低噪声放大器--产品规格
SX502MQ 低噪声宽带放大器 说明书、使用手册
SX502MQ 低噪声宽带放大器产品说明书、使用手册V.20151126产品用途及应用范围● 无线通信接收/发射系统 ● 射频或中视频信号处理系统产品特点● 双极工艺制作● 输入/输出50Ω阻抗匹配 ● 器件电压低：4.2 V (典型值) ● 工作频带宽：10MHz~4.0GHz● 输出1dB 压缩点较高：(典型值)产品描述SX502MQ 是采用双极工艺制作的射频放大器。
该产品具有工作频带宽、噪声系数较低、器件电压低、温度性能好等特点。
它通过外接偏置电阻实现可调节的单电源供电，使用简单方便，适用于各种常规电源电压工作的射频或中频信号处理系统。
该产品采用4引线ST31B 封装。
该产品电原理图如下：①③②、④图1 电原理图标准● 总规范及编号：GJB 597A-1996《半导体集成电路总规范》● 详细规范及确认号：Q/UC 965-2013《半导体集成电路SX502MQ 型低噪声宽带放大器详细规范》 ● 质量等级： 除静电、盐雾、水汽除外产品检验按B 级控制产品外形图和实物图片图2 外形图 图3 实物图片单位为毫米引出端排列（俯视图）413图4 引出端排列引出端功能符号表产品标识1图5 产品标识图推荐工作条件● 器件电压(V D ):4.2V ● 电源电流(I D ):68mA● 工作频率范围(f ):10MHz~4.0GHz ● 外壳温度(T C ):-55℃~125℃性能指标除另有规定外，V CC =15V ，R =160Ω，Z I =Z O =50Ω，-55℃≤T A ≤125℃。
绝对最大额定值● 电源电流(I D ):80mA ● 射频输入功率(P I ):-5dBm ● 贮存温度(T stg ): -65℃~150℃ ● 热阻(θJC ):150℃/W ● 引线耐焊接温度(T h ):300℃主要特性曲线图（电特性测试图）若无其它说明，测试条件均为T A=25℃，V CC/R bias=15V/160 ，Lc选用RF choke TCCH-80，输入/输出耦合电容选用0.1uF。
900M低噪声放大器
900MHz 低噪声放大器Vikas ChandraCarnegie Mellon Univercity摘要采用标准的0.25umCMOS工艺设计的900MHz低噪声放大器。
放大器能提供15dB的增益，而噪声系数仅1dB，电源电压2.5V，工作电流9.6mA。
该报告中有详细的设计过程及模拟结果。
1. 介绍接收机的最前级通常是低噪声放大器（Low Noise Amplifier, LNA）。
LNA的主要功能是在克服噪声的条件下为后级提供足够高的增益。
即在提供增益的同时，尽可能地减少噪声，以及完成接受大信号不失真——线性度要好。
通常，LNA要实现一个特性阻抗如50Ω，以匹配输入源信号，尤其是在LNA的前级有一个无源滤波器的情况下，因为许多滤波器的传输函数对负载的值十分敏感。
此外，LNA需要低的功耗，对便携式设备尤其重要。
LNA的设计是以下各特性的折中，即优化的增益、低噪声系数、输入输出端口匹配、高的线性度和低功耗之间的折中。
LNA的简单结构会误导我们，认为设计很简单，但其中设计的折中非常复杂。
当然在深亚微米工艺制作高Q值的片上电感也是很不容易。
设计的目标为以下参数：电源电压 2.5V功耗 25mW噪声系数NF（dB） <2.0dBIIP3 >5dBm增益 >15dB输入阻抗（实部） 40-60Ω输出阻抗（实部） 40-60Ω－1dB压缩点 >-10dBm从10MHz到2GHz反向增益（隔离） <-30dB在900MHz输入阻抗匹配（S11） <-12dB输出阻抗匹配（S22） <-12dB在900MHz传输函数平坦度（中心频率周围）－3dB带宽>100MHz采用标准的0.25umCMOS工艺设计的900MHz低噪声放大器。
为了得到纯实数的输入阻抗，我们采用源极电感负反馈的电路[1]。
这种结构与其它结构相比在得到50Ω阻抗时具有更低的噪声。
但源极电感负反馈的电路要求电路可以调谐，而该设计是窄带的。
AD8229低噪声仪表放大器产品手册说明书
应用
井下仪器仪表 恶劣环境下的数据采集 废气测量 振动分析
概述
AD8229是一款超低噪声仪表放大器，设计用于在大共模 电压和高温下测量小信号。
AD8229专门针对高温工作环境而设计，采用介质隔离工 艺来防止高温时产生漏电流。所选择的设计架构可补偿高 温下的低VBE电压。
预测寿命与工作温度的关系................................................... 6 热阻 .............................................................................................. 6 ESD警告....................................................................................... 6 引脚配置和功能描述 ..................................................................... 7 典型工作特性 .................................................................................. 8
