薄膜体声波谐振器FBAR
浙江大学研究生读书报告记录表
学院 信电系 学号 20711170 培养类型 硕士生
研究生
姓名 赵士恒 导师
姓名 董树荣
读书报告
时间 2008-5-13 读书报告
状态 学科
读书报告题目 薄膜体声波谐振器（FBAR）技术的若干问题研究
读书报告摘要（限500字以内）：
本博士论文较全面地介绍了FBAR相关知识，并在FBAR建模，AlN薄膜的制备和测量等方面有所创新。首先从FBAR的平面波传输特性与电学性能进行分析，推导出了FBAR的普适解析等效模型Mason模型，以及FBAR在谐振点附近的近似等效电路模型BVD模型和MBVD模型，并应用ADS仿真软件分析了压电材料、电极材料、电极面积及厚度、支撑层等对FBAR性能的影响。论文第二部分主要介绍了用直流磁控反映溅射法制备AlN，对反应溅射进行了理论建模分析，并详细分析了工艺参数对迟滞曲线的影响。AlN薄膜的c轴择优取向受到工作气压、靶基距、溅射功率、基片温度、基片种类、氩氮比等因素的影响，文中也进行了阐述。本文进一步提出了一种基于谐振腔微扰理论的介质薄膜微波复介电常数的测量装置和方法，并说明保持测试环境的恒温恒湿、利用谐振腔的传输特性曲线、改善膜层均匀性、采用高Q的谐振腔均可以减小测量误差。FBAR的典型应用是作为谐振器和滤波器，文中分析了FBAR的阶梯型、网格型、叠层型和耦合型滤波器基本结构，介绍了单个FBAR频率微调的方法，并在此基础上对WCDMA零中频Rx非平衡和平衡接收滤波器进行了分析设计。 导师签名 研究生科
意见
浙江大学研究生培养处制表
《MEMS双工器：安华高ACMD-7612》 reverse-engineering cost
《MEMS双工器：安华高ACMD-7612》
2013-02-16
ACMD-7612是一款采用Avago的薄膜体声波谐振器（FBAR）技术制造的MEMS双工器，谐振层
材料为AlN压力材料。该器件采用真空晶圆级封装，使得整个芯片高度小于1.2mm；采用硅通孔
（TSV）技术蚀刻盖帽实现电气接触，使得芯片尺寸减小。
Avago FBAR Filter ACMD-7612: UMTS Band I Duplexer
——逆向工程和成本分析
安华高（Avago）主导BAW滤波器市场：每年出货量超过10亿颗，拥有65%的市场份额。
ACMD-7612是一款采用Avago的薄膜体声波谐振器（FBAR）技术制造的MEMS双工器，谐振层
材料为AlN压力材料。该器件采用真空晶圆级封装，使得整个芯片高度小于1.2mm；采用硅通孔
（TSV）技术蚀刻盖帽实现电气接触，使得芯片尺寸减小。
基于MEMS技术的FBAR是解决系统微型化和低功耗的关键技术，由于体声波的传播速度比SAW
的传播速度快，所以FBAR具有频率高、体积小、换 能效率高等优点。利用FBRA可制作滤波
器、双工器、振荡器等多种高性能小体积表面贴装型微波器件，其电性能已达3G移动通讯的要
求。
ACMD-7612主要目标市场是工作在UMTS Band I频段的手机和数据终端，主要特征如下：
• Miniature size
- 2.5 x 3.0 mm max footprint
- 1.2 mm max height
• High power rating
- +33 dBm Abs Max Tx Power
• Lead-free construction
本报告提供完整的FBAR双工器拆解和逆向分析：
• 清晰的照片
• 材料分析
• 装配原理说明
• 制造工艺流程（包括AlN工艺、晶圆盖帽和TSV）
• 深入的生产成本分析
• 供应链分析
•
销售价格预估 以下为报告精彩掠影：
膜片上薄膜体声波谐振器型微加速度计
膜片上薄膜体声波谐振器型微加速度计
高杨;何婉婧;李君儒;黄振华;蔡洵
