三极管内部载流子的运动规律
第4章 三极管及放大电路基础1
与 的关系
IC IC ICBO I E ICBO IC I B ICBO
(1 ) IC I B ICBO
I CBO IC IB 1 1
IE
N
P
N
I'C ICBO IC
IC I B (1 ) ICBO
共射直流电流放大倍数： IC I B 1.7 42.5 0.04 共射交流电流放大倍数： IC I B 2.5 1.7 40 0.06 0.04 说明： 例：UCE=6V时： 曲线的疏密反映了 的大小； IC(mA ) 160mA 电流放大倍数与工作点的位置有关； I 5 140mA CM 120mA 交、直流的电流放大倍数差别不大， 4 100mA 今后不再区别；
3 80mA
___
4. 集电极最大电流ICM 当值下降到正常值的三分之二时的 集电极电流即为ICM。
IC
2.5 2 1.7
1 0 2 4 6 8
IB 40mA
IB=60mA 20mA IB=0 10 UCE(V)
六、主要参数
5. 集-射极反向击穿电压U(BR)CEO 手册上给出的数值是25C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。 6. 集电极最大允许功耗PCM 集电极电流IC 流过三极管， 所发出的焦耳热为： PC =ICUCE 导致结温 上升，PC 有限制， PCPCM 7. 频率参数
扩散 I C 复合 I B
IC
C
N
IB
P N
EC
或者 IC≈IB
I E IC I B (1 ) I B
EB
E
IE
二、电流放大原理
晶体三极管_结构及放大原理
晶体三极管又称晶体管、双极型晶体管；在晶体管中有两类不同的载流子参与导电。
一、晶体管的结构和类型
1.晶体管的结构
在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结，就形成三极管。
2.晶体管的类型
基极为P的称为NPN型，基极为N的称为PNP型。
二、晶体管的电流放大作用
晶体管的放大状态的外部条件：发射结正偏且集电结反偏。
发射结正偏：发射区的载流子可以扩散到基区
集电结反偏：基区的非平衡少子(从发射区扩散到基区的载流子)可以漂移到集电区。
如果发射结正偏，集电结也正偏，出现的情况将是发射区的载流子扩散到基区，同时集电区的载流子也漂移到基区。
1.晶体管内部载流子运动
①发射结正偏：发射区载流子向基区扩散，基区空穴向发射区漂移
②集电极反偏，非平衡少子运动：从发射区过来的载流子到达基区后，称为非平衡少子(基区是P带正电，载流子是电子，所以是非平衡少子；基区空穴虽然是多子，但是数量比较少)，一方面与基区的空穴复合(少量)；另一方面，由于集电极反偏，会产生非平衡少子的漂移运动，非平衡少子从基区漂移到集电极，从而产生漂移电流。
由于集电极面积非常大，所以可以产生比较大的漂移电流(到达基区的载流子，由于集电极反偏，所以对基区的非平衡少子有吸引，集电极带正电，非平衡少子带负电）
③集电极反偏，少子漂移电流：由于集电结反偏，处于基区的少子(电子)会漂移运到到集电区；集电区的少子(空穴)会漂移运动到基区
2.晶体管中的电流分关系
三、共射电路放大系数
1.直流放大系数：放大系数：I c=(1+β)I B
2.交流放大系数：直流电流放大系数可以代替交流电流放大系数
四、结语
希望本文对大家能够有所帮助。
第二章 集成电路物理基础讲解
材料
导体
半导体
绝缘体
电阻率ρ(Ωcm)
＜ 10-3
10-3～109
＞109
半导体的一些重要特性，主要包括：
温度升高使半导体导电能力增强，电阻率下降. 如室温附近的纯硅(Si)，温度每增加8℃，电
阻率相应地降低50%左右. 微量杂质含量可以显著改变半导体的导电能力.
