模拟电子电路填空题及答案
一、填空题（每小题2分，共20 分）1、三极管具有放大作用时，外部电压条件是发射结（正向偏置），集电结（反向偏置）。
2、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（）。
3、当温度升高时三极管的集电极电流IC 增大，电流放大系数β增大。
4、单相全波整流电路电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是 1.41U2 。
5、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为共模信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为差模信号。
6、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的交越失真，而采用甲乙类互补功率放大器。
7、差分放大电路能够抑制零点漂移，所以它广泛应用于集成电路中。
8、共集电极放大电路具有电压放大倍数小于1 ，输入电阻大，输出电阻小等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
9、双极型三极管是电流控制器件，场效应管是电压控制器件。
10、在有源滤波器中，运算放大器工作在线性区；在滞回比较器中，运算放大器工作在非线性区。
1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。
2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/ F ）。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（10、1+AF fH –fL 1+AF）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。
13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（）电源互补功率放大电路。
12、交越甲乙13、双单15、零点温度集成16、调幅载波信号17、KUxUy14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（小于近似等于1 ），输入电阻（大），输出电阻（小）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。
？？？17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。
1、导通截止单向2、反向少数温度无关3、零无穷大4、电流电压5、正偏反偏6、增加减小7、共射极共集电极共基极8、直流电流9、A/1+AF 1/F10、1+AF fH –fL 1+AF 11、共模差模12、交越甲乙13、双单14、小于近似等于1 大小15、零点温度集成16、调幅载波信号17、KUxUy1、P型半导体中空穴为（多数）载流子，自由电子为（少数）载流子。
2、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。
3、反向电流是由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。
4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。
5、当温度升高时，三极管的等电极电流I（增加），发射结压降UBE（减少）。
6、晶体三极管具有放大作用时，发射结（正偏），集电结（反偏）。
7、三极管放大电路共有三种组态（公基）、（公集）、（公发）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路和静态工作点，采用（直流）负反馈，为了减小输出电阻采用（电压）负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数Af=（A/A+AF ），对于深度负反馈Af=（1/f ）。
10、共模信号是大小（相等），极性（相同）的两个信号。
11、乙类互补功放存在（交越）失真，可以利用（甲乙）类互补功放来克服。
12、用低频信号去改变高频信号的频率称为（调频），低频信号称为（调制）信号，高频信号称高频（载波信号）。
13、共基极放大电路的高频特性比共射极电路（好），fa=（1+ β）fβ。
14、要保证振荡电路满足相位平衡条件，必须具有（正反馈）网络。
15、在桥式整流电阻负载中，理想二极管承受最高反压是（√2U2 ）。
1、多数少数2、导通截止单向3、少数温度无关4、电流电压5、增加减小6、正偏反偏7、共射极共集电极共基极8、直流电压9、A/1+AF 1/F 10、相等相同11、交越甲乙12、调频调制高频载波13、好1+β14、正反馈15、√2U21、空穴为（多数）载流子。
自由电子为（少数）载流子的杂质半导体称为P型半导体。
2、PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为（正偏）反之称为（反）3、由漂移形成的电流是反向电流，它由（少数）栽流子形成，其大小决定于（温度），而与外电场（无关）。
4、稳定二极管稳压时是处于（反向）偏置状态，而二极管导通时是处于（正向）偏置状态。
5、晶体三极管的集电极电流Ic=( ) 所以它是（电流）控制元件。
6、当温度升高时三极管的反向饱和电流I CBO（增加）所以Ic也（增加) 。
7、为了稳定三极管放大电路静态工作点，采用（电流）负反馈。
为稳定交流输出电压，采用（电压）负反馈，为了提高输入电阻采用（串联）负反馈.。
8、负反馈使放大电路增益下降，但它可以（扩展）通频带（减少）失真。
9、反馈导数F=（Xf/Xo ）。
反馈深度是（1+AF ）。
10、差分放大电路能够抑制（共模）信号，放大（差模）信号。
11、OCL电路是（双电源）电源互补功放，OTL是（单电源）电源互补功放。
