Hynix DDR型号编码规则
英睿达内存编码规则-概述说明以及解释
英睿达内存编码规则-概述说明以及解释1.引言1.1 概述概述部分的内容可以从以下几个方面展开：引言部分可以介绍英睿达内存编码规则的重要性和背景。
你可以提及英睿达作为一家专注于内存技术的公司，致力于提供高性能和可靠的内存产品。
内存编码规则是为了确保内存系统的正常运行和数据的可靠传输而制定的一系列规定和标准。
通过遵守这些规则，可以有效地提高内存系统的稳定性和性能。
接下来，可以介绍本文的结构和目的。
本文旨在全面介绍英睿达内存编码规则，并强调其在内存系统中的重要性和应用。
具体内容包括规则要点的详细解释和示例，并总结规则的关键意义和未来的发展方向。
最后，可以简要总结本文的主要内容并展望未来的研究方向。
概述部分可以概括为几句话，如下：本文将全面介绍英睿达内存编码规则，通过详细解释规则要点和示例，强调其在内存系统中的重要性和应用。
通过遵守内存编码规则，可以提高内存系统的稳定性和性能，确保数据的可靠传输。
未来的研究方向将进一步探索和完善内存编码规则，以满足不断发展的内存技术需求和挑战。
1.2文章结构1.2 文章结构本文将按照以下结构进行分析英睿达内存编码规则的要点：1. 引言：介绍英睿达内存编码规则的背景和重要性。
2. 正文：详细讨论英睿达内存编码规则的要点。
包括以下内容：2.1 英睿达内存编码规则要点一：详细解释并举例说明第一个要点。
2.2 英睿达内存编码规则要点二：详细解释并举例说明第二个要点。
3. 结论：总结对英睿达内存编码规则的分析，并指出其在实际应用中的重要性。
3.1 总结：回顾英睿达内存编码规则要点，并总结其优点和适用范围。
3.2 展望：展望英睿达内存编码规则的未来发展趋势并提出相关建议。
通过以上结构，本文将全面深入地介绍和分析英睿达内存编码规则的要点，并对其实际应用和未来发展进行展望，为读者提供指导和参考。
1.3 目的本文旨在介绍英睿达内存编码规则的目的。
通过阐述该编码规则的重要性和必要性，读者将能够深入了解为何需要遵守这些规则以及它们对内存管理的影响。
内存芯片命名规则解读
1. H yn ix SDRAM :HY57V281620ETP-HHY XX X XX XX X X HYNIX MEMORYPRODUCT FAMIL¥57 :SDRAMPROCESS & POWERSUPPLYV : VDD=3.3V & VDIX1=3.3VY : VDD^3.0V & VDDQ=3,0VU : VDD=2.5V & VDDQ=2.5VW : VDD-2.5V &甘DDQ二3 : Vt)D= L.BV B L VDDQ= l.SVDCNSITZ16 : 16M32 : 32M64 : &4M28 : UflM2A : 128M withTZSF56 : 256M5A : 256M with TCSR12 :512MORGANIZATION斗：X4g : x816 ；X1632 : X32#of BANK1 i 2Bdnk&2 :斗Banks XX X X X-XX XTEMPERATUREBlank : Com mere ia 1(01? -70T) E :Extended ('25r-S5D 1:Industrial (*40r-S6'C)SPEED5 : ZOOMHZ55 : 183MHzS : 166MHz7 : 143MHzK : PC13X CL2H : PC®,CL38 : 125MHzr ; FC100f CL2s : PC 100, CL310 : 100MHzPACKAGE MATERIALBLANK : NormalP: Lead freeH : Halogen freeR : Lead & Haloge n freePACKAGE TYPET : TSOPS : Stack Package [Hynix)K ；stack Package (M & T)J : Stack Package f Others)W : KGDPOWER CONSUMPTIONBLANK ; Normal PowerL : Low PowerS : Super Low PowerINTERFACE0 : LVTTL1 : SSTL_3DIE GENERATION Ichor Cheong-juBlank:1st Ger,H:1st Gen. A:2nd Gen.HA:2nd Gen. 0:3rd Gen,HB:3rd Gen. C:4th Gen.HC:抽Gen, D:Sth Gen.HG::Sth Gen. E:6th Gen.2. H yn ix DDRAM : H Y5DU56822BT-HHYXXXXXXXXXXXXXXXXIIYNIX MEMORYPRODUCE FAMILY5D : DD^ SDRAMs5P : DD^-DPROCESS & POWER SUPPLYV : VDD = 3 3V &HDOQ=2,5VU : VDD-2.5V & VDDQ-2.5VW 1 VDD-2.SV & VDDQ-L.aVS ；VDD^I.&V & VDDQ-1.8VDFNSITYXi RFFRFSHS464M, 4K Ref.6664亂2K. Ref.2812SM, 4K RflL56256M「SK Ref”12512M f 3K Ref.1G1G SK 树.ORGANIZATIONPACKAGEI JSOPQ : LQFPF :FBGAS : Stack PkG^Fynix)K : Stack PKG+(M&T)J : Stack PKG^omers)All DDR 5 DRAM 5 fol low above Fart Num be line System s wee nt HY5DV65152 27C-senes POWER CONSUMPTIONINTERFACE1 : SSTL_32 : SSTL_23 ：SSTL_lflBlank : NormalL : LOW PowerDIE GENERATIONBlank : LstGen,A : 2nd Gen.