空位成对出现的缺陷称为弗仑克 原子层，结果是晶体内部产生空
尔缺陷。
位但没有间隙原子，这种缺陷称
为肖特基缺陷。
电子排布
处于稳定状态的原子，核外电子服从一定的分布的原 则，在原子核外进行具有一定的规律性的分布。核外电 子将尽可能地按能量最低原理排布，同时还要遵守泡利 不相容原理和洪特规则 。 一个电子的运动状态要从4个方面来进行描述，即它所处 的电子层、电子亚层、电子云的伸展方向以及电子的自 旋方向。在同一个原子中没有也不可能有运动状态完全 相同的两个电子存在，这就是泡利不相容原理所告诉大 家的。根据这个规则，如果两个电子处于同一轨道，那 么，这两个电子的自旋方向必定相反
Si中掺入受主杂质后，受主电离增加了导电空穴， 增强了半导体导电能力，把主要依靠空穴导电的 半导体称作p型半导体。p型半导体中空穴是多子， 电子是少子。
受主杂质和施主杂质示意图 a)本征硅 b)具有施主杂质(磷)的N型硅 c)具有受主杂质(硼)的P型硅
总结
N型半导体：自由电子 1、多数载流子
这个被负电中心硼离子依靠静电引力束缚的空穴 还不是自由的，不能参加导电，但这种束缚作用 同样很弱，很小的能量ΔEA就使其成为可以“自 由”运动的导电空穴。
而负电中心硼离子被晶格所束缚，不能运动。 由于以硼原子为代表的Ⅲ族元素在Si、Ge中能够
双极结型三极管及放大电路基础
集电区收集电子的
能力很弱，iC主要由 vCE决定：vCE↑→ic↑
=80μA =60μA =40μA
=20μA
vCE /V
现以iB=40uA一条加以说明：
（3）当uCE增加到使集电结反偏电压较大时，如：
vCE≥1V vCB≥0.7V 运动到集电结的电子基本上都可以被集电区
收集，此后vCE 再 增加，电流也没有 iC /mA 明显得增加，特性
曲线进入与vCE轴 基本平行的区域。
同理，可作出iB= 其他值的曲线。
=80μA =60μA =40μA
=20μA
vCE /V
输出特性曲线可以划分为三个区域：
饱和区——iC受vCE显著控制的区域，该区域内 vCE的数值较小，一般vCE≤vBE。此时Je正偏，Jc 正偏或反偏电压很小。
iC /mA
=80μA =60μA =40μA
IB+ICBO=IBN IB=IBN-ICBO ≈IBN
c IC
ICBO
IB
RbbIBE
N
ICN
Jc P Je
N
VBB
e IE
Rc VCC
例：共发射极接法
利用BJT组成的放大电路，其中一个电极 作为信号输入端，一个电极作为输出端，另一 个电极作为输入、输出回路的共同端。根据共 同端的不同，BJT可以有三种连接方式（称三 种组态）：
=20μA
vCE /V
输出特性曲线可以划分为三个区域：
饱和区——iC受vCE显著控制的区域，该区域内vCE的数值较 小，一般vCE<0.7V（硅管）。此时Je正偏，Jc正偏或反偏电 压很小。
截止区——iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的
下方。此时Je反偏，Jc反偏。
模拟电路基础知识教程
n01单元半导体器件基础半导体的导电特性导体、绝缘体和半导体本征半导体的导电特性杂质半导体的导电特性PN结晶体二极管二极管的结构与伏安特性半导体二极管的主要参数半导体二极管的等效电路与开关特性稳压二极管晶体三极管三极管的结构与分类三极管内部载流子的运动规律、电流分配关系和放大作用三极管的特性曲线三极管的主要参数三极管的开关特性场效应管结型场效应管绝缘栅型场效应管特殊半导体器件发光二极管光敏二极管和光敏三极管02单元基本放大电路基本放大电路的工作原理基本放大电路的组成直流通路与静态工作点交流通路与放大原理放大电路的性能指标放大电路的