内存器件介绍之RAM篇[1]
计算机内存和存储器的种类和性能比较
计算机内存和存储器的种类和性能比较计算机内存和存储器是计算机系统中非常重要的组成部分，它们扮演着存储和处理数据的关键角色。
本篇文章将详细介绍计算机内存和存储器的种类和性能比较。
一、计算机内存的种类1. 随机存取存储器（RAM）：RAM是计算机中最常用的内存类型之一。
RAM具有读写速度快、易于擦写和重新写入的优势。
根据存储规模和速度的不同，RAM可分为静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）两种。
- SRAM：SRAM是一种基于闪存技术的内存类型，它通常用于高性能计算机和缓存存储器。
SRAM的读写速度快，但价格较高，存储能力相对较小。
- DRAM：DRAM是一种常见的内存类型，广泛用于个人电脑和移动设备。
DRAM的存储能力较大，但读写速度相对较慢。
2. 只读存储器（ROM）：ROM是一种只能读取的内存类型，它存储了计算机系统的基本信息和固件。
ROM的内容在制造过程中被存储，用户无法修改其内容。
ROM的读取速度较快，可用于存储操作系统和启动程序。
3. 快取存储器（Cache）：Cache是一种高速缓存存储器，用于存储最常用的数据和指令。
Cache位于CPU和内存之间，它可以加速CPU对数据的访问，提高计算机的性能。
二、计算机存储器的种类1. 磁盘存储器：磁盘存储器是计算机中常见的存储器类型之一，它通常用于长期存储大量数据。
磁盘存储器包括硬盘驱动器和固态硬盘（SSD）。
硬盘驱动器的存储原理是利用机械臂读取和写入磁盘上的数据，而SSD则使用闪存技术存储数据。
相比之下，SSD的读写速度更快，但价格更高。
2. 光盘存储器：光盘存储器是一种使用光学技术读写数据的存储器类型。
光盘存储器包括CD、DVD和蓝光光盘。
光盘存储器的优势在于存储容量大，但读写速度相对较慢，主要用于存储音乐、电影和软件等多媒体信息。
3. 闪存存储器：闪存存储器是一种非易失性存储器，它使用闪存技术存储数据。
闪存存储器包括USB闪存驱动器、内存卡和固态硬盘（SSD）。
ram芯片
ram芯片RAM（Random Access Memory）指的是计算机中的随机存取存储器，它是一种易失性存储器，用于临时存储计算机正在运行的数据和指令。
在计算机系统中，RAM芯片起着至关重要的作用，下面将对其进行详细介绍。
RAM芯片是计算机中的存储器组件之一，它由许多集成电路芯片组成，每个芯片上有许多存储单元，用于存储数据和指令。
这些存储单元之间可以直接进行读写操作，所以被称为“随机存取”。
与之相对的是其他存储器，如硬盘和光盘等，则是“顺序存取”，必须按照顺序才能读写数据。
RAM芯片的容量通常以字节（Byte）为单位来衡量。
常见的容量有1GB、2GB、4GB、8GB等。
容量越大，可以存储的数据越多。
当计算机运行越多的程序或处理越大的数据文件时，需要更大容量的RAM芯片来满足需求。
RAM芯片的速度也非常重要。
它的速度决定了计算机能够读写数据的效率。
通常以MHz（兆赫兹）或MT/s（兆字节每秒）来表示，如DDR4-3200，DDR4-2400等。
速度越快，计算机处理数据的速度越快。
高速的RAM芯片能够更快地将数据传输给处理器，提升整个系统的性能。
RAM芯片的类型有很多种，如SRAM、DRAM、SDRAM等。
其中，DRAM（Dynamic Random Access Memory）是最常用的，它具有较低的成本和较高的容量。
SRAM（Static Random Access Memory）则速度更快，价格更高。
SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）是一种与系统时钟同步工作的DRAM，能够提供更高的数据传输速度。