& : 3rd Gen.C : 4th Gen.1 E:industnal leyipeiTitUR:Extended leTiperatureSPEED 2t5 :375MH204DDR400 3-4-42& : 350MHz043IDDR400 3-3-3 3044nDR401 4-4-4 33 ；W0MH7D54DPIR533 4-4-4 36 : 275MHz055DDR533 5-5-5 4:J50MHI J DOR333斗3 : 233Mdz M DDR266 2-2-2晒：222MHs r IDDR266A5:2DOM-IZ H DDR266B65 : 183M-II:166M-I21DDR200PACKAGF MATFRTAIBlank : NormalP : Pbfr&eH : HdlogEn freeR : Pb & halogen free4 : x48 : xe16 : xie32 : x32# Of Bank1 ; 25anks2 : Banks3 ; DDankiT^iniwAturt13.SAMSUNG SDRAM: K4S561632H-UC75Sync DRAM Code lnformation(1/2)Last Updated : August 2006K 4 XXXXXXXX - XXXXXXX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 1810. Generation M : 1st Generation A : 2nd Generation B : 3rd Generation C : 4th Generation D : 5in Generation E : 6th Generation F 7th Generation G : 8th Generation H 9th Generation 1:10th Generation K . 12lh Genera lion :11.12. Package 2 N : STSOP2 :T : TSOP2Li : TSOP2 (Lead-"ree) i V : STSOP2 (Lead-Free} 13. Temp, PowerC : Commercial, Normal ( 0^370 *C )；L : Commercial, Low ( Ot ； - 70 X ；)I: Industrial, Normal (-40 *85 D ! P : Industrial, Low ( -40 U - 85 9) E : Extended, Normal (-25 匸 * 85 匸) i N : Extended, Low ( 25Z - 85 X ：)-14^16. Speed (Wafer/Chip Biz / BGD : 00 } $ 50 : 5ns55 : 5.5ns j 60 : 6ns | 70 : 7 ns i 75:7 5ns, PC I33 80 : 8ns1. Memory (K)2. DRAM : 43. Small Classification S:SDRAM4-5. Density, Refresh 16 :16M t 2K/32ms 28 128M, 4K 64ms 51 :512M ?8K/64ms 50.256M, 8K 64H1S 64 J34M ?4K/64ms 1G: 1G. aKG4ms6-7 .Organization 04 ：x4 06 :x4 Stack 07 :x8 Stack 08 :x8 16 ：x16 32 :x32S. Bank 2 : 2 Banlk 3 ; 4 BurU9. IrUrfmc 创 VDD, VDDQ 2 : LVTTL. 3.3V r 3.3V L : ILVCMOS, 2 5V, 2.5V4.SAMSUNG DDRAM: K4H561638F-UCB3DDR SDRAM Code lnformation(1/2)Last Updated : August 2006K4XXXXXXXX 二XXXXXXX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 181. Memory (K]2. DRAM: 43. Small Cla«*ificaticnH : DDR SDRAM46” Density, Refresh 28: 123Mb, 4K'64ms51 : 512 Mb, SK 64ms 56: 256Mb P 8K r64ms1G:1Gb, 8K/64ms2G ：2Gb, 8如msG^7. OrganizationOJ :x408:x816:X1632 : x3S06 : M Stack07 : x8 Stack8. Bank3 : ^BankInterface, VDD, VDDQ 8: SSTL 2, 2,5V, 2.5V 10. GenerationM : 1st GeneraticnA : 2nd GenerationB : 3rd GonorationC : 4th GenerationD : 5th GenerationE : 6th GonerationF : 7th Gererat onG : 8th GenerationH : 9th Generation 12. Package T： TSOP2U : TSOP2 I Lead Free )N : sTSOP2V : sTSOP2 ( Lead Free )G : FBGAZ : FEGA t Le^id Free13. Temp. PowerC : Commercial. Normal ・ 0匕FOPL : Commerciol, LowI: Industria, NormalP : Industnal, Low(Ot )(-40C 05C)(^01 - BE Y))14-16. Speed (Wafer Chip