图解分析法放大电路的静态图解分析放大电路的动态图解分析输出电压的最大幅度与非线性失真分析微变等效电路分析法晶体管的h参数晶体管的微变等效电路用微变等效电路法分析放大电路静态工作点的稳定温度变化对静态工作点的影响工作点稳定的电路场效应管放大电路场效应管放大电路的静态分析多级放大电路多级放大电路的级间耦合方式多级放大电路的分析方法放大电路的频率特性单级阻容耦合放大电路的频率特性多级阻容耦合放大电路的频率特性03单元负反馈放大电路反馈的基本概念和分类反馈的基本概念和一般表达式反馈放大电路的类型与判断负反馈放大电路基本类型举例电压串联负反馈放大电路电流并联负反馈放大电路电流串联负反馈放大电路电压并联负反馈放大电路负反馈对放大电路性能的影响降低放大倍数提高放大倍数的稳定性展宽通频带减小非线性失真改变输入电阻和输出电阻负反馈放大电路的分析方法深度负反馈放大电路的近似计算*方框图法分析负反馈放大电路04单元功率放大器功率放大电路的基本知识概述甲类单管功率放大电路互补对称功率放大电路OCL类互补放大电路OTL甲乙类互补对称电路复合互补对称电路变压器耦合推挽功率放大电路05单元直接耦合放大电路概述直接耦合放大电路中的零点漂移基本差动放大电路的分析基本差动放大电路基本差动放大电路抑制零点漂移的原理基本差动放大电路的静态分析基本差动放大电路的动态分析差动放大电路的改进06单元集成运算放大器集成电路基础知识集成电路的特点集成电路恒流源有源负载的基本概念集成运放的典型电路及参数典型集成运放F007电路简介集成运放的主要技术参数集成运放的应用概述运放的基本连接方式集成运放在信号运算方面的应用集成运放在使用中应注意的问题07单元直流电源整流电路半波整流电路全波整流电路桥式整流电路倍压整流电路滤波电路电容滤波电路电感滤波电路复式滤波电路有源滤波电路稳压电路并联型硅稳压管稳压电路串联型稳压电路的稳压原理带有放大环节的串联型稳压电路稳压电源的质量指标提高稳压电源性能的措施08单元正弦波振荡电路自激振荡原理自激振荡的条件自激振荡的建立和振幅的稳定正弦波振荡电路的组成LC正弦波振荡电路变压器反馈式振荡电路三点式LC振荡电路三点式LC振荡电路的构成原则电感三点式振荡电路电容三点式振荡电路克拉泼与席勒振荡电路（改进型电容三点式振荡电路）石英晶体振荡器石英晶体的基本特性和等效电路石英晶振：并联型晶体振荡电路石英晶振：串联型晶体振荡电路RC振荡电路RC相移振荡电路文氏电桥振荡电路09单元调制、解调和变频调制方式调幅调幅原理调幅波的频谱调幅波的功率调幅电路检波小信号平方律检波大信号直线性检波调频调频的特点调频波的表达式调频电路：变容二极管调频电路调频与调幅的比较鉴频对称式比例鉴频电路不对称式比例鉴频电路变频变频原理变频电路10单元无线广播与接受无线电广播与接收无线电波的传播超外差收音机超外差收音机方框图超外差收音机性能指标LC谐振回路LC串联谐振回路LC并联谐振回路输入回路统调中频放大电路自动增益电路整机电路分析向运动形成较大的电流。
电子线路多选题
题目选项A选项B选项C选项D选项E答案题库题型正反馈电路放大电路选频电路负反馈电路ABC电子线路多选正弦波振荡电路差模输入信号共模输入信号差模放大倍数共模放大倍数CD电子线路多选共模抑制比是（放大直流信号时才有的负反CA电子线路多选反馈信号只包含放大正弦波信号直流反馈是指（反馈信号只包含信号放大 信号运算 逻辑运算 频谱变换ABD电子线路多选信号处理操作包非平衡载流子在基区的扩BCD电子线路多选集电区收集载流发射区向基区注基区向发射区晶体三极管内部PNJ反偏导通PNJ正偏截止PNJ正偏导通PNJ反偏截止CD电子线路多选PNJ的单向导电电位区电阻层耗尽层势垒区CD电子线路多选PN结又叫做空间NPN管PNP管AD电子线路多选A为发射极，B为A为集电极，B为测得某放大电路直接耦合电阻耦合 