12、用低频信号改变高频信号的相位称为（调相）。
低频信号称为（调制信号）、高频信号称为（载波信号）。
13、晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而（下降）。
共基极电路比共射极电路高频特性（好）。
14、振荡电路的平衡条件是（AF=1 ），（正反馈）反馈才能满足振荡电路的相位平衡条件。
15在桥式整流电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（√2U2 ）。
一、填空题（每空1分，共32分）1、自由电子为（少数）载流子，空穴为多数（）载流子的杂质半导体称为（P ）半导体。
2、PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（导通），反偏时（截止）。
3、扩展运动形成的电流是（正向）电流，漂移运动形成的电流是（反向）。
4、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为（为0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成开断。
5、场效应管的漏极电流ID=( gmugs ),所以它是（电压）控制文件。
6、当温度升高时三极管的集电极电流IC（增大），电流放大系数β（增加）。
7、为了提高三极管放大电路的输入电阻，采用（串联）负反馈。
为了稳定输出电流，采用（电流）负反馈。
8、负反馈使放大电路增益（下降），但（提高）增益稳定性。
9、（1+AF）称为负反馈深度，其中F=( Xf/Xo ),称为（反馈系数）。
10、差模信号是大小（相同），极性（相反），差分电路抑制（温度）漂移。
11、甲乙类互补功率放大器，可以消除（乙）类互补功率（交越）失真。
12、用低频信号去改变高频信号的（幅度）称为调幅，高频信号称为（载波）信号。
13、当频率升高时，晶体管电流放大系数（下降）共基极电路比共射极电路的高频特性（好），fδ=（1+ β）fβ14、振荡电路的平衡条件是（AF=1 ），正反馈才能保证振荡电路的（相位平衡条件）。
15半波整流电路电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（√2U2 ）。
1、P型半导体中空穴为（多数）载流子，自由电子为（少数）载流子。
2、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。
3、反向电流是由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。
4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。
5、当温度升高时，三极管的等电极电流I（增加），发射结压降UBE（减少）。
6、晶体三极管具有放大作用时，发射结（正偏），集电结（反偏）。
7、三极管放大电路共有三种组态（共基）、（共发）、（共集）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路和静态工作点，采用（电流）负反馈，为了减小输出电阻采用（电压）负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数Af=（、A/1+AF ），对于深度负反馈Af=（1/F ）。
10、共模信号是大小（相同），极性（相同）的两个信号。
11、乙类互补功放存在（交越）失真，可以利用（甲乙）类互补功放来克服。
12、用低频信号去改变高频信号的频率称为（调频），低频信号称为（调制）信号，高频信号称高频（载波信号）。
13、共基极放大电路的高频特性比共射极电路（好），fa=（1+ β）fβ。
14、要保证振荡电路满足相位平衡条件，必须具有（正反馈）网络。
15、在桥式整流电阻负载中，理想二极管承受最高反压是（√2U2 ）。
1、空穴为（d多数）载流子。
自由电子为（少数）载流子的杂质半导体称为P型半导体。
2、PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为（导通）反之称为（截止）3、由漂移形成的电流是反向电流，它由（少数）栽流子形成，其大小决定于（温度），而与外电场（无关）。
4、稳定二极管稳压时是处于（反向）偏置状态，而二极管导通时是处于（正向）偏置状态。
5、晶体三极管的集电极电流Ic=( βIB ) 所以它是（店里）控制元件。
6、当温度升高时三极管的反向饱和电流I CBO（增加）所以Ic也（增加) 。
7、为了稳定三极管放大电路静态工作点，采用（电流）负反馈。
为稳定交流输出电压，采用（电压）负反馈，为了提高输入电阻采用（串联）负反馈.。
8、负反馈使放大电路增益下降，但它可以（扩展）通频带（减少）失真。
9、反馈导数F=（Xf/Xo ）。
反馈深度是（1+AF ）。
10、差分放大电路能够抑制（共模）信号，放大（差模）信号。
11、OCL电路是（双）电源互补功放，OTL是（单）电源互补功放。
12、用低频信号改变高频信号的相位称为（调相）。
低频信号称为（调制）、高频信号称为（载波）。
13、晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而（减少）。
共基极电路比共射极电路高频特性（好）。
14、振荡电路的平衡条件是（AF=1 ），（正反馈）反馈才能满足振荡电路的相位平衡条件。
模拟电子技术题库参考答案(1-5章) - 副本
（2） A um
( Rc // Rc )
rbe
30(5 // 15) 75 1
-3-
模拟电子技术试题汇编参考答案
(3)
Ri Rb1 // Rb 2 // rbe rbe 1k R0 Rc 5k
(4) C e 断开， Re 有电流串联负反馈，（ Aum 下降）， Ri 增加， R0 不变；
（1） 画出直流通路和微变等效电路 （6 分）。 （2）设 U BEQ 0.7V ，求静态工作点
I CQ 、 U CEQ （4 分）
（3）求 Ri 、 Ro 、 Au
.
