英飞凌推微型晶圆级芯片封装的工业级eSIM卡—SLM 98
矿产资源开发利用方案编写内容要求及审查大纲
矿产资源开发利用方案编写内容要求及《矿产资源开发利用方案》审查大纲一、概述
㈠矿区位置、隶属关系和企业性质。
如为改扩建矿山, 应说明矿山现状、
特点及存在的主要问题。
㈡编制依据
(1简述项目前期工作进展情况及与有关方面对项目的意向性协议情况。
(2 列出开发利用方案编制所依据的主要基础性资料的名称。
如经储量管理部门认定的矿区地质勘探报告、选矿试验报告、加工利用试验报告、工程地质初评资料、矿区水文资料和供水资料等。
对改、扩建矿山应有生产实际资料, 如矿山总平面现状图、矿床开拓系统图、采场现状图和主要采选设备清单等。
二、矿产品需求现状和预测
㈠该矿产在国内需求情况和市场供应情况
1、矿产品现状及加工利用趋向。
2、国内近、远期的需求量及主要销向预测。
㈡产品价格分析
1、国内矿产品价格现状。
2、矿产品价格稳定性及变化趋势。
三、矿产资源概况
㈠矿区总体概况
1、矿区总体规划情况。
2、矿区矿产资源概况。
3、该设计与矿区总体开发的关系。
㈡该设计项目的资源概况
1、矿床地质及构造特征。
2、矿床开采技术条件及水文地质条件。
英飞凌推微型晶圆级芯片封装的工业级eSIM卡—SLM 97
英飞凌推微型晶圆级芯片封装的工业级eSIM卡—
SLM 97
2018年12月24日，德国慕尼黑讯—物联网（IoT）中的M2M通信要求可靠的数据收集和不间断的数据传输。
为充分利用无处不在的移动网络，英飞凌科技股份公司（FSE：IFX / OTCQX：IFNNY）推出全球首款采用微型晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP）的工业级嵌入式SIM（eSIM）卡。
从自动售货机到远程传感器、再到资产跟踪器的工业机器和设备制造商，均可借此优化其物联网设备的设计，而不会影响安全性和质量。
eSIM卡的部署能够带来诸多优势，助力蜂窝连接在工业环境下的顺利采用。
eSIM卡占用空间小，能够帮助设备制造商提高设计灵活性。
并且，得益于单一SKU（库存量单位），他们还能够简化制造流程和全球分销。
此外，如果网络覆盖不足，或者能够与其他移动运营商签订更有利的合同，客户也可随时更换移动服务提供商。
不过，要想在狭小空间上实现稳健的品质，且在最恶劣条件下也能正常使。
MOXA UC-8100-ME-T系列产品说明书
UC-8100-ME-T SeriesArm Cortex-A81GHz IIoT gateways with1Mini PCIe expansion slot for a wireless moduleFeatures and Benefits•Armv7Cortex-A81000MHz processor•Dual auto-sensing10/100Mbps Ethernet ports•SD slot for storage expansion•Programmable LEDs and a programmable button for easy installation andmaintenance•Cybersecurity functions•Debian9open platformCertificationsIntroductionThe UC-8100-ME-T computing platform is designed for embedded data acquisition applications.The computer comes with dual RS-232/422/485 serial ports and dual10/100Mbps Ethernet ports,as well as a Mini PCIe socket to support cellular modules.These versatile capabilities let users efficiently adapt the UC-8100-ME-T to a variety of complex communications solutions.The UC-8100-ME-T is built around a Cortex-A8processor that has been optimized for use in energy monitoring systems,but is widely applicable to a variety of industrial solutions.With flexible interfacing options,this tiny embedded computer is a reliable and secure gateway for data acquisition and processing at field sites as well as a useful communications platform for many other large-scale deployments.Wide-temperature and LTE-enabled models are available.All units are thoroughly tested in a testing chamber,guaranteeing that the LTE-enabled computing platforms are suitable for wide-temperature applications.AppearanceSpecificationsComputerCPU Armv7Cortex-A81GHzDRAM UC-8112-ME-T-LX:512MB DDR3UC-8112-ME-T-LX1:1GB DDR3Storage Pre-installed8GB eMMCPre-installed OS Linux Debian9(kernel v4.4)Computer InterfaceUSB2.0USB2.0hosts x1,type-A connectorsExpansion Slots mPCIe slot x1Number