损耗与散热设计
[指南]电机通风散热计算简介
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电机通风散热计算简介一、电机通风散热计算目的和意义电机通风散热计算是电机设计的主要内容之一。
电机温升直接影响绕组绝缘寿命,从而关系到电机的运行寿命和可靠性。
现代电机设计多采用较高的电磁负荷,导致电机运行时的温升明显增大,因此,电机热分析显得尤为重要。
电机的热源来源于它自身的损耗,包括铁芯损耗,绕组损耗,机械损耗。
铁芯损耗包括铁芯中主要磁场变化时产生的铁芯损耗,这种损耗一般称为基本损耗。
包括定转子开槽引起气隙磁导谐波磁场在对方铁芯中引起的损耗,以及电机带负载后,由于存在漏磁场和谐波磁场而产生的损耗。
前者称为空载附加损耗,后者称为负载附加损耗。
绕组损耗包括电流在绕组中产生的损耗,这种损耗为基本铜耗。
包括电刷与集电环或换向器接触而产生的损耗,以及工作电流产生的漏磁场和谐波磁场在绕组中产生的损耗,前者称为接触损耗,后者称为绕组附加铜耗。
机械损耗包括轴承波擦损耗,电刷摩擦损耗,转子旋转时引起转自表面与气体间的摩擦损耗以及电机同轴的风扇所需的功率。
一般小型电机损耗所占比重:定子铜耗>转子铜耗>铁耗>机械损耗。
电机本身是一个热源的传导体,其热量传递过程主要是热传导和对流换热过程,即导热和对流的综合过程。
由传热的基础知识可知,上述过程与介质的导热系数和表面传热系数直接有关。
导热系数适当温度梯度为1时,单位时间内通过单位面积的导热量。
导热系数的大小与材料的性质有关,同一材料的导热系数随温度,压力,多孔性和均匀性等因素而变化。
通常温度是决定性因素。
对于绝大多数物质而言,当材料温度尚未达到融化或气化以前,导热系数可以近似地认为是线性规律变化,即:0(1)btλλ=+。
其中λ指温度为零时的导热系数b是由试验确定的常数。
气体固体液体的导热系数彼此相差悬殊。
一般情况下金属>液体>气体>绝缘材料。
由上述内容可知大型电机本身是一个由多种材料组合而成的组合体,它的发热过程较复杂,因而它的温升过程也较复杂,但在一定的容量下,各部分的温升是一定的,温度分布也是一定的。
MOSFET损耗计算

MOSFET损耗计算MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)是一种常用的功率开关器件,广泛应用于电力电子领域。
在使用MOSFET进行功率开关时,会产生一定的损耗,包括导通损耗和关断损耗。
正确计算MOSFET的损耗对于设计和选择合适的散热系统非常重要,下面将详细介绍MOSFET的损耗计算方法。
1.导通损耗计算:导通损耗是指MOSFET在导通状态下产生的功耗。
导通损耗可以通过以下公式计算:P_cond = I^2 * Rds(on)其中,P_cond为导通损耗,I为MOSFET的导通电流,Rds(on)为MOSFET的导通电阻。
导通损耗主要由两部分组成:静态导通损耗和动态导通损耗。
静态导通损耗是指MOSFET在导通状态下的稳态功耗,可以通过上述公式计算得到。
动态导通损耗是指由于MOSFET的导通电阻在开关过程中的变化引起的功耗,通常可以通过MOSFET的参数手册或者开关特性曲线来得到。
2.关断损耗计算:关断损耗是指MOSFET在关断状态下产生的功耗。
关断损耗由MOSFET 的关断电流和关断电压引起,可以通过以下公式计算:P_sw = Vds * Id * t_sw其中,P_sw为关断损耗,Vds为MOSFET的关断电压,Id为MOSFET 的关断电流,t_sw为关断时间。
关断损耗由两部分组成:静态关断损耗和动态关断损耗。
静态关断损耗是指MOSFET在关断状态下的稳态功耗,可以通过上述公式计算得到。
动态关断损耗是指由于开关过程中MOSFET的关断电流和关断时间的变化引起的功耗,通常可以通过MOSFET的参数手册或者开关特性曲线来得到。
3.总损耗计算:总损耗是指MOSFET在导通和关断状态下产生的功耗之和。
总损耗可以通过以下公式计算:P_total = P_cond + P_sw4.散热设计:4.1确定MOSFET的最大工作温度,一般来说,MOSFET的最大工作温度应该低于其额定温度。
4.2 计算MOSFET的热阻(Rth):Rth = (Tj - Ta) / P_total其中,Tj为MOSFET的结温,Ta为环境温度,P_total为MOSFET的总损耗。
高压低压配电柜的散热设计与优化

高压低压配电柜的散热设计与优化一、引言在现代工业生产中,高压低压配电柜广泛应用于电力系统中,它是系统中的一个重要部分,负责对电能进行分配和控制。
然而,高压低压配电柜在长时间运行中会产生大量的热量,如果散热不良,将会对设备的运行稳定性和寿命造成严重影响。
因此,本文旨在探讨高压低压配电柜的散热设计与优化方法,以提高设备的散热效果和工作效率。
