集成电路版图设计中的失配问题研究
集成电路中常见的问题及解决方法
集成电路中常见的问题及解决方法在现代科技的飞速发展下，集成电路作为电子设备的核心组件，在各个领域得到了广泛应用。
然而，由于其高度复杂的结构和制造工艺，常常会出现一些问题。
本文将介绍集成电路中常见的问题，并提供相应的解决方法，以帮助读者更好地解决集成电路方面的难题。
一、芯片损坏问题及解决方法1. 静电损坏静电是芯片损坏的常见原因之一。
当我们触摸芯片或进行组装和拆卸操作时，很容易导致静电的积累和释放，造成芯片损坏。
为了解决这个问题，我们可以采取以下措施：- 使用防静电手套和工具，避免直接接触芯片；- 在操作环境中增加静电消除装置，如静电垫或离子风枪；- 将芯片存放在防静电袋或容器中，避免静电的积累。
2. 过电压损坏过电压是指在电路中电压超过设计范围，导致芯片损坏的情况。
这可能是由于电源质量不稳定、电路板设计缺陷等原因引起的。
为了解决过电压问题，我们可以采取以下方法：- 定期检查和维护电源设备，确保电源供电稳定；- 使用电压稳压器或保护电路，提供稳定的电压输出；- 加强对电路板设计和制造的质量控制，避免过电压发生。
二、温度问题及解决方法1. 过热问题过高的温度会对集成电路的性能和寿命造成严重影响。
在长时间高温环境下，芯片可能出现硬件故障、稳定性差、信号衰减等问题。
为了解决过热问题，我们可以采取以下措施：- 提供良好的散热系统，如散热片、风扇等；- 优化电路板设计，合理布局散热元件和散热孔；- 控制电子设备的工作温度，避免过高温度的长时间使用。
2. 低温问题低温环境下，集成电路可能出现电流漏失、功耗异常等问题。
为了解决低温问题，我们可以采取以下方法：- 使用低温启动电路，确保芯片在低温环境下正常启动；- 增加热管理措施，如加热元件、绝缘层等；- 预热芯片，提高电子器件的工作温度。
三、电路连接问题及解决方法1. 接触不良接触不良是导致电路连接问题的常见原因之一。
在电路板组装过程中，焊接质量不良、引脚松动等都可能导致接触不良，造成芯片无法正常工作。
集成电路版图设计中的失配问题研究
集成电路版图设计中的失配问题研究随着集成电路技术的不断发展，芯片设计已经成为现代半导体产业中至关重要的环节之一。
在制定具体的芯片版图时，失配问题是一个极其严重的问题，因为它会导致电路性能的下降、功耗的增加以及可靠性的降低等问题。
本文将详细探讨集成电路中的失配问题，包括失配的定义、失配的原因、失配的分类、失配的影响以及失配的解决方案等内容。
一、失配的定义失配是指在芯片设计过程中因为生产制造、工艺优化、温度变化等原因所引起的电学参数不同于设计值的情况。
通俗来说，失配就是实际电路与设计电路之间存在着性能误差。
电路设计中，失配是不可避免的，而我们需要关注的是如何通过技术手段来降低失配的影响，以保证芯片的性能和可靠性。
二、失配的原因在芯片生产中，失配是由多种因素引起的。
1. 工艺变化：集成电路制造过程中不可避免地存在着工艺变化，如激光退火、电子束光刻、等离子体刻蚀等。
然而这些工艺变化将会导致器件的参数和性能发生变化，这种变化通常被称为工艺漂移。
2. 温度变化：芯片在工作时会产生热量，而热量会导致芯片内部的温度变化。
尤其对高性能芯片，这种温度差可以很大。
随着温度的变化，器件的晶体管参数，如场效应晶体管的阈值电压、输出电阻等都会发生变化。
3. 变量或过程漂移：器件电气特性会发生随机的、非稳态的变化，与时间有关。
这种变化通常称为变量漂移或过程漂移。
这种性质具有随机性和非连续性，常常是制造过程的结果或设计电路中的细节减小造成的结果。
4. 物理泄漏和噪声：在纳米、亚纳米结构中，物理问题会引起器件的性能变化，如隧道效应和本身相互作用导致器件的电学参数有误差；同时物理噪声也会干扰芯片的工作，例如热噪声、载流子噪声等。