of SIMs1SIM Format MiniButtons Reset buttonEthernet InterfaceEthernet Ports Auto-sensing10/100Mbps ports(RJ45connector)x2 Magnetic Isolation Protection 1.5kV(built-in)LED IndicatorsSystem Power x1SD slots x1Programmable x4Wireless Signal Strength Cellular/Wi-Fi x3Serial InterfaceSerial Ports2x RS-232/422/485Console Port1x4-pin header to DB9console portData Bits5,6,7,8Parity None,Even,Odd,Space,MarkStop Bits1,1.5,2Serial SignalsRS-232TxD,RxD,RTS,CTS,DTR,DSR,DCD,GNDRS-422Tx+,Tx-,Rx+,Rx-,GNDRS-485-2w Data+,Data-,GNDRS-485-4w Tx+,Tx-,Rx+,Rx-,GNDPower ParametersInput Voltage12to36VDCInput Current500mA@12VACPower Consumption6WReliabilityAlert Tools External RTC(real-time clock)Automatic Reboot Trigger External WDT(watchdog timer)Physical CharacteristicsHousing MetalDimensions141x125.6x54.8mm(5.55x4.94x2.15in)Weight550g(1.22lb)Installation DIN-rail mounting,Wall mounting(with optional kit)Environmental LimitsOperating Temperature-40to85°C(-40to185°F)Storage Temperature(package included)-40to85°C(-40to185°F)Ambient Relative Humidity5to95%(non-condensing)Vibration2Grms@IEC60068-2-64,random wave,5-500Hz,1hr per axis(without USB devicesattached)Shock IEC60068-2-27Standards and CertificationsSafety UL60950-1EMC EN55032/24EMI CISPR32,FCC Part15B Class AEMS IEC61000-4-2ESD:Contact:8kV;Air:15kVIEC61000-4-3RS:80MHz to1GHz:20V/mIEC61000-4-4EFT:Power:4kV;Signal:4kVIEC61000-4-5Surge:Power:1kVIEC61000-4-6CS:10VIEC61000-4-8PFMFGreen Product RoHS,CRoHS,WEEEHazardous Locations Class I Division2MTBFTime535,916hrsStandards Telcordia(Bellcore)StandardWarrantyWarranty Period5yearsDetails See /warrantyPackage ContentsDevice1x UC-8100-ME-T Series computerDocumentation1x quick installation guide1x warranty cardInstallation Kit1x DIN-rail kit(preinstalled)1x power jackDimensionsOrdering InformationModel Name CPU RAM Storage US LTE Module Built-in Operating Temp.UC-8112-ME-T-LX Armv7Cortex-A81GHz512MB8GB eMMC–-40to70°CUC-8112-ME-T-LX1Armv7Cortex-A81GHz1GB8GB eMMC–-40to85°CAccessories(sold separately)Power AdaptersPWR-12150-CN-SA-T Locking barrel plug,12VDC,1.5A,100to240VAC,CN plug,-40to75°C operating temperature PWR-12150-AU-SA-T Locking barrel plug,12VDC,1.5A,100to240VAC,AU plug,-40to75°C operating temperature PWR-12150-USJP-SA-T Locking barrel plug,12VDC1.5A,100to240VAC,US/JP plug,-40to75°C operating temperature PWR-12150-EU-SA-T Locking barrel plug,12VDC,1.5A,100to240VAC,EU plug,-40to75°C operating temperature PWR-12150-UK-SA-T Locking barrel plug,12VDC,1.5A,100to240VAC,UK plug,-40to75°C operating temperature CablesCBL-F9DPF1x4-BK-100Console cable with4-pin connector,1mWall-Mounting KitsUC-8100-ME Wall Mount Kit Wall-mounting kit with screwsDIN-Rail Mounting