二、散热设计要考虑的因素1. 高压低压配电柜的结构高压低压配电柜通常由外壳、散热器、风扇、散热片等部分组成。
在设计过程中,需要充分考虑散热器的位置、大小以及散热片的密度,以便达到最佳的散热效果。
2. 热量产生的因素高压低压配电柜在运行中会产生大量的热量,主要源自电器元件的功耗和损耗。
因此,在设计过程中,需要准确计算电器元件的功耗,并根据功耗大小确定散热器和风扇的规格。
3. 空气流动的影响空气流动是高压低压配电柜散热的重要因素之一。
合理调整散热器和风扇的位置,可以有效提高空气流通,增强散热效果。
此外,还可以通过增加散热孔和散热槽等设计来改善空气流动。
三、散热设计与优化方法1. 合理选择散热器和风扇散热器和风扇是高压低压配电柜散热设计的核心。
在选择散热器和风扇时,需要考虑功率因数、风量、噪音等因素。
同时,根据实际情况,可以选择不同类型的散热器和风扇组合,以达到最佳散热效果。
2. 加强散热片的设计散热片是提高高压低压配电柜散热效果的重要组成部分。
通过增加散热片的密度和表面积,可以提高热量的散发速度,从而提高散热效果。
此外,还可以采用铝制散热片,因其导热性能好,可以更好地散热。
3. 调整散热器和风扇的位置根据高压低压配电柜内部的空间布局,可以合理调整散热器和风扇的位置。
通过使空气流通畅通,可以提高热量的传导效率,从而减少设备运行时的温度。
4. 设计散热孔和散热槽散热孔和散热槽是高压低压配电柜散热设计中常用的手段。
通过增加合理的散热孔和散热槽,可以增强空气流动,加快热量的散发速度,从而改善整体散热效果。
DCDC变换器热损耗分析与散热系统设计工具

DCDC变换器热损耗分析与散热系统设计工具DCDC变换器是一种常见的电力转换器件,用于将电源中的直流电压转换为所需的电压等级。
然而,这种转换过程通常伴随着热损耗的产生,如果不能有效地散热,可能会导致变换器的过热甚至损坏。
因此,在DCDC变换器的设计过程中,热损耗的分析和散热系统的设计变得至关重要。
热损耗分析是DCDC变换器设计中不可或缺的一步。
热损耗的分析能够帮助工程师们了解电路中的功耗分布,并确定哪些部分会产生较大的热量。
一般来说,DCDC变换器的主要热源包括开关管、电感和电容等元件。
通过对这些元件的热耦合和传导进行深入分析,可以准确计算出它们的热损耗,并进而为散热系统的设计提供依据。
在热损耗分析之后,散热系统的设计就成为了关注的重点。
散热系统的设计需要综合考虑多个因素,如空间限制、散热材料的选择和散热结构等。
首先,根据电路板的尺寸和布局,确定散热器的大小和形状。
然后,选择合适的散热材料,如铝、铜或其他导热性能良好的材料,以提高散热效果。
最后,根据热损耗分析的结果,设计合适的散热结构,如散热片、散热鳍片或导热管等,以增加散热面积和散热效率。
为了更方便地进行DCDC变换器的热损耗分析和散热系统的设计,工程师们通常会使用专门的工具。
这些工具通常包括热仿真软件和散热设计软件。
热仿真软件可以帮助工程师们建立准确的热传导模型,并进行热分析和热仿真,以预测变换器在不同工况下的温度分布。
散热设计软件则可以提供各种散热器的参数选择和设计方案,如散热片的数量和尺寸、风扇的转速和风量等,以满足变换器的散热需求。
综上所述,DCDC变换器的热损耗分析和散热系统的设计是变换器设计过程中十分重要的一环。
通过准确的热损耗分析和合理的散热系统设计,可以有效地避免变换器的过热问题,提高系统的可靠性和稳定性。
同时,借助热仿真软件和散热设计软件等工具,可以帮助工程师们更快、更准确地完成DCDC变换器的设计工作。
总结:本文描述了DCDC变换器热损耗分析与散热系统设计工具的重要性以及设计的基本步骤。
Pcb热设计原则

千里之行,始于足下。
Pcb热设计原则PCB热设计原则是指在PCB设计过程中,考虑到电子元器件的热耗散和散热问题,采取一系列的设计措施,以保证电子器件在工作过程中能够保持稳定的温度,提高系统的可靠性和性能。
下面将从四个方面介绍PCB热设计原则。
一、散热设计散热设计是保证PCB工作稳定的重要措施之一。
在设计时,应尽量减少热量的产生和积聚,通过散热装置将热量有效地散出。
具体措施包括:1. PCB布局时,应合理地布置元器件和散热器,避开集中布置热量较大的元器件。
2. 选择合适的散热材料和散热装置,如散热片、散热鳍片等。
同时,要考虑散热装置与元器件之间的接触良好,以提高散热效果。
3. 加强散热设计时,也要考虑到电磁兼容和机械强度等问题。
避免散热装置对其他元器件产生干扰或破坏。
二、电路布局合理的电路布局能够提高电路的性能和散热效果。
具体措施包括:1. 根据电路的功能需求,合理划分电路板的布局区域,并在不同区域放置相应的元器件。
例如,可以将功耗较大的元器件集中在一起,方便散热。
第1页/共3页锲而不舍,金石可镂。