Uo Ui
.
.
，设 =30，
rbb' =19 4 （6 分）
（4） I CEO 、U CES 忽略不计，估算最大 不失真输出电压峰值 U om
rbe
100 (3 // 3) 50 3
Ri 5 // 15 // 3k 1.66k R0 RC 3k
（3） Aus
. . Ri 1.66 Au (50) 31.2 R s Ri 1 1.66
-4-
模拟电子技术试题汇编参考答案
3、如下图， C1 ~ C4 足够大，
Ri R1 // R3 // rbe rbe rbb ' (1 ) 26 26 194 (1 30) 1K 1 I EQ
（3） R R 10 K 0 4
U ( R4 // R L ) 30(10 // 10) 150 Au 0 1 u rbe
B；A (8)C (9)A (10)B(11)C(12) C
(1)A（2）B；A；C（3)B；C；C (4) C，B (5)C(6) A(7) ① B ② C ③B15、C
模拟电子技术题库答案
模拟电子技术试题汇编成都理工大学工程技术学院电子技术基础教研室2010-9第一章半导体器件一、填空题1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是电子，少数载流子应是空穴。
2、在N型半导体中，电子浓度大于空穴浓度，而在P 型半导体中，电子浓度小于空穴浓度。
3、结反向偏置时，空间电荷区将变宽。
4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是饱和区、放大区、截止区。
5、场效应管分为两大类：一类称为_结型场效应管，另一类称为绝缘栅场效应管。
6、结外加反向电压，即电源的正极接N区，电源的负极接P区,这种接法称为反向接法或_反向偏置。
7、半导体二极管的基本特性是单向导电性，在电路中可以起整流和检波等作用。
8、双极型半导体三极管按结构可分为型和型两种，它们的符号分别为和。
9、结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的扩散运动和少数载流子的漂移运动。
10、硅二极管的死区电压约为0.5，锗二极管的死区电压约为0.1。
11、晶体管穿透电流CEO I 是反向饱和电流CBO I 的1+β倍，在选用晶体管的时候，一般希望CBO I 尽量小。
12、场效应管实现放大作用的重要参数是跨导m g 。
13、结具有单向导电特性。
14、双极型三极管有两个结，分别是集电结和_发射结。
15、为了保证三极管工作在放大区，应使发射结正向偏置，集电路反向偏置。
16、场效应管是电压控制型元件，而双极型三极管是电流控制型元件。
17、本征硅中若掺入3价元素的原子，则多数载流子应是 空穴 ，少数载流子应是 电子 。
18、P 型半导体的多数载流子是 空穴 ，少数载流子是 电子 。
19、结外加正向电压，即电源的正极接P 区，电源的负极接N 区,这种接法称为 正向接法 或_正向偏置。
20、从双极型三极管内部三个区引出三个电极，分别是_集电极、发射极和基极。
21、双极型三极管起放大作用的外部条件是：（1）发射结外加_正向电压；（2）集电结外加反向电压。
22、N 型半导体可用正离子和等量的负电子来简化表示。
模拟电子技术填空题
模拟电子技术基础(答案在最后)一、填空题(每题1分)1.在工程估算中,硅二极管的正向导通电压取（）V , 锗二极管的正向导通电压取（）V。
2.直流负反馈是指（）通路中有负反馈；交流负反馈是指（）通路中有负反馈。
3. FET工作在可变电阻区时，i D与u GS基本上是（）关系，所以在这个区域中，FET的d、s极间可以看成一个由u GS控制的（）。
4.差模输入信号电压是两个输入信号的（差）值；共模输入信号电压是两个输入信号的（）值；当u I1 = 18 mV，u I2 = 6 mV时，u Id =（）mV，u Ic =（）mV5.功率放大电路输出较大的功率来驱动负载，因此其输出的（）和（）信号的幅度均较大，可达到接近功率管的（）参数。
6.已知输入信号的频率为10 kHz ~15kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用（）滤波电路。
7.理想二极管的正向电阻为（），反向电阻为（）8.差分放大电路具有电路结构（）的特点，因此具有很强的（）零点漂移的能力。
它能放大（）信号，而抑制（）信号。
9.反相比例运算电路与同相比例运算电路中，（）相比例运算电路输入电阻大，而（）相比例运算电路的共模信号为0。
10.图示单管共射放大电路中晶体管的输出特性和直流、交流负载线，由此可以得出：1. 电源电压V CC = ( ) ；2. 静态集电极电流I CQ = ( ) ,管压降U CEQ = ( ) ；3. 集电极电阻R C = ( ) ；负载电阻R L = ( ) ；4.晶体管的电流放大系数 = ( ) ；进一步计算可得到电压放大倍数A = ( ) ；（）；１填空题图230111.放大电路的幅频特性是指（）随信号频率而变；相频特性是指输出信号与输入信号的（）随信号频率而变。
12.积分运算电路可以将方波电压转换为（）电压。
13.常用小功率直流稳压电源系统由（）、（）、（）、（）等四部分组成。
14.场效应管的类型按沟道分为（）型和（）型；按结构分有（）型和（）型；按u GS = 0时有无导电沟道分为（）型和（）型。