【摘 要】针对“FBAR(薄膜体声波谐振器)-梁”结构悬臂梁厚度不足、“嵌入式FBAR”结构微加工工艺复杂的缺点,提出了新型“膜片上FBAR (FBAR-on-diaphragm)”结构的微加速度计.其弹性膜片由氧化硅/氮化硅复合薄膜构成,既便于实现与硅微检测质量和FBAR的IC兼容集成加工,也利于改善微加速度计的灵敏度和温度稳定性.对由氧化硅/氮化硅双层复合膜片-硅检测质量惯性力敏结构和氮化铝FBAR检测元件集成的膜片上FBAR型微加速度计进行了初步的性能分析,验证了该结构的可行性.通过有限元模态分析和静力学仿真得出惯性加速度作用下膜片上FBAR结构的固有频率和弹性膜片上的应力分布;选取计算所得的最大应力作为FBAR中压电薄膜的应力载荷,结合依据第一性原理计算得到的纤锌矿氮化铝的弹性系数-应力关系,粗略估计了惯性加速度作用下氮化铝薄膜弹性系数的最大变化量;采用射频仿真软件,通过改变惯性加速度作用下弹性常数所对应的纵波声速,对比空载和不同惯性加速度作用下加速度计的谐振频率,得到加速度计的频率偏移特性和灵敏度.进一步分析仿真结果还发现:氧化硅/氮化硅膜片的一阶固有频率与高阶频率相隔较远,交叉耦合小;惯性加速度作用下,谐振频率向高频偏移,灵敏度约为数kHz/g,其加速度-谐振频率偏移特性曲线具有良好的线性.
【期刊名称】《中国惯性技术学报》
【年(卷),期】2015(023)002
【总页数】8页(P262-269)
【关键词】微电子机械系统;薄膜体声波谐振器;微加速度计;灵敏度 【作 者】高杨;何婉婧;李君儒;黄振华;蔡洵
【作者单位】中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳621010;中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳621010;西南科技大学信息工程学院,四川绵阳621999;西南科技大学信息工程学院,四川绵阳621999;重庆大学新型微纳器件与系统技术国防重点学科实验室,重庆400044;西南科技大学信息工程学院,四川绵阳621999;重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室,重庆400044;西南科技大学信息工程学院,四川绵阳621999
FBAR板上测试技术综述
龙源期刊网
FBAR板上测试技术综述
作者：许夏茜 高杨 刘婷婷
来源：《中国测试》2019年第02期
龙源期刊网
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摘要：随着对薄膜体声波谐振器（FBAR）器件性能要求的增高，FBAR器件参数的精确测试变得十分关键，该文从测试夹具结构以及对测试夹具的去嵌入校准这两个FBAR参数测试精度要素考虑，综述FBAR板上测试技术的研究现状，讨论测试夹具结构设计过程中的寄生效应、阻抗匹配以及夹结构设计等问题，并分析去嵌入校准的原理、误差模型以及各校准方法的优缺点。通过降低寄生效应、优化阻抗匹配、改善校准方法、优化误差模型可提高FBAR板上测试的准确性，并以此给出一套板上测试夹具设计及测试流程。
关键词：FBAR;测试夹具;校准;S参数
中图分类号：TN06;TM934.72
文献标志码：A
文章编号：1674–5124（2019）02–0011–05
0 引言
薄膜体声波谐振器（film bulk acoustic resonator，FBAR）是一种电声谐振器，具有工作频率高、尺寸小、品质因素高等优点。在过去十年，FBAR射频（RF）滤波器成为移动通信设备RF部分的核心部件[1]。FBAR器件参数的精确测试变得十分关键。目前，对FBAR参数测试的方法主要分为两大类：1）基于探针台的片上测试方法;2）印刷电路板（printedcircuitboard，PCB）测试方法。对于片上测试方法，其优势在于能够很好地测试单个谐振器在理想环境下的性能，但是该方法不能测试引線给器件带来的影响[2]。片上测试方法对谐振器的裸芯片进行探针测试，由于无引线电感、电阻及外壳杂散的影响，此时该方法测得的数据真实可靠;但是对于已经封装的单端谐振器，由于器件会受到测试夹具的影响，尤其是谐振频率高于1GHz时，夹具对谐振器测试数据的影响较大[3]。
FBAR_滤波器TRL_校准的仿真与测试
引用格式：丁文波, 徐鹏, 李劲, 等. FBAR滤波器TRL校准的仿真与测试[J]. 中国测试，2024, 50(1): 138-144. DING Wenbo, XU
Peng, LI Jin, et al. Simulation and testing of TRL calibration for FBAR filter[J]. China Measurement & Test, 2024, 50(1): 138-144.
