第二章 实际晶体中的位错行为
合集下载
晶体缺陷7实际晶体中的位错汇总.

A
△ C △
A
A
C B A
△ C
A △ B
△
B △ A
B △ A
△
A
抽出型层错
插入型层错
△
B
△ A
Frank分位错
在fcc晶体中插入或抽走一层(111)面,就
会形成堆垛层错。若插入或抽走的只是一部
分,层错与完整晶体边界即所谓“Frank位错
”。其柏氏矢量为b=1/3<111>
该矢量小于FCC晶体中〈110〉方向上的原子
a 例:f.c.c中,柏氏矢量为 121 的位错能否分解成单位位错? 2
结构条件:
能量条件:
a a a [121] [110 ] [011] 2 2 2
满足
3a 2 2
a a 2 2
2
2
满足
a [121] 2 a [0 11] 2 a [110 ] 2
不全位错
柏氏矢量的长度不等于沿滑移方向原子间距的整数倍 。这种位 错扫过晶体,滑移面上下原子不再占有原先位置,产生层错。
3. 插入一层,或相间抽出两侧
层错能
形成层错几乎不产生点阵畸变,但破坏晶体对称性 和周期性,使电子发生反常衍射效应,使晶体能量 升高。由层错引起的能量增量叫层错能。层错能越 高,层错出现几率越低。
分位错
若堆垛层错发生在部分区域,则层错边缘将存 在位错(不全位错)
B
B △ A △ B △ A △ C △ B △ A A △ C
2 b ' b 符合能量条件: i j 1 2 j i 1 n m
所以此位错反应可以自发进行。
计算 1.分量和 2.分量平方和
请判定下列位错反应能否进行
实际晶体和面心立方晶体中的位错

a b1的位错线 2 1 10
面心立方晶体的滑移和扩展位错
26
西安石油大学材料科学与工程学院
材料科学基础
扩展位错:
一个全位错分解为两个不全位错,中间夹着一个堆垛层错的整个位错组态。 扩展位错的特点: 1)位于(111)面上,由两条平行的肖克莱不全位错中间夹着一片层错构成。 2)两个肖克莱不全位错相互平行。
25
西安石油大学材料科学与工程学院
材料科学基础
两个不全位错 位于同一滑移面上 ,彼此同号且柏氏 矢量的夹角为60。 ,小于90。,彼此 之间互相排斥并分 开,其间夹着一片 堆垛层错区。
I区:正常堆垛 未滑移区
a 121 6 b2的位错线
II区:层错区 b3的位错线 a 2 11 6 III区:正常堆垛 已滑移区
不全位错的柏氏矢量 a 112 。 3)A、B、C、D是四面体顶点到它所对的三角形中点的连线:8个弗兰克不全位 a 错的柏氏矢量 111 。 3 4)四个面的中心相连即、、、、、共12个晶向:柏氏矢量 a 110
6
a 110 :单位位错的柏氏矢量。 2
6
21
西安石油大学材料科学与工程学院
5
西安石油大学材料科学与工程学院
材料科学基础
3. 位错的应变能 位错的能量包括两部分:位错中心畸变能 (常被忽略)和位错周围 的弹性应变能。 单位长度混合位错的应变能:
Gb2 R E ln 4K r0
m e
刃型位错,k=1-。螺形位错,K=1。混合位错, K 简化上述各式得:E=α Gb2,=0.5-1
号相吸。
f
Gb1b2 2r
两平行螺型位错的交互作用力
4 西安石油大学材料科学与工程学院
第二章 缺陷与位错

螺型位错的形成及其几何特征 如图2-8 (螺位错形 .spl演示) 。 演示) 如图 螺位错形 演示
图2-8 螺位错形成示意图
EF就是线缺陷 螺型位错。割开面 就是线缺陷--螺型位错 割开面ABCD就是滑移面, 就是滑移面, 就是线缺陷 螺型位错。 就是滑移面 滑移矢量为d,其方向为-z轴 平行。 周围的原 滑移矢量为 ,其方向为 轴,与EF平行。EF周围的原 平行 子面形成以EF为轴线的螺卷面 为轴线的螺卷面。 子面形成以 为轴线的螺卷面。
图2-4 电子显微镜下观察到的位错线
二、位错的基本类型 从位错的几何结构来看,可将它们分为两种基本类型, 从位错的几何结构来看,可将它们分为两种基本类型, 即刃型位错和螺型位错。 即刃型位错和螺型位错。 从滑移角度看, 从滑移角度看,位错是滑移面上已滑移和未滑移部分 的交界。 的交界。
刃型位错的形成及其几何特征 示意了晶体中形成刃型位错的过程。 ) 图2-5示意了晶体中形成刃型位错的过程。 (a.spl) 示意了晶体中形成刃型位错的过程
图2-6 刃型位错包含半原子面
刃型位错的几何特征: 刃型位错的几何特征: (1) 有多余半原子面。 有多余半原子面。 习惯上, 习惯上,把多余半原子面在滑移面以上的位错称为正 刃型位错,用符号“ 表示,反之为负刃型位错, 刃型位错,用符号“┻”表示,反之为负刃型位错,用 表示。 “┳”表示。 刃型位错周围的点阵畸变关于半原子面左右对称。 刃型位错周围的点阵畸变关于半原子面左右对称。