修订历史
2012年2月—修订版A至修订版B 增加8引脚SOIC封装 ...............................................................通篇 更改特性和概述部分...... 1 更改表1 ............................................................................................. 3 更改表2、热阻部分和表3 ............................................................ 6 更新外形尺寸 ................................................................................ 21 更改订购指南 ................................................................................ 21
opa2227高精度、低噪声运算放大器
PSRR
TA = –40°C to +85°C vs Time
Channel Separation (dual, quad)
INPUT BIAS CURRENT
Input Bias Current
IB
TA = –40°C to +85°C
Input Offset Current
IOS
TA = –40°C to +85°C
(V–)+2
(V+)–2
120
138
120
VCM = (V–)+2V to (V+)–2V VO = (V–)+2V to (V+)–2V, RL = 10kΩ VO = (V–)+3.5V to (V+)–3.5V, RL = 600Ω
107 || 12 109 || 3
132
160
132
132
160
All trademarks are the property of their respective owners.
PRODUCTION DATA information is current as of publication date. Products conform to specifications per the terms of Texas Instruments standard warranty. Production processing does not necessarily include testing of all parameters.
136-174MHz VHF低噪放大器
低噪放大器定义：
噪声系数很低的放大器。
一般用作各类无线电接收机的高频或中频前置放大器，以及高灵敏度电子探测设备的放大电路。
在放大微弱信号的场合，放大器自身的噪声对信号的干扰可能很严重，因此希望减小这种噪声，以提高输出的信噪比。
由放大器所引起的信噪比恶化程度通常用噪声系数F来表示。
理想放大器的噪声系数 F=1（0分贝），其物理意义是输入信噪比等于输出信噪比。
现代的低噪声放大器大多采用晶体管、场效应晶体管；微波低噪声放大器则采用变容二极管参量放大器，常温参放的噪声温度Te可低于几十度(绝对温度)，致冷参量放大器可达20K以下，砷化镓场效应晶体管低噪声微波放大器的应用已日益广泛，其噪声系数可低于 2 分贝。
放大器的噪声系数还与晶体管的工作状态以及信源内阻有关。
为了兼顾低噪声和高增益的要求，常采用共发射极一共基极基联的低噪声放大电路。
低噪放大器的原理：
地球站的品质因数（G/T）主要取决于天线和低噪声放大器（LNA）的性能。
接收系统的噪声温度Ts是指折算到LNA输入端的系统等效噪声温度，它主要由天线噪声温度TA、馈线损耗LALA 和低噪声接收机噪声三个部分组成。
136-174MHz 低噪放大器外形尺寸图：
136-174MHz 低噪放大器产品实物图
优译主要生产的产品：射频隔离器、环形器、衰减器、负载、合路器、功分器、电桥、射频滤波器、放大器等射频微波器件。
M:UIYXXXXXXX XXXXXXX N:XXXXXXXXX
Φ2.7[.106]THRU
+12V GND
78.0 [3.071]
3.0 [.118]
12.0 [.472]
25.4 [1.000]。
低噪声放大器 核心参数
低噪声放大器核心参数
低噪声放大器的核心参数主要包括增益、带宽、噪声系数和输入/输出阻抗。
以下是对这些参数的详细解释：
1. 增益：低噪声放大器的增益是指输入信号经过放大器后的输出信号幅度与输入信号的幅度之间的比例关系。
增益通常用分贝（dB）表示。
高增益意味着放大器可以有效地放大微弱输入信号。