KitsDK-25-01DIN-rail mounting kit,2screwsAntennasANT-LTEUS-ASM-01GSM/GPRS/EDGE/UMTS/HSPA/LTE,1dBi,omnidirectional rubber-duck antennaANT-LTE-OSM-06-3m BK MIMO Multiband antenna with screw-fastened mounting option for700-2700/2400-2500/5150-5850MHzfrequenciesANT-LTE-ASM-05BK704-960/1710-2620MHz,LTE stick antenna,5dBiANT-LTE-ASM-04BK704to960/1710to2620MHz,LTE omnidirectional stick antenna,4.5dBiANT-LTE-OSM-03-3m BK700-2700MHz,multiband antenna,specifically designed for2G,3G,and4G applications,3m cable©Moxa Inc.All rights reserved.Updated Aug01,2022.This document and any portion thereof may not be reproduced or used in any manner 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英飞凌为Galaxy S6和S6 Edge智能手机提供嵌入式安全元件芯片
英飞凌为Galaxy S6和S6 Edge智能手机提供嵌入式安全元
件芯片
佚名
【期刊名称】《单片机与嵌入式系统应用》
【年(卷),期】2015(15)5
【摘要】英飞凌科技股份公司宣布，其为新款高端智能手机三星GalaxyS6和
S6Edge提供了嵌入式安全元件（eSE）芯片。
英飞凌的SLE97是一颗基于凌捷掩膜技术的eSE芯片，它能为移动终端的多种功能提供安全保障，包括涉及诸如支
付凭据等用户敏感数据的安全交易。
【总页数】1页(P87-87)
【关键词】高端智能手机;安全保障;嵌入式;芯片;元件;股份公司;掩膜技术;移动终端【正文语种】中文
【中图分类】TP393.08
【相关文献】
1.从艳遇到传奇三星Galaxy S6 ＆S6 edge的美学狂欢 [J], ;
2.三星Galaxy S6/Galaxy S6 edge体验评测技术创新的旗舰标杆 [J], 梁景裕
3.英飞凌为新款三星Galaxy S6和S6 Edge智能手机提供嵌入式安全元件芯片 [J],
4.英飞凌为新款三星智能手机提供嵌入式安全元件芯片 [J],
5.基于Android系统的智能手机刷机策略研究——以三星GALAXY S6
Edge(G9280)手机为例 [J], 张帜
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MINISIM900A模块使用手册
思诺智嵌电子科技苏州有限公司工业级MINISIM900A模块使用说明书该产品：1.可直接内嵌到你的产品2.带音频输入输出接口，利用调试软件可直接拨打接听电话3.该产品分为普通版本和带语音合成的TTS两个版本，您可根据需要选择。
淘宝店铺：模块图片：【1】模块特点：1.本模块上电自启动，无需手动启动。
2.低电压启动，我们的模块只要5V的电源就能稳定的启动并运行，但电流必须大于1A 随后我们会推出与之配套的电源模块。
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4.使用GPRS天线可选配，分专业级和试验级别。
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防止短路对模块造成的损坏。
SIM卡预留有ESD保护电路，即保护你的SIM卡又保护SIM900A自身的安全。
【2】引脚定义：电源口：+5V GND;通信端口：GND RX TX;控制备用端口：RTC：后备电源接入口IGT：外部信号启动模块，和低功耗应用有关，具体请查阅资料。
RST：模块复位信号输入端，低电平复位。
【3】：模块确认及验证：收到模块后，确认模块完好无损的情况下，1：无SIM卡上电：将5V 1A（以上）电源正负极正确接入模块，观察指示灯：PWR灯长亮；NET灯长亮1秒之后闪烁。
表明模块无异常。
2：断电，将准备好的SIM卡【（移动或联通）请确保该卡无欠费，并能在手机上正常接打电话，收发短信。
】方式SIM卡槽内，注意SIM卡缺口和翻盖式SIM卡座缺口一一对应。
3:串口调试：首先应确保USB TO 232模块在电脑上正确识别。
查看并记下所占用串口（如串口1）波特率默认9600接线：usb to rs232 TX-->miniSIM900A-RXusb to rs232 RX-->miniSIM900A-TX4.打开GSM串口调试助手，如下图所示：苏州思诺智嵌电子科技期待您的光临淘宝店铺：。
英飞凌智能卡芯片有三大创新
哲介绍了其最新的三大创新。
存储：从ROM到EEPROM 智能卡芯片的ROM会转移
到EEPROM。因为首先是性能的 提升和功耗的降低，半导体业 来说关键之一是线宽。线宽从 最早的0.22μm(220nm)下降到了 0.13μm(130nm)，英飞凌现在推广 的主流产品是90nm。通常线宽越 低，功耗越低，性能越好(如图1)。 第二，跟原来基于ROM的硬掩膜 相比，未来基于EEPROM，英飞凌推 出了安全凌捷掩膜，此项技术更具成 本优势和灵活性，也会成为未来的趋 势。但从ROM变到EEPROM，芯片 安全性同样需要关注。英飞凌所做的 EEPROM的工艺，在程序写入后直接 固化，可以达到和ROM一样的安全等 级，甚至提供一些额外的安全性能。 英飞凌现在的EEPROM产品已经获得 了CC EAL 6+（高）证书，市场上大 部分的CC证书是4+或者5+。在针对
EEPROM安全凌捷掩膜产品在 CPU方面有几个优势。第一是真16位 CPU，比旧的CPU性能提升40%，功
