【CN109735818A】一种结合高功率脉冲磁控溅射技术的硒鼓制备方法【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日
(21)申请号 201910156618.X
(22)申请日 2019.03.01
(71)申请人 深圳南科超膜材料技术有限公司地址 518000 广东省深圳市龙华区观澜街道新澜社区观光路1301-76号银星智界3号楼(深国电大厦)601
(72)发明人 廖斌 庞盼 唐杰 罗军 陈琳
(74)专利代理机构 深圳市宾亚知识产权代理有限公司 44459代理人 黄磊
(51)Int.Cl.C23C 14/35(2006.01)C23C 14/54(2006.01)
(54)发明名称一种结合高功率脉冲磁控溅射技术的硒鼓制备方法(57)摘要本发明涉及一种结合高功率脉冲磁控溅射技术的硒鼓制备方法，包括基体，和相互连接的真空系统、高功率脉冲磁控溅射系统、真空阴极弧沉积系统及控制系统，基体通过高功率脉冲磁控溅射系统与真空阴极弧沉积系统结合制备成硒鼓；通过将高功率脉冲磁控溅射与真空阴极弧沉积系统相结合，改变等离子体区间的电势分布，提高等离子体密度，在一定程度上解决HIPIMS沉积速率低的问题，同时有效改善了膜基界面结合状况，膜层的致密性良好，制备的薄膜颜色根据薄膜成分可调，沉积速率有所提高，使用性能优良，能够改善界面性能，提高薄膜的摩
擦学特性。
权利要求书1页 说明书4页 附图1页CN 109735818 A2019.05.10
CN 109735818
A1.一种结合高功率脉冲磁控溅射技术的硒鼓制备方法，其特征在于：包括基体，和相互
连接的真空系统、高功率脉冲磁控溅射系统、真空阴极弧沉积系统及控制系统，所述基体通
过所述高功率脉冲磁控溅射系统与所述真空阴极弧沉积系统结合制备成硒鼓；
所述结合高功率脉冲磁控溅射技术的硒鼓制备方法，方法步骤如下：
S01.利用重金属和气体混合等离子体对所述基体表面进行高低能交替清洗；
S02.利用高功率脉冲磁控溅射系统(HIPIMS)对所述基体进行二次清洗；
S03.所述真空阴极弧沉积系统(FCVA)以碳靶为阴极，利用双90度磁过滤沉积方法在所
述基体上进行高致密DLC涂层的沉积；
S04.利用阳极层气体离子源对所述DLC涂层进行纳米结构刻蚀形成1-3nm的无定形增
透及耐磨层；
S05.所述高功率脉冲磁控溅射系统和/或所述真空阴极弧沉积系统分别或同时进行沉
积，两者离子束呈夹角分布，制备成硒鼓。
2.如权利要求1所述的结合高功率脉冲磁控溅射技术的硒鼓制备方法，其特征在于：所
述碳靶产生的碳离子依次穿过第一强脉冲线包和T型磁过滤弯管，为T型磁过滤沉积方法。
3.如权利要求2所述的结合高功率脉冲磁控溅射技术的硒鼓制备方法，其特征在于：所
述第一强脉冲线包的频率0～200Hz，电流为0～50A。
4.如权利要求2所述的结合高功率脉冲磁控溅射技术的硒鼓制备方法，其特征在于：所
述T型磁过滤弯管正偏压采用脉冲式，频率20-100Hz，电压10-30V。
5.如权利要求2所述的结合高功率脉冲磁控溅射技术的硒鼓制备方法，其特征在于：所
述弯管的磁场采用三块线包，与阳极筒相邻的为强脉冲线包，频率为20-80Hz，电流为0-
20A，中间线包为直流线包0-5A。
6.如权利要求1所述的结合高功率脉冲磁控溅射技术的硒鼓制备方法，其特征在于：所
述真空室相接的为高脉冲聚焦线包，电流为30-200A，频率为30-300Hz。
7.如权利要求1所述的结合高功率脉冲磁控溅射技术的硒鼓制备方法，其特征在于：所
述高功率脉冲磁控溅射系统和所述真空阴极弧沉积系统的离子束的夹角的角度为30～90
度。
8.如权利要求1所述的结合高功率脉冲磁控溅射技术的硒鼓制备方法，其特征在于：所
述真空阴极弧沉积系统(FCVA)和所述高功率脉冲磁控溅射系统(HIPIMS)均配有冷却系统。
