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模拟电路典型例题讲解
态范围，所以，不会出现非线性失真。 （5）输入信号的两个频率分量为 f1=1kHz，f2=10MHz，fL＜f1＜fH ，f2＞fH，所以，放
大后会出现高频频率失真。又由于输入信号幅度较小（0.01V），叠加后也未超出线性 动态范围，所以，不会出现非线性失真。
【3-7】分相器电路如题图 3.5 所示。该电路的特点是 RC=RE，在集电极和发射极可输 出一对等值反相的信号。现如今有一容性负载 CL，若将 CL 分别接到集电极和发射极， 则由 CL 引入的上限频率各为多少？不考虑晶体管内部电容的影响。
相应的上限频率为
ωH
fH =
=
106
≈159.2kHz
2π 2×3.14
由增益带宽积的定义可求得：GBW=│A(0)·fH│≈31.84MHz 思考：此题是否可用波特图求解？ 【3-3】已知某晶体管电流放大倍数β的频率特性波特图如题图 3.2（a）所示，试写出 β的频率特性表达式，分别指出该管的 ωβ、ωT 各为多少？并画出其相频特性的渐近 波特图。
1
1
C2≈
=
≈2.12μF
2π(RC+RL) fL 2 2×3.14×(3+10)×103×5.77
1
C3≈ 2π RE∥
Rs+rbe 1+β
1
fL 3
= 2×3.14× 2∥1+2.6 1+100
≈766μF ×5.77
取 C1=10μF，C2=10μF，C3=1000μF。 【3-10】在题图 3.7 中，若下列参数变化，对放大器性能有何影响（指 ICQ、Avm、Ri、
真问题。但由于输入信号幅度较大（0.1V），经 100 倍的放大后峰峰值为 0.1×2× 100=20V，已大大超出输出不失真的动态范围为 Vopp=10V，故输出信号将产生严重的 非线性失真（波形出现限幅状态）。 （2）输入信号为一单一频率正弦波，f=1MHz，由于 fL＜f＜fH，所以，不存在频率失 真问题。又由于输入信号幅度较小（0.01V），经 100 倍的放大后峰峰值为 0.01×2× 100=2V＜Vopp（10V），所以，也不会出现非线性失真。 （3）输入信号的两个频率分量为 f1=400Hz，f2=1MHz，均处在放大器的中频区，所以， 不存在频率失真问题。又由于输入信号幅度较小（0.01V），所以，也不会出现非线性 失真。 （4）输入信号的两个频率分量为 f1=10Hz，f2=50kHz，f1＜fL，fL＜f2＜fH，所以，放大 后会出现低频频率失真。又由于输入信号幅度较小（0.01V），叠加后也未超出线性动
模电习题讲解与解析(第6版)2020
vi2
∵i3＝i4，
0
vn R3
vn vo R4
vo
(1
R4 R3
)vn
vo表达式
vo
(1
R4 R3
)(
R2 R1 R2
vi1
R1 R1 R2
vi2 )
当R1=R2 =R3 时， vo vi1 vi2
分析：A1、 A2 电压跟随器
A3： vo1“”端 ，vo2“+”端， 加减电路
R2 R1
)
2
＝
(1
6V
20 ) 10
2
0 2 2 vo 10 20
vO ＝6V
in=0
in=0
(c) vn ＝ vp ＝0 ， in＝0
vo vn＝ 2V
vo ＝ 2V
(d) vn ＝ vp ＝2V， in＝0
vo ＝ vn ＝ vp ＝2V
方法一：公式法 vi“+”端 ，同相放大电路 同相放大电路通用公式：
vo vo vo ＝0.6+1.2V ＝1.8V
vp1
vp2
方法二：虚短虚断法 : vp ＝ vn， ip＝in＝0
A1： i1＝i21 , vn1＝vp1＝0
vi1 vn1 R1
vn1 vo1 , R21
vo1
R21 R1
vi
100 0.6＝1.2V
50
A2：i2＝i22 ,
vo1 vn2 vn2 vo ,
工 作 区 ③
+
DZ
符号
①
(b) 伏安特性
稳压管, RL//DZ ，VO =VZ
解: (1) VO = VZ ， IR = IO + IZ ， VI = VR + VO
模拟电路典型习题解答
Ri Rb ∥ rbe rbe 1.3k Ro Rc 5k
例题4
图4所示电路参数理想对称，β1＝β2＝β，rbe1＝ rbe2＝rbe。 （1）写出RW的滑动端在中点时Ad的表达式； （2）写出RW的滑动端在最右端时 Ad的表达式， 比较两个结果有什么不同。 解：（1）RW的滑动端在 A u O d u I 中点时Ad的表达式为： （ 2 ） RW 的滑动端在 最右端时：