所谓局部滑移就是原子面间的滑移不是整体进行, 所谓局部滑移就是原子面间的滑移不是整体进行 , 而是发生在滑移面的局部区域, 而是发生在滑移面的局部区域, 其他区域的原子仍然保 持滑移面上下相对位置的不变。 持滑移面上下相对位置的不变。
第二章晶体结构缺陷(线缺陷课件-9)

(2) 混合位错特征:混合位错可分解为刃型分量 混合位错特征: 和螺型分量,它们分别具有刃位错和螺位错的特征。 和螺型分量,它们分别具有刃位错和螺位错的特征。 位错环( 位错环(dislocation loop)是一种典型的混合位错。 是一种典型的混合位错。
(a)混合位错的形成 ) (b)混合位错分解为刃位错 ) 和螺位错示意图
螺位错形成示意图
晶体局部滑移造成的螺型位错
螺型位错具有以下特征:
♦ 1).螺型位错无额外半原子面,原子错排是呈轴对称的。 ♦ 2).根据位错线附近呈螺旋形排列的原子的旋转方向不
同,螺型位错可分为右旋和左旋螺型位错。 ♦ 3).螺型位错线与滑移矢量平行,因此一定是直线,而 且位错线的移动方向与晶体滑移方向互相垂直。 ♦ 4).纯螺型位错的滑移面不是唯一的。凡是包含螺型位 错线的平面都可以作为它的滑移面。但实际上,滑移 通常是在那些原子密排面上进行。 ♦ 5). 螺型位错周围的点阵畸变随离位错线距离的增加 而急剧减少,故它也是包含几个原子宽度的线缺陷。
1. 刃型位错
♦ (1)刃型位错(edge dislocation)的产生 刃型位错(
完整晶体滑移的理论剪切强度要远高于实际晶体滑移的对 完整晶体滑移的理论剪切强度要远高于实际晶体滑移的对 的理论剪切强度要远高于实际晶体滑移 应强度,从而促进了位错理论的产生和发展。 应强度,从而促进了位错理论的产生和发展。 刃型位错: (2) 刃型位错: 作用下, ABCD面为滑移面发生 晶体在大于屈服值的切应力τ作用下,以ABCD面为滑移面发生 滑移。EF是晶体已滑移部分和未滑移部分的交线 是晶体已滑移部分和未滑移部分的交线, 滑移。EF是晶体已滑移部分和未滑移部分的交线,犹如砍入晶体 的一把刀的刀刃,即刃位错(或棱位错)。 的一把刀的刀刃,即刃位错(或棱位错)。 刃型位错线:多余半原子面与滑移面的交线。 刃型位错线:多余半原子面与滑移面的交线。 (3)几何特征 (3)几何特征 位错线与原子滑移方向相垂直; 位错线与原子滑移方向相垂直;滑移面上部位错线周围原子受 压应力作用,原子间距小于正常晶格间距; 压应力作用,原子间距小于正常晶格间距;滑移面下部位错线周 围原子受张应力作用,原子间距大于正常晶格间距。 围原子受张应力作用,原子间距大于正常晶格间距。 (4)分类 正刃位错, 分类: 负刃位错, (4)分类:正刃位错, “⊥” ;负刃位错, “┬ ” 。符号中 水平线代表滑移面,垂直线代表半个原子面。 水平线代表滑移面,垂直线代表半个原子面。
(a)混合位错的形成 ) (b)混合位错分解为刃位错 ) 和螺位错示意图
螺位错形成示意图
晶体局部滑移造成的螺型位错
螺型位错具有以下特征:
♦ 1).螺型位错无额外半原子面,原子错排是呈轴对称的。 ♦ 2).根据位错线附近呈螺旋形排列的原子的旋转方向不
同,螺型位错可分为右旋和左旋螺型位错。 ♦ 3).螺型位错线与滑移矢量平行,因此一定是直线,而 且位错线的移动方向与晶体滑移方向互相垂直。 ♦ 4).纯螺型位错的滑移面不是唯一的。凡是包含螺型位 错线的平面都可以作为它的滑移面。但实际上,滑移 通常是在那些原子密排面上进行。 ♦ 5). 螺型位错周围的点阵畸变随离位错线距离的增加 而急剧减少,故它也是包含几个原子宽度的线缺陷。
1. 刃型位错
♦ (1)刃型位错(edge dislocation)的产生 刃型位错(
完整晶体滑移的理论剪切强度要远高于实际晶体滑移的对 完整晶体滑移的理论剪切强度要远高于实际晶体滑移的对 的理论剪切强度要远高于实际晶体滑移 应强度,从而促进了位错理论的产生和发展。 应强度,从而促进了位错理论的产生和发展。 刃型位错: (2) 刃型位错: 作用下, ABCD面为滑移面发生 晶体在大于屈服值的切应力τ作用下,以ABCD面为滑移面发生 滑移。EF是晶体已滑移部分和未滑移部分的交线 是晶体已滑移部分和未滑移部分的交线, 滑移。EF是晶体已滑移部分和未滑移部分的交线,犹如砍入晶体 的一把刀的刀刃,即刃位错(或棱位错)。 的一把刀的刀刃,即刃位错(或棱位错)。 刃型位错线:多余半原子面与滑移面的交线。 刃型位错线:多余半原子面与滑移面的交线。 (3)几何特征 (3)几何特征 位错线与原子滑移方向相垂直; 位错线与原子滑移方向相垂直;滑移面上部位错线周围原子受 压应力作用,原子间距小于正常晶格间距; 压应力作用,原子间距小于正常晶格间距;滑移面下部位错线周 围原子受张应力作用,原子间距大于正常晶格间距。 围原子受张应力作用,原子间距大于正常晶格间距。 (4)分类 正刃位错, 分类: 负刃位错, (4)分类:正刃位错, “⊥” ;负刃位错, “┬ ” 。符号中 水平线代表滑移面,垂直线代表半个原子面。 水平线代表滑移面,垂直线代表半个原子面。