DOI
: 10.11857/j.issn.1674-5124.2022100160
FBAR滤波器TRL校准的仿真与测试
丁文波1， 徐 鹏1， 李 劲1， 周明睿1， 章景恒2， 马新国1， 吕 辉1
(1. 湖北工业大学芯片产业学院，湖北 武汉 430068; 2. 武汉衍熙微器件有限公司，湖北 武汉 430205)
摘 要: 针对薄膜体声波谐振腔（FBAR）滤波器测试夹具误差校准，提出一种改进的TRL校准方法，将三维电磁仿
真和TRL计算结合，用于测试套件（夹具和TRL校准件）的前期设计与优化，确保TRL校准件达到足够精度。由于
DUT（device under test，待测器件）参数未知，实测中采用四种不同结构的测试套件，校准前各组测试结果差异较大，
但TRL校准后高度吻合，通带内的差异小于0.2 dB，不但精准确定DUT真实参数，而且表明本TRL校准方法对于
不同结构夹具去嵌入的有效性。该仿真计算不仅可以设计高精度测试套件，避免过度依靠实测，并且可与实测相互
验证，并可推广到其他微波器件的测量，节省测试成本。
关键词: TRL校准; 薄膜体声波谐振腔滤波器; 电磁仿真中图分类号: TM931;TB9文献标志码: A文章编号: 1674–5124(2024)01–0138–07
Simulation and testing of TRL calibration for FBAR filter
分子印迹型薄膜体声波谐振毒品检测传感器
第２１卷第９期
２０１３年９月 光学精密工程
Ｏｐｔｉｃｓ ａｎｄ Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｖｏ１．２１ ＮＯ．９ Ｓｅｐ．２０１ ３
文章编号 １００４—９２４Ｘ（２０１３）０９—２２７２—０７
分子印迹型薄膜体声波谐振毒品检测传感器
陈剑鸣 ，吕启蒙 ，吴光敏 ，楚合群 ，Ｊｏｈｎ Ｄ Ｍａｉ
（１．昆明理工大学ＭＥＭＳ实验室，云南昆明６５０５００；
２．香港城市大学机械与生物医学工程学系，中国香港）
摘要：针对毒品探测的需求，对高灵敏度、高选择性及可Ｔ作于液相环境中的传感器进行了研究，利用分子印迹技术 （ＭＩＴ），结合薄膜体声波谐振器（ＦＢＡＲ）和微流体（ｍｉｃｒｏ ｆｌｕｉｄｉｃｓ）技术构造了新型传感器。首先，阐述了用分子印迹技 术制作ＦＢＡＲ吸附层材料的原理，利用分子印迹技术制备了对特定毒品分子具有专一吸附性的印迹材料，将其作为吸附 层涂覆在基于微机电系统（ＭＥＭｓ）及微流体技术的ＦＢＡＲ上 根据压电方程和运动学方程推导 了ＦＢＡＲ压电振子
的等效电路及电学端口输入阻抗公式，构建了以Ａ１Ｎ为压电材料的微流体结构ＦＢＡＲ毒品检测传感器模型。对该结构 的ＦＢＡＲ传感器进行了理论研究和公式推导，并在理论模型的基础上进行了仿真实验，得到了单位面积质量响度达０．８ Ｐｇ／Ｈｚ・ｃｍ 的ＦＢＡＲ传感器。得到的实验结果远高于石英晶体微天平这一传统的质量敏感型传感器，可实现对溶液 中毒品分子的快速检测。
关键词：微机电系统；薄膜体声波谐振器；分子印迹技术；微流体技术；毒品检测传感器 中图分类号：ＴＰ２１ ２；ＴＮ４０９ 文献标识码：Ａ ｄｏｉ：１０．３７８８／ＯＰＥ．２０１３２１０９．２２７２
Ｍｏｌｅｃｕｌａｒｌｙ ｉｍｐｒｉｎｔｅｄ ｓｅｎｓｏｒ
ｂｕｌｋ ａｃｏｕｓｔｉｃ ｒｅｓｏｎａｔｏｒ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｗｉｔｈ ｔｈｉｎ—ｆｉｌｍ
ｆｏｒ ｄｒｕｇ ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ
5.1FBAR滤波器原理-浙江大学现代教务管理系统
本科生毕业论文（设计）
题目 FBAR振荡器的研究与仿真
姓名与学号 王青（3071102567）
指导教师 董树荣（副教授）
年级与专业 电子科学与技术0701
所在学院 信息与电子工程学系
i
摘要
随着通讯技术的日益发展，通讯系统的功能越来越强大，同时其电路也越来越复杂。不断发展的微电子技术使得越来越多的电路可以集成在一起，甚至整个系统都可以集成在一片芯片上，这就是所谓的片上系统(System On Chip，SOC)。近年来随着FBAR技术的成熟，出现的FBAR器件因为其频率高(600MHZ～10GHZ)体积小、换能效率高等特点，尤其是可以与传统的半导体工艺相兼容，满足系统集成化的发展趋势。