2. 路线布局时,要尽量缩短导线的长度,减小电阻和电感,降低热量的产生。
3. 多层布局时,要注意在内层布局热量较大的元器件,以避免热量积聚。
三、电源设计电源稳定性是保证系统正常工作的关键因素之一。
电源设计中需要考虑热的因素主要包括:1. 根据系统需求选择合适的电源,以确保电路的功率供应稳定。
2. 对电源元器件进行降温设计,如加装散热片、散热器等。
3. 合理设计电源线路,尽量减小线路的损耗和热量产生。
四、材料选择在PCB热设计中,选择合适的材料能够提高散热效果和电路的可靠性。
具体措施包括:1. 选择导热性能好的基板材料,如高导热薄膜、金属基板等。
2. 选择低温系数的封装材料,以确保元器件在温度变化时不会受到损害。
3. 合理选择元器件的封装形式,如QFN、BGA等封装形式有利于热传导和散热。
总结千里之行,始于足下。
变频器中的IGBT模块损耗计算及散热系统设计

变频器中的IGBT模块损耗计算及散热系统设计一、本文概述随着电力电子技术的快速发展,变频器作为电能转换与控制的核心设备,在工业自动化、新能源发电、电动汽车等领域得到了广泛应用。
绝缘栅双极晶体管(IGBT)作为变频器的关键功率器件,其性能直接影响到变频器的效率和可靠性。
IGBT模块的损耗计算和散热系统设计是变频器设计中的重要环节,对于提高变频器性能、降低运行成本、延长设备寿命具有重要意义。
本文旨在探讨变频器中IGBT模块的损耗计算方法和散热系统设计原则。
我们将分析IGBT模块的工作原理和损耗产生机制,包括通态损耗、开关损耗等。
在此基础上,我们将介绍损耗计算的数学模型和计算方法,以及如何通过实验手段验证计算结果的准确性。
我们将重点讨论散热系统的设计原则和优化方法,包括散热器结构设计、散热风扇的选择与控制、散热系统的热仿真分析等。
本文将总结一些实际应用中的经验教训,提出针对IGBT模块损耗计算和散热系统设计的优化建议,为变频器设计工程师提供有益的参考。
通过本文的研究,我们期望能够为变频器设计中的IGBT模块损耗计算和散热系统设计提供理论支持和实践指导,推动变频器技术的持续发展和应用创新。
二、IGBT模块损耗计算绝缘栅双极晶体管(IGBT)是变频器中的关键元件,其性能直接影响变频器的效率和可靠性。
IGBT模块的损耗计算是散热系统设计的基础,对于确保变频器的稳定运行具有重要意义。
IGBT模块的损耗主要包括通态损耗和开关损耗两部分。
通态损耗是指IGBT在导通状态下,由于电流通过而产生的热量损耗。
开关损耗则发生在IGBT的开通和关断过程中,由于电压和电流的乘积在时间上的积分不为零,导致能量损失。
通态损耗的计算公式为:Pcond = Icoll * Vce(sat),其中Icoll 为集电极电流,Vce(sat)为饱和压降。
饱和压降是IGBT导通时电压降的一个重要参数,它与集电极电流、结温和门极电流等因素有关。
电源散热解决方案

电源散热解决方案随着电子设备的不断发展和普及,电源的功率也越来越大,导致电源的散热问题变得愈发重要。
过高的温度会对电源的稳定性和寿命产生不利影响,甚至可能造成短路、火灾等安全隐患。
因此,如何解决电源散热问题成为了电源设计中需要重点考虑的一个方面。
一、散热原理电源散热的原理主要有传导、对流、辐射,其中对流散热是最常用的方式。
传导散热是指通过材料之间的热传导方式进行散热,就像把手放在火上感觉到的热度。
二、解决散热问题的方法1.提高散热面积增大散热面积可以提高热量的分散程度,从而降低电源的温度。
可以通过增加散热片、散热器等方式来增大散热面积。
2.优化散热结构合理设计电源的散热结构可以提高散热效果。
例如,在散热片上加装风扇可以加速空气对流,增大散热效果。
同时,还可以加装散热胶和散热硅脂等热导材料,提高散热效果。
3.控制设备温度通过控制电源的运行温度,可以减少电源产生的热量,从而降低温度。
可以使用温度传感器和风扇控制模块来实现。
4.优化电路设计合理的电路设计可以减少功率损耗,减少发热量。
例如,选择低功耗元件和高效电源设计,合理设计散热减阻等。
5.使用散热材料选择热导率高的散热材料,例如铜材、铝材等,可以提高热量的传导速度,加快散热速度。
6.控制电源负载合理控制电源的负载可以减少功率的损耗,从而减少散热问题。
可以根据实际需求选择合适的电源容量。
7.定期清理散热器定期清理电源散热器,减少灰尘的堆积,可以提高散热效果,避免散热器堵塞。
8.使用外置电源外置电源相对于内置电源来说,更容易散热。
如果设备允许,可以考虑使用外置电源,减少对设备内部的热量产生。
以上是一些常见的解决电源散热问题的方法,但是具体的解决方案需要根据具体电源的参数和要求,进行综合评估和优化设计。
同时需要注意的是,在解决散热问题时一定要保证安全可靠,防止发生火灾等安全事故。
svg热损耗计算及散热设计