耗更低。从目前市场角度讲，如果在 8位CPU里面做一些加速器，可以提 速，但只能针对一些已知算法或交易 流程，一旦交易流程有改变，真16位 的高性能就可以体现出来。例如，一 些城市已经可以用银行卡刷公交卡， 刷公交卡对交易时间有一定要求。最 早的智能卡对交易时间要求小于500 毫秒，这对银行卡支付没有太大问 题；但交通卡的最低要求在300毫秒 以下。现在英飞凌的产品可以做到 200毫秒qPBOC交易时间。
高端应用的产品里会用到6+证书。 过去ROM与EEPROM相结合的产
品较多，这主要和成本有关。不许改 动的内容放在ROM里，要改变的放 在EEPROM，这样的组合会有成本优 势。人们常听到的ROM产品、硬掩膜 产品都属于这类产品。
英飞凌和德国联邦印钞公司携手开发具有一次性密码和LED显示屏的安全智能卡
６ 结 束 语
本 监控 系统具有 高可靠 性 、 低功耗 、 可 扩 展 和 经 济 性 的
Ｇ Ｐ Ｒ Ｓ ｔ ｅ ｃ ｈ ｎ ｏ ｌ ｏ ｇ ｙ ｉ ｎ ｒ ｅ ｍ ｏ ｔ ｅ ｄ ａ ｔ ａ ａ ｃ ｑ ｕ ｉ ｓ ｉ ｔ ｉ ｏ ｎ ｓ ｙ ｓ ｔ ｅ ｍ［ Ｊ 】 ．
Ｉ ｎ ｓ ｔ ｒ ｕ ｍ ｅ ｎ ｔ ａ ｔ ｉ ｏ ｎ Ｔ ｅ ｃ ｈ ｎ ｏ ｌ ｏ ｙ． ｇ ２ ０ ０ ６ （ ６ ） ： ２ ７ — ２ ８
【 ５ 】 Ａ ｔ ｍｅ ｌ Ｃ ｏ ｒ ｐ ｏ ｒ ａ ｔ ｉ ｏ ｎ ． Ａ ｔ ｍ ｅ ｇ ａ １ ６ ９ Ｄ ａ ｔ ａ ｓ ｈ ｅ ｅ ｔ ［ Ｅ Ｂ ／ Ｏ Ｌ ］ ． （ ２ ０ ０ ６ ） ｈ ｔ ｔ ｐ ：
／ ／ ｗ ｗｗ． ａ ｔ ｍｅ １ ． ｃ ｏ ｍ／ ｉ ｍａ ｇ ｅ ｓ ／ ｄ ｏ ｃ ２ ５ １ ４ ． ｐ ｄ ｆ ， ２ ０ ０ ６ ．
在进行 数据传输时 ， 为 减 低 运 行 费用 ， 可 以选 用 Ｇ Ｐ Ｒ Ｓ流 量 计
费方式 。
【 ６ ］ 沈苑， 施展 ， 陈晓荣． Ｇ Ｐ Ｒ Ｓ 技 术在远程 数据采 集系统 中的
应 用【 Ｊ 】 ． 仪表技术 ， ２ ０ ０ ６ （ ６ ） ： ２ ７ — ２ ８
Ｓ ＨＥ Ｎ Ｙｕ ａ ｎ， Ｓ ＨＩ Ｚ ｈ ａ ｎ， ＣＨＥＮ Ｘｉ ａ ｏ — ｔ ｏ ｎ ｇ ． Ａｐ ｐ ｌ ｉ ｃ ａ ｔ ｉ ｏ ｎ ｏ ｆ ｙ ｑ ｓ ｂ ／ ｗ 来自 ｈ － ２ ． ｈ ｔ ｍ．
块分 配动态 的 Ｉ Ｐ地 址 ，中 心 站 需 要 配 置 一 台 能 够 申请 到 固 定Ｉ Ｐ地 址 的 Ｇ Ｐ Ｒ Ｓ通 信 模 块 用 于 接 收 数 据 ． 同样 也 可 以 通 过 专 线 与 移 动 中心 进 行 连 接 。 当监 控 站 的 规 模 较 大 时 。 采 用 这 种 结 构 可 以 有 效 地 减 少 传 输 时 延 。规模 较 小 的 水 清 测 报 系 统
澜起DVB-S卫星数字电视三合一芯片M88CS2000成功量产
安） 有限公司通过采用新思完整 的、 基于统一功率
格 式 （ Ｐ 的低 功 耗 综 合 、 理 实 现 和验பைடு நூலகம்证 流 程 ， Ｕ Ｆ） 物
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皿 成ｉ ＣＩｔｒ 巾ｎｅｕ ｈ集ｄｉ ｉｅ电ｔ ｎｇ 国ｒ 路 ａａ ｃ ｔＣ
Ｄ Ｂ Ｓ 道解 调 、２位 嵌 入 式 Ｃ Ｕ、 Ｅ 一 Ｓ流 Ｖ —信 ３ Ｐ ＭＰ Ｇ ２Ｔ 解 复 用 、 Ｐ Ｇ ２解 码 、 Ｓ ＭＥ 一 Ｏ Ｄ生 成 以及 Ｔ Ｖ编 码 等功
决方 案都 集 成在 了一 颗 芯 片 中 ， 是一 款 真 正 的数 字 电视 ＳＣ单芯 片 。 ｏ
电平转换 。Ｆ Ｍ ２０ 能够满足移动设备设计人员 Ｘ Ａ １２
消息及 共享 文 件 。开发 人 员现 在 可 以在 Ｄ ｖ、 顶 Ｔ 机
德 州 仪 器 宣 布 首 家 获 取 Ａ Ｍ下代 鹰架 构 授 权 Ｒ
德州 仪 器近 日宣布 ， 自己第 一 家 与 Ａ Ｍ合 作 ， Ｒ
盒和数字媒体配接器等 Ｍ Ｐ — ａ ｄ 设备上建立 ＩＳ Ｂｓ Ｔ ｅＭ
２ｎ ８ ｍ工 艺进 行生 产 ， 后期 还 可能会 升级 到 ２ ｎ ２ ｍ。
方式 。 随着 Ｃ ＭＭＢ的快速 发展 ， 长期来 看 ， 多功 能 将 集 成在 一起 的单 芯片方 案 ， 是 Ｃ 将 ＭＭＢ芯 片 的技 术 发 展 趋 势 。创 毅 视 讯 在 ２１ ００年 全 新 发 布 的 Ｉ２ ８Ｉ２６ 是 集 成 Ｔ ｎｒ 调 谐 器 ）Ｄ ｍ ｄｌｏ Ｆ ２／ ０ ， Ｆ ｕｅ（ 、 ｅ ｏｕａ ｒ ｔ （ 解调 器 ）ＭＢ ＭＳＵ 、 Ｂ ＡＭ（Ｆ ２ 于一 体 的单 芯 片 ， Ｉ２ ８） 采 用 ６ｎ 工 艺 ，Ｆ Ｇ ｘｍｍ 的业 内最 小 封 装 ， ５ｍ Ｔ Ｂ Ａ５５
英飞凌 FP50R12N2T7P EconoPIM 2 模块 数据表
EconoPIM ™2 模块 采用第七代沟槽栅/场终止IGBT7和第七代发射极控制二极管 带有温度检测NTC 和预涂导热介质特性•电气特性-V CES = 1200 V-I C nom = 50 A / I CRM = 100 A -沟槽栅IGBT7-低 V CEsat-过载操作达175°C•机械特性-高功率循环和温度循环能力-集成NTC 温度传感器-铜基板-低热阻的三氧化二铝 Al 2O 3 衬底-预涂导热介质-焊接技术可选应用•辅助逆变器•电机传动•伺服驱动器产品认证•根据 IEC 60747、60749 和 60068标准的相关测试，符合工业应用的要求。