2. 带宽：低噪声放大器的带宽是指放大器能够有效放大输入信号的频率范围。
带宽通常以赫兹（Hz）表示。
较大的带宽意味着放大器可以传输更高频率的信号。
3. 噪声系数：低噪声放大器的噪声系数是指放大器引入的噪声对输入信号的影响程度。
噪声系数通常用分贝（dB）表示，数值越低表示放大器的性能越好。
在设计低噪声放大器时，尽量选择具有较低噪声系数的放大器，以保持信号的准确性和质量。
4. 输入/输出阻抗：低噪声放大器的输入阻抗是指放大器对输入信号源的负载效应，输出阻抗是指放大器驱动负载的能力。
较高的输入阻抗意味着放大器对输入信号源的负载效应较小，较低的输出阻抗意味着放大器可以有效地驱动负载。
这些核心参数是设计和选择低噪声放大器时需要考虑的重要因素，需要根据具体的应用需求和信号特征进行合理选择。
2.4GHz低噪声放大器
2.4GHz低噪声放大器概述2.4GHz低噪声放大器是一种广泛应用于射频收发系统中的重要组件，其主要功能是放大输入信号并降低噪声功率，以提高系统的灵敏度和性能。
在无线通信、雷达、卫星通信等领域中，低噪声放大器发挥着关键作用。
本文将介绍2.4GHz低噪声放大器的工作原理、设计要点以及常见的应用案例。
工作原理2.4GHz低噪声放大器的工作原理基于通信系统中的信号放大和噪声特性。
在信号传输过程中，原始信号的功率很小，为了保持信号的强度，需要将其放大到一定的幅度。
放大信号时，要尽量避免引入额外的噪声，以免干扰原始信号。
低噪声放大器的关键是降低输入信号的噪声功率，在放大信号的同时尽量减小噪声的增益。
这通常通过选择合适的器件和电路设计来实现。
在2.4GHz频段，常用的器件包括高电子迁移率晶体管（HEMT）、增强型场效应晶体管（eFET）和双极晶体管（BJT）等。
设计要点1. 选择合适的器件在设计2.4GHz低噪声放大器时，需要选择合适的器件来实现高增益和低噪声。
一般来说，HEMT器件在高频率下具有较低的噪声指标，可以被视为较好的选择。
此外，还应考虑器件的线性度、功耗和可靠性等因素。
2. 优化电路布局电路布局对低噪声放大器的性能有重要影响。
合理的布局可以减小电路之间的相互干扰，降低噪声水平。
应尽量缩短信号线和功率线的长度，减小回路面积，同时避免引入额外的杂散电容和电感。
此外，分析和优化传输线、匹配网络和功率供应电路等也是布局设计的重点。
3. 进行合理的匹配网络设计匹配网络在低噪声放大器中起到了很重要的作用。
合理设计匹配网络可以提高信号的传输效率和匹配度，降低反射损耗和噪声功率。
常用的匹配网络包括巴尔孔匹配器、L型匹配器和Pi型匹配器等。
4. 使用合适的供电电源供电电源的稳定性和纹波水平对低噪声放大器的性能有直接影响。
使用合适的供电电源可以降低噪声水平，提高放大器的线性度和稳定性。
应选择低纹波的稳压器或低噪声放大芯片作为供电电源，同时注意供电线和信号线的分离布线。
低噪声放大器opa1612
0.000008 –142
Copyright © 2009–2011, Texas Instruments Incorporated
OPA1611 OPA1612
SBOS450B – JULY 2009 – REVISED JULY 2011
This integrated circuit can be damaged by ESD. Texas Instruments recommends that all integrated circuits be handled with appropriate precautions. Failure to observe proper handling and installation procedures can cause damage.
OPA1611AI, OPA1612AI
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
AUDIO PERFORMANCE
Total Harmonic Distortion + Noise
THD+N
G = +1, f = 1kHz, VO = 3VRMS
0.000015 –136
Intermodulation Distortion
DESCRIPTION
The OPA1611 (single) and OPA1612 (dual) bipolar-input operational amplifiers achieve very low 1.1nV/√Hz noise density with an ultralow distortion of 0.000015% at 1kHz. The OPA1611 and OPA1612 offer rail-to-rail output swing to within 600mV with a 2kΩ load, which increases headroom and maximizes dynamic range. These devices also have a high output drive capability of ±30mA.