u C1
( Rc
rbe
RW ) 2
u C2 RW ) 2 u
( Rc R W )
2rbe
u I
Rc
2rbe
图4
u I
u O u C1 u C2
( Rc
rbe
I
所以Ad的表达式为：
Ad
u O u I
( Rc
(d) uO
20uI1 20uI2 40u13 u14
例题9
图9所示为恒流源电路，已知稳压管工作在稳压状态，试求负载电 阻中的电流。
解：
uP U Z IL 0.6 R2 R2
mA
图9
例题10
在图10（a）所示电路中，已知输入电压uI的波形如图（b）所示， 当t＝0时uO＝0。试画出输出电压uO的波形。 解：输出电压的表达式为： t 1 uO u I dt u O (t1 ) t RC 1 当uI为常量时 uO uI (t2 t1 ) uO (t1 ) RC 1 5 u (t t1 ) uO (t1 ) 7 I 2 10 10 －100uI (t2 t1 ) uO (t1 )
例题6
在图6所示电路中,若要求C1与C2所在回路的时间常数相等 ,且已知 rbe=1kΩ，则C1:C2＝? 若C1与C2所在回路的时间常数均为25ms，则 C1、C2各为多少？下限频率fL≈? 解：（1）求解C1:C2 因为 C1（Rs＋Ri）＝C2（Rc＋RL） 将电阻值代入上式，求出 C1 : C2＝5 : 1。 2）求解C1、C2的容量和下限频率 C1 12.5μF Rs Ri C2 2.5μ F Rc RL 1 f L1 f L2 6.4Hz 2 π f L 1.1 2 f L1 10Hz
模拟电路10.习题解答
第十章 ）× （2）√ （3）√ × （4）√ （5）× （6）√
第十章 直流电源
解：（1）B （2）C （3）A （4）D
第十章 直流电源
式。
第十章 直流电源
解： （1）全波整流电路，波形如右下。
U O(AV) 0.9U 2 （2）
第十章 直流电源
10.10 试在图P10.10所示电路中，标出各电容两端电压的极性 和数值，并分析负载电阻上能够获得几倍压的输出？
解：（1）C1上电压极性为上“＋”下“－”，数值为 一倍压； C2上电压极性为右“＋”左“－”，数值为 二倍压； C3上电压极性为上“＋”下“－”，数值为 三倍压。
第十章 直流电源
0.45U 2 （3） I D RL
I L(AV)
0.9U 2 RL
U R 2 2U 2
第十章 直流电源
求出UO1(AV)和UO2(AV)各为多少？
第十章 直流电源
解： （1）均为上“＋”、下“－”。
（2）全波整流。 （3）UO1（AV）＝－UO2（AV）≈0.9U21＝0.9U22＝18V （4）UO1（AV）＝－UO2（AV）≈0.45U21＋0.45U22＝18V
解：（ 2） C1 上电压极性为上“－”下“＋”，数值为 一倍压； C2上电压极性为上“＋”下“－”，数值为二倍 压； C3、C4上电压极性均为右“＋”左“－”， 数值均为二倍压。 负载电阻上为四倍压。
第十章 直流电源
第十章 直流电源
第十章 直流电源
解： （1）输出电压的调节范围 R2 U O (1 )U REF 1.25～16.9V R1 （2）输入电压取值范围
U Imin U O max U 12 min 20 V U Imax U Omin U 12 max 41.25 V
模电课件第二章基本放大电路例题分析
例5 已知β=50
1、求Q。
2、求Au、Aus、ri、ro
解： 1、求Q
UB QRb1Rb2Rb2VC C
10 122.79V
3310 IEQUBQReUBEQ
U CE V Q C （ C R e 1R e 2R c ） IEQ
=12－(1.5+3.3) 1.46 =5V
2.790.61.46mA 0.21.3
Uo应为
Uo
Usm 2
Aus
27 9 117（ 3 m7） V 1.7（ 4V ） 2
Uo> Uomax，故输出波形会失真，且为饱和失真。
16
4、电路元件参数的调整 克服饱和失真的方法是降低Q点，通常采用改变
Rb阻值，降低IBQ，来实现。 由UCEQ－UCES = ICQR'L 变为： （VCC －ICQRc ）－UCES = ICQR'L
设BJT的UCES=0.7V。
根据交流负载线上UCEQ两侧线
Q
段的长短即可确定Uom。
UCES
U o m m ax （ U C i n U E C ） Q E I C R S L ' ） Q ， 2
Uomax32 0.71.63（ V）
有效值
3、电路失真分析