描述FP50R12N2T7PEconoPIM ™2 模块内容描述 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1可选应用 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1产品认证 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1内容 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2 1封装 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3 2IGBT, 逆变器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3 3二极管,逆变器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5 4二极管,整流器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6 5IGBT, 斩波器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .7 6Diode-斩波器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .8 7负温度系数热敏电阻 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9 8特征参数图表 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .10 9电路拓扑图 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16 10封装尺寸 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16 11模块标签代码 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .17修订历史 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .18免责声明 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .191封装表 1绝缘参数特征参数代号标注或测试条件数值单位绝缘测试电压V ISOL RMS, f = 50 Hz, t = 1 min 2.5kV 模块基板材料Cu内部绝缘基本绝缘 (class 1, IEC 61140)Al2O3爬电距离d Creep端子至散热器10.0mm 电气间隙d Clear端子至散热器7.5mm 相对电痕指数CTI>200相对温度指数 (电)RTI封装140°C 表 2特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值杂散电感,模块L sCE35nH 模块引线电阻,端子-芯片R AA'+CC'T H=25°C, 每个开关 5.5mΩ模块引线电阻,端子-芯片R CC'+EE'T H=25°C, 每个开关 4.8mΩ储存温度T stg-40125°C 最高基板工作温度T BPmax150°CM5, 螺丝36Nm 模块安装的安装扭距M根据相应的应用手册进行安装重量G180g注:The current under continuous operation is limited to 50 A rms per connector pin.Storage and shipment of modules with TIM => see AN2012-072IGBT, 逆变器表 3最大标定值特征参数代号标注或测试条件数值单位集电极－发射极电压V CES T vj = 25 °C1200V 连续集电极直流电流I CDC T vj max = 175 °C T H = 90 °C50A 集电极重复峰值电流I CRM t P = 1 ms100A 栅极－发射极峰值电压V GES±20V表 4特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值集电极－发射极饱和电压V CE sat I C = 50 A, V GE = 15 V T vj = 25 °C 1.50 1.80VT vj = 125 °C 1.64T vj = 175 °C 1.72栅极阈值电压V GEth I C = 2 mA, V CE = V GE, T vj = 25 °C 5.15 5.80 6.45V 栅极电荷Q G V GE = ±15 V, V CE = 600 V0.92µC 内部栅极电阻R Gint T vj = 25 °C0Ω输入电容C ies f = 100 kHz, T vj = 25 °C, V CE = 25 V, V GE = 0 V11.1nF 反向传输电容C res f = 100 kHz, T vj = 25 °C, V CE = 25 V, V GE = 0 V0.039nF 集电极-发射极截止电流I CES V CE = 1200 V, V GE = 0 V T vj = 25 °C0.01mA 栅极-发射极漏电流I GES V CE = 0 V, V GE = 20 V, T vj = 25 °C100nA开通延迟时间(感性负载)t don I C = 50 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Gon = 7.5 ΩT vj = 25 °C0.059µs T vj = 125 °C0.061T vj = 175 °C0.062上升时间(感性负载)t r I C = 50 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Gon = 7.5 ΩT vj = 25 °C0.043µs T vj = 125 °C0.047T vj = 175 °C0.049关断延迟时间(感性负载)t doff I C = 50 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Goff = 7.5 ΩT vj = 25 °C0.290µs T vj = 125 °C0.380T vj = 175 °C0.420下降时间(感性负载)t f I C = 50 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Goff = 7.5 ΩT vj = 25 °C0.110µs T vj = 125 °C0.200T vj = 175 °C0.270开通损耗能量 (每脉冲)E on I C = 50 A, V CE = 600 V,Lσ = 35 nH, V