三、失配的分类失配问题可以分为两类：同类失配和库尔特失配。
1. 同类失配：是指在同一个芯片中，相同类型的器件会显示出不同的电学效应。
例如，两个相邻的场效应晶体管长度相同，但文艺个体现在的某些参数就可能不一样，如介质层的厚度，衬底的掺杂浓度。
集成电路失效分析技术研究
集成电路失效分析技术研究集成电路（Integrated Circuit, IC）是指将多个电子器件、连接及电路功能集成在一个单一的芯片上的技术。
随着集成电路技术的不断发展，我们逐渐进入了大规模集成电路（LSI）、超大规模集成电路（VLSI）和超大规模门阵列（ULSI）的时代。
然而，由于各种因素的影响，集成电路的失效仍然是一个重要的问题。
因此，研究集成电路失效分析技术对于确保电子设备的可靠性和稳定性非常重要。
首先，集成电路失效分析技术需要考虑电路设计的问题。
设计错误可能导致电路功能失效或性能下降。
因此，分析失效的电路，并找出设计错误是非常重要的。
这可以通过对电路进行系统级分析、信号跟踪和仿真等方法来实现。
其次，集成电路制造缺陷也是一个导致失效的重要原因。
微细加工工艺容易引入缺陷，例如杂质、金属线断裂等。
因此，失效分析技术需要考虑到制造缺陷的检测和定位。
这可以通过扫描电镜、原位测试等方法来实现。
环境应力是另一个导致集成电路失效的重要因素。
在不同的工作环境中，集成电路会受到温度、湿度、电压等应力的影响，从而导致电路性能的下降或失效。
因此，失效分析技术需要结合环境条件来分析失效原因，例如通过温度和湿度测试来检测电路的性能变化。
物理破坏也是一个导致集成电路失效的常见因素。
物理破坏可能由于不正常的操作、震动、冲击等引起，例如芯片内部的金属线断裂、器件损坏等。
失效分析技术需要使用显微镜、剖析设备等来观察和分析物理破坏。
静电放电也是一个非常常见的导致集成电路失效的因素。
静电放电可以破坏电路内部的晶体管、电容器等关键器件，导致电路的性能下降或失效。
因此，失效分析技术需要通过静电放电测试来分析电路的稳定性和可靠性。
在集成电路失效分析技术的研究中，还需要结合统计分析方法来进行数据处理和结果评估。
通过大规模数据的统计分析，可以发现失效的概率分布、共性故障等规律，为电路的改进和优化提供参考。
总之，集成电路失效分析技术研究是确保电子设备可靠性和稳定性的重要内容。
电路中功率失配
电路中功率失配引言在电路中，功率的传输是非常重要的。
然而，在实际情况中，电路中的功率可能会出现失配的情况。
功率失配对电路的性能产生了直接影响，因此需要深入了解功率失配的原因、影响和解决办法。
本文将从以下几个方面来探讨电路中功率失配的问题：导致功率失配的原因、功率失配的影响、如何检测功率失配以及如何解决功率失配。
导致功率失配的原因功率失配可能有以下几个原因：1.电源供应问题：不稳定或不平衡的电源供应可能导致功率失配。
这可能是由于电源输出电压的波动或固定电压源之间的不匹配所导致的。
2.不匹配的负载：如果负载不适配电源，即负载与电源之间的阻抗不匹配，也会导致功率失配。
这将导致一部分功率被反射回电源端，从而导致功率损失和失配。
3.电缆损耗：在长距离传输中，电缆会出现一定的损耗，这也可能导致功率失配。
电缆的损耗会导致信号衰减，从而使电源端和负载端的功率不匹配。
4.传输线阻抗不匹配：传输线的阻抗不匹配也可能导致功率失配。
当传输线的阻抗与负载的阻抗或电源的输出阻抗不匹配时，部分功率将被反射回源端或负载端，导致功率失配。
功率失配的影响功率失配会对电路的性能产生直接的影响，主要表现在以下几个方面：1.降低电路效率：功率失配会导致电路的能量传输效率降低。
部分功率被反射回电源端或负载端，无法被有效利用，从而降低了电路的整体效率。
2.引起电源过热：当功率失配导致部分功率被反射回电源端时，电源可能会因为过大的功率而过热。