因为Aus=－91，当us= 27sinωt（mV）时，经放大，
8
（1）Rb =100k， RC=1k
IBV CR C b U B＝ E11 － 20 0 .7 00.1m 1 A
IB<IBS 三极管工作在放大区 （2）Rb =40k， RC=1k
IBV CR C b U B＝ E1－ 4 20.0 70.2m 8A
IB>IBS 三极管工作在饱和区
模拟电路三极管放大电路讲解
结构特点：
• 发射区的掺杂浓度最高； • 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； • 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且
掺杂浓度最低。
管芯结构剖面图
3.1.2 BJT的电流分配与放大原理
三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通 过载流子传输体现出来的。
外部条件：发射结正偏，集电结反偏。
1. 内部载流子的传输过程
3.1.1 BJT的结构简介
发射极，用半E导或体e三极管的结构示意集图电如极图，03用.1C.0或1所c 示。它有 表示（E两mi种tte类r）型；:NPN型和P集NP电型区表。示（Collector）。
发射区
基区 基发极射，结用(BJe或) b表示集（电Ba结se(）Jc)
三极管符号
两种类型的三极管
– O
iC
O iB
O vi O
vCE tO
vo tO
t
C b1
A
+
+ Rb
t
vi
300k VB B
O – 12V
iC
+
iB
c
+b
T e
vBE
vBE iE
–
–
t
C b2
+
B
+
RL
4k
vo VCC 12V
– O
Vi=0
Vi=Vsint
电容的阻抗：设Cb1=10uF，f=1kHz。
1
1
1
Z C b1 j C b1 2fb C 1 2 13 0 1 0 1 6 0 1 6
1
根据 且令
IE=IB+ IC
IC= InC+ ICBO
电路分析模拟试题3套及答案PDF.pdf
V。
3．含 US 和 IS 两直流电源的线性非时变电阻电路，若 IS 单独作用时, R 上的电流为 I′，
当 US 单独作用时，R 上的电流为 I"，（I′与 I"
参考方向相同），则当 US 和 IS 共同作用时，R 上的功率应为
。
4．若电阻上电压 u 与电流 i 为非关联参考方向，则电导 G 的表达式
1
书山有路
*七． 含空心变压器正弦稳态电路如图，uS(t)=10 2 cos ( 5t + 15°)V,
求电流i 1(t), i 2(t)。(15 分)
电路分析 试题（Ⅱ）
一．单项选
D．10∠180°V
二. 填空 （每题 1 分，共 10 分）
1．电路的两类约束是
。
2．一只 100Ω，1w 的电阻器，使用时电阻上的电压不得超过
解得： I1 ＝ 1A
I2 ＝ －2A
6
书山有
P4
=
(I1
− I2)2 4
=
(1+ 2)2 4
=
9W 4
六 ．解： t < 0 , u C(0-) = - 2V
t > 0 , u C (0+) = u C (0-) = -2V
u C (∞) = 10 – 2 = 8V τ= (1 + 1) 0.25 = 0.5 S
= 1A
电压源单独作用
I3
=
−
6
24 + 3//
6
=
−3A
I2
=
I3
6
6 +
3
=
−3
2 3
=
−2 A
I1 ＝－ I2 ＝2A
模拟电路习题解答
模拟电路(童诗白第四版)习题解答(总135页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥1263第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。
( √ )GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS( × )二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
4A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
模拟电路例题及习题.ppt
2、由已知条件知：fc=1000KHz，fI=455KHz，带宽9KHz， 所以实际信号频率fL=fc+ fI =1000+455=1455KHz，接收效果 较好的频点为452KHz或458KHz。要想使接收效果更好一些， 收音机电路应调整未变频之前的高频放大器的选频特性，使 其中心频率为1003KHz或997KHz。