本论文首先从压电薄膜理论出发，推导出理想FBAR的等效电路模型，并通过深入分析得出FBAR的MBVD模型。FBAR谐振器是FBAR振荡器的核心部分，其谐振频率决定了振荡器的输出频率。本文利用MBVD等效电路模型替代FBAR谐振器在电路中的使用。以FBAR为核心，设计出了级联型的FBAR滤波器，并对其进行方针，而且用MBVD模型得到了验证。
关键词：FBAR 振荡器 低噪声放大器 滤波器 ii
Abstract
As the developing of micro-electronics technology makes the circuit integrated
together,so even the system can be integrated in a chip,that is the so called
system-on-chip(SOC).Recently,with the development of MEMS technology,FBAR(Thin
基于mbvd模型的fbar滤波器的仿真与研究
2019年 软 件 2019, Vol. 40, No. 11 第40卷 第11期 COMPUTER ENGINEERING & SOFTWARE 国际IT传媒品牌
作者简介: 白玉慧(1995–)，女，硕士，研究方向：FBAR以及MEMS传感器；任家泰(1995–)，男，硕士，研究方向：FBAR以及MEMS传感器；王瑞(1994–)，女，硕士，研究方向：FBAR以及MEMS传感器；陈鹏光(1993–)，男，硕士，研究方向：FBAR以及MEMS传感器。 通讯联系人: 陈剑鸣(1962–)，男，副研究员，硕士生导师，研究方向：FBAR以及MEMS传感器，嵌入式系统等。 基于MBVD模型的FBAR滤波器的仿真与研究 白玉慧，任家泰，王 瑞，陈鹏光，陈剑鸣* （昆明理工大学理学院，云南 昆明 650500） 摘 要: 从MBVD等效电路模型出发，研究了三种不同级联方式下FBAR滤波器的滤波效果，同时选取了其中滤波效果更好、应用更为广泛的梯形结构，进一步分析不同级联阶数下梯形结构FBAR滤波器的带内插入损耗与带外抑制的变化趋势，并通过仿真分析设计得出符合5G通信频段（3.4-3.6 GHz）标准的中心频率为3.5 GHz，带宽为100 MHz的五阶梯形结构FBAR滤波器。 关键词: 薄膜体声波谐振器（FBAR）；MBVD模型；仿真；梯形结构 中图分类号: TN911 文献标识码: A DOI：10.3969/j.issn.1003-6970.2019.11.041 本文著录格式：白玉慧，任家泰，王瑞，等. 基于MBVD模型的FBAR滤波器的仿真与研究[J]. 软件，2019，40（11）：182185 Simulation and Research of FBAR Filter Based on MBVD Model BAI Yu-hui, REN Jia-tai, WANG Rui, CHEN Peng-guang, CHEN Jian-ming* (College of Science, Kunming University of Science and Technology, Kunming 650504, China) 【Abstract】: Based on the MBVD equivalent circuit model, the filtering effects of FBAR filters in three different cascade modes are studied. At the same time, the ladder structure with better filtering effect and wider application is selected, and the variation trend of in-band insertion loss and out-of-band rejection of FBAR filter under different cascade orders is further analyzed. Through the simulation analysis design, a six-stepped FBAR filter with a center frequency of 3.5 GHz and a bandwidth of 100 MHz conforming to the 5G communication band (3.4-3.6 GHz) is obtained. 