Biz/BCD: 00)CC : DDR4Q0 ( 200MHz © CL=3f 1RCD=3, tRP=3 ) B3 : DDR333 ( 166MHz @ CL=2 5 tRCD=3, tRP=3 ) M : DDR266 (133MHz @ CL=2, tRCDW tRP=2 ) A2 EDR266 ( 133MHz @CL=2. IRCD=3, tRP=3 ) E0 :DDR266 ( 133MHz @ CL=2.5 tRCD=3, tRP=3 )5.SPANSION: S29GL032M90TAIR30S20G 、阳 MW T A I HI 0L Packing Typ* 0 - T»y吉二 7'inch Tap? And 矗也 9-13-inch Tap* and R%---------- M «d«| N umbaiFil - ^'>16. V C , ^3O-J6V, h 巾诫試日曲却&5 鹽Mor 换恪出机1砧御 WP W 'AGG S V ILR2= M AA 怙 V cr =3.(i^ 3,6 V, U nrftxm wrtor fi^> ICQ IchM&ttaddws wstnr 卩心却胡 伸的WP*：ACC=V|LR3= xSiiie,先」亍3 0-3.6 X Top bwt j«dor 如top two 问dr ・i* 詢加「* prabKt#d wh«riWP#>0C=V|LFM M 肉Jk*氐 %尹Q ・33、Bottwn bwtiidor 曲ic 已 b^n<v 1*0 add 冲即p 闻beebed 麻n WP ^ACCiV| L理能 KlE t Vcc-2.7 - 3甫 v €6-bdl FBGA, tep boot “Mor cMw * W4= K 16T V (JQ =2.7 *3.6 * S&bkll FBGA, bottom boot MCtcxW arrJ W4 日權 htcympHUt 畑曲*鬱M hi valkJ 谕 han-,fe<?1i wly------------------ T smp»r atur» Ran^aI - IrKiKtiial t-<rv ID +4■尹5-------------------------- P ackage Maierial SetA =曲Mid F = PI>F TB ®--------------------------------- P ackage TypeT = Thin Simsdl CXrlliria Packaf]^ (TSOP) Slsndand PinoulB - Fin^pilch B P II Grid Aney Hackege F m F“「t 初d BfllL-Grid M 紗 R JI *科*------------------------------------------ S peed OptionSee Prwd'ucr口r 总wde on 闫gm Q and V B I M I CombiiEdontE belcw--------- Devie* NijmlwrjDvteviprioH32 U ■淨 bit Ppfl&T Mod? Fl* eh Mnciry Mflrxjf9^tui?d icir*g NX 1 nm Mirror Bit™ Pioc&ii TeUinology, 3.0 Vi-lt- :-nk R?ftd,Program* Er*和T&b-le I. S29GL032M Ordering Option*S29GL032N90 T A I 01X PACK ING TYPE0 = Tea/2 = 7-inch Tape «nd Reel3 = 13-inch Tape and Reel --------- M ODEL NUMBER01 s M 8/X 16. V QQS V IQS 2.7-3 6 V. Unrtocm sector. WP 仰AGC = V tL protects highest addrewed sector 2 = x&/x 怡.s V QS 2.7 V. IWfocm sector. WP"A8 = pvot^cts lox 叙 acHr^s^d wclor 03 = x8/x 16, Vcc =27 - 3 6 V. Top boot sector. WP^'ACC = prolocts top Uo dddr^Md wctocs 04 = x8/x 16, V QQ = 2.7-3.6 V, Bottom bootsector, WR*/ACC = V|Lprotects ixrttcxn two addressed &ecfexs V1 = x&x 16, V^c = 2.7 - 3.6 V Vjo = 1 65 - 3.6 Uribcnn eector. WP*ACC = Vn pfotecls hi ghedsector V2 = x&/x 16. V QC = 2.7 -3.6 V Vio= 1.65 - 3.6 V, Uniform sector, WP^ACC = Y|L protectsaddressed sector---------------- T EMPERATURE RANGEI = lrdustrial(^0e Cto^ft5°C) ---------------------- PACK AGE MATERIA L SET A = Suif>tard(htote4)F = Pb ・Fw---------------------------- P ACKAGE TYPET ■ Thin Sn \All Outtn^ Package (TSOP) StAhdftrd PinoutB ■ Fint -pitch Bell-GrrtArray Pewka 旷 F ■ F^rtrfi«l B A II -Grid Army P M I CAO & ------------------------------------ S PEED OPTIONSee Product Sdecior Gude and Vfilid C^tnbnaitore (90«®0 ne, 11 «110 n®----------- DEYICE NUMBER/DESGRIPTIONS29GL032N32 Mejabit P»g?