这可能会导致电源供应的稳定性问题或甚至损坏电源。
3.减少电路的可靠性：功率失配也会引起电路的可靠性问题。
功率失配可能导致电源和负载的不稳定性，从而降低了电路的可靠性和性能。
如何检测功率失配为了检测功率失配，我们可以采取以下几种方法：1.使用功率分析仪：功率分析仪可以测量电路中的功率参数，包括输入功率和输出功率。
通过比较这两个功率参数，我们可以确定是否存在功率失配问题。
2.测量电源端和负载端的电压和电流：通过测量电源端和负载端的电压和电流，我们可以计算输入功率和输出功率。
谈集成电路版图设计中的失配问题
２０１９年３月第３２卷第２期黑龙江生态工程职业学院学报ＪｏｕｒｎａｌｏｆＨｅｉｌｏｎｇｊｉａｎｇＶｏｃａｔｉｏｎａｌＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＥｃｏｌｏｇｉｃａｌＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＭａｒ.２０１９Ｖｏｌ.３２Ｎｏ.２ｄｏｉ:１０.３９６９/ｊ.ｉｓｓｎ.１６７４￣６３４１.２０１９.０２.０１４谈集成电路版图设计中的失配问题毕克娜１㊀曲伟２(１.黑龙江大学电子工程学院ꎬ黑龙江哈尔滨１５００００ꎻ２.北部湾大学电子与信息工程学院ꎬ广西钦州５３５０００)㊀㊀摘㊀要:版图设计是集成电路设计的重要环节ꎬ对电路整体性能影响很大ꎮ分析失配产生的原因及对版图设计的影响ꎬ进一步讨论避免失配的方法和优化版图匹配ꎮ关键词:集成电路ꎻ失配ꎻ版图匹配中图分类号:ＴＮ４０２㊀㊀㊀文献标识码:Ａ㊀㊀㊀文章编号:１６７４￣６３４１(２０１９)０２￣００４１￣０３ＤｉｓｃｕｓｓｉｏｎｏｎｔｈｅＭｉｓｍａｔｃｈＰｒｏｂｌｅｍｉｎｔｈｅＬａｙｏｕｔＤｅｓｉｇｎｏｆＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔｓＢＩＫｅ－ｎａ１ꎬＱＵＷｅｉ２(１.ＨｅｉｌｏｎｇｊｉａｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙꎬＨａｒｂｉｎ１５００８０ꎬＣｈｉｎａꎻ２.ＮｏｒｔｈＢａｙＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙꎬＱｉｎｚｈｏｕ５３５０００ꎬＣｈｉｎａ)Ａｂｓｔｒａｃｔ:Ｌａｙｏｕｔｄｅｓｉｇｎｉｓａｎｉｍｐｏｒｔａｎｔｐａｒｔｏｆｉｎｔｅｇｒａｔｅｄｃｉｒｃｕｉｔｄｅｓｉｇｎａｎｄｈａｓａｇｒｅａｔｉｍｐａｃｔｏｎｔｈｅｏｖｅｒａｌｌｐｅｒｆｏｒｍ￣ａｎｃｅｏｆｔｈｅｃｉｒｃｕｉｔ.Ａｎａｌｙｚｅｔｈｅｃａｕｓｅｓｏｆｍｉｓｍａｔｃｈａｎｄｔｈｅｉｍｐａｃｔｏｎｌａｙｏｕｔｄｅｓｉｇｎꎬａｎｄｆｕｒｔｈｅｒｄｉｓｃｕｓｓｗａｙｓｔｏａｖｏｉｄｍｉｓ￣ｍａｔｃｈａｎｄｌａｙｏｕｔｍａｔｃｈｉｎｇ.Ｋｅｙｗｏｒｄｓ:ＩｎｔｅｇｒａｔｅｄｃｉｒｃｕｉｔꎻＭｉｓｍａｔｃｈꎻＬａｙｏｕｔｍａｔｃｈｉｎｇ㊀㊀收稿日期:２０１９￣０１￣１７第一作者简介:毕克娜(１９９２ )ꎬ女ꎬ黑龙江哈尔滨人ꎬ在读硕士研究生ꎮ研究方向:集成电路ꎮ０㊀引言版图设计是将电路设计转换为物理版图的过程ꎬ是集成电路设计的最后阶段ꎮ现代ＣＭＯＳ工艺所实现的系统越来越复杂ꎬ工作速度越来越快ꎬ且工作电压越来越低[１]ꎮ虽然缩小器件的尺寸节省了芯片面积ꎬ降低了功耗ꎬ提高了本征速度ꎬ但由此引入的不同模块间的串扰以及版图设计中的非理想性ꎬ严重限制了系统的工作速度和精度ꎬ所以随着集成电路特征工艺尺寸的不断减小ꎬ由其工艺变化引起的失配现象对集成电路性能的影响愈来愈严重ꎮ对集成电路设计工作者来说ꎬ要使电路的性能更好ꎬ消除由于失配对其电路性能的影响ꎬ就显得尤为重要ꎮ１