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低噪声放大器
一种位于放大链路输入端，针对给定的增益要求，引入尽可能小的内部噪声，并在输出端获得最大可能的信噪比而设计的放大器。
低噪声放大器，噪声系数很低的放大器。
一般用作各类无线电接收机的高频或中频前置放大器，以及高灵敏度电子探测设备的放大电路。
在放大微弱信号的场合，放大器自身的噪声对信号的干扰可能很严重，因此希望减小这种噪声，以提高输出的信噪比。
低噪声放大器low noise amplifier噪声系数很低的放大器。
一般用作各类无线电接收机的高频或中频前置放大器，以及高灵敏度电子探测设备的放大电路。
在放大微弱信号的场合，放
低噪声放大器
大器自身的噪声对信号的干扰可能很严重，因此希望减小这种噪声，以提高输出的信噪比。
由放大器所引起的信噪比恶化程度通常用噪声系数F来表示。
理想放大器的噪声系数F＝1（0分贝），其物理意义是输出信噪比等于输入信噪比。
现代的低噪声放大器大多采用晶体管、场效应晶体管；微波低
低噪声放大器
噪声放大器则采用变容二极管参量放大器，常温参放的噪声温度Te 可低于几十度(绝对温度)，致冷参量放大器可达20K以下，砷化镓场效应晶体管低噪声微波放大器的应用已日益广泛，其噪声系数可低于 2 分贝。
放大器的噪声系数还与晶体管的工作状态以及信源内阻有关。
在工作频率和信源内阻均给定的情况下，噪声系数也和晶体管直流工作点有关。
为了兼顾低噪声和高增益的要求，常采用共发射极一共基极级联的低噪声放大电路。
应用
噪声放大器(LNA)主要面向移动通信基础设施基站应用，例如收发器无线通信卡、塔顶放大器(TMA)、组合器、中继器以及远端/数字无线宽带头端设备等应用设计，并为低噪声指数(NF, Noise Figure)立下了新标竿。
目前无线通信基础设施产业正面临必须在拥挤的频谱内提供最佳信号质量和覆盖度的挑战，接收器灵敏度是基站接收路径设计中最关键的要求之一，合适的LNA选择，
低噪声放大器
特别是第一级LNA可以大幅度改善基站接收器的灵敏度表现，低噪声指数也是关键的设计目标，Avago提供了1900MHz下0.48dB同级产品最佳的噪声指数。
另一个关键设计为线性度，它影响了接收器分辨紧密接近信号和假信号分别的能力，三阶截点OIP3可以用来定义线性度，在1900MHz和5V/51mA的典型工作条件下，Avago特有的GaAs
增强模式pHEMT工艺技术可以带来0.48dB的噪声指数和35dBm的OIP3，在2500MHz 和5V/56mA的典型工作条件下，噪声指数为0.59dB，OIP3则为35dBm。
通过低噪声指数和高OIP3，这些Avago的新低噪声放大器可以提供基站接收器路径比现有放大器产品更大的设计空间。
可调整能力和共通引脚安排带来设计优化和灵活度
特点是高可靠性、频率跨度（0.1Hz--40GHz）、供货周期短、生产和检验所用仪表的精度和准确度高---均为HP公司的标量和矢量网络分析仪等，产品已广泛地应用于雷达、电子对抗、航空、航海等军事领域和通讯、电视传输、仪器、仪表等民用市场。
应用领域：
•VHF/UHF 波段低噪声放大
•室外电池供电系统的测试设备
•小信号放大器或前置放大
•实验室测试用
•从VHF直至S波段的宽带接收
•测试设备
•宽带接收
•超宽带接收机前端
•高功率线性功放的推动
•小信号线性增强
•便携式数字图像发射设备的末级
•便携式无线传输设备
TLA系列低噪声放大器
TSPA系列中功率放大器
TPA系列微波功率放大器
北京天华中威科技有限公司。