《实际晶体中的位错》课件

《实际晶体中的位错》
由简单立方,深化到面心立方、体心立方和密排六方晶体中的位错。
基本概念
1.位错的类型
简单立方:b≡点阵矢量—只有全位错
实际晶体:b > = <点阵矢量 ● b=点阵矢量整数倍— 全位错
其中b=点阵矢量——单位位错 ● b≠点阵矢量整数倍——不全位错
其中b <点阵矢量——部分位错
原子堆垛
最紧密堆积方式:1,3,5 或2,4,6 位
12
6
3
54
12
6
3
54
相对第一、二层而言,第三层有两种最紧密的堆积方式
,
AB
第一种:是将球对准第一层的球
12 63
54
12 63
54
12 63
54
六方紧密堆积前视图
A B A B A
每两层一个周期:ABAB… 密排六方结构
第三层对准第一层的 2、4、6 位,即 C 层
面心立方晶体的滑移
如:1 a110 1 a121 1 a211
2
6
6
1 a1 10
2
1 a1 2 1
6
1 a211
6
扩展位错的交滑移
位错的束集
● 当螺型位错分解为扩展位错后,其中的层错区只能在原 滑移面上随两个不全位错移动,不能转移到新的滑移面 上。
● 如果这样的扩展位错在滑动过程中受阻,只有重新合并 为螺型全位错才能进行交滑移。
12 63
54
12 63
54
12 63
54
12 63
54
立方堆积示意图
A C B A C B A
全位错和不全位错
以面心立方晶体为例: ABCABCABC堆垛
由简单立方,深化到面心立方、体心立方和密排六方晶体中的位错。
基本概念
1.位错的类型
简单立方:b≡点阵矢量—只有全位错
实际晶体:b > = <点阵矢量 ● b=点阵矢量整数倍— 全位错
其中b=点阵矢量——单位位错 ● b≠点阵矢量整数倍——不全位错
其中b <点阵矢量——部分位错
原子堆垛
最紧密堆积方式:1,3,5 或2,4,6 位
12
6
3
54
12
6
3
54
相对第一、二层而言,第三层有两种最紧密的堆积方式
,
AB
第一种:是将球对准第一层的球
12 63
54
12 63
54
12 63
54
六方紧密堆积前视图
A B A B A
每两层一个周期:ABAB… 密排六方结构
第三层对准第一层的 2、4、6 位,即 C 层
面心立方晶体的滑移
如:1 a110 1 a121 1 a211
2
6
6
1 a1 10
2
1 a1 2 1
6
1 a211
6
扩展位错的交滑移
位错的束集
● 当螺型位错分解为扩展位错后,其中的层错区只能在原 滑移面上随两个不全位错移动,不能转移到新的滑移面 上。
● 如果这样的扩展位错在滑动过程中受阻,只有重新合并 为螺型全位错才能进行交滑移。
12 63
54
12 63
54
12 63
54
12 63
54
立方堆积示意图
A C B A C B A
全位错和不全位错
以面心立方晶体为例: ABCABCABC堆垛
位错的生成与增殖和实际晶体中的位错

-
THANK YOU
ENGLISH
可爱/简约/卡通
位错的生成与增殖和实际晶体中的位错
位错的增殖
弗兰克-里德位错源增殖 双交滑移增殖 仅在螺型位错中,比以上增殖方式更有效 攀移增殖
位错的生成与增殖和实际晶体中的位错
实际晶体中的位错
基本特征
单位位错 柏氏天量等于单位点阵矢量的位错 全位错
位错的生成与增殖和实际晶体中的位错
柏氏矢量等于点阵矢量或者其整数倍的位错称为"全位错",全位错滑移后晶体原子排列不 变 不全位错 柏氏矢量不等于点阵矢量或者其整数倍的位错,不全位错滑移后晶体原子排列规则变化 部分位错
位错的生成与增殖和实际晶体中的位错
柏氏矢量小于点阵矢 量的位错
位错的生成与增殖和实际晶体中的位错
典型层错
本征层错(滑移型层错) 非本征层错(插入型层错)
位错的生成与增殖和实际晶体中的位错
扩展位错
概念 扩展位错通常指一个全位错分解为两个不全位错,中间夹着一个堆垛层错的整个位错组态 ,就称为扩展位错 特征及形成过程
20XX
位错的生成与增殖和实 际晶体中的位错
演讲者:xxx
-
目录
CONTENTS
1 位错的生成与增殖 2 实际晶体中的位错