答：回路电感为0.317mH,有载品质因数为1.546
例2-1：用电容部分接入方式设计一个窄带阻抗变换网络，仅 使用LC并联谐振电容部分接入形式电路即可。工作 频换率后1输G入Hz阻，抗带为宽R5in0=M5H0Ωz，。负载阻抗RL=30Ω。要求变
C1
C1
L
L
Rin
C2 RL
Rin
C2 R’L
（a）电阻部分接入
2-3 图示为一电容抽头的并联振荡回路。谐振频率f0=1MHz， C1=400 pf，C2=100 pF 求回路电感L。若 Q0=100， RL=2kΩ，求回路有载 QL值。
解2-3
C C1C2 40000 80 pF , C1 C2 500 1
L (2 f0 )2 C
1
(2 106 )2 80 1012 0.317mH
工作区(线性区)
L
C
Rp
工作区(线性区)
U
U
i
i
fL- fc= fI
0
10fc00
f 0
1000
f
《模拟电路典型例题精解》(高清晰)+pdf版
《模拟电路典型例题精解》第二章2.4.1电路如图题2.4.1 所示。
（1）利用硅二极管恒压降模型求电路的I D 和V o 的值；（2）在室温（300K）的情况下，利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。
解（1）求二极管的电流和电压V−2v(10 −2×0.7)VI=DD D 3 =×−A=mAD=8.6 10 8.6R1×10 Ω3V O=2V=2×0.7V=1.4VD（2）求v o 的变化范围图题 2.4.1 的小信号模型等效电路如图解 2.4.l 所示，温度T ＝300 K 。
r dV26 mV==≈ 3 .02TI8 .6 m ADΩ2r2×3.02Ω当r d1=r d2=r d 时，则O=±1V×6mV∆v=∆V=±dDDR+2r(1000 +2×3.02Ω)dv的变化范围为(V O+∆v) ~ (V−∆v) ，即1.406V～1.394V。
O O O O2.4.3二极管电路如图2.4.3 所示，试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出AO 两端电压V AO。
设二极管是理想的。
解图a：将D 断开，以O 点为电位参考点，D 的阳极电位为－6 V，阴极电位为－12 V，故D 处于正向偏置而导通，V AO=–6 V。
图b：D 的阳极电位为－15V，阴极电位为－12V，D 对被反向偏置而截止，VAO＝－12V。
图c：对D1 有阳极电位为0V，阴极电位为－12 V，故D1 导通，此后使D2 的阴极电位为0V，而其阳极为－15 V，故D2 反偏截止，V AO=0 V。
图d：对D1 有阳极电位为12 V，阴极电位为0 V，对D2 有阳极电位为12 V，阴极电位为－6V．故D2 更易导通，此后使V A＝－6V；D1 反偏而截止，故V AO＝－6V。
第1页2.4.4试判断图题2.4.4中二极管是导通还是截止，为什么？解图a：将D断开，以“地”为电位参考点，这时有V10kΩA=151×V=V (140+10)kΩV2kΩ5kΩB=153.5×10V+×V=V (18+2)kΩ(25+5)kΩD被反偏而截止。
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3.3 频率响应典型习题详解【3-1】已知某放大器的传递函数为试画出相应的幅频特性与相频特性渐近波特图，并指出放大器的上限频率f H ，下限频率f L 及中频增益A I 各为多少？ 【解】本题用来熟悉：（1）由传递函数画波特图的方法；（2）由波特图确定放大器频响参数的方法。
由传递函数可知，该放大器有两个极点：p 1=－102rad/s ，p 2=－105rad/s 和一个零点z =0。
（1）将A (s )变换成以下标准形式：（2）将s =j ω代入上式得放大器的频率特性：写出其幅频特性及相频特性表达式如下：对A (ω)取对数得对数幅频特性：（3）在半对数坐标系中按20lg A (ω)及φ(ω)的关系作波特图，如题图3.1所示。
由题图3.1（a ）可得，放大器的中频增益A I =60dB ，上限频率f H =105/2π≈15.9kHz ， 下限频率f L =102/2π≈15.9Hz 。
【3-2】已知某放大器的频率特性表达式为试问该放大器的中频增益、上限频率及增益带宽积各为多少？【解】本题用来熟悉：由放大器的频率特性表达式确定其频率参数的方法。