RAM芯片的读写操作是由内存控制器进行管理的。
当计算机需要读取数据时，内存控制器将数据从RAM芯片中读取到处理器中。
当计算机需要将数据写入到RAM芯片时，内存控制器将数据写入到芯片的对应存储单元中。
读写速度的快慢主要取决于RAM芯片的性能和主板上的内存控制器的能力。
DRAM原理详解
内存工作原理及发展历程RAM（Random Access Memory）随机存取存储器对于系统性能的影响是每个PC用户都非常清楚的，所以很多朋友趁着现在的内存价格很低纷纷扩容了内存，希望借此来得到更高的性能。
不过现在市场是多种内存类型并存的，SDRAM、DDR SDRAM、RDRAM等等，如果你使用的还是非常古老的系统，可能还需要EDO DRAM、FP DRAM（块页）等现在不是很常见的内存。
虽然RAM的类型非常的多，但是这些内存在实现的机理方面还是具有很多相同的地方，所以本文的将会分为几个部分进行介绍，第一部分主要介绍SRAM和异步DRAM（asynchronous DRAM），在以后的章节中会对于实现机理更加复杂的FP、EDO和SDRAM进行介绍，当然还会包括RDRAM和SGRAM等等。
对于其中同你的观点相悖的地方，欢迎大家一起进行技术方面的探讨。
存储原理：为了便于不同层次的读者都能基本的理解本文，所以我先来介绍一下很多用户都知道的东西。
RAM主要的作用就是存储代码和数据供CPU在需要的时候调用。
但是这些数据并不是像用袋子盛米那么简单，更像是图书馆中用有格子的书架存放书籍一样，不但要放进去还要能够在需要的时候准确的调用出来，虽然都是书但是每本书是不同的。
对于RAM等存储器来说也是一样的，虽然存储的都是代表0和1的代码，但是不同的组合就是不同的数据。
让我们重新回到书和书架上来，如果有一个书架上有10行和10列格子（每行和每列都有0-9的编号），有100本书要存放在里面，那么我们使用一个行的编号＋一个列的编号就能确定某一本书的位置。
如果已知这本书的编号87，那么我们首先锁定第8行，然后找到第7列就能准确的找到这本书了。
在RAM存储器中也是利用了相似的原理。
现在让我们回到RAM存储器上，对于RAM存储器而言数据总线是用来传入数据或者传出数据的。
因为存储器中的存储空间是如果前面提到的存放图书的书架一样通过一定的规则定义的，所以我们可以通过这个规则来把数据存放到存储器上相应的位置，而进行这种定位的工作就要依靠地址总线来实现了。
内存器件介绍之RAM篇
提到内存，相信大家都不陌生，几乎所有的计算机系统中都有它的身影，按照内存的工作原理划分，可将内存分为RAM和ROM两大类。
RAM（Random Access Memory）存储器又称随机存取存储器，存储的内容可通过指令随机读写访问，RAM中的数据在掉电时会丢失；ROM（Read Only Memory）存储器又称只读存储器，只能从中读取信息而不能任意写信息。
ROM具有掉电后数据可保持不变的优点。
RAM和ROM两大类下面又可分很多小类，如下图所示：♦SRAM简介SRAM即Static RAM，也就是静态随机存取存储器，按照制造工艺可分为NMOS SRAM、CMOS SRAM和双极型SRAM(用的是TFT)。
SRAM的基本存储单元是数字锁存器，只要系统不掉电，它就会无限期地保持记忆状态。
掉电时，存储数据会丢失。
并且SRAM的行列地址线是分开的(DRAM的行列地址线是复用的)。
SRAM地特点是读写速度极快，在快速读取和刷新时能够保持数据地完整性，并且非常省电。
所以在一些高速和高可靠性要求电路中，基本上是SRAM 地天下，如CPU的Cache。
但是SRAM的存储单元电路结构非常复杂，它内部采用的是双稳态电路的形式来存储数据，制作一个bit存储位通常需要6个MOS 管(4个MOS管组成两个交叉耦合反相器，用来锁存数据，另外2个用于对读写操作过程的控制)。