2
பைடு நூலகம்
位错的生成与增殖和实际晶体中的位错
位错的生成与增殖
位错的密度
穿过单位面积的位错线的数目
位错的生成与增殖和实际晶体中的位错
位错的生成
晶体生产过程中产生位错 过饱和空位聚集产生位错 晶界、微裂纹附近应力集中产生滑移,出现位错
实际晶体中位错的行为

几种典型的位错交割 (2)柏氏矢量平行的两刃型位错的交割(b1=b2)
➢折线段O2O2’=|b1|, O2O2’与其柏氏矢量b2同向,是螺型位错,滑移面与CD相
同,所以O2O2’是扭折,可消失 ;
➢同理O1O1’也是扭折.
9 实际晶体中位错的行为
9.2 位错的弯折与割阶
(3)刃型位错与螺型位错的交截
FCC全位错原子排列示意图,图面为(111)面
柏氏矢量可用数字及符号表示
对fcc晶体,[110]是原子最密排的晶向,此晶向相邻两原子在三
坐标轴上的投影为a/2、a/2、0,故单位位错柏氏矢量:
bcc
b
a
[111]
| b |
3R
b
a [110],
| b |
2a
2
2
2
2
hcp
b
a
[1120]
3
3.位错反应与扩展位错
(1) 位错反应 位错除相互作用外,还可能发生分解或合成,即位错反应。b位
错反应有两个条件。
1)几何条件:反应前各位错柏氏矢量之和应等于反应后各 之和
即Σ
b前 =Σ
后b
2)能量条件:能量降低的过程
∵ E∝b2
∴ Σb2前≥Σb2后
1953年汤普森(N. Thompson)引入参考四面体和一套标记来 描述fcc金属中位错反应,如图6-62。将四面体以ΔABC为底 展开,各个线段的点阵矢量,即为汤普森记号,它把fcc金属 中重要滑移面、滑移方向、柏氏矢量简单而清晰地表示出来。
基本概念
(5)刃型位错与刃型林位错的交割
AB与CD交割后: OO ’=b1 ; bOO ’=b2 ;
小结
➢刃型位错:被交割后必产生扭折或可动割 阶。 ➢螺型位错:被交割后产生的割阶必为刃型 位错且为不动割阶。
➢折线段O2O2’=|b1|, O2O2’与其柏氏矢量b2同向,是螺型位错,滑移面与CD相
同,所以O2O2’是扭折,可消失 ;
➢同理O1O1’也是扭折.
9 实际晶体中位错的行为
9.2 位错的弯折与割阶
(3)刃型位错与螺型位错的交截
FCC全位错原子排列示意图,图面为(111)面
柏氏矢量可用数字及符号表示
对fcc晶体,[110]是原子最密排的晶向,此晶向相邻两原子在三
坐标轴上的投影为a/2、a/2、0,故单位位错柏氏矢量:
bcc
b
a
[111]
| b |
3R
b
a [110],
| b |
2a
2
2
2
2
hcp
b
a
[1120]
3
3.位错反应与扩展位错
(1) 位错反应 位错除相互作用外,还可能发生分解或合成,即位错反应。b位
错反应有两个条件。
1)几何条件:反应前各位错柏氏矢量之和应等于反应后各 之和
即Σ
b前 =Σ
后b
2)能量条件:能量降低的过程
∵ E∝b2
∴ Σb2前≥Σb2后
1953年汤普森(N. Thompson)引入参考四面体和一套标记来 描述fcc金属中位错反应,如图6-62。将四面体以ΔABC为底 展开,各个线段的点阵矢量,即为汤普森记号,它把fcc金属 中重要滑移面、滑移方向、柏氏矢量简单而清晰地表示出来。
基本概念
(5)刃型位错与刃型林位错的交割
AB与CD交割后: OO ’=b1 ; bOO ’=b2 ;
小结
➢刃型位错:被交割后必产生扭折或可动割 阶。 ➢螺型位错:被交割后产生的割阶必为刃型 位错且为不动割阶。
第二章 金属晶体的缺陷

主要内容
2.1 点缺陷 2.2 位错的基本概念 2.3 位错的运动 2.4 位错的弹性性质 2.5 实际晶体结构中的位错 2.6 位错源和位错增殖 2.7 位错的实际观测 2.8 金属界面
引言
实际晶体中,或多或少地存在偏离理想结构 的区域, 此即为:晶体缺陷。
1.点缺陷:空位、间隙原子、溶质原子。 2.线缺陷:位错。 3.面缺陷:晶界、相界 、孪晶界、堆垛层错。
N N n
C
n
u S f
e kT k
u
Ae kT
N
Sf
式中 A e k 是由振动熵决定的系数,一般估计在1~10之间。
对于间隙原子也可用同样方法求得类似公式。
应用时需求出空位或间隙原子的形成能。
点缺陷的形成能包括电子能(缺陷对晶体中电 子状态的影响)和畸变能。
空位形成能中,电子能是主要的;间隙原子, 则畸变能使主要的。
用统计热力学方法计算平衡条件下的空位浓度。
由热力学知道自由能 F U TS
F nuv T (nS f Sc )
(2-1)
Sc k ln N(N 1)...(N n 2)(N n 1) N !