将给出的频率特性表达试变换成标准形式： 则当ω = 0时，A (0) =200，即为放大器的直流增益（或低频增益）。
当ω =ωH 时，ωH =106rad/s相应的上限频率为 由增益带宽积的定义可求得：GBW=│A (0)·f H │≈31.84MHz 思考：此题是否可用波特图求解？【3-3】已知某晶体管电流放大倍数β的频率特性波特图如题图3.2（a ）所示，试写出β的频率特性表达式，分别指出该管的ωβ、ωT 各为多少？并画出其相频特性的渐近波特图。
【解】本题用来熟悉：晶体三极管的频率特性及其频率参数的确定方法。
由β(ω)的渐近波特图可知：β0=100，ωβ=4Mrad/s ，ωT =400Mrad/s 。
它是一个单极点系统，故相应的频率特性表达式为：ωT 也可按ωT ≈β0ωβ=100×4=400 Mrad/s 求得。
因此，可画出相频特性的渐近波特图如题图3.2（b ）所示。
【3-4】已知某放大器的频率特性表达式为（1）试画出该放大器的幅频特性和相频特性波特图；（2）确定其中频增益及上限频率的大小。
【解】本题用来熟悉：（1）由放大器的频率特性表达式画波特图的方法；（2）由波特图确定放大器频响参数的方法。
（1）将给定的频率特性表达式变换成标准形式相应的幅频特性及相频特性表达式为由此可画出其波特图如题图3.3所示。
(2)由题图3.3可知，该放大器的中频增益A V M =120dB ,上限频率f H =107/2π≈1.6MHz 。
【3-5】已知某放大器的频率特性函数为试问：（1）其中、低频放大倍数A v I =?（2）A v (ω)及φ(ω)的表达式如何？（3）画出其幅频特性波特图；（4）上限频率f H =？【解】本题用来熟悉：由放大器的频率特性函数确定放大器的频响参数及画波特图的方法。
（1）该放大器是一个三阶重极点、无零点系统，中、低频放大倍数A v I =60B 。
（2（3）幅频特性波特图如题图3.4所示。
当ω =ωH求得：ωH ≈0.51×107rad/s相应的上限频率为【3-6】一放大器的中频增益为A v I =40dB ，上限频率f H =2MHz ，下限频率f L =100Hz ，输出不失真的动态范围为V opp =10V ，在下列各种输入信号情况下会产生什么失真？ （1）v i (t ) = 0.1sin(2π×104t ) (V)（2）v i (t ) = 10sin(2π×3×106t ) (mV)（3）v i (t ) = 10sin(2π×400t )+10sin(2π×106t ) (mV) （4）v i (t ) = 10sin(2π×10t )+10sin(2π×5×104t ) (mV) （5）v i (t ) = 10sin(2π×103t )+10sin(2π×107t ) (mV) 【解】本题用来熟悉：放大器的频率失真问题。
（1）输入信号为一单一频率正弦波，f =10kHz ，由于f L ＜f ＜f H ，所以，不存在频率失真问题。
但由于输入信号幅度较大（0.1V ），经100倍的放大后峰峰值为0.1×2×100=20V ，已大大超出输出不失真的动态范围为V opp =10V ，故输出信号将产生严重的非线性失真（波形出现限幅状态）。
（2）输入信号为一单一频率正弦波，f =1MHz ，由于f L ＜f ＜f H ，所以，不存在频率失真问题。
又由于输入信号幅度较小（0.01V ），经100倍的放大后峰峰值为0.01×2×100=2V ＜V opp （10V ），所以，也不会出现非线性失真。
（3）输入信号的两个频率分量为f 1=400Hz ，f 2=1MHz ，均处在放大器的中频区，所以，不存在频率失真问题。
又由于输入信号幅度较小（0.01V ），所以，也不会出现非线性失真。
（4）输入信号的两个频率分量为f 1=10Hz ，f 2=50kHz ，f 1＜f L ，f L ＜f 2＜f H ，所以，放大后会出现低频频率失真。
又由于输入信号幅度较小（0.01V ），叠加后也未超出线性动态范围，所以，不会出现非线性失真。
（5）输入信号的两个频率分量为f 1=1kHz ，f 2=10MHz ，f L ＜f 1＜f H ，f 2＞f H ，所以，放大后会出现高频频率失真。
又由于输入信号幅度较小（0.01V ），叠加后也未超出线性动态范围，所以，不会出现非线性失真。
【3-7】分相器电路如题图3.5所示。
该电路的特点是R C =R E ，在集电极和发射极可输出一对等值反相的信号。