GE = ±15 V,R Gon = 7.5 Ω, di/dt = 900A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C 5.07mJ T vj = 125 °C 6.76T vj = 175 °C7.72关断损耗能量 (每脉冲）E off I C = 50 A, V CE = 600 V,Lσ = 35 nH, V GE = ±15 V,R Goff = 7.5 Ω, dv/dt =2900 V/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C 3.37mJ T vj = 125 °C 5.31T vj = 175 °C 6.58(待续)表 4(续) 特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值短路数据I SC V GE≤ 15 V, V CC = 800 V,V CEmax=V CES-L sCE*di/dt t P≤ 8 µs,T vj=150 °C190At P≤ 7 µs,T vj=175 °C180结－散热器热阻R thJH每个 IGBT, Valid with IFX pre-appliedThermal Interface Material0.777K/W 允许开关的温度范围T vj op-40175°C注:T vj op > 150°C is allowed for operation at overload conditions. For detailed specifications, please refer to AN 2018-14.3二极管,逆变器表 5最大标定值特征参数代号标注或测试条件数值单位反向重复峰值电压V RRM T vj = 25 °C1200V 连续正向直流电流I F50A 正向重复峰值电流I FRM t P = 1 ms100A I2t-值I2t V R = 0 V, t P = 10 ms T vj = 125 °C465A²sT vj = 175 °C420表 6特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值正向电压V F I F = 50 A, V GE = 0 V T vj = 25 °C 1.72 2.10VT vj = 125 °C 1.59T vj = 175 °C 1.52反向恢复峰值电流I RM I F = 35 A, V R = 600 V,V GE = -15 V, -di F/dt = 900A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C31A T vj = 125 °C39T vj = 175 °C45恢复电荷Q r I F = 50 A, V R = 600 V,V GE = -15 V, -di F/dt = 900A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C 3.96µC T vj = 125 °C7.37T vj = 175 °C9.89(待续)表 6(续) 特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值反向恢复损耗（每脉冲）E rec I F = 50 A, V R = 600 V,V GE = -15 V, -di F/dt = 900A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C 1.31mJ T vj = 125 °C 2.52T vj = 175 °C 3.46结－散热器热阻R thJH每个二极管, Valid with IFX pre-appliedThermal Interface Material1.13K/W 允许开关的温度范围T vj op-40175°C注:T vj op > 150°C is allowed for operation at overload conditions. For detailed specifications, please refer to AN 2018-14.4二极管,整流器表 7最大标定值特征参数代号标注或测试条件数值单位反向重复峰值电压V RRM T vj = 25 °C1600V 最大正向均方根电流(每芯片)I FRMSM T H = 60 °C70A最大整流器输出均方根电流I RMSM T H = 60 °C100A 正向浪涌电流I FSM t P = 10 ms T vj = 25 °C560AT vj = 150 °C435I2t-值I2t t P = 10 ms T vj = 25 °C1570A²sT vj = 150 °C945表 8特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值正向电压V F I F = 50 A T vj = 150 °C 1.05V 反向电流I r T vj = 150 °C, V R = 1600 V1mA 结－散热器热阻R thJH每个二极管, Valid with IFX pre-appliedThermal Interface Material1.10K/W 允许开关的温度范围T vj, op-40150°C5IGBT, 斩波器表 9最大标定值特征参数代号标注或测试条件数值单位集电极－发射极电压V CES T vj = 25 °C1200V 连续集电极直流电流I CDC T vj max = 175 °C T H = 110 °C25A 集电极重复峰值电流I CRM t P = 1 ms50A 栅极－发射极峰值电压V GES±20V表 10特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值集电极－发射极饱和电压V CE sat I C = 25 A, V GE = 15 V T vj = 25 °C 1.60 1.85VT vj = 125 °C 1.74T vj = 175 °C 1.82栅极阈值电压V GEth I C = 0.525 