9.如权利要求1所述的结合高功率脉冲磁控溅射技术的硒鼓制备方法，其特征在于：所
述基体的样品位于真空室中。权 利 要 求 书1/1页
2CN 109735818 A
【CN109735332A】一种黄色荧光石墨烯量子点及其制备方法和应用【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910119217.7(22)申请日 2019.02.15(71)申请人 上海应用技术大学地址 200235 上海市徐汇区漕宝路120-121号(72)发明人 徐虎 翁维阳 李涵洋 王宇红 (74)专利代理机构 上海汉声知识产权代理有限公司 31236代理人 胡晶(51)Int.Cl.C09K 11/65(2006.01)C01B 32/184(2017.01)B82Y 20/00(2011.01)B82Y 40/00(2011.01)G01N 21/64(2006.01)
(54)发明名称一种黄色荧光石墨烯量子点及其制备方法和应用(57)摘要本发明公开了一种黄色荧光石墨烯量子点及其制备方法和应用，制备方法包括如下步骤：S1：按照投料比为0.1g∶30mL∶2mL，将久洛尼定固体，无水乙醇液体和醋酸液体混合后在室温条件下超声10分钟；S2：将超声后的反应液放在高压反应釜中，通过溶剂热法制备石墨烯量子点；S3：将反应液通过透析的方法进行纯化，透析液经浓缩、冷冻干燥后得到黄色荧光石墨烯量子点，该制备方法工艺简单，成本低廉，制得的黄色荧光石墨烯量子点粒径均匀、无毒，可作为荧光探针直接应用于水样和人体血清中硫代硫酸根和双氧水的检测，操作便捷，
检测结果准确。
权利要求书1页 说明书4页 附图6页CN 109735332 A2019.05.10
CN 109735332
A1.一种黄色荧光石墨烯量子点的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：按照投料比为0.1g∶30mL∶2mL，将久洛尼定固体，无水乙醇液体和醋酸液体混合后在室温条件下超声10分钟；S2：将超声后的反应液放在高压反应釜中，通过溶剂热法制备石墨烯量子点；S3：将反应液通过透析的方法进行纯化，透析液经浓缩、冷冻干燥后得到黄色荧光石墨烯量子点。2.一种由权利要求1所述的制备方法制得的黄色荧光石墨烯量子点。3.根据权利要求2所述的一种黄色荧光石墨烯量子点，其特征在于，其尺寸为4.1±0.4nm。4.一种权利要求2所述的黄色荧光石墨烯量子点作为荧光探针在水样和人体血清中硫代硫酸根和双氧水检测中的应用，其特征在于，包括如下步骤：S1：室温条件下取1mg权利要求2所述的一种黄色荧光石墨烯量子点，溶于10mL水中，制得浓度为0.1mg/mL的黄色荧光石墨烯量子点溶液；S2：取2-2.2mL上述黄色荧光石墨烯量子点溶液于4mL比色皿中，并加入3.5-4.5nM的碘，由于碘与黄色荧光石墨烯量子点的内虑作用，会导致明显的荧光淬灭；S3：向S2的混合溶液中加入1-4nM的硫代硫酸钠溶液，由于硫代硫酸钠与碘反应，会导致内虑作用消失，进而导致荧光恢复效果；S4：再向S3的混合溶液中加入5-5.5nM的双氧水，使碘离子与双氧水发生反应，从而生成碘单质与黄色荧光石墨烯量子点再次发生内虑作用，荧光再次淬灭，从而达到反复利用的效果。5.根据权利要求4所述的应用，其特征在于，在S2中，所取黄色荧光石墨烯量子点溶液的体积为2mL。6.根据权利要求5所述的应用，其特征在于，在S2中，加入的碘浓度为4nM。7.根据权利要求6所述的应用，其特征在于，在S3中，加入的硫代硫酸钠溶液浓度为4nM。8.根据权利要求7所述的应用，其特征在于，在S4中，加入的双氧水浓度为5nM。9.根据权利要求8所述的应用，其特征在于，在S3中，硫代硫酸钠在470nm的波长激发下，发射波长在545nm，荧光强度从6000以上明显降低至100以下，用于硫代硫酸钠的检测应用。10.根据权利要求9所述的应用，其特征在于，在S4中，双氧水在470nm的波长激发下，发射波长在545nm，荧光强度从100以下恢复至6000以上，