㊀失配在集成电路设计的过程中ꎬ有很多地方都是需要器件有非常好的对称性ꎬ即匹配ꎮ失配ꎬ顾名思义就是不匹配的意思ꎬ集成电路的精度和性能通常取决于元件匹配精度ꎬ如果发生失配现象ꎬ则会降低电路的性能ꎮ失配产生的原因主要有两种:一种是随机失配ꎬ另一种是系统失配ꎮ随机失配产生的原因是没有选择合适的元件参数值和尺寸ꎮ这种情况引起的失配是可以避免的ꎬ但是在后期的生产过程中ꎬ这种失配不可修复ꎮ系统失配产生的原因是版图设计技术与理想情况不符ꎮ系统失配情况在后期集成电路版图设计的过程中是可以改进和避免的[２]ꎮ产生系统失配的原因如下:(１)工艺偏差ꎮ这是在制版㊁刻蚀㊁扩散㊁注入等过程中的几何收缩和扩张所导致的尺寸误差ꎮ(２)梯度效应ꎮ元件间差异取决于压力㊁温度㊁氧化层厚度的梯度和距离ꎮ由于晶圆片上的扩散浓度和机械应力的不同ꎬ在同批次生产的相同晶圆片上ꎬ各个点的分布也存在着偏差ꎮ(３)接触孔电阻ꎮ(４)多晶硅刻蚀率的变化ꎮ刻蚀速率与刻蚀窗的大小有关ꎬ隔离大的多晶宽度小于隔离小的多晶宽度[３]ꎮ(５)扩散区相互影响ꎮ同类型扩散区会相互增强ꎬ异类型相邻会相互减弱ꎮ下面重点介绍工艺偏差相关问题ꎮ２㊀工艺偏差工艺偏差是在硅片制作工艺中引起的ꎮ例如在光刻过程中ꎬ没有选择恰当的光刻胶和曝光方式等原因都会造成一定程度的工艺缺陷ꎬ从而导致失配ꎮ对此可以通过光刻胶选择和曝光方式选择来解决ꎮ２.１㊀光刻胶选择光刻胶分为正光刻胶和负光刻胶两种ꎬ一般而言ꎬ正性胶的分辨率高ꎬ对比度好ꎬ但是它粘附性和抗刻蚀能力差ꎻ负性胶的粘附性能力和抗刻蚀能力强ꎬ感光速度快ꎬ但是显影时会发生膨胀和变形ꎬ导致其分辨率降低ꎮ相对而言ꎬ正性胶比负性胶的精度要高ꎬ负胶显影后图形有涨缩ꎬ但是若腐１４蚀液为碱性ꎬ则不宜用正性胶ꎬ所以应根据情况正确选择光刻胶ꎬ从而避免出现偏差ꎮ２.２㊀曝光方式选择在光刻过程中ꎬ传统的曝光方式分以下两种:阴影式曝光(ｓｈａｄｏｗｐｒｉｎｔｉｎｇ)和投影式曝光(ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎｐｒｉｎｔｉｎｇ)ꎮ阴影式曝光又分为接触式曝光和非接触式曝光[４]ꎮ接触式曝光是将掩膜与待加工基片的光胶层直接接触进行的曝光ꎬ具有便于操作㊁成本较低㊁分辨率高的特点ꎮ但是由于接触面易夹杂灰尘等杂质ꎬ容易损坏掩膜版与光胶层ꎬ降低了成品率ꎮ非接触式曝光是指掩膜和光胶层不直接接触进行的曝光ꎮ由于两者没有直接接触ꎬ它避免了接触式曝光容易损坏掩膜和基片的缺点ꎬ但是掩膜和基片间有微小间距ꎬ由于光的衍射效应的存在ꎬ会降低分辨率ꎮ投影式曝光是指掩膜和基片不直接接触ꎬ而是利用光学投影成像的原理ꎬ以投影的方式将掩膜版上的图像投到涂有感光胶的基片上ꎬ完成图形转移ꎮ这种方法曝光均匀ꎬ不存在色差和象差ꎬ但是由于光衍射效应的存在会对曝光产生限制ꎬ另外光源和抗蚀剂也是影响曝光的重要因素ꎮ由于以上原因ꎬ目前曝光方式普遍采用电子束曝光技术(ＥＢＬ)[５]ꎮ它是在涂有感光胶的基片上用电子束直接投影图形ꎬ优点是有高的分辨率㊁精确度和灵活性ꎮ２.３㊀寄生效应在实际版图设计过程中ꎬ因为工艺偏差也会产生一些寄生效应ꎮ主要有以下几种情况:(１)寄生电阻ꎮ电流流过的地方会有寄生电阻ꎮ每根金属线都存在寄生电阻ꎬ减小寄生电阻可以通过加大金属线宽㊁减小金属长度来达到ꎬ不要用最小线宽布线ꎮ如果金属线太宽ꎬ可以采用几层金属并联走线ꎬ多打通孔既能保证连接ꎬ又减小寄生电阻ꎮ(２)寄生电容ꎮ两种材料之间会产生寄生电容ꎬ所以金属与衬底之间的平板电容是最重要的寄生问题ꎮ减小寄生电容方法如下:在电路模块或者任何元件上尽可能不要走线ꎻ高层金属离衬底较远ꎬ单位面积电容较小ꎬ所以选择高层金属走线ꎻ敏感信号彼此远离并且走线应该尽量短ꎻ长距离不宜一同走线ꎬ敏感信号的走线不要经过任何元件上方ꎮ(３)器件自身寄生效应ꎮ器件自身也存在寄生效应