-IAxle* Flash Memory Manufeetiured using 110 rm MhrcxBiP ProoeessTechr»bgy. 9.0 Volt-coly R 心.Program, ard E IQMMoips1. Type 0is standard gdfgZw TSOPgG0 Z(电d inTypes 0 and3; BGAs can bepadredm 知w 0, 2, or 3.2. TSOPpAckpge o 祕6 pa&M 〃网naftv fro/n ar 如yparf number.3. BGA package making emits leading S29 and pecRMip fype teemoftiering pan numbet.4. Contact bca/ safes for o/aiiabiUfy Ibr Leaded •知 mo parts.Valid Combin&tiomV A M ConbinAtions list configurations ptann^d to be supported in glume tor this device. Consdt your local &ako office lo confirm availability ci specific valid axibinatfons and lo cheGk ca newly released Gcmbmaticfis.02 2PACKING TYPE 0 = Tray2 = 7-inch Tap 老 ad 3=13-inch Tape and R«lMODEL NUMBER01 = x&«x1 & Vg= V JQ = 2.7 — 3.G V, Uniform sector, WPdACC = % protects highest a<Hre^sed sector =xA^xIG. Vcc= Vi© =2.7-3.6 V, Uniform sector, WP*AGC = % protects lo ・wsiaUr^sscd wctor =x&*x1^ V Q ^= 5.7 —3.6 V, T>p boot sector, WP ・MCC =\7|^ protects top two addressed sectors =xflrtdG. V QC =2.7 -3.6 V, Bottom boot sector, WPWAGC =Y|L protects two acWre<s8iKl sectors =xl€y V QQ = 27 -3.6 V, Uniform sector, WP ・=V|L protects hi^ecst addressed sector =K 1& Vc*= 27 -3.6 V. Unifoimsector, WP ・=V|Lprotecte lowestacMfeesed $@cto«=K 8/X (§ V QQ =2.7-3.6V, V JQ = 1.65 - 3.6 V f Unitorm aectoc, WP*/ACC = Vg_ pfotecls highest addressed sector =V QQ = 27- 3.6 V, V|O = 1.6S ・ 3.6 V. UnW&nn ftwtor. WP-4/ACC = V L wtwb I CAM 削 Ml&z 輛 sector =Vcc s 2.7 -3.6 X ><10 = 1.66 - 3.6 V, Uniform sector. WP* =Y|L pr^ecto highest addfewe^l $ectx =xlG Vcc *2.7 ・ 3.G M V|(> = i 65 - 3.6 V. Umltorm<«tor. WP* =V|L pn>t4cte hwKt AddrM$«l swtorTEMPERATURE RANGE I = Incb&tr tai (-40°G to -f65e C)PACKAGE MATERIAL SET A = Standard i.Note 4) F = Pb-Free PACKAGE TYPET = Thin Small Outline Package (TSOP) Standard Pirout B = AriG-pitch EaM rd Array Pack age F = ForifiR Ball ・G 『id Array PackageSPEED OPTION&&& Predict SolectorGukte A M Malid Ccmbirwtions. (00 = 00 M . 11 = 110 ns)DEVICE NUMBERJDESCR1PTION S29GL064N, 64 Page-Mod* Fl»h MstnocyMftiuifAetu r «i using 1Wnm MirraBif 1 Procws Tichnol 咖 3.0 Wt-only Rxd, Prgwn, end ErwTable 7.1 S29GL064N Valid Combinations INote 4)S29GL064N Valid Combination*Package Detcripti^nDevice NumberOptwn Package ・ Material & Temperature Rm goModd Number Packing TypeS29GL064N9003,04,06,07TS048 (Mote 2) TSOP11 TFIV6.V7 9001,02 Q 2.3 (Ncxel)TS056(H^2) TSOP11 VI. V290 BFI 03,04 VBKCda (No(s3)Fin^-prtch BGA 90F 冋01. 