【CN109833815A】一种立式磁力混胶装置【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910278688.2(22)申请日 2019.04.09(71)申请人 菲舍尔航空部件（镇江）有限公司地址 212132 江苏省镇江市镇江新区大港圌山路88号(72)发明人 胡传明 何国亮 魏春哲 王少良 (74)专利代理机构 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204代理人 汤磊(51)Int.Cl.B01F 13/08(2006.01)B01F 15/00(2006.01)B01F 3/10(2006.01)
(54)发明名称一种立式磁力混胶装置(57)摘要本发明公开了一种立式磁力混胶装置，搅拌筒以其轴线竖置安装在基座上，驱动环绕设于搅拌筒外周面上并与基座连接，搅拌爪置于搅拌筒内，驱动环与搅拌爪高度相对，驱动环与搅拌爪上分别设置磁体A、磁体B，磁体A、磁体B异极相对，驱动机构控制驱动环与搅拌筒沿周向相对转动，控制箱与驱动机构信号连接。该混胶装置实现了搅拌头非接触式传动，搅拌筒完全封闭，搅拌过程中胶黏剂无泄漏；搅拌头与混胶装置整体之间无机械连接，可完全分离搅拌头与搅拌筒，各自整体清洗；装置使用操作灵活、便捷，搅拌均匀，适用于实验室以及产品批量小、种类多的生产制造场合；相比手动混胶等方式，减少产生工业固废物，提高混胶工艺稳定性，
提高劳动效率。
权利要求书1页 说明书4页 附图5页CN 109833815 A2019.06.04
CN 109833815
A1.一种立式磁力混胶装置，其特征在于：包括搅拌筒(1)、搅拌爪(2)、驱动环(3)、基座(4)、控制箱(5)、驱动机构(6)，所述搅拌筒(1)以其轴线竖置安装在所述基座(4)上，所述驱动环(3)绕设于所述搅拌筒(1)外周面上并与所述基座(4)连接，所述搅拌爪(2)置于所述搅拌筒(1)内，所述驱动环(3)与所述搅拌爪(2)高度相对，所述驱动环(3)与所述搅拌爪(2)上分别设置磁体A(31)、磁体B(21)，所述磁体A(31)、磁体B(21)异极相对，所述驱动机构(6)控制所述驱动环(3)与所述搅拌筒(1)沿周向相对转动，所述控制箱(5)与所述驱动机构(6)信号连接。2.根据权利要求1所述的一种立式磁力混胶装置，其特征在于：所述磁体A(31)沿所述驱动环(3)周向均布内置至少两个，所述磁体B(21)沿所述搅拌爪(2)周向均布内置至少两个。3.根据权利要求1所述的一种立式磁力混胶装置，其特征在于：所述搅拌爪(2)包括至少两个爪瓣(22)，所述爪瓣(22)呈幅射状布置，所述磁体B(21)内置在所述爪瓣(22)顶端。4.根据权利要求1所述的一种立式磁力混胶装置，其特征在于：所述搅拌爪(2)包括轮圈(23)、叶轮(24)，所述轮圈(23)环绕连接所述叶轮(24)顶端，所述磁体B(21)内置在所述轮圈(23)中。5.根据权利要求1所述的一种立式磁力混胶装置，其特征在于：所述搅拌爪(2)上设置有立轴(25)。6.根据权利要求1所述的一种立式磁力混胶装置，其特征在于：所述驱动机构(6)包括一对传动连接的摩擦轮A(61)、摩擦轮B(62)，以及传动轴(63)、弹性伸缩件(65)，所述驱动环(3)向上的一端具有端面(32)，所述摩擦轮A(61)位于所述端面(32)上表面上方，所述传动轴(63)固定在所述端面(32)与所述摩擦轮A(61)之间，所述传动轴(63)穿设于所述悬臂(41)上开设的导向孔(42)，所述弹性伸缩件(65)一端与所述悬臂(41)底面连接，另一端抵压在所述端面(32)上表面，所述控制箱(5)与所述摩擦轮B(62)信号连接。7.