ꎮ为了减小器件自身的寄生效应ꎬ可以采用多个管并联方式取代晶体管(４)天线效应ꎮ在刻蚀时会在晶片表面积淀电荷ꎬ暴露的导体会收集能损坏栅介质的电荷从而产生天线效应ꎮ消除天线效应一般采用下面几种方法:跳线法ꎮ断开存在天线效应的金属层ꎬ通过通孔连接到其他层ꎬ最后再回到当前层ꎮ使用跳线法应严格控制布线层次变化和通孔的数量ꎮ添加天线器件ꎮ给存在天线效应的金属层接上反偏二极管ꎬ形成电荷泄放回路ꎬ累积的电荷不能威胁栅氧层ꎬ从而消除天线效应[６]ꎮ为了消除长走线上的天线效应ꎬ可以插入缓冲器ꎬ切断长线来消除ꎮ在晶片中的ＶＤＤ和ＧＮＤ之间ꎬ寄生的ＰＮＰ和ＮＰＮ双极性ＢＪＴ互相影响会产生低阻抗通路ꎬ让电源和地线之间存在大电流[７]ꎮ(５)闭锁效应(ｌａｔｃｈ－ｕｐ)ꎮ为了消除闭锁效应ꎬ可在版图设计㊁工艺㊁测试以及应用上来采取各种措施ꎮ例如减小各个寄生ＢＪＴ的电流放大系数㊁减小ＣＭＯＳ中的衬底和ｎ－阱的电阻等ꎮ３㊀版图匹配版图设计作为与工艺连接最为紧密的部分ꎬ是集成电路设计中十分重要的步骤ꎮ采用版图匹配设计是消除集成电路设计过程中失配最为有效的技术ꎮ３.１㊀降低工艺梯度影响为了防止工艺梯度的影响ꎬ可以采用中心对称结构来解决工艺梯度对电路性能的影响[８]ꎮ对于一般的匹配要求ꎬ多使用图１中的(ａ)对称结构ꎬ其连线简单ꎬ适合面积不大的情况ꎬ能抵御横向梯度的影响ꎮ对于匹配要求精度高的情况ꎬ多使用图１中的(ｂ)共质心结构ꎬ它在理论上精度匹配最好ꎬ特别适合面积大的情况ꎮ图１㊀常见的版图匹配结构３.２㊀保证多晶硅刻蚀率一致在包含电流镜和差动放大器的电路中ꎬ为保持同其他管子周围环境一致ꎬ避免Ｌｅｎｇｔｈ受影响ꎬ防止多晶硅栅过度刻蚀ꎬ要在匹配的ＭＯＳ管的两侧添加Ｄｕｍｍｙ管ꎮ电阻的周围也要加Ｄｕｍｍｙ电阻ꎬ其摆放要与原电阻的摆放方向严格一致ꎬ两侧Ｄｕｍｍｙ电阻的长度也要与原电阻本身长度相同ꎬ两端Ｄｕｍｍｙ电阻长度可以根据实际情况调整[９]ꎮ对于一些模拟电路来说ꎬ比如说电流镜㊁多支路比例电流镜㊁差动放大器ꎬ在画版图的时候ꎬ要求ＰＶＴ对各个管子的影响一致(Ｐ代表压力效应ꎬＶ代表体积效应ꎬＴ代表热效应)ꎮ(下转第４５页)２４息化的发展定位ꎮ在专业化方面ꎬ 贸仲委 要始终以办案为主ꎬ提高服务能力与水平ꎬ保证公平公正ꎬ保障仲裁公信力ꎬ为当事人在仲裁方面提供良好的服务ꎻ在国际化方面ꎬ应主动参与国际商事仲裁事务的解决ꎬ打破国际规则 旁观者 的传统ꎬ在国际仲裁规则的拟定及实施中贡献中国力量ꎬ展现中国仲裁业的应有水平ꎻ在信息化方面ꎬ注重信息平台的设立ꎬ提升仲裁机构管理的信息化程度ꎬ紧跟网上办案㊁智能服务等高科技办案的潮流ꎬ以提升我国仲裁办案效率ꎮ最后ꎬ在国际交流方面ꎬ要积极主动地开展对外交流与合作ꎬ鼓励仲裁 走出去 ꎬ使我们的仲裁机构和制度与世界著名的仲裁机构进行接轨ꎮ同时ꎬ要热情欢迎国外相关仲裁人员来我国进行访问与交流ꎬ向他们展示我国仲裁事业的发展成就ꎬ展示我国立体㊁全面的仲裁形象ꎬ从而创设出拥有自身特色的国际化的仲裁品牌ꎮ４㊀结语通过介绍分析世界知名仲裁机构及其制度ꎬ为我国 贸仲委 在改革开放的新形势与经济全球化趋势下ꎬ扬长避短ꎬ借鉴经验ꎬ打造属于我们自己的国际商事仲裁品牌ꎬ奠定理论基础ꎬ从而更好地展示中国形象ꎬ促进中国与世界贸易健康的发展ꎮ注释:①[英]施米托夫.国际贸易法文选[Ｍ].赵秀文ꎬ译.北京:中国大百科全书出版社ꎬ１９９３.②赵秀文.国际商事仲裁现代化研究[Ｍ].北京:法律出版社ꎬ２０１０:２０.③ＮｅｗＹｏｒｋＡｒｂｉｔｒａｔｉｏｎＣｏｎｖｅｎｔｉｏｎ[ＥＢ/ＯＬ].ｈｔｔｐ://ｗｗｗ.ｎｅｗｙｏｒｋｃｏｎｖｅｎｔｉｏｎ.ｏｒｇ/ｃｏｎｔｒａｃｔｉｎｇ－ｓｔａｔｅｓ/ｌｉｓｔ－ｏｆ－ｃｏｎ￣ｔｒａｃｔｉｎｇ－ｓｔａｔｅｓ.④ｈｔｔｐ://ｗｗｗ.ｃｉｅｔａｃ.ｏｒｇ.ｃｎ/ｉｎｄｅｘ.ｐｈｐ?