mA, V CE = V GE, T vj = 25 °C 5.15 5.80 6.45V 栅极电荷Q G V GE = ±15 V, V CE = 600 V0.395µC 内部栅极电阻R Gint T vj = 25 °C0Ω输入电容C ies f = 100 kHz, T vj = 25 °C, V CE = 25 V, V GE = 0 V 4.77nF 反向传输电容C res f = 100 kHz, T vj = 25 °C, V CE = 25 V, V GE = 0 V0.017nF 集电极-发射极截止电流I CES V CE = 1200 V, V GE = 0 V T vj = 25 °C0.004mA 栅极-发射极漏电流I GES V CE = 0 V, V GE = 20 V, T vj = 25 °C100nA开通延迟时间(感性负载)t don I C = 25 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Gon = 9.1 ΩT vj = 25 °C0.041µs T vj = 125 °C0.043T vj = 175 °C0.044上升时间(感性负载)t r I C = 25 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Gon = 9.1 ΩT vj = 25 °C0.025µs T vj = 125 °C0.028T vj = 175 °C0.030关断延迟时间(感性负载)t doff I C = 25 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Goff = 9.1 ΩT vj = 25 °C0.230µs T vj = 125 °C0.320T vj = 175 °C0.350下降时间(感性负载)t f I C = 25 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Goff = 9.1 ΩT vj = 25 °C0.140µs T vj = 125 °C0.220T vj = 175 °C0.280(待续)表 10(续) 特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值开通损耗能量 (每脉冲)E on I C = 25 A, V CE = 600 V,Lσ = 35 nH, V GE = ±15 V,R Gon = 9.1 Ω, di/dt = 810A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C 1.47mJ T vj = 125 °C 2.05T vj = 175 °C 2.39关断损耗能量 (每脉冲）E off I C = 25 A, V CE = 600 V,Lσ = 35 nH, V GE = ±15 V,R Goff = 9.1 Ω, dv/dt =3120 V/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C 1.65mJ T vj = 125 °C 2.58T vj = 175 °C 3.13短路数据I SC V GE≤ 15 V, V CC = 800 V,V CEmax=V CES-L sCE*di/dt t P≤ 8 µs,T vj=150 °C90At P≤ 7 µs,T vj=175 °C85结－散热器热阻R thJH每个 IGBT, Valid with IFX pre-appliedThermal Interface Material1.19K/W 允许开关的温度范围T vj op-40175°C注:T vj op > 150°C is allowed for operation at overload conditions. For detailed specifications, please refer to AN 2018-14.6Diode-斩波器表 11最大标定值特征参数代号标注或测试条件数值单位反向重复峰值电压V RRM T vj = 25 °C1200V 连续正向直流电流I F25A 正向重复峰值电流I FRM t P = 1 ms50A I2t-值I2t V R = 0 V, t P = 10 ms T vj = 125 °C125A²sT vj = 175 °C95表 12特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值正向电压V F I F = 25 A, V GE = 0 V T vj = 25 °C 1.83 2.30VT vj = 125 °C 1.70T vj = 175 °C 1.63(待续)表 12(续) 特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值反向恢复峰值电流I RM I F = 25 A, V R = 600 V,V GE = -15 V, -di F/dt = 810A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C21.7A T vj = 125 °C26.7T vj = 175 °C29.8恢复电荷Q r I F = 25 A, V R = 600 V,V GE = -15 V, -di F/dt = 810A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C 1.69µC T vj = 125 °C 3.29T vj = 175 °C 4.29反向恢复损耗（每脉冲）E rec I F = 25 A, V R = 600 V,V GE = -15 V, -di F/dt = 810A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C0.63mJ T vj = 125 °C 1.28T vj = 175 °C 1.69结－散热器热阻R thJH每个二极管, Valid with IFX pre-appliedThermal