阻容耦合变压器耦合ACD电子线路多选多级电压放大器整流 滤波 耦合变压AB电子线路多选稳压电源一般由三角波锯齿波方波正弦波CA电子线路多选过零比较器可将为了稳定静态工直流负反馈 直流正反馈交流正反馈交流负反馈AD电子线路多选共射放大电路差分放大电路OCL电路OTL电路ABC电子线路多选通用型集成运放线性截止饱和放大BCD电子线路多选串联稳压电源的直接阻容变压器阻容或变压器BCD电子线路多选要求组成的多级共基共集共射共模ABC电子线路多选三极管放大电路整流限幅开关隔离（门电路）ABCD电子线路多选下列哪些是二极二极管按照功能普通管开关管整流管稳压管ABCD电子线路多选硅管（Si）碲管（Te）硒管（Se）锗管（Ge）AD电子线路多选二极管按照材料热敏性光敏性掺杂性压敏性ABC电子线路多选半导体的特性有Ri大波形不失真Po大Uo高BC电子线路多选对功率放大器的零度集成集总零点DB电子线路多选差分放大电路能调相调幅载波调制信号ADC电子线路多选用低频信号改变共射极放大电路饱和截止交越频率BA电子线路多选RC振荡电路LC振荡电路RL振荡电路石英晶体振荡电路ABC电子线路多选对频率稳定度要开环虚短虚断虚地BCD电子线路多选当集成运放工作集成运放内部是所有信号AB电子线路多选放大直流信号放大交流信号直流信号和交流放大状态工作状态截止状态饱和状态BCD电子线路多选三极管具有三个锗管硅管PNP型NPN型BD电子线路多选在某放大电路中差分放大电路的差和积平均值AD电子线路多选导通截止单向双向ABCD电子线路多选PN结正偏时（）稳定交流信号，稳定直流信号稳定电压ACD电子线路多选稳定交流信号，下列哪几项不是不用输出变压无交越失真BCD电子线路多选效率高不用输出端大电与甲类功率放大输入电阻小、输出电阻大AC电子线路多选电压放大倍数大输入电阻大、输电压放大倍数小共集电极放大电电源提供的平均功率BC电子线路多选最大输出功率电源提供的平均晶体管所消耗的功率放大电路的输出电压输入电阻输出电流输出电阻BC电子线路多选选用电流串联负杂质浓度 温度掺杂工艺电压ABCD电子线路多选杂质半导体中，放大器引入负反放大倍数下降信号失真减小放大倍数增大信号失真不变AB电子线路多选场效应管可以构成共源、共场效应管具有输BCD电子线路多选场效应管的两种下列对场效应管效应管工作时多共基电路的AV最共射电路的RO最小ACD电子线路多选共集电路的AV最共射电路的Ri最在同时比较三种理想运放在线性与非线性工ABD电子线路多选集成运算放大器级联放大器的带负反馈的引入可在下列描述中不电子受主离子空穴施主离子AC电子线路多选半导体中有两种反向击穿特性正向特性单向导电性反向特性ABD电子线路多选利用二极管组成正向状态反向状态单向导电状态反向击穿状态ABCD电子线路多选稳压管想要能够集电结反偏发射结正偏集电结正偏发射结反偏AB电子线路多选晶体三极管用于截止失真饱和失真正负波形失真放大失真ABC电子线路多选失真有哪三种情反相器又称（）共集电路共射电路共基电路共轭电路BA电子线路多选输入电阻很大输出电阻很小带负载能力强ABCD电子线路多选电压放大倍数小射极输出器特点电流并联负反馈ABCD电子线路多选电流串联负反馈电压并联负反馈电压串联负反馈负反馈有四种类差动输入级中间放大级输出级偏置电路ABCD电子线路多选集成运算放大器Ri大Po大Uo高波形不失真BD电子线路多选对功率放大器的一二三五CD电子线路多选P型半导体是在0.6V-0.8V0.1V-0.4V0.2V-0.3V0.6V-0.9V AC电子线路多选PN结的接触电位NPN管削底NPN管削顶PNP管削顶PNP管削底BD电子线路多选非线性失真中的增大Rb减小Rc增大VCC减小vcc