【2024版】模拟电子技术试题库及答案
4、二极管的伏安特性曲线上可分为死区、正向导通区、反向截止区和
反向击穿区四个工作区。
5、用指针式万用表检测二极管极性时，需选用欧姆挡的R×1k档位，检测中若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经老化不通。
6、如果把三极管的集电极和发射极对调使用？三极管会损坏吗？为什么？
答：集电极和发射极对调使用，三极管不会损坏，但是其电流放大能力大大降低。因为集电极和发射极的杂质浓度差异很大，且结面积也不同。
7、晶闸管与普通二极管、普通三极管的作用有何不同？其导通和阻断的条件有什么不同？
答：普通二极管根据其单向导电性可知，阳极加电源正极、阴极加电源负极时导通，反之阻断，可用于整流、钳位、限幅和电子开关；普通三极管在放大电路中起放大作用，在数字电子技术中起开关作用，普通三极管用于放大作用时，只要发射极正偏、集电极反偏时就会导通起放大作用，当发射极反偏时就会阻断放大信号通过；用作开关元件时，当发射结和集电结都正偏时，它就会饱和导通，当发射极反偏或发射极和集电极两个极都反偏时，晶体管就截止，阻断信号通过。晶闸管属于硅可控整流器件，只有导通和关断两种状态。晶闸管具有PNPN四层半导体结构，有阳极，阴极和门极三个电极。晶闸管加正向电压且门极有触发电流时导通，即：晶闸管仅在正向阳极电压时是不能导通的，还需门控极同时也要承受正向电压的情况下才能导通（晶闸管一旦导通后，门控极即失去作用）；当晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受多大电压，晶闸管都处于阻断状态，或者晶闸管在导通情况下，其主回路电压（或电流）减小到接近于零值时，晶闸管也会自动关断。
《模拟电子技术》复习题题库10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是自由电子；在P型半导体中，多数载流子是空穴。
2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类，它属于电压控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入共射（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的输出电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入_____负反馈_______。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（b）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（ c ）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( e)场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ b ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况5、集成运放中间级的作用是（ c ）。
A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ a ）的值。
A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
模拟电子技术习题答案1
模拟电子技术习题答案电工电子教学部2012.2第一章 绪论一、填空题：1. 自然界的各种物理量必须首先经过 传感器 将非电量转换为电量，即 电信号 。
2. 信号在频域中表示的图形或曲线称为信号的 频谱 。
3. 通过傅立叶变换可以实现信号从 时域 到频域的变换。
4. 各种信号各频率分量的 振幅 随角频率变化的分布，称为该信号的幅度频谱。
5. 各种信号各频率分量的 相位 随角频率变化的分布，称为该信号的相位频谱。
6. 周期信号的频谱都由 直流分量 、基波分量 以及 无穷多项高次谐波分量 组成。
7. 在时间上和幅值上均是连续的信号 称为模拟信号。
8. 在时间上和幅值上均是离散的信号 称为数字信号。
9. 放大电路分为 电压放大电路 、电流放大电路、互阻放大电路 以及 互导放大电路 四类。
10. 输入电阻 、输出电阻 、增益 、 频率响应 和 非线性失真 等主要性能指标是衡量放大电路的标准。
11. 放大电路的增益实际上反映了 电路在输入信号控制下，将供电电源能量转换为信号能量 的能力。
12. 放大电路的电压增益和电流增益在工程上常用“分贝”表示，其表达式分别是 dB lg 20v A =电压增益 、dB lg 20i A =电流增益 。
13. 放大电路的频率响应指的是，在输入正弦信号情况下，输出随 输入信号频率连续变化 的稳态响应。
14. 幅频响应是指 电压增益的模与角频率 之间的关系 。
15. 相频响应是指 放大电路输出与输入正弦电压信号的相位差与角频率 之间的关系 。