Interface Material1.63K/W 允许开关的温度范围T vj op-40175°C注:T vj op > 150°C is allowed for operation at overload conditions. For detailed specifications, please refer to AN 2018-14.7负温度系数热敏电阻表 13特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值额定电阻值R25T NTC = 25 °C5kΩR100偏差ΔR/R T NTC = 100 °C, R100 = 493 Ω-55%耗散功率P25T NTC = 25 °C20mW B-值B25/50R2 = R25 exp[B25/50(1/T2-1/(298,15 K))]3375K B-值B25/80R2 = R25 exp[B25/80(1/T2-1/(298,15 K))]3411K B-值B25/100R2 = R25 exp[B25/100(1/T2-1/(298,15 K))]3433K 注:根据应用手册标定7 负温度系数热敏电阻9电路拓扑图图 110封装尺寸图 211模块标签代码图 3修订历史修订历史修订版本发布日期变更说明1.002022-02-01Initial version商标所有参照产品或服务名称和商标均为其各自所有者的财产。
英飞凌推出用于LTE和3G的两颗射频芯片
P lan O p t ik AG
成功 研 发用 于 半 导体 工 艺的 玻 璃 载体
生产用于 M EM S 产品的玻璃和石英玻璃晶圆器件供应商P lan O p t ik A G 成 功研发出用于半导体工艺的玻璃载体。 半导体晶圆产品的发展趋势是越来越薄, 并且背面减薄和划片等工艺中对厚 度变化和表面质量等方面精度的要求也越来越高, 精准的加工载体是上述各工艺 操作的先决条件。玻璃具有较好的热稳定性和抗酸性, 因此是最理想的衬底材料。 此外, 这些玻璃载体还可以重复使用, 即环保又降低了成本。P lan O p tik 现在生产 R ○ ○ R ○ R TM 的这种载体可以用于 3 M 和B rew er S cience �EV G W a fer B ond 系统。 这些玻璃载体采用最新的研磨和抛光技术制成, 研磨和抛光精确度较高, 总
SM A R T iLU 是一颗符合 3GPP R el. 7 和R el. 8 规范、 高集成、 支持 2G �3G � L T E 多模式的射频发射器件。这颗芯片在支持四波段 GS M �ED GE 的同时, 还
可以同时支持六个 3G 和 L T E 波段。 在该芯片丰富的功能列表中, 包括 L T E FDD clas s 5 (下行速率最大可达 150 兆比特每秒, 上行速率最大可达 50 兆比特 每秒)、 M I M O R x d ive rs ity (两个下行+ 一个上行 )、 H SPA + 、 H SPA 、 W CDMA 和 GSM � GPR S �ED GE。 该芯片如此广泛的射频波段支持能力, 使其能够极好地 与全球H SPA � L TE 网络无缝配合。SM A R T i LU 所采用的符合M IP I D igR F v4 标准的数字基带芯片接口, 为手机系统设计 “全数字化” 树立了一个新的里程 碑, 使得基带芯片设计向进一步集成化、 向 32 nm 或更精密半导体技术前进提供 了保障。 SM A R T i LU 基于全球主要半导体生产厂商共同遵循的 65nm 生产工 艺, 样片和性能测试报告计划在今年巴塞罗那全球无线大会上全面展示。 单 SM A R T iU Em icro 是为配合低端 3G 手机需求设计的一颗 CM O S 工艺、 芯片、 同时支持 2G �3G 网络的射频发射器件。通过遵循D igR F v3109 基带芯片 通讯接口, 该器件在软件和硬件上都达到了先后兼容性。 通过减少外接低噪声 放大器 (LNA s ) 和采用无接受滤波器的带内射频前端等技术创新, SM A R T i U Em icro 在支持双波段或四波段 GS M �ED GE 和最多三个W CDM A 波段时, 达 到了系统成本最优化, 适合用于超低端 3 G 手机。从 2009 年二季度开始, 客户即 可从英飞凌获得 SM A R T i U Em icro 的样片。预计在 2009 年底, 采用该芯片的客 户将 摘
英飞凌推出针对面对双卡手机市场的全新XMM 2138平台
ＩＭ宣 布 半导 体 技 术 Ｂ
重大 突破耗能少传输快
ＩＭ研究人员宣布 ，在半导体传输技术上有了 Ｂ 重大突破 ， 可大幅提高传输速度 ， 同时减少能源损 并
２１ ０ ０年英特尔信息技术峰会
４月首 发 北 京
由英 特 尔 主办 的 全球 Ｉ 界 高水 平 的技 术论 Ｔ业
技推 出的高精度 ２ 位 Ａ Ｃ芯片 Ｃ １４ 填补 了中 ４ Ｄ Ｓ２ ２
国本土 中高端 电子衡 器芯 片领域 的空 白。” ，
三 安光 电 Ｌ Ｄ投 资项 目 Ｅ 已于 安 徽 正 式 开工
近 日， 三安光电投资 １０ ２ 亿元人民币的 曲 Ｄ项
目在安 徽省 芜湖 市开工 建设 。
具备 出色 的音频 和视频 性能 。 外 ，ＭＭ １８ 支 此 Ｘ ２３ 还
持双网单待手机和双网双待手机 。这 意味着 两个
ＳＭ 卡 都 可 接 收 呼 叫或 消 息 。通 过 一 个 Ｘ— Ｏ Ｄ Ｉ Ｇ Ｌ ２３ 带芯 片 ，优化 的协议栈 可 确保 两个 ＳＭ 卡 同 １基 Ｉ 时处于待 机模 式 。
三安光电董事长林秀成表示 ，三安光 电将购置
２０台世界 先进 水 准 的 ＭＯ Ｃ ０ Ｖ Ｄ设 备 ，并 建 设 中 国
最一流的 Ｌ Ｄ研发和实验基地 。该项 目首期投资 Ｅ ６ 亿元人 民币，００ 内首期专案会投产 。 ０ ２１ 年 据悉 ， 该
项 目是 作为 安徽 省最大 的投 资专案 ，三安 光 电得 到 了安徽 省 的大力 支持 。
人们的兴趣 ， 在很多领域得到了成功的应用 ， 如在游
戏机 内部 ，使用 Ｅ Ｐ ０ ０ Ｓ Ｕ ８８来计 算人 机博 弈 的 中奖
概率 ， 在门禁应用领域 ， 利用 Ｅ Ｐ ００ 对正常用户 ＳＵ ８８