ABC电子线路多选非线性失真中的夹断电压Up开启电压UT 直流输入电阻RGS ABCD电子线路多选场效应管的主要漏极饱和电流I线性区非线性区任何时刻截止区AC电子线路多选虚短在()存在，能放大不失真能传输不截止ABC电子线路多选基本放大电路的比较放大调整取样电路稳压ABC电子线路多选串联型稳压电路半导体材料制作频率特性好体积小功耗小便于电路的集成化ABCD电子线路多选迟滞比较器加法器积分器差分放大电路AC电子线路多选运放组成的方波差分差动尽可能相等尽可能不等AC电子线路多选为了抑制零点漂温度湿度老化风化AC电子线路多选使直接耦合放大电流电压电阻频率AB电子线路多选半导体三极管是直流信号交流信号共模信号差模信号ABD电子线路多选差分放大电路可晶体管噪声主要热噪声静弹噪声分配噪声闪烁噪声ABCD电子线路多选采用抗饱和三极管ACD电子线路多选三极管作为开关降低饱和深度增加饱和深度采用有源泄放电二极管的节电容随外加电压二极管的反向击CD电子线路多选下列关于半导体晶体三极管的发晶体三极管可分旁路能量转换延时消耗能量ABC电子线路多选电容在旁路中可分流整流分压限幅AC电子线路多选下列哪些不是二输入端并联、输输入输出端均可串联AB电子线路多选输入端串联、输输入输出端均可当放大器的负反输入输出端均可输入输出端均可串联AD电子线路多选输入端并联、输输入端并联、输当放大器的负反提高输入阻抗CD电子线路多选增大放大倍数降低输出阻抗稳定放大器的工在放大器中有意U-≈U+I-≈I+≈0U0=Ui Au=1 AB电子线路多选对功率放大器的U0高P0大效率高波形不失真 BCD电子线路多选对功率放大器的电流负反馈电压负反馈 电压负反馈 交流负反馈 BC电子线路多选为了减小输出电空穴电子质子电子核AB电子线路多选P型半导体多数放大器正反馈网络选频网络稳幅环节ABCD电子线路多选正弦波振荡电路石英晶体正弦波晶体正弦波振荡器ABC电子线路多选LC正弦波振荡电RC正弦波振荡电根据选频网络所共基 共射共极共管ABC电子线路多选三极管放大电路正偏反偏大于小于BC电子线路多选稳压二极管是一电源电压不稳定CD电子线路多选晶体管参数受温晶体管参数的分直接耦合放大电电阻阻值有误差电压放大电路电流放大电路互阻放大电路互导放大电路ABCD电子线路多选放大电路分为（（）是衡量放大输入电阻输出电阻频率响应非线性失真ABCD电子线路多选TANGO ORCAD Protel PSPICE ABC电子线路多选下列软件中属于Rules Load Nets Placement TooAuto Rout ABCD电子线路多选下列工具中属于Updata PCB ERC Load Nets CreatNetlist ACD电子线路多选SCH和PCB之间交自动布线元件自动对齐阵列粘贴加载网络表BC电子线路多选以下属于电路原Protel99SE原理RESPACK2RES2CAP POT1AB电子线路多选五价四价三价二价AC电子线路多选在本征半导体中为提高共模抑制多级放大电路差动放大电路ABC电子线路多选共射放大电路共基放大电路共射组态共集组态共基组态 共基组态 ACD电子线路多选在下列组态的放串联负反馈电压负反馈并联负反馈电流负反馈ACD电子线路多选要降低放大电路模拟集成电路的共射极电路共基极电路共集电极电路差动电路 ABC电子线路多选电压负反馈串联负反馈电流负反馈并联负反馈 ACD电子线路多选要提高放大电路电流并联负反馈 ACD电子线路多选电流串联负反馈反相比例运算电电压并联负反馈电压串联负反馈大于小于等于CAB电子线路多选本征半导体电子BJT的制造工艺e区掺杂浓度最b区掺杂浓度最低且最薄ACD电子线路多选e区掺杂浓度最e区掺杂浓度最PNJ反偏导通PNJ正偏导通PNJ反偏截止PNJ正偏截止BC电子线路多选PNJ的单向导电空间电荷区耗尽层势垒区扩散区ABC电子线路多选PN结又称为 （科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1科目1。