由于SRAM的复杂电路结构，使得成本要比DRAM高很多，而且其集成度低，很难做成大容量，一般只有几十KByte到几百KByte的容量，最大也就几MByte。
下图为6个NMOS构成的基本SRAM存储单元，Xi和Yj为字线；I/O为数据输入/输出端；R/W为读/写控制端。
当R/W=0时，进行写操作；当R/W=1时，进行读操作。
图中红色虚线框中的T1、T2、T3、T4、T5、T6六个NMOS管构成一个基本的存储单元。
T1、T3和T2、T4两个反相器交叉耦合构成触发器。
DRAM原理详解
内存工作原理及发展历程RAM（Random Access Memory）随机存取存储器对于系统性能的影响是每个PC用户都非常清楚的，所以很多朋友趁着现在的内存价格很低纷纷扩容了内存，希望借此来得到更高的性能。
不过现在市场是多种内存类型并存的，SDRAM、DDR SDRAM、RDRAM等等，如果你使用的还是非常古老的系统，可能还需要EDO DRAM、FP DRAM（块页）等现在不是很常见的内存。
虽然RAM的类型非常的多，但是这些内存在实现的机理方面还是具有很多相同的地方，所以本文的将会分为几个部分进行介绍，第一部分主要介绍SRAM和异步DRAM （asynchronous DRAM），在以后的章节中会对于实现机理更加复杂的FP、EDO和SDRAM 进行介绍，当然还会包括RDRAM和SGRAM等等。
对于其中同你的观点相悖的地方，欢迎大家一起进行技术方面的探讨。
存储原理：为了便于不同层次的读者都能基本的理解本文，所以我先来介绍一下很多用户都知道的东西。
RAM主要的作用就是存储代码和数据供CPU在需要的时候调用。
但是这些数据并不是像用袋子盛米那么简单，更像是图书馆中用有格子的书架存放书籍一样，不但要放进去还要能够在需要的时候准确的调用出来，虽然都是书但是每本书是不同的。
对于RAM等存储器来说也是一样的，虽然存储的都是代表0和1的代码，但是不同的组合就是不同的数据。
让我们重新回到书和书架上来，如果有一个书架上有10行和10列格子（每行和每列都有0-9的编号），有100本书要存放在里面，那么我们使用一个行的编号＋一个列的编号就能确定某一本书的位置。
如果已知这本书的编号87，那么我们首先锁定第8行，然后找到第7列就能准确的找到这本书了。
在RAM存储器中也是利用了相似的原理。
现在让我们回到RAM存储器上，对于RAM存储器而言数据总线是用来传入数据或者传出数据的。
因为存储器中的存储空间是如果前面提到的存放图书的书架一样通过一定的规则定义的，所以我们可以通过这个规则来把数据存放到存储器上相应的位置，而进行这种定位的工作就要依靠地址总线来实现了。
单片机的RAM存储器详解
单片机的RAM存储器详解随着计算机技术的不断发展，单片机作为一种集成电路芯片，在嵌入式系统中得到了广泛的应用。
而在单片机中，RAM存储器是一种非常重要的组成部分，它承担着临时存储数据的功能。
本文将详细解析单片机的RAM存储器，包括其定义、分类、特性以及应用等方面。
一、RAM存储器的定义RAM（Random Access Memory）即随机存取存储器，它是一种电子数字式存储器，能够按任意顺序访问其中的存储单元。
与之相对应的是ROM（Read-Only Memory），只能读取而不能写入。
二、RAM存储器的分类根据存储单元内容的易失性，RAM存储器可以分为静态RAM （SRAM）和动态RAM（DRAM）两种。
1. 静态RAM静态RAM采用存储单元由触发器构成，存储单元内部无需再进行刷新操作。
它的特点是读写速度快，但占用的空间较大。
静态RAM广泛应用于高性能嵌入式系统，如通信设备、计算机内存等。