DOI:10.3969/j.issn.2095-509X.2019.12.017SVG热损耗计算及散热设计张中胜ꎬ于海波ꎬ盛晓东ꎬ刘国伟(南京南瑞继保工程技术有限公司ꎬ江苏南京㊀211102)摘要:可靠的散热设计是SVG产品长期稳定运行的关键ꎬ在详细分析IGBT模块热功耗构成的基础上ꎬ通过ICEPAK热仿真软件对某SVG产品的整机热设计进行全面优化ꎬ最终实现温升低于37K㊁保证SVG产品长期稳定运行的控制目标ꎬ并结合实验测试验证了设计数据ꎮ关键词:SVGꎻ热损耗计算ꎻ离心风机ꎻICEPAKꎻ风冷散热器中图分类号:TM762㊀㊀㊀文献标识码:A㊀㊀㊀文章编号:2095-509X(2019)12-0076-04㊀㊀静止无功发生器(staticvargeneratorꎬSVG)依靠大功率电力电子器件的高频开关实现无功能量的变换ꎮ基本原理是将自换相桥式拓扑电路通过电抗器直接并联在电网上ꎬ通过调节桥式电路交流侧输出电压的相位和幅值或者直接控制其交流侧电流相位或幅值ꎬ实现动态无功补偿的目的ꎮSVG系统工作时ꎬ功率器件在开通㊁关断过程中会产生大量的功率损耗ꎬ产生的损耗会以热量的形式耗散出来[1]ꎬ因此能否保证SVG系统可靠散热ꎬ对SVG系统运行寿命至关重要ꎮ本文以某SVG系统为例ꎬ对产品的散热设计进行了较为详细的阐述ꎮ1㊀SVG系统介绍无功补偿技术发展历程是一个不断创新㊁发展㊁完善的过程ꎬ如图1所示ꎮ其经历了固定补偿㊁以调压调容(VCQV/TSC)的方式进行无功补偿㊁动态无功补偿等阶段ꎮ图1㊀无功补偿技术发展历程图㊀㊀SVG系统装置可提供连续快速可调的感性和容性无功ꎬ装置无级动态补偿调节范围大ꎬ响应速度快[2]ꎬ整机响应时间<5msꎮ同时控制灵活ꎬ可单独补偿电压㊁无功㊁功率因数ꎬ各种模式可无缝切换ꎮSVG系统完全能满足电网无功补偿及谐波治理的要求ꎬ是目前最先进的无功补偿技术之一ꎮ2㊀功率模块功耗计算在SVG系统中ꎬIGBT模块是控制整个系统关断㊁整流逆变的核心器件ꎬSVG系统运行时IGBT模块会产生大量的热量ꎬ是SVG系统损耗的主要来源ꎮIGBT模块损耗包括通态损耗和开关损耗ꎬ将IGBT的输出特性曲线运用线性化思想近似为一条直线ꎬ由于开关过程分为开通㊁关断和恢复3个时刻[3]ꎬ因此相应地将IGBT模块的总损耗分为4部分ꎬ即通态损耗㊁开通损耗㊁关断损耗和恢复损耗ꎮ本文所述SVG系统的工作参数见表1ꎮ表1㊀SVG系统工作参数参数数值额定集电极电流ICN/A650SVG额定电流ICQ/A462额定压降VCEN/V1.6额定的开通时间trN/μs0.12额定关断时间tfN/μs0.57反向恢复时的额定峰值电流IrrN/A653续流二极管反向恢复时间trrN/μs0.50IGBT开启电压VCE0/V1.0续流二极管门槛电压VF0/V1.0集电极峰值电流ICM/A653集电极电压Vcc/V1000开关频率fs/Hz450㊀㊀把各个参数数值代入损耗计算公式ꎬ得到IG ̄BT模块各部分损耗值如下ꎮ收稿日期:2018-06-29作者简介:张中胜(1985 )ꎬ男ꎬ工程师ꎬ硕士ꎬ主要从事电力系统一次设备的结构设计工作ꎬzhangzs@nari-relays.com.67 2019年12月㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀机械设计与制造工程㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀Dec.2019第48卷第12期㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀MachineDesignandManufacturingEngineering㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀Vol.48No.12㊀㊀1)通态损耗Pfw/VꎮPfw/V=12πʏπ0νCEiCδdα=12πʏπ0(VCE0+rCEsinα)ˑ(ICMsinα)ˑ{12[1+Msin(α+θ)]}dα=(18+Mcosθ3π)VCEN-VCEOICNI2CM+(12π+Mcosθ8)ˑVCE0ICM=232W式中:νCE为IGBT的通态电压ꎻδ为占空比ꎻiC为集电极电流ꎻrCE为通态电阻ꎻM为调制度ꎻθ为电压和电流之间的相角ꎻα为调制角度ꎮ2)开通损耗PonꎮPon=18VcctrNI2CMICNfs=4.5W3)关断损耗PoffꎮPoff=VccICMtfNfs(13π+124ICMICN)=25W4)恢复损耗Prrꎮ开通IGBT时其集电极电流达到iC后会继续上升ꎬ一直达到峰值后再下降到iCꎬ因此会出现一段超调量ꎮPrr=fsEoff=fsVcc{[0.28+0.38ICMπICN+0.015ˑ(ICMICN)2]ˑIrrNtrrN2+(0.8π+0.