1-2_半导体三极管
场效应型半导体三极管仅由一种载流子参与导电，是一种VCCS器件。
载流子参与导电是种器件半导体三极管是具有电流放大功能的元件频率：功率：材料：类型：1.2.1 三极管的结构及工作原理1.2.2 三极管的基本特性极管的基本特性1.2.3 三极管的主要参数及电路模型123三极管的主要参数及电路模型侧称为发射区，电极称为一侧称为发射区，电极称为e-b间的PN结称为发射结(Je)c-b间的PN结称为集电结(Jc)中间部分称为基区，连上电极称为基极，用B或b表示（Base）；示向。
集电结反偏集电结反偏，有平衡少子的漂移运动形成的反向电流。
CBO基区空穴向发射区的扩散可忽略扩散可忽略。
进入P 区的电进入P子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBN数扩散到集电结。
3、三极管的电流分配关系I B定义：发射极直流电流放大倍数βICCEO忽略如输入电压变化，则会导致在流在定义：流放大倍数流放大倍数：的态信号时的(1)三极管放大电路的02.03 三极管的三种组态0203三极管的三种组态后达到集电极的电子电流的比值。
所以三极管的基本特性由基本特性曲线刻画，即各电极电压与电流的关系曲线，是其内部载流子运动的外部表现为什么要研究特性曲线：好的电路1. 输入特性曲线①死区②非线性区③线性区可以用解释即u CE 对i 的影响，可以用三极管的内部反馈作用解释，即：结和发射结的两个性曲线。
（反偏状态，可以将发射区注入基区的绝大多数非平衡少子收集到集电区，且基区复合减少，明显增大，特性曲线将向右稍微移动一些。
输出特性曲线=0V时，因集电极无收集作用，i C=0。
当uCEu稍增大时，发射结虽处于正向电压之下，但集电当稍增大时发射结虽处于正向电压之下但集电增加到使集电结反偏电压较大时如u增加到使集电结反偏电压较大时，如CEu CE ≥1V≥0.7Vu07BE运动到集电结的电子基本上都可以被集电再增区收集，此后uCE电流没有明加，电流也没有明显的增加，特性曲线进轴基本平行的入与uCE区域(这与输入特性曲增大而右移的共发射极接法输出特性曲线线随uCE饱和区的下方此时发射结反偏集电结反偏的下方。
三极管工作时的载流子
三极管工作时的载流子
三极管是一种具有三个端子（发射极、集电极和基极）的半导体器件。
在三极管工作期间，不同的载流子在不同的区域占主导地位。
发射极：
发射极是三极管中注入载流子的端子。
在正偏条件下（基极-发射极结正偏），大量的多数载流子（电子）从发射极注入基极区。
这些注入的电子称为注入载流子。
基极：
基极是控制三极管导通和截止的关键端子。
它是一个薄而高度掺杂的区域。
注入载流子在基极区域中扩散，一些与基极端的多数载流子（空穴）复合，而其余的则到达集电极结附近。
集电极：
集电极是三极管中收集载流子的端子。
在正偏条件下，注入载
流子从基极到达集电极结附近，与来自集电极端的多数载流子（电子）复合。
载流子类型：
PNP三极管：注入载流子为电子（少数载流子），多数载流子
为空穴。
NPN三极管：注入载流子为空穴（少数载流子），多数载流子
为电子。
电流放大：
三极管的工作原理基于电流放大：
基极电流（Ib）：流入基极的电流，控制三极管的导通和截止。
发射极电流（Ie）：从发射极流出的电流，等于基极电流和集