二、某放大电路输入信号为10pA 时，输出为500mV ，它的增益是多少？属于哪一类放大电路？ 解： Ω105A10V 50pA 10mV 5001011i o r ⨯====-.i v A 属于互阻放大电路 三、某电唱机拾音头内阻为1MΩ，输出电压为1V （有效值），如果直接将它与10Ω扬声器连接，扬声器上的电压为多少？如果在拾音头与扬声器之间接入一个放大电路，它的输入电阻R i =1MΩ，输出电阻R o =10Ω，电压增益为1，试求这时扬声器上的电压。
第1章模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)
《模拟电子技术基础》第4版习题解答第1章半导体二极管及其基本应用电路一、填空题1．1 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系。
1．2 在N型半导体中，多子是，少子是；在P型半导体中，多子是，少子是。
1．3二极管具有性；当时，二极管呈状态；当时，二极管呈状态。
1．4 2APl2型二极管是由半导体材料制成的；2CZ52A型二极管是由半导体材料制成的。
1．5在桥式整流电路中接入电容C(与负载并联)滤波后，输出电压较未加C时，二极管的导通角，输出电压随输出电流的增大而。
二、选择正确答案填空(只需选填英文字母)1．6二极管正向电压从0．7 V增大15％时，流过的电流增大(a．15％；b．大于15％；c．小于15％)。
1．7当温度升高后，二极管的正向压降将，反向电流将(a．增大；b．减小；c．不变)。
1．8利用二极管的组成整流电路(a1．正向特性；b1．单向导电性；c1．反向击穿特性)。
稳压二极管工作在状态下，能够稳定电压(a2．正向导通；b2．反向截止；c2．反向击穿)。
三、判断下列说法是否正确(用√或×号表示)1．9在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质，可以改型为P型半导体。
( )1．10 PN结的伏安特性方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述其反向击穿特性。
( )1．11 在桥式整流电路中，如用交流电压表测出变压器二次侧的交流电压为40 V，则在纯电阻负载两端用直流电压表测出的电压值约为36 V。
( ) 1．12光电二极管是受光器件，能将光信号转换为电信号。
( ) 解答：1.1 杂质浓度温度1.2 电子空穴空穴电子1.3 单向导电性 正向偏置 导通 反向偏置 截止1.4 N 型锗材料 N 型硅材料1.5 增大 减小 减小1.6 （b ）1.7 （b ） （a ）1.8 （b 1） （c 2）1.9 （√）1.10 （×）1.11 （√）1.12 （√）1．13某硅二极管在室温下的反向饱和电流为910-A ，求外加正向电压为0．2 V 、0．4 V 时二极管的直流电阻R D 。
模拟电子技术填空题答案
1，半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。
2，本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N型半导体，其多数载流子是自由电子，若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是空穴。
3，PN结在正偏是导通，反偏是截止，这种特性称为单向导电性。
4，当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向电压将减小。
5，整形电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单项脉动的直流电。
稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。
6，发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。
7，光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。
8，测得某二极管的正向电流为1mA，正向压降为0.65V，该二极管的直流电阻等于650Ω，交流电阻等于26Ω。
1，晶体管从结构上可以分为PNP和NPN两种类型，它工作时有两种载流子参与导电。
2，晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结正偏，集电结反偏。
3，晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是放大、饱和、截止。
4，当温度升高时，晶体管的参数增大，I增大，导通电压减小。
5，某晶体管工作在放大区，如果基极电流从10uA变化到20uA时，集电极从1mA变为1.99mA，则交流电流放大系数约为99.6，场效应管从结构上可分为两大类：MOS场效应管、结型场效应管；根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：增强型、耗尽型。
7，Ugs(off)表示夹断电压，Idss表示饱和漏极电流，它们是耗尽型场效应管的参数。
1，放大电路的输入电压Ui=10mV,输出电压Uo=1V，该放大电路的电压放大倍数为100，电压增益为40dB。
2，放大电路的输入电阻越大，放大电路向信号源索取的电流就越小，输入电阻也就越大；输出电阻越小，负载对输出电压的影响就越小，放大电路的负载能力就越强。