05ICMICN)ICMtrrN}=75W式中:Eoff为功率谱密度ꎮ综上ꎬ1个IGBT模块由4个IGBT器件(注:本文所述的1个IGBT模块封装中含有2个IGBT器件)和1个电阻组成ꎬ电阻损耗值为100Wꎬ所以单模组总的热损耗PIGBT为:PIGBT=2ˑ2ˑ(Pfw/V+Pon+Poff+Prr)+100=1446W3㊀散热仿真计算3.1㊀冷却方式选择对于SVG等大功率大损耗系统ꎬ自然冷却是无法满足设计需求的ꎮ常规的强迫冷却方式主要有风冷㊁水冷和油冷ꎮ鉴于水冷和油冷成本高ꎬ维护工作量大等原因ꎬ本文采用强迫风冷[4]进行系统冷却ꎮSVG功率单元在柜体内呈阵列放置ꎬ为保证功率单元的风量均匀性ꎬ选用离心风机进行抽风冷却ꎮ3.2㊀结构描述图2为SVG散热器热源分布图ꎬ其中2个IG ̄BT模块和1个电阻安装在散热器上组成散热器组件ꎮ散热器组件和电容㊁控制板卡等共同组成SVG功率单元ꎬ如图3所示ꎮ6个功率单元分3层放置于1个功率柜体内ꎬ功率柜后侧安装1个离心风机ꎬSVG功率柜结构如图4所示ꎮ图2㊀SVG散热器热源分布图㊀图3㊀SVG功率单元结构3.3㊀热仿真计算模型搭建根据2中计算的损耗结果ꎬ结合IGBT模块和电阻尺寸ꎬ散热器尺寸选定为260mmˑ380mmˑ100mmꎬ材质选用常规的6061ꎬ单齿厚度1.5mmꎬ相邻齿中心距为4mmꎮ根据允许温升和理论计算的功率损耗ꎬ本散热器的热阻为:热阻=温升损耗=371446=0.026K/W在ICEPAK软件中建立散热器组件模型和功率柜模型[5]ꎬ如图5和图6所示ꎮ㊀图4㊀SVG功率柜结构㊀㊀㊀图5㊀ICEPAK软件中散㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀热器组件模型图6㊀ICEPAK软件中SVG功率柜模型77 2019年第12期㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀张中胜:SVG热损耗计算及散热设计3.4㊀风机选型影响散热器性能的主要因素有散热器体积㊁热源位置㊁热源热密度以及风量ꎮ其中ꎬ风量与风机性能直接相关ꎮ风机选型和散热器的设计往往是相互依赖㊁相互调整㊁相互仿真适配的过程ꎮ柜体风道路径复杂ꎬ功率单元数量多ꎬ对风量要求高ꎬ对不同散热器的风冷均匀性要求较高ꎮ综合以上几点ꎬ离心风机更适合SVG类产品ꎮ经过对EBM厂家离心风机规格参数的研究ꎬ选择R3G-400-AQ23型号风机ꎬ风量风压曲线如图7所示ꎮ图7㊀R3G-400-AQ23风量风压曲线㊀㊀通过ICEPAK仿真模型计算ꎬ可以得到各个功率单元风量分布ꎬ如图8所示ꎮ图8㊀各功率单元风量分布图㊀㊀风量计算结果表明ꎬ单个散热器的风量最小为350CFMꎬ环境温度设定为40ħꎬ利用此边界条件计算单个散热器的温升ꎬ散热器仿真计算结果温度分布如图9所示ꎮ㊀㊀由图可知ꎬR3G-400-AQ23风机下散热器的最高温度为75.8ħꎬ满足设计需求ꎮ图9㊀散热器仿真计算结果温度分布云图4㊀试验为了验证仿真结果的可靠性ꎬ本文对所设计散热器进行试验验证.试验分两步:第一步ꎬ测试单个散热器散热能力ꎻ第二步ꎬ进行工程现场测量ꎬ即在SVG满功率运行状态下测试散热器散热能力ꎮ通过和仿真计算值进行对比ꎬ验证热设计的正确性ꎮ4.1㊀散热器试验在单个散热器实验测量中ꎬ使用可加热铜块代替IGBT模块ꎬ铜块外形尺寸和IGBT尺寸相同ꎬ紧固螺钉也相同ꎮ每个可加热铜块通过单独的直流源装置控制功耗ꎬ风量定为350CFMꎮ在散热器上特定的点布置两个热电耦ꎬ进行温度值测试采集ꎮ待系统稳定后(各测点温度值的变化稳定在1ħ范围内)ꎬ进行测量读数ꎮ测试时环境温度为24ħꎬ试验针对监测点仿真温升与实测温升进行对比ꎬ相关结果见表2ꎮ表2㊀仿真温升与实测温升对比表实测温升/ħ仿真温升/ħ误差/ħ监测点133.035.12.1监测点234.635.81.2㊀㊀由表2可知ꎬ实测温升与仿真温升的误差在3ħ以内ꎬ即误差在允许范围内ꎬ说明仿真数据是可靠的ꎮ4.2㊀实机满功率试验为进一步验证仿真的可靠性ꎬ选择在工程现场进行测试ꎮ需要指出的是ꎬ产品测温设备采用常规的PT100设备ꎬ如图10所示ꎮ由于其有一定的体积且需要与功率单元其他零件接线ꎬ因此PT100设备并不能放置到IGBT的正下方ꎬ选择将PT100放置于两个IGBT中间仿真温度最高的地方ꎮ新疆地区某SVG工程现场温度监控结果如图11所示ꎮ872019年第48卷㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀机械设计与制造工程㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀图10㊀PT100设备㊀㊀图11㊀新疆地区某SVG工程㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀现场温度监控图㊀㊀采集时间为2016年12月24日凌晨3点ꎬ环境温度为-2ħꎮ仿真温升与系统实测温升对比结果见表3ꎮ表3㊀仿真温升与系统实测温升对比表SVGA相功率单元实测温度/ħ温升/ħ仿真温升/ħ仿真与实测差值/ħ功率单元1283031.91.9功率单元2272931.22.2功率单元3272932.03.0功率单元4272931.52.5功率单元5272931.12.1功率单元6272931.02.0平均值27.229.232.12.9㊀㊀从表3可以看出ꎬ仿真温升和实测温升误差在3ħ以内ꎮ考虑到热电耦的传递损耗热阻等因素ꎬ可以认为针对IGBT损耗的热设计是可靠㊁准确的ꎮ5㊀结论本文通过功耗计算㊁热仿真㊁试验测试等工作ꎬ完成了整个SVG产品的热设计ꎬ计算结果表明:1)推导计算出的IGBT器件损耗是正确的ꎮ2)仿真计算数据与实测数据的误差在ʃ10%范围内ꎬ仿真计算的结果可以有效指导散热器的设计ꎬ提升产品研发效率ꎮ3)所设计的散热器可有效控制IGBT模块的温升ꎬ满足SVG散热设计的目标ꎮ参考文献:[1]㊀张明元ꎬ沈建清ꎬ李卫超ꎬ等.一种快速IGBT损耗计算方法[J].船电技术ꎬ2009ꎬ29(1):33-36.[2]㊀李超ꎬ崔大明ꎬ侯庆雷.关于电力系统动态无功功率优化调度的探讨[J].科技传播ꎬ2015(18):46ꎬ56.[3]㊀杜毅ꎬ廖美英.逆变器中IGBT模块的损耗计算及其散热系统设计[J].电气传动自动化ꎬ2011ꎬ33(1):42-46. [4]㊀郭永生ꎬ王志坚.大功率器件IGBT散热分析[J].山西电子技术ꎬ2010(3):16-18.[5]㊀毛志云ꎬ王艳ꎬ姚志国ꎬ等.基于ICEPAK的SVG功率柜散热系统分析[J].电气技术ꎬ2016(1):72-86.SVGheatlosscalculationandheatdissipationdesignZhangZhongshengꎬYuHaiboꎬShengXiaodongꎬLiuGuowei(NanjingNRJibaoElectricCo.ꎬLtd.ꎬJiangsuNanjingꎬ211102ꎬChina)Abstract:Theheatdissipationdesignisakeyfactorwhichaffectsthelong ̄termreliableoperationofSVGprod ̄ucts.OnthebasisofanalysisforthethermalpowerconsumptionofIGBTmodulesꎬitcomprehensivelyoptimizesthethermaldesignofaSVGproductwithICEPAKsoftwareꎬrealizesthatthetemperatureriseislowerthan37K.Thisensuresthelong ̄termstableoperationofSVGproducts.Thepapershowsthattheexperimentaltestsverifytheabovedesigndata.Keywords:SVGꎻcalculationofthermallossꎻcentrifugalfanꎻICEPAKꎻaircooledradiator972019年第12期㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀张中胜:SVG热损耗计算及散热设计。
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第8章 损耗与散热设计开关电源是功率设备,功率元器件损耗大,损耗引起发热,导致元器件温度升高,为了使元器件温度不超过最高允许温度,必须将元器件的热量传输出去,需要散热器和良好的散热措施,设备的体积重量受到损耗限制。
同时,输出一定功率时损耗大,也意味着效率低。
8.1热传输电子元器件功率损耗以热的形式表现出来,热能积累增加元器件内部结构温度,元器件内部温度受最高允许温度限制,必须将内部热量散发到环境中,热量通过传导、对流和辐射传输。
当损耗功率与耗散到环境的功率相等时,内部温度达到稳态。
1. 传导传导是热能从一个质点传到下一个质点,传热的质点保持它原来的位置的传输过程,如图8-1固体内的热传输。
热量从表面温度为T 1的一端全部传递到温度为T 2的另一端,单位时间传递的能量,即功率表示为 T R T l T T A P ∆=-=)(21λ (8-1) 式中 Al R T λ= (8-2) 称为热阻(℃/ W );l -热导体传输路径长度(m);A -垂直于热传输路径的导体截面积(m 2);λ-棒材料的热导率(W/m ℃),含90%铝的热导率为220W/ m ℃,几种材料的热导率如表8-1所示;ΔT =T 1-T 2温度差(℃)。