02. 03, 04.LAA0&4»N C K€*3) Fortified BGA11VI. V2fk>a1. Type (fiss findard. Specify others as rdpuired; TSOPs can be peeked in Types 0 and 3: BGAs can he g 鈕d in 号阳0.2・<y 3. TSOFpQCkagQ rnanong omits poddng type dMignator from crd&ring pArtrvnt^r.BGA package tnarid^g omns i^adng S29 and pacing type afeaynaror from orcferirp pact number. Conner iocai ssCes fcx a/adatw 吟 for /ead-fram e parts.ce8 2 X07WV2V6V7Valid CombihationsValid Combinatois ist ocnfigurations planned to b4 supported 次 vdum© tor ihlg Consult your locel aekM olfce to confirm of specific valid con )tmafc>n$ wd b check on wmbinalk-ns.2 3. 4. S29GL0G4N 90 TSST39 VF 6402 ・70 XX XX 4CXXEXTKXTExx-nEnvironmental AttributeE1 = non・PbPackage ModifierK = 48 balls or leadsPackage TypeE = TSOP (typel f die up, 12mm x 20mm) B3 =TFBGA (6mm x 8mm, 0.8mm pitch) B1 =TFBGA (8mm x 10mm, 0.8mm pitch)Temperature RangeC = Commercial = 0°C to +70°CI = Industrial = -40°C to +85°CMinimum Endurance4 = 10,000 cyclesRead Access Speed70 = 70 ns90 = 90 nsHardware Block Protection1 = Bottom Boot-Block2 = lop Boot-BlockDevice Density160 = 16 Mbit320 = 32 Mbit640 = 64 MbitVoltageV = 2.7-3.6VProduct Series39 = Multi-Purpose Flash1. Envlronmental suffix “E" denotes non-Pb solder.SST non-Pb solder devices are “RoHS Complian仁。
主流DDR2编号识别方法
随着内存技术的进步，现在DDR2已经渐成主流，虽然在很多人的眼中，DDR2仍然有着这样或那样的不足，但在业界主力厂商的大力推广下，在CPU平台不断向更高频率冲刺的时候，DDR2代替原有的DDR已经不可避免。
以下为各大品牌的DDR内存的测评报告。
三星（SAMSUNG）三星电子DDR2内存芯片外观三星电子有关DDR2内存芯片的编号规则如下：三星的编号还第16、17、18三位，我们没在此说明。
因此，这三位编号并不常见，一般用于OEM与特殊的领域，因而在此就不介绍了。
以前面的芯片照片为例，可以看出这是一枚容量为512Mbits、位宽为8bit、4个逻辑Bank、SSTL/1.8V接口、采用FBGA封装的DDR2-400芯片，并且是第三代产品。
海力士（Hynix）海力士DDR2内存芯片外观海力士的DDR2内存芯片的编号规则如下：这里需要指出的是，欧盟将从2006年7月1月起实施“有害物质限制(RoHS，Restriction Of Hazardous Substances)”法，所以目前几乎所有的电子设备生产厂商都努力生产出符合这一要求的产品。
因此，在海力士的封装材料中也特别注明了这一点。
根据编号规则，我们可以看出上面那枚芯片的规格是512Mbits容量、8bit位宽、4个逻辑Bank、SSTL_18接口（1.8V）、FBGA封装、普通封装材料、速度为DDR2-533（4-4-4），该产品内核版本为第一代。
尔必达（ELPIDA）海力士DDR2内存芯片外观海力士的DDR2内存芯片的编号规则如下：这里需要指出的是，欧盟将从2006年7月1月起实施“有害物质限制(RoHS，Restriction Of Hazardous Substances)”法，所以目前几乎所有的电子设备生产厂商都努力生产出符合这一要求的产品。
因此，在海力士的封装材料中也特别注明了这一点。
根据编号规则，我们可以看出上面那枚芯片的规格是512Mbits容量、8bit位宽、4个逻辑Bank、SSTL_18接口（1.8V）、FBGA封装、普通封装材料、速度为DDR2-533（4-4-4），该产品内核版本为第一代。
海力士内存mpn规则
海力士内存mpn规则【实用版】目录一、海力士内存概述1.海力士内存的制造技术与品质2.海力士内存的兼容性二、海力士内存的 MPN 规则1.MPN 的含义2.海力士内存的 MPN 规则具体内容三、海力士内存的应用1.双通道技术与海力士内存2.海力士内存在不同品牌机上的应用正文一、海力士内存概述海力士内存作为一家知名的内存制造商，其制造技术与品质是相当不错的。
海力士内存主要用于帮助其他品牌代工生产内存，因此在内存制造技术方面拥有较高的水平。
在兼容性方面，海力士内存可以兼容大部分设备，不过如果要开启双通道模式，则需要使用同一品牌、同一品牌颗粒、同样大小的内存。