n!
(N n)!n!
SC
k
ln
(N
N! n)!n!
代入(2-1)得:
N! F nuv nTS f kT ln (N n)!n!
图2-8 图2-9
2)螺型位错:当螺型位错移过整个晶体后,在晶体表面 形成的滑移台阶宽度也等于柏氏矢量,其结果与刃型 位错是完全一样的。但它不像刃型位错那样有确定的 滑移面,而可以在通过位错线的任何原子平面上滑移。
图2-10
3)混合型位错
图2-11
图2-12
2.1 点缺陷 2.2 位错的基本概念 2.3 位错的运动 2.4 位错的弹性性质 2.5 实际晶体结构中的位错 2.6 位错源和位错增殖 2.7 位错的实际观测 2.8 金属界面
引言
实际晶体中,或多或少地存在偏离理想结构 的区域, 此即为:晶体缺陷。
1.点缺陷:空位、间隙原子、溶质原子。 2.线缺陷:位错。 3.面缺陷:晶界、相界 、孪晶界、堆垛层错。
N N n
C
n
u S f
e kT k
u
Ae kT
N
Sf
式中 A e k 是由振动熵决定的系数,一般估计在1~10之间。
对于间隙原子也可用同样方法求得类似公式。
应用时需求出空位或间隙原子的形成能。
点缺陷的形成能包括电子能(缺陷对晶体中电 子状态的影响)和畸变能。
空位形成能中,电子能是主要的;间隙原子, 则畸变能使主要的。
用统计热力学方法计算平衡条件下的空位浓度。
由热力学知道自由能 F U TS
F nuv T (nS f Sc )
(2-1)
Sc k ln N(N 1)...(N n 2)(N n 1) N !
n!
(N n)!n!
SC
k
ln
(N
N! n)!n!
代入(2-1)得:
N! F nuv nTS f kT ln (N n)!n!
图2-8 图2-9
2)螺型位错:当螺型位错移过整个晶体后,在晶体表面 形成的滑移台阶宽度也等于柏氏矢量,其结果与刃型 位错是完全一样的。但它不像刃型位错那样有确定的 滑移面,而可以在通过位错线的任何原子平面上滑移。
图2-10
3)混合型位错
图2-11
图2-12
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
L
当 sin 4 时1,
( ) 2G exp 4 sin 4 1 b
F 达到极大值,称之为P-N力: L
F 2Gb exp 4
L max 1
b
相应的最大剪切应力阻力称之为P-N应力:
P
2G
1
exp
4
b
※当 0 时,W ( ) 达到最大值。 这是不对的,所以这个模型应当有缺陷。
一、弯折
1、概念:
位错线的拐折与位错线处于同一滑移面上。
A
2、形成机制(分类)
(1)几何性弯折
1
弯折的宽度一般表达为:m d
一般
WP
1 1000
W0;所以
m
W0 2WP
22d
2 。
A
弯折形成能可以表达为:WK
2d
1
(2WP W0 ) 2
d
A
问题:刃型位错与螺型位错那个更容易形成弯折?为什么?