2. 动态RAM动态RAM的存储单元由电容构成，需要定期刷新来保持数据的稳定。
它的特点是存储单元内部简单，占用空间小，但读写速度较慢。
动态RAM主要应用于低成本的嵌入式系统，如消费电子产品中的视频游戏机、智能手机等。
三、RAM存储器的特性RAM存储器有以下几个主要特性：1. 随机读写：RAM存储器可以根据地址直接读写数据，不需要按顺序进行操作。
2. 数据易失性：RAM存储器是易失性存储器，即断电后存储的数据会丢失。
因此，在单片机使用RAM存储数据时，需要特别注意数据的备份和保护。
3. 存储密度高：RAM存储单元内部结构简单，实现的存储密度较高。
4. 读写速度快：相比于ROM存储器，RAM存储器的读写速度更快，适合对数据进行频繁读写的应用场景。
四、RAM存储器的应用RAM存储器在单片机中广泛应用于各种需要临时存储数据的场景，下面是一些常见的应用：1. 作为程序存储器：在单片机中，RAM存储器可以用作存储程序代码，这种方式被称为RAM执行。
随机存储器(RAM)
容量
容量
RAM的容量是指其能够存储的数据量，通常以兆字节（MB） 或千兆字节（GB）为单位。较大的容量可以支持更大的程序和
数据集，提高计算机的处理能力。
内存模块
兼容性问题
不同主板和设备可能需要不同类型的RAM，不匹配可能导致系统不稳定。
损坏
过热、电压不稳或物理损坏可能导致RAM故障或损坏。
RAM的维护和保养
定期清理
使用专业工具定期清理RAM表面的 灰尘和污垢，保持散热良好。
避免过热
保持良好散热环境，避免长时间高负 荷运行导致过热。
检查稳定性
定期检查RAM的稳定性，确保系统 正常运行。
RAM的应用领域
计算机系统
RAM是计算机系统的重要组成部分，用于 存储运行中的程序和数据。
嵌入式系统
嵌入式系统中的RAM用于存储程序和数据， 支持系统的实时处理和操作。
图形处理
高带宽的RAM用于存储大量的图形数据， 支持高性能的图形处理。
服务器
服务器中的RAM容量较大，支持多个操作 系统和应用程序同时运行。
随机存储器(RAM)
目录
• RAM的概述 • RAM的工作原理 • RAM的性能指标 • RAM的发展趋势 • RAM的常见问题与维护
01
RAM的概述
RAM的定义和特性
定义
随机存储器（RAM）是一种计算机硬 件组件，用于在计算机运行时存储数 据和指令。
特性
RAM具有高速读写能力，可以随时读 写数据，但断电后数据会丢失。
MRAM
磁性随机存取存储器（MRAM）利用磁性隧 道结（MTJ）的磁阻效应来存储数据，具有非
ram的名词解释是什么
ram的名词解释是什么RAM，即Random Access Memory的缩写，中文意为“随机存取存储器”。
以计算机为例，RAM是其中一种主要的存储设备，具有临时性、易读写的特点。
与硬盘等永久性存储设备相比，RAM的数据存储速度更快，但同时容量也更有限。
一、RAM的基本原理RAM是计算机的重要组成部分，负责暂时存储数据和程序的执行结果。
它的基本原理是利用半导体材料制作芯片，并通过电子器件来完成信息的读写。
当计算机运行程序或进行数据处理时，需要将数据加载到RAM中，以便CPU 能够快速读取和处理。
因为RAM存储器结构设计为单元矩阵，每个单元都有唯一的地址，可以随机访问其中的数据，因此得名RAM。
二、RAM的分类根据存储介质和工作方式的不同，RAM可分为多种类型，其中最常见的有静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）。
1. 静态RAM（SRAM）静态RAM采用触发器作为存储单元，每个存储单元由6个晶体管组成，它的读取速度非常快且稳定。
SRAM的优点在于在电源供应正常情况下，数据可以一直保持，不需要周期性刷新。
这使得SRAM常用于高速缓存（Cache）和寄存器等需要快速访问和临时存储的场景。