二、海力士内存的 MPN 规则MPN（Memory Product Number）是内存产品的编号，它可以用来区分不同类型的内存产品。
对于海力士内存而言，其 MPN 规则主要体现在以下几点：1.MPN 的含义：MPN 是由数字和字母组成的编码，它可以用来表示内存的类型、容量、速度等参数。
例如，HY5DU56822AT-H 这个编码中，HY 代表现代，5D 表示内存类型为 DDR SDRAM，U 表示工作电压为 2.5 伏，56 表示容量为 256M，8 表示位宽为 8 位，22 表示芯片密度为 22 纳米，AT 表示温度等级为 A 级，H 表示高速。
2.海力士内存的 MPN 规则具体内容：海力士内存的 MPN 规则主要根据内存的类型、容量、速度、工作电压、芯片密度、温度等级和高速标识等参数进行编制。
通过 MPN 编码，用户可以快速了解内存的相关信息，从而方便购买和使用。
三、海力士内存的应用1.双通道技术与海力士内存：双通道技术是一种提高内存带宽的技术，它可以让两个内存通道同时传输数据，从而提高数据传输效率。
海力士内存在双通道技术方面有着较好的表现，不过要实现双通道，需要使用同一品牌、同一品牌颗粒、同样大小的内存。
2.海力士内存在不同品牌机上的应用：由于海力士内存主要为其他品牌代工生产内存，因此在不同品牌机上可以看到海力士内存的应用。
+帮我查下这是什么型号的内存。HY5DU56822BT
~电压~ddr1 是2.5 ddr2是1.8 ddr3是1.6***************现代：HYNIX DDR SDRAM颗粒编号：HY XX X XX XX X X X X X X X - XX X1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 - 13 14整个DDRSDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。
颗粒编号解释如下：1．HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。
2．内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）3．处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）4．芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）5．内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）6．内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）7．接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）8．内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）9．能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）10．封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））11．封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））12．封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）13．速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR4003-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）14．工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDRSDRAM内存颗粒的产品进行辨别。
内存识别
内存识别现代(Hynix)是非常知名的内存品牌，以前称为Hyundai。
在前两年的DIY市场，大家熟悉的LGS 内存也已被Hynix收归门下，所以现代的内存芯片会出现以上三种品牌，最新的当然是Hynix。
下面，就向大家详细介绍现代SDRAM、DDR SDRAM、DRDRAM内存芯片的编号规则。
SDRAM内存芯片的旧编号示例编号：HY57V651620ATC-10S9902B KOREAA字段表示HY组成，代表现代(Hynix)内存芯片的前缀。
B字段表示产品类型。
57代表SDRAM内存；5D代表DDR SDRAM内存。
C字段表示工作电压。
U代表CMOS、2.5v电压；V代表CMOS、3.3v电压。
D字段表示密度与刷新速度。
4代表4Mbit密度、1K刷新速度；16代表16Mbit密度、4K刷新速度；64代表64Mbit密度、8K刷新速度；65代表64Mbit密度、4K刷新速度；129代表128Mbit 密度、4K刷新速度；257代表256Mbit密度、8K刷新速度。
E字段表示内存结构。
40代表x4；80代表x8；16代表x16；32代表x32。
F字段表示内存芯片内部由几个Bank组成。
1代表2Bank；2代表4Bank。
G字段表示电气接口。
0代表LVTTL；1代表SSTL；2代表SSTL_2。
H字段表示内存芯片的修正版本。
空白代表第1版；A代表第2版；B代表第3版；C代表第4版；D代表第5版。
I字段表示功率消耗能力。
空白代表正常功耗；L代表低功耗。
J字段表示内存芯片的封装方式。
TC代表400milTSOPII封装；TQ代表100Pin TQFP封装。
K字段表示内存芯片的速度标识。
5代表5ns(200MHz)；55代表5.5ns(183MHz);6代表6ns(166MHz);7代表7ns(143MHz)；75代表7.5ns(133MHz)；8代表8ns(125MHz)；10P代表10ns(100MHZ CL=2 或3)；10S代表10ns(100MHz CL=3)；10代表10ns(10MHz)；12代表12ns(83MHz)；15代表15ns(66MHz)。