dux dxxx dx (1 )b sin 4ux
x x
2d
b
b
x
ux 2 arctg
-位错的半宽度:刃=
2
d (1
)
;
螺
=
d 2
;
螺=(1 )刃
第一节 P-N模型与P-N力
4、应力场求解:
二、P-N模型(简单立方)
进一步可以求出:
(x,0)=
yx
- Gb x
2 (1 ) x 2 2
刃=
e
Gb2 4 (1
)
ln
R 2
W
螺=
e
Gb2 4
ln
R 2
( r0 2 )
We-晶体的弹性能;
Wm-错排能,即滑移面上下两层原子的相互作用能。
如不考虑位置,只考虑整个错排面的能量,则 Wm可以表达为:
W
刃=
e
Gb2
4 (1
)
W
螺=
e
Gb2
4
一般取
ln R
2
10 We
10Wm
但是,这样求出的 W总 值仍然是个常数,仍然无法求出晶格阻力。
二、割阶
b1
1
2
2
1
b2
b2
b1
b2
b1
刃型位错上形成割阶;
螺型位错上形成弯折;
第二节 弯折和割阶
2、形成机制
(1)位错交割
相互垂直的螺性位错与螺型位错的交割
b1
1
2
2
b1
b2
b2
二、割阶
1 b2
b1
各自形成一个刃型割阶。
运动特性:只能沿着螺型位错滑移; 随着螺型位错运动时只能是攀移。
xy
-
2
Gb (1
)
x
2
x (y
)2
2xy( y ) x2 (y )2
2
x
x
2
Gb (1
)
x
2
3y (y
2
)
2
2y(y )2 x2 (y )2
2
yy
Gb 2 (1
)
x
2
y (y
)2
2x2 y x2 (y )2
2
zz
( xx
yy )
第二章 实际晶体中的位错行为
实际晶体与连续弹性介质的差别
晶体是周期排列的 晶格阻力(P-N力); 晶体的各向异性 实际晶体有固定的滑移面和滑移方向;
实际晶体的原子具有独特的堆垛方式 层错、部分位错和全位错。
目录
第一节 P-N模型与P-N力 第二节 弯折和割阶 第三节 扩散滑移与攀移机制 第四节 割阶位错的滑动 第五节 晶体中的全位错与滑移系统 第六节 面心立方晶体中的层错和部分位错 第七节 面心立方晶体中的几种重要位错反应 第八节 面心立方晶体中扩展位错的运动 第九节 面心立方中的层错四面体
二、P-N模型(简单立方)
(1)假设
y
x是相对位移
(
x)
的正弦函数(周期为b):
yx=C
sin
2 ( b
x)
当(x) 很小时,根据虎克定律:
=
yx
2
(x) b
C
பைடு நூலகம்
G (x)
d
C
Gb
2d
yx=-
Gb
2d
sin
4ux
b
(2)把上下两块晶体视作连续弹性介质,则可以把位错线视作连续分布的小位错。
在 x 处 dx范围内的柏氏矢量为: bdx 2 dux dx dx
小位错在x处产生的切应力为:
G b dx
2 (1 )
x
1
x
G
(1
)
dux
dx xx
x
1
x
dx
将其积分可以求出滑移面上的切应力:
yx
G
(1
)
dux
dx x x
x
1
x
dx
第一节 P-N模型与P-N力
3、u x 表达式的求解:
二、P-N模型(简单立方)
比较(1)和(2)两式可以得到积分方程:
5
6
7
8
Y
1
2
3
4
5
6
7
8
d
+ux -ux
X
1' 2' 3' 4' 5' 6' 7' 8'
1' 2' 3' 4' 5' 6' 7' 8'
第一节 P-N模型与P-N力
1、模型建立
二、P-N模型(简单立方)
第二步:假设每个原子移动 u x,
则相邻原子相对应动 2u x,
则同号原子之间相对位移:
Y
1
2
3
u
2
通过计算任意一对原子的错排能 m再通过求和得到整个滑移面的错排能;
然后再利用傅立叶求和公式,求出位错在任意位置的错排能(刃型位错):
Wm ( )
Gb 2 4 (1
)
WP 2
cos 4
其中,
WP
Gb 2
(1 )
exp
4
b
——P-N位垒,用以表示位错周期势能。
第一节 P-N模型与P-N力
刃 螺 WP刃 WP螺
Gb 2
4
WP (1 ) exp( b )
D
(a) D
(b) D
m (c)
第二节 弯折和割阶
2、形成机制(分类)
(2)热学性弯折
弯折的形成能: 2WK 2W f Winf 2W f ——弯折对的自能; Winf ——弯折对的交互作用能;
一、弯折
L
B
C
Ab
位错的运动有两种基本形式: (1)滑移:一般认为,滑移不涉及原子扩散,属于保守运动;
但有时热激活作用也会使位错线或其中的一部分产生漂移,从而引起滑 移称之为扩散滑移。 (2)攀移:必须有原子扩散。
一、弯折的扩散滑移
1、弯折扩散滑移的概念
弯折扩散滑移是指在外力和热激活作用下弯折的定向漂移。 这主要是指,应力较小时,位错线难于整体滑移;此时,却有可能在热激活作用 下使弯折发生定向漂移,进而引起位错线的滑移。
1 Gb2 exp 4 4 sin 4
2b (1 ) b
F L
2Gb
1
exp
4
b
sin 4
晶格阻力表达式的特点: 是作用在单位长度位错线上的晶格阻力; 是一种周期力。
第一节 P-N模型与P-N力
3、P-N力
三、晶格阻力与P-N力
晶格阻力用切应力来表达( F b):
可能形成割阶或弯折。
两个相互垂直的刃型位错的交割 条件:位错线相互垂直; 柏氏矢量也相互垂直;
Y
b1 1 X
A
B
A
2 b2
P
P'2
b2
B
Y
b1
b1
1
X
PP 为非障碍性割阶。
第二节 弯折和割阶
2、形成机制
(1)位错交割
相互垂直的刃型位错与螺型位错的交割
条件:位错线相互垂直; 柏氏矢量也相互垂直;
第一节 P-N模型与P-N力
四、P-N力的应用
1、P-N力的物理意义是什么?