【Key words】: Thin film bulk acoustic resonator (FBAR); MBVD model; Simulation; Trapezoidal structure 0 引言 无线通信系统的高速发展，增加了对频段资源的需求，使得通信元器件向高频方向发展。正如发展迅猛的5G移动通信技术，其综合了前四代技术，提高了峰值速率，进一步提升了在实际应用中的安全性、稳定性和覆盖范围[1]。在频段资源宝贵的前提下，良好的频率选择及控制功能是射频前端器件必备的。薄膜体声波谐振器（FBAR）是近年来出现的采用薄膜和微纳米技术加工的高频谐振器。陶瓷介质谐振器高功率容量和低插入损耗，但体积过大，不符合微型化的要求；SAW滤波器的尺寸在几百微米量级，但具有插损较大、工作频率低的缺点[2]。相比，FBAR滤波器的性能超越了介质滤波器和 SAW滤波器，具有低损耗、高Q值的优点，且能与CMOS工艺兼容，满足射频前端进一步集成化的要求。本文基于FBAR的MBVD电路模型，运用ADS仿真软件对不同级联方式及不同级联阶数下的FBAR滤波器的性能进行仿真与研究，探究其对FBAR滤波器的性能影响。 1 FBAR的基本原理 FBAR是由上下金属层与其中间夹的压电薄膜构成的三明治结构的器件。它利用材料的压电性，将电能转化为声能，声波在介质与空气的界面上发生发射，形成驻波震荡，并由逆压电效应将其转化为电能[3,4]。 白玉慧等：基于MBVD模型的FBAR滤波器的仿真与研究
FBAR板上测试技术综述 2
FBAR板上测试技术综述
许夏茜;高杨;刘婷婷
【摘 要】随着对薄膜体声波谐振器(FBAR)器件性能要求的增高,FBAR器件参数的精确测试变得十分关键,该文从测试夹具结构以及对测试夹具的去嵌入校准这两个FBAR参数测试精度要素考虑,综述FBAR板上测试技术的研究现状,讨论测试夹具结构设计过程中的寄生效应、阻抗匹配以及夹结构设计等问题,并分析去嵌入校准的原理、误差模型以及各校准方法的优缺点.通过降低寄生效应、优化阻抗匹配、改善校准方法、优化误差模型可提高FBAR板上测试的准确性,并以此给出一套板上测试夹具设计及测试流程.
【期刊名称】《中国测试》
【年(卷),期】2019(045)002
【总页数】6页(P11-15,29)
【关键词】FBAR;测试夹具;校准;S参数
【作 者】许夏茜;高杨;刘婷婷
【作者单位】西南科技大学信息工程学院,四川绵阳621010;中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳621999;西南科技大学信息工程学院,四川绵阳621010
【正文语种】中 文
【中图分类】TN06;TM934.72
0 引 言 薄膜体声波谐振器（film bulk acoustic resonator，FBAR）是一种电声谐振器，具有工作频率高、尺寸小、品质因素高等优点。在过去十年，FBAR射频（RF）滤波器成为移动通信设备RF部分的核心部件[1]。FBAR器件参数的精确测试变得十分关键。目前，对FBAR参数测试的方法主要分为两大类：1）基于探针台的片上测试方法；2）印刷电路板（printed circuit board，PCB）测试方法。对于片上测试方法，其优势在于能够很好地测试单个谐振器在理想环境下的性能，但是该方法不能测试引线给器件带来的影响[2]。片上测试方法对谐振器的裸芯片进行探针测试，由于无引线电感、电阻及外壳杂散的影响，此时该方法测得的数据真实可靠；但是对于已经封装的单端谐振器，由于器件会受到测试夹具的影响，尤其是谐振频率高于1 GHz时，夹具对谐振器测试数据的影响较大[3]。
有质量评定的射频体声波滤波器 第2部分：使用指南-最新国标
1 有质量评定的射频体声波滤波器 第2部分:使用指南
1 范围
本文件所涉及的射频（RF）体声波（BAW）滤波器，目前已被广泛应用于手机通讯、测量设备、
雷达系统以及消费品领域。本文给予射频体声波滤波器用户以实用的指导。
2 规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，
仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修订单）适用于本
文件。
3 技术考虑
用户主要关注的是滤波器性能应满足其特定规格。满足这些规格的调谐网络和射频（RF）体声波
（BAW）滤波器的选择应该是用户和制造商之间需要达成的协议。
滤波器的性能通常由随频率变化的插入损耗来表示，如图1所示。GB/T 27700.1-2023的8.5.2规
定了测量插入损耗的标准方法。插入损耗进一步细化为标称频率、最小插入损耗或最大插入损耗、通带
波动与矩形系数。滤波器性能在规定工作温度范围内的最低温度与最高温度以及环境测试前后均应满足
规范。
衰减
频率中心频率截止频率截止频率相对衰减
参考频率指定的通带指定的阻带减衰标称插入损耗
通带波纹最小插入损耗
图1 射频体声波滤波器频率响应特性
4 射频体声波滤波器基本原理
2 4.1 概述
射频（RF）体声波（BAW）滤波器具有尺寸小、重量轻、无需调整、高稳定性、高可靠性的特点。
射频体声波滤波器在声表面波（SAW）滤波器与介质滤波器领域之外增加了新的特性与应用方向。目前，
具有低插入损耗的RF-BAW滤波器广泛应用于吉赫兹（GHz）范围的多种应用领域。
RF-BAW滤波器因其小型化与低插入损耗的特点在移动通讯应用中迅速占领市场。与RF-SAW滤波器相
比，具有相同带宽的RF-BAW滤波器可较易实现低插入损耗的特性，并且具有较小的体积。但是BAW滤波
器可实现的带宽受限于所用的压电材料、设计方法等因素。用户有必要理解这些因素对BAW滤波器性能
FBAR的市场背景
随着第三代( 3G) 移动通信系统的发展, 对通信设备提出了新的要求, 在小型无线终端中,对于各种高性能滤波器/ 双工器的需求正不断增长。现有的小型无线终端主要采用陶瓷滤波器或声表面波滤波器( SAWF) , 陶瓷滤波器体积偏大, 声表面波滤波器( SAWF) 承受功率较低,
并且陶瓷滤波器和声表面波滤波器都不能与半导体芯片工艺兼容。薄膜体声波滤波器( FBAR) 是一种性能优良的RF 滤波器, 具有工作频率高, 承受功率大, 体积小且与半导体工艺兼容等显著优点, 是近年来此类器件研究与开发的一个热点
随着民用领域移动通信技术的快速収展以及军用领域系统小型化、微型化的迫切需要，能与CMOS 工艺兼容幵迚而能与外围电路形成单芯片系统的谐振器在世界范围内得到了越来越多的关注。薄膜体声波谐振器( film bulk acoustic resonator，FBAR) 正是一种能CMOS 工艺兼容的器件，它具有高性能、小体积、高功率容量和高工作频率的特点，可以用来制备高性能的滤波器、双工器和低相噪射频振荡器等［1］。目前国外已有多家公司生产FBAR 滤波器及双工器产品，幵成功地应用到了民用通信领域，比较著名的公司有Avago，Infineon，EPCOS，Philips 和Fujitsu 等。国内目前除一些高校有少量研収品，无正式产品及规模生产报道。
消费类电子产品和个人通讯系统市场的快速扩张, 引起了对无线通信系统(如掌上电脑、手机、导航系统、卫星通信以及各种数据通信)的极大需求。制备高性能、小尺寸、低成本的单芯片射频系统成为目前研究的一个热点。在过去的几年中, 随着RFIC技术的迅速发展,一些以前用于通讯系统中的分立元器件(如低噪声放大器LNA 和中频滤波器IF等)已经可以采用射频集成电路的方式实现, 但是另一些元器件(如低相噪的射频振荡器RF Osc illator和射频前端滤波器RF F ilter等)却仍然难以采用射频集成电路的方式实现。另一方面, 随MEMS 技术的发展, 一些采用MEMS 技术制备的射频元器件(如射频开关RF Sw itch、射频电感RF Inductor和射频谐振器RF Resonator等)由于其具有的优良性能而获得广泛的研究和应用。薄膜体声波谐振器( F ilm Bu lk AcousticR esonator, FBAR)是最近几年来研究很热的一种采用MEMS技术实现的射频谐振器。它是制作在硅或砷化镓基片上, 主要由金属电极/压电薄膜/金属电极构成的一种器件。在某些特定的频率下, FBAR 器件表现出如石英晶振一样的谐振特性, 因此可被搭建成振荡器或滤波器应用于现代通讯系统中[ 1] [ 2] 。相对于传统用来构成带通滤波器及微波振荡源的LC 振荡器、介质谐振器及声表面波( SAW )器件而言,