2. 动态RAM（DRAM）动态RAM则采用电容作为存储单元，每个存储单元由一个电容和一个访问晶体管组成。
相比SRAM，DRAM的存储单元更小，成本更低，但也更加容易受到电容漏电的干扰，因此需要不断刷新（刷新频率通常为2～4 ms）以保持数据的稳定性。
DRAM主要用于主存（Main Memory）中，以满足计算机运行程序和处理数据的需求。
三、RAM的作用和意义RAM作为存储器层次结构中的一环，对计算机的性能起到至关重要的作用。
下面从三个方面阐述RAM的作用和意义。
1. 提高运行效率RAM的快速读取和写入速度，使得计算机能够在短时间内迅速加载数据和执行程序。
相对于硬盘等永久存储设备，RAM的读写速度要快得多，大大提高了计算机的运行效率。
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内存器件介绍之RAM篇(一)提到内存，相信大家都不陌生，几乎所有的计算机系统中都有它的身影，按照内存的工作原理划分，可将内存分为RAM和ROM两大类。
RAM（Random Access Memory）存储器又称随机存取存储器，存储的内容可通过指令随机读写访问，RAM中的数据在掉电时会丢失；ROM（Read Only Memory）存储器又称只读存储器，只能从中读取信息而不能任意写信息。
ROM具有掉电后数据可保持不变的优点。
RAM和ROM两大类下面又可分很多小类，如下图所示：♦SRAM简介SRAM即Static RAM，也就是静态随机存取存储器，按照制造工艺可分为NMOS SRAM、CMOS SRAM和双极型SRAM(用的是TFT)。
SRAM的基本存储单元是数字锁存器，只要系统不掉电，它就会无限期地保持记忆状态。
掉电时，存储数据会丢失。
并且SRAM的行列地址线是分开的(DRAM的行列地址线是复用的)。
SRAM地特点是读写速度极快，在快速读取和刷新时能够保持数据地完整性，并且非常省电。
所以在一些高速和高可靠性要求电路中，基本上是SRAM 地天下，如CPU的Cache。
但是SRAM的存储单元电路结构非常复杂，它内部采用的是双稳态电路的形式来存储数据，制作一个bit存储位通常需要6个MOS 管(4个MOS管组成两个交叉耦合反相器，用来锁存数据，另外2个用于对读写操作过程的控制)。
由于SRAM的复杂电路结构，使得成本要比DRAM高很多，而且其集成度低，很难做成大容量，一般只有几十KByte到几百KByte的容量，最大也就几MByte。
下图为6个NMOS构成的基本SRAM存储单元，Xi和Yj为字线；I/O为数据输入/输出端；R/W为读/写控制端。
当R/W=0时，进行写操作；当R/W=1时，进行读操作。
图中红色虚线框中的T1、T2、T3、T4、T5、T6六个NMOS管构成一个基本的存储单元。
T1、T3和T2、T4两个反相器交叉耦合构成触发器。
电路采用二元寻址，当字线Xi和Yj均为高电平时，T5-T8均导通，则该单元被选中，若此时R/W为1的读操作，三态门G1、G2关闭，G3打开，存储的数据从数据线D，经过G3，然后从I/O输出。
若R/W为0的写操作，则G1、G2打开，G3关闭，I/O上的数据经G1、G2写入存储单元。
下图为32KByte容量的SRAM结构示意图，该SRAM有8位行地址，译码后生成256根行地址线；列地址线为7位，译码后生成128根列地址线。
对SRAM 进行读操作时，OE#和CS#为低电平，WE#为高电平，G1输出低电平将输入控缓冲器关闭，G2输出高电平将输出缓冲器打开，通过行列地址线选中的存储单元数据经I/O和输出缓冲器，最后从I/O[0:7]输出；写操作时，WE#和CS#为低电平，OE#为高电平，G1输出高电平将输入缓冲器打开，G2输出低电平将输出缓冲器关闭，I/O[0:7]上的输出经输出缓冲器和内部I/O总线，最后写入行列地址选中的存储空间中。