ｍ＝Ａｒｔｉｃｌｅ＆ａ＝ｓｈｏｗ＆ｉｄ＝９３ꎬ２０１８－１１－１５.⑤[美]博恩.国际仲裁 法律与实践[Ｍ].白麟ꎬ译.北京:商务印书馆ꎬ２０１５:４５.⑥中国商网.新加坡国际仲裁新规则具有突出借鉴价值[ＥＢ/ＯＬ].ｈｔｔｐ://ｚｇｓｗｃｎ.ｃｏｎꎬ２０１８－１１－１５.⑦中国国际经济贸易委员会.统计数据[ＥＢ/ＯＬ].ｈｔｔｐ://ｗｗｗ.ｃｉｅｔａｃ.ｏｒｇ.ｃｎ/ｉｎｄｅｘ.ｐｈｐ?ｍ＝Ｐａｇｅ＆ａ＝ｉｎｄｅｘ＆ｉｄ＝２４ꎬ２０１８－１１－１５.参考文献:[１][英]施米托夫.国际贸易法文选[Ｍ].赵秀文ꎬ译.北京:中国大百科全书出版社ꎬ１９９３.[２]赵秀文.国际商事仲裁现代化研究[Ｍ].北京:法律出版社ꎬ２０１０:２０.[３]ＮｅｗＹｏｒｋＡｒｂｉｔｒａｔｉｏｎＣｏｎｖｅｎｔｉｏｎ[ＥＢ/ＯＬ].ｈｔｔｐ://ｗｗｗ.ｎｅｗｙｏｒｋｃｏｎｖｅｎｔｉｏｎ.ｏｒｇ/ｃｏｎｔｒａｃｔｉｎｇ－ｓｔａｔｅｓ/ｌｉｓｔ－ｏｆ－ｃｏｎｔｒａｃｔｉｎｇ－ｓｔａｔｅｓ.２０１８－１１－１５.[４]中国国际经济贸易仲裁委员会.斯德哥尔摩商会仲裁院仲裁规则[ＥＢ/ＯＬ].ｈｔｔｐ://ｗｗｗ.ｃｉｅｔａｃ.ｏｒｇ.ｃｎ/ｉｎｄｅｘ.ｐｈｐ?ｍ＝Ａｒｔｉｃｌｅ＆ａ＝ｓｈｏｗ＆ｉｄ＝９３ꎬ２０１８－１１－１５.[５][美]博恩.国际仲裁 法律与实践[Ｍ].白麟ꎬ译.北京:商务印书馆ꎬ２０１５:４５.[６]中国商网.新加坡国际仲裁新规则具有突出借鉴价值[ＥＢ/ＯＬ].ｈｔｔｐ://ｚｇｓｗｃｎ.ｃｏｎꎬ２０１８－１１－１５.[７][瑞典]迈德森(ＭａｎｄｓｅｎꎬＦ.).瑞典商事仲裁[Ｍ].李虎ꎬ顾华宁ꎬ译.北京:法律出版社ꎬ２００８.[８]中国国际经济贸易仲裁委员会.统计数据[ＥＢ/ＯＬ].ｈｔ￣ｔｐ://ｗｗｗ.ｃｉｅｔａｃ.ｏｒｇ.ｃｎ/ｉｎｄｅｘ.ｐｈｐ?ｍ＝Ｐａｇｅ＆ａ＝ｉｎｄｅｘ＆ｉｄ＝２４ꎬ２０１８－１１－１５.责任编辑:卢宏业(上接第４２页)４㊀结语综上所述ꎬ在集成电路版图设计的过程中ꎬ产生失配的原因多种多样ꎬ十分复杂ꎬ所以为了更好地完成版图设计ꎬ开发人员除了能熟练掌握版图设计工具ꎬ熟悉版图设计规则外ꎬ还需要对版图失配问题重视起来ꎬ掌握更多的设计技巧ꎬ从而降低失配对版图设计的影响ꎬ使电路具有更好的性能ꎮ参考文献:[１]何程明.集成电路器件匹配的构图方法:中国ꎬＣＮ１０１７８９０４９Ｂ[Ｐ].２０１０.[２]陈达.ＳＯＩ㊁ＳＧＯＩ㊁ＧＯＩ材料制备技术研究[Ｄ].兰州:兰州大学ꎬ２０１５.[３]张文斌ꎬ连军莉ꎬ谭立杰ꎬ等.激光加工中硅片晶圆的自动对准切割研究[Ｊ].电子工业专用设备ꎬ２０１５(５):１３－１７.[４]王宏睿ꎬ祝金国.光刻工艺中的曝光技术比较[Ｊ].现代制造工程ꎬ２００８(１２):１３１－１３５.[５]王振宇ꎬ成立ꎬ祝俊ꎬ等.电子束曝光技术及其应用综述[Ｊ].半导体技术ꎬ２００６ꎬ３１(６):４１８－４２２.[６]黄红伟ꎬ杭弢ꎬ李明.ＨＤＰ介质淀积引起的新天线效应及损伤机理[Ｊ].半导体技术ꎬ２０１５ꎬ４０(１２):９２１－９２４. [７]梁旗.天线效应的产生及修复[Ｊ].电脑知识与技术ꎬ２００８ꎬ１(５):１６４－１６５＋１８２.[８]裴星星.模拟集成电路版图设计[Ｊ].电子制作ꎬ２０１５(９):２９－３０.[９]吴冬燕.集成电路版图设计的技巧[Ｊ].福建电脑ꎬ２００９ꎬ２５(４):１８６－１８７.责任编辑:张耀华５４。
集成电路版图设计基础电阻电容匹配
共质心版图规则
一致性： 匹配器件的质心尽量一致 对称性 阵列的排布应关于X轴Y轴对称 分散性： 阵列应具有最大可能的分散性，器件的各
段应均匀分布在阵列中 紧凑型：应尽可能紧凑，最好是正方形
二维共质心阵列
二维对称轴，更好地消除梯度作用
称之为交叉耦合对， 电阻很少排列成交叉耦合对，电容、MOS管经常采用
热电效应