2、P-N力的重要性何在?
• (1)如何解释晶体实际切变强度与理论强度的差别?
• (2)晶体中那些面是易滑移面?为什么? 根据PN应力公式, 每个面 的阻力不一样,每个晶面间距也不一样,存在密排面,密排面晶面间距 越大,PN力越小,易滑移面。
• (3)什么是易滑移方向,为什么? 密排方向阻力小,易滑移方向。
• (4)FCC与BCC相比,哪个的P-N力更大?为什么? Fcc密排强度大, 易滑移。Bcc没有最密排的面,fcc有。
• (5)为什么刃型位错的可动性大,而螺型位错的可动性差呢? 刃型位
错的半宽度大,
第一节 P-N模型与P-N力
第二节 弯折和割阶
- Gb (1 )
x2
y (y )2
1
注意:当 r x2 y2 2 时,该位错的应力场与连续介质中应力场相同。
因此,P-N模型消除了连续介质模型在位错中心的奇异点。
第一节 P-N模型与P-N力
三、晶格阻力与P-N力
1、Peierls 位错的能量
一般认为: W We Wm
W
W刃
W
e刃+Wm
(
)=
Gb 2
4 (1
)
ln
R
2
Gb 2
4 (1 )
WP 2
cos 4
第一节 P-N模型与P-N力
2、晶格阻力
当 sin 4 时1,
( ) 2G exp 4 sin 4 1 b
F 达到极大值,称之为P-N力: L
F 2Gb exp 4
L max 1
b
相应的最大剪切应力阻力称之为P-N应力:
P
2G
1
exp
4
b
※当 0 时,W ( ) 达到最大值。 这是不对的,所以这个模型应当有缺陷。
一、弯折
1、概念:
位错线的拐折与位错线处于同一滑移面上。
A
2、形成机制(分类)
(1)几何性弯折
1
弯折的宽度一般表达为:m d
一般
WP
1 1000
W0;所以
m
W0 2WP
22d
2 。
A
弯折形成能可以表达为:WK
2d
1
(2WP W0 ) 2
d
A
问题:刃型位错与螺型位错那个更容易形成弯折?为什么?
dux dxxx dx (1 )b sin 4ux
x x
2d
b
b
x
ux 2 arctg
-位错的半宽度:刃=
2
d (1
)
;
螺
=
d 2
;
螺=(1 )刃
第一节 P-N模型与P-N力
4、应力场求解:
二、P-N模型(简单立方)
进一步可以求出:
(x,0)=
yx
- Gb x
2 (1 ) x 2 2
刃=
e
Gb2 4 (1
)
ln
R 2
W
螺=
e
Gb2 4
ln
R 2
( r0 2 )
We-晶体的弹性能;
Wm-错排能,即滑移面上下两层原子的相互作用能。
如不考虑位置,只考虑整个错排面的能量,则 Wm可以表达为:
W
刃=
e
Gb2
4 (1
)
W
螺=
e
Gb2
4
一般取
ln R
2
10 We
10Wm
但是,这样求出的 W总 值仍然是个常数,仍然无法求出晶格阻力。
二、割阶
b1
1
2
2
1
b2
b2
b1
b2
b1
刃型位错上形成割阶;
螺型位错上形成弯折;
第二节 弯折和割阶
2、形成机制
(1)位错交割
相互垂直的螺性位错与螺型位错的交割
b1
1
2
2
b1
b2
b2
二、割阶
1 b2
b1
各自形成一个刃型割阶。
运动特性:只能沿着螺型位错滑移; 随着螺型位错运动时只能是攀移。
xy
-
2
Gb (1
)
x
2
x (y
)2
2xy( y ) x2 (y )2
2
x
x
2
Gb (1
)
x
2
3y (y
2
)
2
2y(y )2 x2 (y )2
2
yy
Gb 2 (1
)
x
2
y (y
)2
2x2 y x2 (y )2
2
zz
( xx
yy )
第二章 实际晶体中的位错行为
实际晶体与连续弹性介质的差别
晶体是周期排列的 晶格阻力(P-N力); 晶体的各向异性 实际晶体有固定的滑移面和滑移方向;
实际晶体的原子具有独特的堆垛方式 层错、部分位错和全位错。
目录
第一节 P-N模型与P-N力 第二节 弯折和割阶 第三节 扩散滑移与攀移机制 第四节 割阶位错的滑动 第五节 晶体中的全位错与滑移系统 第六节 面心立方晶体中的层错和部分位错 第七节 面心立方晶体中的几种重要位错反应 第八节 面心立方晶体中扩展位错的运动 第九节 面心立方中的层错四面体
二、P-N模型(简单立方)
(1)假设
y
x是相对位移
(
x)
的正弦函数(周期为b):
yx=C
sin
2 ( b
x)
当(x) 很小时,根据虎克定律:
=
yx
2