♦DRAM介绍DRAM即Dynamic RAM，动态随机存取存储器的意思，DRAM的种类有很多，常用的有：1).SDRAM：Synchronous Dynamic Random Access Memory，即同步动态随机存取存储器。
“同步”是指其时钟频率与CPU前端总线的系统时钟频率相同，并且内部命令的发送与数据的传输都以此频率为基准；“动态”是指存储阵列需要不断的刷新来保证所存储数据不丢失；“随机”是指数据不是线性一次存储，而是自由指定地址进行数据的读写。
2).DDR SDRAM：Double Data Rate SDRAM，即双倍速率SDRAM，普通SDRAM只在时钟信号的上升沿采样数据，而DDR SDRAM在时钟信号的上升沿和下降沿都采样数据，这样，在时钟频率不变的情况下，DDR SDRAM的数据存取速度提高了一倍，所以叫双倍速率SDRAM。
DDR SDRAM最早由三星公司于1996年提出，之后与日本电气、三菱、富士通、东芝、日立、TI、现代等8家公司协议制定规格，并得到AMD、VIA、SIS等公司的支持，并最终于2005年形成JEDEC标准ESD79E。
(JEDEC即Joint Electron Device Engineering Council，电子器件工程联合理事会)DDR SDRAM在其短暂的发展史中，先后经历了DDR SDRAM(也叫DDR1 SDRAM)、DDR2 SDRA内存器件介绍之RAM篇(二)在《内存器件介绍之RAM篇(一)》中我们介绍了SRAM的相关知识以及DRAM 的部分知识，下面继续我们的DRAM探索之旅。
♦DRAM的物理BANK与逻辑BANK我们在进行内存设计选型时会有两种选择：内存颗粒和内存条。
1).内存颗粒其实也就是内存芯片，数据位宽通常是8bit，最高的也就是16bit。
2).内存条就是将多颗内存芯片放在一起组成通用标准模块，并在模块中加入管理信号(一般为I2C总线，用来读取厂家信息)，然后从标准标准接口引出(就是我们常说的金手指)。
常见的内存条有SIMM和DIMM两种。
SIMM是Single In-line Memory Module缩写，即单列内存模组，它与主板插槽的接口只有一列引脚(虽然两侧都有金手指)，72个PIN，数据位宽为32bit。
DIMM是Double In-line Memory Module的缩写，即双列内存模组。
所谓双列是指模组电路板与主板插槽的接口有两列引脚，两侧的金手指各对应一列引脚。
DIMM内存条一共有168个PIN，数据位宽为64bit。
传统内存系统为了保证CPU的正常工作，必须一次传输完CPU在一个传输周期内所需的数据，而CPU在一个传输周期能接受的数据容量就是CPU总线的位宽。
这个位宽就是物理BANK(Physical Bank，简称P-Bank)位宽。
如32位的CPU与内存进行数据交换时，一个时钟周期内必须是32bit，要是用普通8bit位宽的内存颗粒的话，就需要4片并联起来才能满足要求。
记得Pentium系列CPU刚上市时，需要在主板上插两条SIMM才能使CPU正常工作，这是因为Pentium系列CPU是64位的，而SIMM只能提供32bit位宽，所以必须要用两条并联起来才能满足其64bit的位宽要求。
直到后来64bit位宽的DIMM 上市后，才可以使用一条内存配合CPU正常工作。
早期的内存条，无论是SIMM，还是DIMM，都只有一个P-Bank。
随着计算机应用的发展，一个系统只有一个P-Bank已经不能满足容量的需求。
所以就出现了支持多个P-Bank的内存条，一次选择一个P-Bank工作，这就有了内存条支持多少个物理BANK的说法(Intel将P-Bank称为Row，比如845G内存条宣称支持4个Row，其实就是支持4个P-Bank，另外，在一些文档中，也把P-Bank称为Rank)。