例:氧化铝绝缘垫片厚度为0.5mm ,截面积2.5cm 2,求热阻。
解:由表8-1查得λ=20 W/m ℃,根据式(8-2)得到340.5100.120 2.510t R --⨯==⨯⨯℃/ W 式(8-1)类似电路中欧姆定律:功率P 相当于电路中电流,温度差;ΔT 相当于电路中电压。
半导体结的热量传输到周围空气必然经过几种不同材料传输,每种材料有自己的热导率,截面积和长度,多层材料的热传输可以建立热电模拟的热路图。
图8-2是功率器件由硅芯片的热传到环境的热通路(a)和等效热路(b)。
由结到环境的总热阻为 sa cs jc js RRR R ++= (8-3) 上式右边前两个热阻可以按式(8-2)计算,最后一项的热阻在以后介绍的方法计算。
如果功率器件损耗功率为P ,则结温为 a sa cs jc j T R R R P T +++=)( (8-4) 式中R jc , R cs 及R sa 分别表示芯片结到管壳,管壳到散热器和散热器到环境热阻。
除了散热器到环境的热阻R sa 外,其余两个热阻可以按式(8-2)计算。
(a)(b) 图8-2功率器件热传输和等效热路图从式(8-4)可见,要使结温T j 不超过最高允许温度T jM ,应当器件降低功耗P ,或者减少热阻。
一定的封装,决定了管壳和芯片结构,也就决定了结到壳的内热阻R jc 。
如果希望R jc 小,热传输路径l 要尽可能短,但受到器件承受的电压、机械平整度等限制;还要使传输截面积尽可能大,但这受到例如寄生电容等限制。
封装一般采用高热导率材料减小热阻。
高功率器件直接安装在空气冷却,甚至水冷散热器上。
尽量减少结到壳热阻R jc ,一般可以小于1W/℃。
手册中常给出结到壳热阻R jc ,最高允许结温T jM 和最大允许损耗P M ,或最高允许结温T jM 最大允许功率损耗P M 和允许壳温T c 。
如果是后者,根据已知数据就可以知道结到壳热阻 jM cjc M T T R P -= W/℃ (8-5)壳到散热器通常有一层绝缘导热垫片,绝缘垫片可以用氧化铝、氧化铍、云母或其他绝缘导热材料。
壳到散热器热阻R cs 包含两部分:绝缘垫片热阻和接触热阻。
绝缘导热垫片热阻可按式(8-2)计算。
例如用于TO -3封装的75μm 绝缘云母片热阻大约1.3℃/ W 。
但是,固体表面再好精加工,表面总是点接触,存在很大接触热阻,应当施加适当的装配压力,增大接触面,即便如此,表面之间仍有空气隙存在,对热阻影响很大。
太大的压力会使器件内部结构变形,可能适得其反,一般使用力矩板手保证确定的压力,又不致器件安装变形。
同时,材料接触表面应当平整、无瘤、坑,并在适当压力的前提下,绝缘垫片涂有混合导热良好氧化锌的硅脂,驱赶表面间空气,使接触热阻下降50%~30%。
TO3封装当涂有硅脂或导热材料时热阻大约0.4℃/ W 。
如果应用复合材料过多,层太厚将增加热阻。
接触热阻可按下式计算 'cs R A β= W/℃ (8-6)A 为接触表面积,cm 2;β-金属对金属为1,金属对阳极化为2;如果有硅脂分别为0.5和1.4。
2. 瞬态热抗众所周知,物体在传输热量之前,必须吸收一定的热能加热本身到高于环境的相应温度;而当热源去掉后,这部分热能经过一定时间释放掉,温度降低到环境温度。
这相似电容的充电和放电效应。
在热电模拟等效热路中引入热容的概念。
在电源开机、关机和瞬态过载等情况下,功率器件往往在瞬间损耗(浪涌)大大超过平均损耗,引起芯片结温瞬间升高,结温是否超过最大允许结温,这与功率浪涌持续时间以及器件的热特性有关。
在瞬态情况下,热传输的热路中必须考虑热容C s 。
材料的单位体积(或质量)的热容定义为热能Q 相对于材料温度T 的变化率,即 /v dQ dT C = 其中C v 是单位体积热容,每度(K )单位体积的焦耳,或称为比热。
对于矩形截面A 材料,长度(热传输方向)d 的热容C s 如下 s v C C Ad = (8-7) 结温瞬态特性类似于电力传输线,等效电路方程的解很复杂。
通过热电模拟可以得到方程的近似解,稳态模型如图8-2所示。
如果输入功率P(t)是阶跃函数(图8-3(a)),考虑热容的等效热路如图8-3(a)所示,短时间温升T j (t)为()120()4/j t s a T t P t R C T π=+⎡⎤⎣⎦ (8-8)式中P 0为功率阶跃幅值,并假定t 小于热时间常数近似解为/4t s R C τπ= (8-9)Pa t(c) 图8-3 等效热路瞬态热抗(a),阶跃输入(b)和瞬态热阻抗响应如果时间大于时间常数τ,T j 接近稳态值P 0R t +T a 。
图的纵轴T j /P 0是瞬态热阻抗Z t (t)=T j (t)/P 0。
但是,热传输相似于电网传输线,不是集中参数,热时间常数不能简单使用类似电路中的RC 时间常数。