只要两种材料接触，就会形成接触电势差，半导 体金属的接触电势差受温度强烈影响，如果接触 发生在不同的温度，电阻两端表现为电势差。
1℃将产生0.4mV电势差
分成偶数段 一半一个方向
折叠电阻接触孔靠近 热电效应
12 静电影响 静电场会引起载流子的耗尽和积累，
电阻容易受到电压调制的影响，
12.优先使用厚氧化层电容
厚氧化层电介厚度失配比例小。
13.电容放在低应力区域
避免放在四个角，中央应力最小，从中央到边缘的一 般的距离内应力小
14.匹配电容远离功率器件
距离功耗250mW以上功率器件200-300um
15.沿芯片对称轴放置精确匹配电容
电容对应力的敏感度小于电阻，在（100）硅上，使阵 列的对称轴与芯片对称轴中一条平行。
降低，
静电屏蔽作用于电阻
电阻阵列中电阻压差很小可以采用公共屏蔽层; 如果方块电阻大，电压差超过几V，要单独屏蔽
静电屏蔽
衬底也会注入噪声，可以在器件下面放 置阱，接交流地，
VDD
器件匹配规则 1低度匹配
低匹配比较容易， 叉指结构可实现中等匹配 精确匹配很难实现
±1%的失配，6到7位分辨率，一般模拟应用， 如电流镜。
机械应力 应力梯度
电阻受应力的影响
关于集成电路版图设计中失配问题的分析
关于集成电路版图设计中失配问题的分析摘要：版图设计是集成电路设计工作中的主要内容，对电路的整体性能有着直接的影响。
版图设计是将抽象的逻辑电路转为物理图形的过程，是电路设计阶段中的最后环节。
随着半导体工艺的进一步发展，工艺尺寸越来越小，集成电路版图设计中的匹配问题越来越需要更多的关注。
本文针对版图设计中的失配问题进行深入分析，并提出了相应的版图匹配对策及优化方法，一定程度上减少在版图设计中出现失配问题的现象。
关键词：集成电路；版图设计；失配问题在实际的版图设计工作中，多数位置需要器件具有良好的对称性。
而失配问题主要是指不匹配的含义，集成电路的精准度与实用性能普遍由器件匹配的精准程度所决定，如果在运行中出现失配的情况，会导致电路的性能逐渐下降。
现代CMOS工艺愈加复杂，在提升工作速度的同时，要求工作电压越来越低。
虽然缩小器件的整体尺寸可以节约芯片的面积，有效的减少部分能耗的损失，提升本征速度，但是引入的不同模块间存在相互干扰的问题，导致版图设计无法达到预期的目标，严重的限制了系统的正常运行及精准度，因此，在集成电路工艺尺寸不断缩小的情况下，想要使集成电路性能更强，要尽可能消除失配情况。
本文主要分析集成电路版图设计中的相关失配问题。
1.产生失配问题的原因分析失配问题是指在集成电路中要进一步保证各个器件具有对称性。
如果在实际操作中出现失配的情况则会导致集成电路的精准度与主要性能不断下降。
集成电路版图设计中出现失配问题的主要原因在于两个方面:第一，没有正确地选择参数与尺寸相符的元件进而出现随机失配问题；第二，由于版图设计的相关技术不合理所导致，对此进行分析可以发现主要原因有栅氧生长、漏源注入以及蚀刻等工艺过程中几何收缩与扩大造成的差异。
器件的压力、温度等存在偏差，从而出现失配问题。
受多晶硅刻蚀率的改变及扩散区的影响，均会造成失配现象的发生[1]。
工艺偏差的问题主要出现在硅片生产的过程中，在光刻过程中如果没有正确地选择光刻胶与曝光方法，便会导致失配问题的出现。
集成电路缺陷分布模型和容错技术研究
集成电路缺陷分布模型和容错技术研究集成电路（Integrated Circuit，简称IC）是现代电子技术中的核心组成部分，广泛应用于计算机、通信、可穿戴设备等领域。
然而，由于制造过程中的不完美以及其他环境因素的影响，集成电路中常常存在一定的缺陷。
这些缺陷对集成电路的性能和可靠性产生严重影响，因此研究集成电路缺陷分布模型和容错技术变得至关重要。
集成电路的缺陷分布模型是指对集成电路中缺陷的类型、数量和位置进行概率建模的过程。