DRAM的逻辑BANK概念是针对内存颗粒内部的。
大家都知道DRAM内部的存储单元是以阵列形式排列的。
如下图所示。
行列地址总线分别经过行列地址译码器译码后分别指向一行和一列，行列重叠的单元就是我们所寻找的存储单元，这就是内存芯片寻址的基本原理。
对于内存颗粒来说，这个阵列就是逻辑Bank(Logical Bank，简称L-Bank)。
但是，在实际应用中，由于技术、成本等原因，不可能只做一个全容量的L-BANK，而且最重要的是，由于DRAM的工作原理限制，单一的L-Bank将会造成严重的寻址冲突，大幅降低内存效率。
所以人们在DRAM内部分割成多个L-Bank，每个L-Bank形状相同，彼此独立，可以独立工作。
早期的DRAM芯片内部分为2个L-Bank，后来是4个，DDR3内存芯片为8个。
在进行寻址时需要先确定是哪个L-Bank，然后再在这个选定的L-Bank中选择相应的行与列进行寻址。
对内存的访问，一次只能是一个L-Bank，而每次与CPU交换的数据就是L-Bank 存储阵列中一个“存储单元”的容量。
SDRAM内存芯片一次传输的数据量就是芯片的位宽，那么这个存储单元的容量就是芯片的位宽（也是L-Bank 的位宽）。
下图为4BANK内存颗粒内部结构示意图。
内存芯片容量的计算方法为：存储单元数量=行数×列数（得到一个L-Bank 的存储单元数量）×L-Bank 的数量。
在很多内存产品介绍文档中，都会用M×W 的方式来表示芯片的容量。
M 是该芯片中存储单元的总数，单位是兆，W 代表每个存储单元的容量，也就是SDRAM 芯片的位宽（Width），单位是bit。
计算出来的芯片容量也是以bit 为单位，但用户可以采用除以8 的方法换算为字节(Byt)。
内存器件介绍之RAM篇(三)在《内存器件介绍之RAM篇(二)》中我们介绍了DRAM逻辑BANK和物理BANK 以及容量的计算方法，下面我们来学习下SDRAM芯片的初始化及读写时序。
针对内存的操作指令有如下几种：1).Command INHIBIT(初始化)；2).No Operation(无动作)；3).Active(使指定L-Bank中的指定行有效)；4).Read(从指定L-Bank中的指定列开始读取数据)；5).Write(从指定L-Bank中的指定列开始写入数据)；6).Burst Terminate(突发传输终止)；7).Precharge(预充电命令，关闭指定或全部L-Bank中的工作行)；8).Auto Refresh(自动刷新)；9).Load Mode Register(模式寄存器加载)；10).写允许/输出允许；11).写禁止/输出屏蔽；♦内存的初始化一旦VDD、VDDQ被同时家电，并且时钟已经稳定，SDRAM需要一个200us 的延迟，在这个时间段中，Command INHIBIT和No Operation指令有效，这个过程实际上就是内存的自检过程，一旦这个过程通过后，一个Precharge命令就会生效，在这个命令周期中，内存会处于Idle状态。
随后执行几个Auto Refresh 周期，之后SDRAM为模式寄存器编程做准备。
整个初始化过程如下图所示。
模式寄存器设置(MRS)是在CPU的BIOS控制下进行的。
SDRAM芯片内部有一个逻辑控制单元，这个控制单元的相关控制参数是由MR提供的，SDRAM芯片每次进行初始化时都要将重新写MR寄存器。
MR中设置了SDRAM的运行模式：包括突发长度(BL)、突发类型(Burst Type)、CAS延迟(CAS Latency)、运行方式(Operating Mode)和写入突发模式。
MR通过Load Mode Register命令进行编程。