常用内存命名规则
常用内存命名规则常见内存芯片命名2010-06-08 21:13:23| 分类：个人日记| 标签：|字号大中小订阅三星（Samsung）内存具体含义解释：例：SAMSUNGK4S283232E-TC60 SDRAMK4H280838B-TCB0 DDRK4T51163QE-HCE6 DDR2K4B1G164E-HCE7 DDR3主要含义：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
9代表NAND FLASH第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、T代表DDR2、B代表DDR3、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。
64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A 代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit 的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns(CL=3)；7C 为7.5ns(CL=2)；80为8ns；10为10ns(66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。
例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNGK4H280838B-TCB0颗粒封装。
颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）×16片/8bits=256MB（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。
关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC 校验码。
如何通过颗粒编号,识别当今现代(HYNIX)内存条规格
如何通过颗粒编号，识别当今现代（HYNIX）内存条规格消费者通过查看颗粒编号的含义，以识别自己购买内存是否为正品的文章，已经很早就有人开始写了。
但随着现代新品颗粒的推出，以及对颗粒编号的调整，早期那些文章已经不能再担任帮助消费者识别真伪的重任。
而当今市场，不论是原厂还是兼容，使用现代HY内存颗粒的产品仍然十分常见，再加上消费者因新编号定义不明，而受骗上当的例子仍然存在，因此，我们将对现代颗粒的最新编号定义，对深圳市龙俊电子有限公司总代的现代SDRAM/DDR SDRAM/DDR2 SDRAM三种主流内存颗粒的编号一一进行说明。
一、DDR SDRAM：现在正值DDR SDRAM内存销售的鼎盛时期，颗粒制造厂稍有个风吹草动，都会影响到整个零售市场的内存价格。
现代的DDR SDRAM内存颗粒作为当今零售市场内存产品的主流选件，更是决定着整个内存市场走势的关键。
虽然，它并不是利润最高的产品，但由于是主流规格的原因，仍然是内存经销商“走量”的首选产品。
我们以新近上市的现代DDR 500内存的颗粒编号为例。
这种最新上市的DDR 500原厂现代内存，采用了编号为HY5DU56822CT-D5的内存颗粒。
从这组编号，我们可以了解到如下一些信息：这是一款DDR SDRAM内存，容量256MB，使用了8颗粒结构，并占用2个bank数，封装方式则采用了TSOP II结构。
究竟这些含义是如何被分辨出来的呢？下面我们就对现代DDR SDRAM内存的颗粒编号进行一些说明。
HYNIX DDR SDRAM颗粒编号：整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。
颗粒编号解释如下：1．HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。
2．内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）3．处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）4．芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）5．内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）6．内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）7．接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）8．内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）9．能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）10．封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））11．封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））12．封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）13．速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）14．工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。