3，共集电极放大电路的输出电压与输入电压同相，电压放大倍数近似为1，输入电阻大，输出电阻小。
模拟电路考试试题套和答案
试卷编号01………………………………………………………………………………………………………………一、填空（本题共20分，每空1分）：1．整流电路的任务是_将交流电变成直流电_；滤波电路的任务是__滤除脉动直流电中的交流部分。
2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于_载流子浓度差__而产生的，漂移运动是____电场力___作用下产生的。
3．放大器有两种不同性质的失真，分别是__线性__失真和___非线性__失真。
4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是__耦合电容和旁路电容___的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__三极管的极间电容__的影响。
5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是__稳定静态工作点___；引入交流负反馈的作用是稳定增益，改变输出电阻，减小非线性失真，展宽频带，抑制干扰和噪声__。
6．正弦波振荡电路一般由_选频网络__、_放大电路__、__正反馈网络___、__稳幅电路__这四个部分组成。
7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为___100___，总的放大倍数为_105__。
对__差模输入__信号8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻Re的放大无影响，对_共模输入__信号的放大具有很强的抑制作用。
共模抑制比KCMR 为__差模增益与共模增益__之比。
9．某放大电路的对数幅频特性如图1（在第三页上）所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为__37__dB。
二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）：1、（√）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。
2、（√）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。
3、（√）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。
4、（×）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。
大学《模拟电子技术》复习试题及参考答案(八)
大学《模拟电子技术》试题及答案一．是非题（1）[ ] 只要满足相位平衡条件，电路就会产生正弦波振荡。
（2）[ ] 引入直流负反馈可以稳定静态工作点。
（3）[ ] 负反馈越深，电路的闭环增益越稳定。
（4）[ ] 零点漂移就是静态工作点的漂移。
（5）[ ] 放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。
（6）[ ] 镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。
（7）[ ] 半导体中的空穴带正电。
（8）[ ] P型半导体带正电，N型半导体带负电。
（9）[ ] 实现运算电路不一定非引入负反馈。
（10）[ ]凡是引入正反馈的集成运放，一定工作在非线性区。
二．选择填空（1）为了增大输出电阻，应在放大电路中引入；为了展宽频带，应在放大电路中引入。
（A）电流负反馈（B）电压负反馈（C）直流负反馈（D）交流负反馈（2）在桥式（文氏桥）RC正弦波振荡电路中，。
（A）φA=-1800，φF=+1800 （B）φA=+1800，φF=+1800 （C）φA=00，φF=00（3）集成运放的互补输出级采用。
（A）共基接法（B）共集接法（C）共射接法（D）差分接法（4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为。
（A）β （B）β2 （C）2β （D）1+β（5）在（A）、（B）、（C）三种电路中输入电阻最大的电路是；既能放大电流，又能放大电压的电路是。
（A）共基放大电路（B）共集放大电路（C）共射放大电路（6）当PNP型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为U C U B U E。
（A）> （B）< （C）= （D）≤（7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的。
（A）大（B）小（C）相等三．图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u0。
四．在一个放大电路中，三只三极管三个管脚①、②、③的电位分别如表所示，将每只管子所用材料（Si或Ge）、类型（NPN或PNP）及管脚为哪个极（e、b 或c）填入表内。