式(8-9)是时间小于τ时的级数展开项,是t 的1/2次方,而不是简单的指数关系。
在实际器件中,热传输路径中不是一种材料,而是多种材料的多层结构,实际热系统是非线性高阶系统。
制造厂在功率器件手册中常提供如图8-4所示的瞬态阻抗曲线。
如果输入功率的时间函数已知,可以利用热抗曲线预计结温:()()()j a T t P t Z t T =+ (8-10)例如,IRFI4905通过启动时瞬时矩形功率脉冲150W ,脉冲宽度20μs ,占空比D =0.2,查得Z tjc =0.53W/℃,环境温度35 ℃于是1500.5335114.5j T =⨯+=℃实际上,功率脉冲一般不是矩形的,可以用幅值相等、能量(功率时间积分)相等原则求出脉冲宽度。
3. 散热器在式(8-3)中,我们已经解决了R jc 和R cs ,前者由器件厂商提供,后者可以根据绝缘要求选取适当的材料计算求得。
在一定的损耗功率P 时,要选择恰当的散热器,保证器件结温不超过最大允许结温。
目前使用的散热器平板、叉指型和翼片铝型材。
自然冷却散热器翼片之间的距离较大,至少应当10~15mm 。
散热器表面黑色阳极化使热阻减少25%,但成本增加。
自然对流冷却热时间常数在4~15分钟。
如果加风扇,热阻下降,使得散热器小而轻,同时也减少热容C s 。
对于强迫风冷散热器大大小于自然对流冷却散热器。
强迫风冷散热器的热时间常数典型值可以小于1分钟。
用于强迫风冷散热器叶片之间距离可以为几个mm 。
在高功率定额,采用热管技术或油冷、水冷进一步改善热传导。
散热器大小与器件可以允许的最高结温有关。
对于最坏情况设计,规定了最高结温T jM ,最高环境温度T amax ,最高工作电压和最大通态电流。
如果最大占空比、最大通态电流和最大通态电阻已知(由手册可以查得T jM 和最大电流)就可以计算功率器件中最大功率损耗。
如果器件结温125℃,TO -3晶体管,其功耗为26W ,制造厂提供R jc =0.9℃/ W 。
使用带有硅脂的75μm 云母垫片,其综合热阻为0.4℃/ W 。
散热器安装处最坏环境温度是55℃,根据式(8-4)求得散热器到环境的热阻为 12555(0.90.4) 1.3926t R -=-+=℃/ W图8-4 IRFI4905 MOSFET 结到壳最大瞬态热抗图(International Rectifier -IR) 矩形脉冲宽度(s) 单脉冲(热抗) 热阻抗(Z t j c )占空比峰值T j =P DM ×Z tjc +T c注:手册中常给出铝型材单位长度热阻,由计算出的散热器热阻求出需要该散热器型材的长度。
4. 对流和辐射传热生产厂提供的散热器数据是该散热器在规定环境温度散热器到环境的热阻R sa 。
此热阻包含了辐射和对流热阻,它们与环境温度有关。
因此有必要了解散热器对流和辐射热传输机理。
对流和辐射热阻与传导热阻并联。
辐射热阻根据斯蒂芬-波尔兹曼定律,经辐射传输的热能()8445.710s a P EA T T -=⨯- (8-11a )P 为辐射功率(W);E 为表面发射率;T s 为表面温度(°K) ;T a 为环境温度或周围温度(°K);A 为散热器外表面(包括叶片)(m 2)。
对于黑色表面如黑色阳极化铝散热器E =0.9。
对于磨光铝,E 可能小到0.05。
对于黑色阳极化铝散热器可以将上式重新写成 445.1100100s a T T P A ⎛⎫⎛⎫⎛⎫=- ⎪ ⎪ ⎪ ⎪⎝⎭⎝⎭⎝⎭ (8-11b ) 根据热路欧姆定律,辐射热阻为 445.1100100rt s a TR T T A ∆=⎡⎤⎛⎫⎛⎫-⎢⎥ ⎪ ⎪⎝⎭⎝⎭⎢⎥⎣⎦如果T s =120℃=393K ;T a =20℃=293K ,则辐射热阻 0.12rt R A=℃/ W 例:每边10cm 表面阳极化的黑色立方体,表面温度T s =120℃,环境温度为T a =20℃,辐射热阻 20.12260.1rt R ==⨯℃/ W 对流热阻 如果垂直高度d 小于1m ,对流带走的热能 ()1.250.251.34T P A d ∆=(W ) (8-12)ΔT 为物体温度与环境空气的温度差(℃),A 是垂直表面积(或物体总表面积)(m 2),d 物体垂直高度(m)。
根据热欧姆定律,对流热阻 1/411.34ct d R A T ⎛⎫= ⎪∆⎝⎭(8-13) 如果d=10cm ,ΔT =100℃ 0.13ct R A=℃/ W 例:有一个薄板表面温度为120℃,环境温度为20℃,板高10cm ,宽30cm ,求R ct : 1/410.1 2.21.3420.10.3100ct R ⎛⎫== ⎪⨯⨯⨯⎝⎭℃/ W如果立方体与薄板面积相同,对流热阻与上例相同,则辐射和对流总热阻为ct rt rct ct rt R R R R R =+=1℃/ W 热从水平向上表面比垂直表面移开多15%~25%。