对比这两张图谱可以发现, 用低分辨核磁共振仪作的图谱, 乙醛只有两个单峰。 在高分辨图 谱中, 得到的是二组峰, 它们分别是二重峰、 四重峰。乙醛在低分辨图谱和高分辨图谱中峰 数不等是因为在分子中, 不仅核外的电子会对质子的共振吸收产生影响, 邻近质子之间也会 因互相之间的作用影响对方的核磁共振吸收。 并引起谱线增多。 这种原子核之间的相互作用 称为自旋 -自旋偶合( spin-spin coupling ),简称自旋偶合( spin coupling )。因自旋偶合而引起 乙醛的低分辨核磁共振谱图 [1]

乙醛的高分辨核磁共振谱图 [1] 自旋耦合的起因 谱线裂分是怎样产生的?在外磁场的作用下, 质子是会自旋的, 自旋的质子会产生一个小的 磁矩, 通过成键价电子的传递, 对邻近的质子产生影响。 质子的自旋有两种取向, 假如外界 磁场感应强度为自旋时与外磁场取顺向排列的质子, 使受它作用的邻近质子感受到的总磁感 应强度为B0+B',自旋时与外磁场取逆向排列的质子,使邻近的质子感受到的总磁感应强度 为BO-B',因此当发生核磁共振时, 一个质子发出的信号就分裂成了两个, 这就是自旋裂分。 一般只有相隔三个化学键之内的不等价的质子间才会发生自旋裂分的现象。 [1] 偶合常数 自旋偶合的量度称为自旋的偶合常数( CoUPling ConStant),用符号J表示,J值的大小表示 了偶合作用的强弱 J的左上方常标以数字,它表示两个偶合核之间相隔键的数目, J的右下 方则标以其它信息。 就其本质来看, 偶合常数是质子自旋裂分时的两个核磁共振能之差, 它 可以通过共振吸收的位置差别来体现,这在图谱上就是裂分峰之间的距离。 偶合常数的大小与两个作用核之间的相对位置有关, 随着相隔键数目的增加会很快减弱, 一 般来讲, 两个质子相隔少于或等于三个单键时可以发生偶合裂分, 相隔三个以上单键时, 偶 合常数趋于

的谱线增多的现象称为自旋 -自旋裂分,简称自旋裂分。 [1]

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