电极电流之和。
集电极电流（Ic）：流入集电极的电流，受基极电流控制。
在正偏条件下，基极电流很小，但它控制着集电极电流，集电极电流可以显著大于基极电流，从而实现电流放大作用。
总结：
在三极管工作期间，注入载流子在发射极产生并扩散到基极，并在集电极复合。
三极管的工作原理基于电流放大，其中基极电流控制集电极电流，从而实现比输入更大的输出电流。
(待分)模拟电路入门知识教程23265
单元半导体器件基础半导体的导电特性导体、绝缘体和半导体本征半导体的导电特性杂质半导体的导电特性PN结晶体二极管二极管的结构与伏安特性半导体二极管的主要参数半导体二极管的等效电路与开关特性稳压二极管晶体三极管三极管的结构与分类三极管内部载流子的运动规律、电流分配关系和放大作用三极管的特性曲线三极管的主要参数三极管的开关特性场效应管结型场效应管绝缘栅型场效应管特殊半导体器件基本放大电路的组成直流通路与静态工作点交流通路与放大原理放大电路的性能指标放大电路的图解分析法放大电路的静态图解分析放大电路的动态图解分析输出电压的最大幅度与非线性失真分析微变等效电路分析法晶体管的参数晶体管的微变等效电路用微变等效电路法分析放大电路静态工作点的稳定温度变化对静态工作点的影响工作点稳定的电路场效应管放大电路场效应管放大电路的静态分析多级放大电路多级放大电路的级间耦合方式多级放大电路的分析方法放大电路的频率特性单级阻容耦合放大电路的频率特性多级阻容耦合放大电路的频率特性单元负反馈放大电路反馈的基本概念和分类反馈的基本概念和一般表达式反馈放大电路的类型与判断负反馈放大电路基本类型举例电压串联负反馈放大电路电流并联负反馈放大电路电流串联负反馈放大电路电压并联负反馈放大电路负反馈对放大电路性能的影响降低放大倍数提高放大倍数的稳定性展宽通频带减小非线性失真改变输入电阻和输出电阻负反馈放大电路的分析方法深度负反馈放大电路的近似计算*方框图法分析负反馈放大电路单元功率放大器功率放大电路的基本知识概述甲类单管功率放大电路互补对称功率放大电路类互补放大电路甲乙类互补对称电路复合互补对称电路直接耦合放大电路中的零点漂移基本差动放大电路的分析基本差动放大电路基本差动放大电路抑制零点漂移的原理基本差动放大电路的静态分析基本差动放大电路的动态分析差动放大电路的改进单元集成运算放大器集成电路基础知识集成电路的特点集成电路恒流源有源负载的基本概念集成运放的典型电路及参数典型集成运放电路简介集成运放的主要技术参数集成运放的应用概述运放的基本连接方式集成运放在信号运算方面的应用集成运放在使用中应注意的问题单元直流电源整流电路半波整流电路全波整流电路桥式整流电路倍压整流电路滤波电路电容滤波电路电感滤波电路复式滤波电路有源滤波电路稳压电路并联型硅稳压管稳压电路串联型稳压电路的稳压原理带有放大环节的串联型自激振荡的条件自激振荡的建立和振幅的稳定正弦波振荡电路的组成LC正弦波振荡电路变压器反馈式振荡电路三点式振荡电路三点式振荡电路的构成原则电感三点式振荡电路电容三点式振荡电路克拉泼与席勒振荡电路（改进型电容三点式振荡电路）石英晶体振荡器石英晶体的基本特性和等效电路石英晶振：并联型晶体振荡电路石英晶振：串联型晶体振荡电路RC振荡电路相移振荡电路文氏电桥振荡电路单元调制、解调和变频调制方式调幅调幅原理调幅波的频谱调幅波的功率调幅电路检波小信号平方律检波大信号直线性检波调??频调频的特点调频波的表达式调频电路：变容二极管调频电路调频与调幅的比较鉴??频对称式比例鉴频电路不对称式比例鉴频电路变??频变频原理变频电路单元无线广播与接受无线电广播与接收无线电波的传播超外差收音机超外差收音机方框图超外差收音机性能指标LC谐振回路串联谐振回路并联谐振回路输入回路统调中频放大电路自动增益电路整机电路分析（）。