(x) b
C
பைடு நூலகம்
G (x)
d
C
Gb
2d
yx=-
Gb
2d
sin
4ux
b
(2)把上下两块晶体视作连续弹性介质,则可以把位错线视作连续分布的小位错。
在 x 处 dx范围内的柏氏矢量为: bdx 2 dux dx dx
小位错在x处产生的切应力为:
G b dx
2 (1 )
x
1
x
G
(1
)
dux
dx xx
x
1
x
dx
将其积分可以求出滑移面上的切应力:
yx
G
(1
)
dux
dx x x
x
1
x
dx
第一节 P-N模型与P-N力
3、u x 表达式的求解:
二、P-N模型(简单立方)
比较(1)和(2)两式可以得到积分方程:
5
6
7
8
Y
1
2
3
4
5
6
7
8
d
+ux -ux
X
1' 2' 3' 4' 5' 6' 7' 8'
1' 2' 3' 4' 5' 6' 7' 8'
第一节 P-N模型与P-N力
1、模型建立
二、P-N模型(简单立方)
第二步:假设每个原子移动 u x,
则相邻原子相对应动 2u x,
则同号原子之间相对位移:
Y
1
2
3
u
2
通过计算任意一对原子的错排能 m再通过求和得到整个滑移面的错排能;
然后再利用傅立叶求和公式,求出位错在任意位置的错排能(刃型位错):
Wm ( )
Gb 2 4 (1
)
WP 2
cos 4
其中,
WP
Gb 2
(1 )
exp
4
b
——P-N位垒,用以表示位错周期势能。
第一节 P-N模型与P-N力
刃 螺 WP刃 WP螺
Gb 2
4
WP (1 ) exp( b )
D
(a) D
(b) D
m (c)
第二节 弯折和割阶
2、形成机制(分类)
(2)热学性弯折
弯折的形成能: 2WK 2W f Winf 2W f ——弯折对的自能; Winf ——弯折对的交互作用能;
一、弯折
L
B
C
Ab
位错的运动有两种基本形式: (1)滑移:一般认为,滑移不涉及原子扩散,属于保守运动;
但有时热激活作用也会使位错线或其中的一部分产生漂移,从而引起滑 移称之为扩散滑移。 (2)攀移:必须有原子扩散。
一、弯折的扩散滑移
1、弯折扩散滑移的概念
弯折扩散滑移是指在外力和热激活作用下弯折的定向漂移。 这主要是指,应力较小时,位错线难于整体滑移;此时,却有可能在热激活作用 下使弯折发生定向漂移,进而引起位错线的滑移。
1 Gb2 exp 4 4 sin 4
2b (1 ) b
F L
2Gb
1
exp
4
b
sin 4
晶格阻力表达式的特点: 是作用在单位长度位错线上的晶格阻力; 是一种周期力。
第一节 P-N模型与P-N力
3、P-N力
三、晶格阻力与P-N力
晶格阻力用切应力来表达( F b):
可能形成割阶或弯折。
两个相互垂直的刃型位错的交割 条件:位错线相互垂直; 柏氏矢量也相互垂直;
Y
b1 1 X
A
B
A
2 b2
P
P'2
b2
B
Y
b1
b1
1
X
PP 为非障碍性割阶。
第二节 弯折和割阶
2、形成机制
(1)位错交割
相互垂直的刃型位错与螺型位错的交割
条件:位错线相互垂直; 柏氏矢量也相互垂直;
第一节 P-N模型与P-N力
四、P-N力的应用
1、P-N力的物理意义是什么?
2、P-N力的重要性何在?
• (1)如何解释晶体实际切变强度与理论强度的差别?
• (2)晶体中那些面是易滑移面?为什么? 根据PN应力公式, 每个面 的阻力不一样,每个晶面间距也不一样,存在密排面,密排面晶面间距 越大,PN力越小,易滑移面。
• (3)什么是易滑移方向,为什么? 密排方向阻力小,易滑移方向。
• (4)FCC与BCC相比,哪个的P-N力更大?为什么? Fcc密排强度大, 易滑移。Bcc没有最密排的面,fcc有。
• (5)为什么刃型位错的可动性大,而螺型位错的可动性差呢? 刃型位
错的半宽度大,
第一节 P-N模型与P-N力
第二节 弯折和割阶
- Gb (1 )
x2
y (y )2
1
注意:当 r x2 y2 2 时,该位错的应力场与连续介质中应力场相同。
因此,P-N模型消除了连续介质模型在位错中心的奇异点。
第一节 P-N模型与P-N力
三、晶格阻力与P-N力
1、Peierls 位错的能量
一般认为: W We Wm
W
W刃
W
e刃+Wm
(
)=
Gb 2
4 (1
)
ln
R
2
Gb 2
4 (1 )
WP 2
cos 4
第一节 P-N模型与P-N力
2、晶格阻力