现如今有一容性负载C L ，若将C L 分别接到集电极和发射极，则由C L 引入的上限频率各为多少？不考虑晶体管内部电容的影响。
【解】本题用来熟悉：负载电容对放大器高频响应的影响。
（1）若将开关S 接a 点，则负载电容C L 接至集电极，由此引入的上限频率f Ha 为（2）若将开关S 接b 点，则负载电容C L 接至发射极，由此引入的上限频率f Hb 为可见，f Hb ＞＞f Ha ，这是因为射极输出时的输出电阻R ob 很小，带负载能力强的缘故。
【3-8】放大电路如题图3.6（a ）所示。
已知晶体管参数β=100，r bb ′=100Ω，r be ′=2.6k Ω，C be ′=60pF ，C bc ′=4pF ，电路参数如图所示，要求的频率特性如题图3.6（b ）所示。
试回答：（1）R C =？（首先满足中频增益的要求）（2）C 1=？（3）f H =？【解】本题用来熟悉：放大器频率响应的分析方法。
（1）由题图3.6（b ）可知，中频增益A V SM =40dB ，即100倍。
而故R C =2.8k Ω（2）由题图3.6（a ）可知，C 1决定了下限频率，由题图3.6（b ）又可知，f L =10Hz ，则有；取C 1 =10μF 。
（3）其中，【3-9】放大电路如题图3.7所示。
要求下限频率f L =10Hz ，若假设r be =2.6k Ω，且C 1、C 2、C 3对下限频率的贡献是一样的，试分别确定C 1、C 2、C 3的值。
【解】本题用来熟悉：放大器下限频率的分析方法。
根据题图3.7因此而故取 C 1=10μF ，C 2=10μF ，C 3=1000μF 。
【3-10】在题图3.7中，若下列参数变化，对放大器性能有何影响（指I CQ 、A v m 、R i 、R o 、f H 、f L 等）？ （1）R L 变大；（2）C L 变大；（3）R E 变大；（4）C 1变大。
【解】本题用来熟悉：电路参数对放大器性能的影响。
（1）R L 变大，对I CQ 、R i 、R o 无影响。
但A v m 变大，因为f H 减小，因为 f L 减小，因为 （2）C L 变大，对I CQ 、A v m 、R i 、R o 均无影响，但会使f H 减小，因为（3）R E 变大，将使I CQ 减小，因为R i 增大，因为R i ≈R B1∥R B2∥r be ，而A v m 增大，因为r be 增大。
Ro 基本不变，f H 基本不变，f L 将减小。
（4）C 1变大，I CQ 、A v m 、R i 、R o 、f H 基本不变，而f L 将减小。
【3-11】一阶跃电压信号加于放大器输入端，用示波器观察输出信号，显示如题图3.8(b)所示的波形，试估计该放大器的建立时间t r 和上限频率fH 。
（假设示波器本身的带宽远大于被测放大器带宽，且放大器为单极点系统）。
【解】本题用来熟悉：建立时间t r 的概念以及建立时间t r 与上限频率f H 之间的关系。
建立时间t r 定义为输出电压从10%V o 上升到90%V o 所需要的时间。
由题图3.8(b)可得：t r =0.4－0.13=0.27μsE5-2 R=1K Ω，E=10V ，ui=20sin(ωt) V ，分别画出输出电压uo 的波形。
二极管的正向压降忽略不计。
解：-20V< ui<10V ，D1截至，uo=ui 10V< ui<20V ，D1导通，uo=10V解：-20V< ui<10V ，D2截至，uo=10V 10V< ui<20V ，D2导通，uo=ui【6-1】有两个晶体管分别接在电路中，工作在放大状态时测得三个管脚的电位分别如下，试判断晶体管的三个电极及类型（硅管、锗管、NPN 型管、PNP 型管）解：晶体管II 为锗管，1——集电极，2——基极，3——发射极 晶体管I 为硅管，1——基极，2——发射极，3——集电极 【6-2】判断晶体管的状态-12V-18VT +6V -0.2VT -3V-5.6VT1.6V1.4VT放大 放大 截止 饱和(a)图为NPN 型三极管，V B >V E ,发射结正偏；V C >V B ,集电结反偏，所以三极管处于放大状态(b)图为PNP 型三极管，V B <V E ,发射结正偏；V C <V B ,集电结反偏，所以三极管处于放大状态(c)图为NPN 型三极管，V B <V E ,发射结反偏；V C >V B ,集电结反偏，所以三极管处于截止状态【6-4】放大电路如下图。
已知V CC =12V,RC =3K Ω, R B =240K Ω,β=60,U BE =0.7V 。