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Updated: Apr. 2008
H 5 X X XX X X X X X - XX X
HYNIX MEMORY PRODUCT FAMILY
POWER SUPPLY
DENSITY & REFRESH
ORGANIZATION CODE
NUMBER OF BANKS
OPERATING TEMPERATURE &
POWER CONSUMPTION
SPEED(tCL-tRCD-tRP)
PACKAGE MATERIAL
DIE GENERATION
: VDD =2.5V & VDDQ = 2.5V
5
: DRAM
U
: 64M / 4K REF / 64ms : 128M / 4K REF / 64ms : 256M / 8K REF / 64ms : 512M / 8K REF / 64ms
64122551
862
: x8: x16: x32
: 2 Banks : 4 Banks
C E I L G J
: Commercial Temp 1)Normal Power : Extended Temp 2) & Normal Power : Industrial Temp 3) & Normal Power : Commercial Temp 1) & Low Power : Extended Temp 2) & Low Power : Industrial Temp 3) & Low Power
: Leaded
: Lead free (ROHS 4) Compliant): Lead & Halogen free (ROHS 4) Compliant): Wafer only
L P R A : 1st : 2nd : 3rd : 4th : 5th : 6th : 7th : 8th
M A B C D E F G
Note:
1) Commercial Temperature : 0℃~70℃2) Extended Temperature: -25℃~85℃3) Industrial Temperature: -40℃~85℃
4) ROHS : Restriction Of Hazardous Substances
PACKAGE TYPE
T F M W
: TSOP-II
: FBGA (Wire Bond)
: FBGA / DDP (Dual Die Package): Wafer
12
K2 : DDR266A 2-3-3K3 : DDR266B 2.5-3-3J3 : DDR333 2.5-3-3E3 : DDR400 3-3-3E4 : DDR400 3-4-4F4 : DDR500 3-4-4FA : DDR500 4-4-4
PRODUCT MODE
D
: DDR
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14
Mobile SDR / DDR PART NUMBERING DDR2
DDR SDRAM PART NUMBERING
Last Updated: Sep. 2007
HY XX X XX XX X X X X X X X - XX X
HYNIX MEMORY
PRODUCT FAMILY
PROCESS & POWER SUPPLY
DENSITY & REFRESH
ORGANIZATION
# of BANK
INTERFACE
TEMPERATURE
SPEED
PACKAGE MATERIAL
PACKAGE TYPE
POWER CONSUMPTION
DIE GENERATION
: VDD=3.3V & VDDQ=2.5V : VDD=2.5V & VDDQ=2.5V : VDD=2.5V & VDDQ=1.8V : VDD=1.8V & VDDQ=1.8V
5D
: DDR SDRAM
V U W S
: 64M 4K Refresh : 64M 2K Refresh : 128M 4K Refresh : 256M 8K Refresh : 256M 4K Refresh : 512M 8K Refresh : 1G 8K Refresh
6466285657121G
481632
: x4: x8: x16: x32
: 2Banks : 4Banks : 8Banks
123
123
: SSTL_3: SSTL_2: SSTL_18
Blank E I : Commercial (0℃~70℃): Extended (-25℃~85℃): Industrial (-40℃~85℃)
D5
D43J K H L 54
: DDR500 3-3-3: DDR400 3-3-3: DDR333 2.5-3-3: DDR266A 2-3-3: DDR266B 2.5-3-3: DDR200 2-2-2: 200MHz 3-4-4: 250MHz 3-4-4
: Normal
: Lead free(ROHS* Compliant): Lead & Halogen free (ROHS* Compliant)
BLANK P R
T Q F
: TSOP : LQFP : FBGA
: Normal : Low Power
BLANK L
: 1st Gen.: 2nd Gen.: 3rd Gen.: 4th Gen.
BLANK A B C
♣ All DDR SDRAMs follow above Part Numbering System.
* ROHS (Restriction Of Hazardous Substances)
DDR SDRAM PART NUMBERING
PACKAGE STACK
BLANK S K J M
: Single Die : Hynix Stack : M & T Stack : Others Stack : Hynix DDP。