三极管载流子浓度分布
三极管载流子浓度分布
三极管是一种常见的半导体器件，它具有三个区域：n型区（发射极）、p型区（基极）和n型区（集电极）。
在三极管的工作过程中，载流子的运动起着关键作用。
以下是三极管内部载流子运动规律和浓度分布的概述：
1.发射极（n型区）：发射极主要负责发射电子。
在正向偏置时，发射结的电压使发射区的多数载流子（电子）越过发射结，部分与基区的空穴复合形成基极电流。
2.基极（p型区）：基极电流主要由发射区电子与基区空穴的复合产生。
基极电流的大小受到发射极电流和基区浓度的控制。
3.集电极（n型区）：集电极电流是由集电区的多数载流子（电子）的运动形成的。
在正向偏置时，集电结的电压使集电区的电子向基区扩散，形成集电极电流。
在三极管的放大状态下，载流子浓度分布具有以下特点：
4.发射极区域：发射极区域的电子浓度较高，由于发射结正向偏置，多数载流子（电子）向基区扩散。
5.基极区域：基极区域的空穴浓度较高，由于基极电流的产生，基区空穴向发射区扩散。
6.集电极区域：集电极区域的电子浓度较低，因为在放大状态下，集电区的电子向基区扩散形成集电极电流。
总之，在三极管内部，载流子浓度分布具有明显的区域性，
不同区域之间的载流子运动规律和浓度分布是实现电流放大作用的基础。
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一、三极管的三种连接方式
三极管在电路中的连接方式有三种：①共基极接法；②共发射极接法，③共集电极接法。
如图Z0115所示。
共什么极是指电路的输入端及输出端以这个极作
为公共端。
必须注意，无论那种接法，为了使三极管具有正常的电
流放大作用，都必须外加大小和极性适当的电压。
即必须给发射结
加正向偏置电压，发射区才能起到向基区注入载流子的作用；必须
给集电结加反向偏置电压（一般几～几十伏），在集电结才能形成较
强的电场，才能把发射区注入基区，并扩散到集电结边缘的载流子
拉入集电区，使集电区起到收集载流子的作用。
二、三极管内部载流子的运动规律
在发射结正偏、集电结反偏的条件下，三极管内部载流子的运动，
可分为3个过程，下面以NPN型三极管为例来讨论（共射极接法）。
1．发射区向基区注入载流子的过程
由于发射结外加正向电压，发射区的电子载流子源源不断地注入
基区，基区的多数载流子空穴，也要注入发射区。
如图Z0116所示，
二者共同形成发射极电流I E。
但是，由于基区掺杂浓度比发射区小2～3个数量级，注入发射区的空穴流与注入基区的电子流相比，可略去。
2. 载流子在基区中扩散与复合的过程
由发射区注入基区的电子载流子，其浓度从发射结边缘到集电结边缘是逐渐递减的，即形成了一定的浓度梯度，因而，电子便不断地向集电结方向扩散。
由于基区宽度制作得很小，且掺杂浓度也很低，从而大大地减小了复合的机会，使注入基区的95％以上的电子载流子都能到达集电结。
故基区中是以扩散电流为主的，且扩散与复合的比例决定了三极管的电流放大能力。
3．集电区收集载流子的过程
集电结外加较大的反向电压，使结内电场很强，基区中扩散到集电结边缘的电子，受强电场的作用，迅速漂移越过集电结而进入集电区，形成集电极电流Inc。
另一方面，集电结两边的少数载流子，也要经过集电结漂移，在c，b之间形成所谓反向饱和电流I CBO，不过，I CBO一般很小，因而集电极电流I NC+I CBO≈I NC 同时基极电流I B=I PB +I E-I CBO≈I PB- I CBO反向饱和电流I CBO与发射区无关，对放大作用无贡献，但它是温度的函数，是管子工作不稳定的主要因素。
制造时，总是尽量设法减小它。