通过建立缺陷分布模型，可以更好地理解和预测集成电路中的缺陷情况，为后续的容错技术研究提供基础。
目前，研究人员提出了多种缺陷分布模型，如均匀分布模型、高斯分布模型和泊松分布模型等。
这些模型基于不同的假设和统计方法，可以根据具体应用选择合适的模型进行研究。
然而，集成电路中的缺陷分布并不是完全随机的，往往存在一定的规律性和可预测性。
因此，研究人员提出了一些高级的缺陷分布模型，如聚集模型和蔓延模型等。
聚集模型认为缺陷在集成电路中呈现出一定的聚集性，即某些区域存在更多的缺陷，而其他区域相对较少。
蔓延模型则认为缺陷在集成电路中会逐渐扩散，从而导致更多的缺陷出现。
这些高级的模型可以更准确地描述实际集成电路中的缺陷分布情况，并为容错技术提供更精确的依据。
容错技术是指通过硬件或软件手段解决集成电路中的缺陷问题，保证其正常工作和可靠性。
传统的容错技术主要包括冗余技术和纠错码技术。
冗余技术通过在集成电路中引入冗余部分，当出现缺陷时可以通过切换到冗余部分继续工作，从而实现故障的屏蔽。
纠错码技术则通过编码和解码的方式，从容错码中恢复出原始数据，修复由于缺陷引起的错误。
这些技术已经被广泛应用于各种集成电路中，提高了其可靠性和容错性能。
然而，随着集成电路尺寸的不断缩小和复杂度的增加，传统的容错技术已经难以满足现有和未来的需求。
因此，研究人员提出了一些新的容错技术。
例如，多核心容错技术允许系统在出现缺陷时自动切换到备用核心，保证系统的连续工作。
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集成电路版图设计中的失配问题研究
引言
集成电路是当今电子设备中不可或缺的关键部件，它们的设计和制造对设备的性能和
功耗有着重大的影响。
在集成电路的设计过程中，版图设计是一个非常关键的环节，而失
配问题是版图设计中一个非常重要的研究课题。
失配问题主要包括布局失配、工艺失配和
性能失配，它们会影响电路的性能和稳定性。
对失配问题的研究和解决，对于提高集成电
路的性能和稳定性具有重要的意义。
一、布局失配问题
1. 布局设计中的关键参数
在集成电路的版图设计中，布局设计是非常重要的一环。
布局失配问题主要是因为关
键参数在设计过程中未能准确布局造成的。
晶体管的位置和宽度、金属线的线宽和间距等
都是设计中非常重要的参数，如果这些参数未能准确布局，就会导致布局失配的问题。
2. 解决布局失配的方法
为了解决布局失配的问题，设计师可以采用多种方法。
通过严格的设计规范和设计流程，保证设计中的关键参数能够得到准确的布局。
可以采用自动布局工具进行布局设计，
这样可以减少因为设计师的主观误差而导致的布局失配问题。
还可以采用一些特殊的布局
技术，比如镜像布局、重复单元布局等，来减小布局失配的影响。
二、工艺失配问题
1. 工艺参数的变化
集成电路的制程是一个非常精密的过程，但是在制程中，由于各种因素的影响，工艺
参数会存在一定的变化。
这些变化包括晶体管的迁移率、金属线的电阻等，这些工艺参数
的变化会导致工艺失配的问题。
2. 解决工艺失配的方法
为了解决工艺失配的问题，设计师可以采用多种方法。
通过对工艺参数进行精确的模
拟和仿真，在设计阶段就能够发现潜在的工艺失配问题。
可以采用一些特殊的工艺技术，
比如补偿技术和优化设计技术，来减小工艺失配的影响。
还可以采用一些后端优化的方法，比如后端工艺调整和后端补偿设计等，来减小工艺失配的影响。
结论
集成电路版图设计中的失配问题是一个非常重要的研究课题，它涉及到电路的性能和稳定性。
只有通过对失配问题的深入研究和解决，才能提高集成电路的性能和稳定性，为电子设备的发展提供更好的支持。
相关领域的研究人员和企业应该共同努力，加强合作，推动失配问题的研究和解决，为集成电路行业的发展做出更大的贡献。