根据权利要求6所述的一种立式磁力混胶装置，其特征在于：所述驱动机构(6)还包括导柱(64)，所述导柱(64)套设在所述传动轴(63)上，所述导柱(64)与所述传动轴(63)之间设置有轴承，所述导柱(64)穿设于所述导向孔(42)并与所述导向孔(42)之间形成止转配合，所述弹性伸缩件(65)套装在所述导柱(64)上。8.根据权利要求6所述的一种立式磁力混胶装置，其特征在于：所述弹性伸缩件(65)为弹簧。9.根据权利要求6所述的一种立式磁力混胶装置，其特征在于：所述端面(32)在所述传动轴(63)固定处设置有推力轴承。10.根据权利要求6所述的一种立式磁力混胶装置，其特征在于：所述端面(32)下表面设置有弹性压片(66)。11.根据权利要求1所述的一种立式磁力混胶装置，其特征在于：所述搅拌筒(1)两端面至少一个设置为端盖(11)。12.根据权利要求1～11任一所述的一种立式磁力混胶装置，其特征在于：所述基座(4)上设置有定位槽(43)，所述搅拌筒(1)底部置于所述定位槽(43)中固定。13.根据权利要求1～11任一所述的一种立式磁力混胶装置，其特征在于：所述搅拌筒
【CN109935473A】一种碳纳米管掺杂复合电极材料及其制备方法【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日
(21)申请号 201910246497.8
(22)申请日 2019.03.29
(71)申请人 福州大学地址 350108 福建省福州市闽侯县上街镇福州大学城学院路2号福州大学新区
(72)发明人 邵艳群 郭洁 高嘉欣 马琼琼 冯珂珂 张燕斌 陈孔发
(74)专利代理机构 福州元创专利商标代理有限公司 35100代理人 蔡学俊
(51)Int.Cl.H01G 11/30(2013.01)H01G 11/36(2013.01)H01G 11/46(2013.01)H01G 11/86(2013.01)
(54)发明名称一种碳纳米管掺杂复合电极材料及其制备方法(57)摘要本发明属于超级电容器电极材料技术领域，具体涉及一种用于超级电容器的多孔高比电容复合电极材料及其制备方法。具体包括以下步骤：（1）取氯铱酸（H2IrCl6·6H2O含铱35wt%）和氯化锰（MnCl2）按一定金属摩尔比溶解于无水乙醇中；（2）取适量碳纳米管加入H2IrCl6·6H2O和MnCl2的混合溶液中；（3）取适量涂液对钛板进行单面涂刷，获得不同碳纳米管含量的IrO2-MnO2-CNT/Ti电极。本发明所制备的复合电极材料通过加入适量的碳纳米管能够有效改善电极的电容性能，在碳纳米管加入量为5
mg/ml时达到最好。
权利要求书1页 说明书4页 附图3页CN 109935473 A2019.06.25
CN 109935473
A1.一种碳纳米管掺杂的IrO2-MnO2/Ti复合电极材料的制备方法，其特征在于：包含以下
步骤：
（1）将工业纯钛板TA 1在硫酸中刻蚀，水洗烘干后置于无水乙醇中备用；
（2）取氯铱酸和氯化锰按一定金属摩尔比溶解于无水乙醇中，超声震荡，混合均匀；
（3）取碳纳米管加入H2IrCl6·6H2O 和MnCl2的混合溶液中，超声震荡30min，制成涂液；
磁控溅射技术及其发展
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磁控溅射技术及其发展
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Ａｂｓｔｒａｃｔ．Ｍｌ‘ｇｎｅｔｒｏｎｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇｃｏｕｈｌＩＨ·ｕｓｅｄｉａｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎｏｆｈａｒｄ－…ｒｒｅｓｉｓｔａｎｔｃｏａｔｉｎｇｓ·ｌｕｗｆｒｉｃｄｏｎｃｏａｔｉｎｇｓ．ｅ‘，ｒｒｏｓｉｏｎｒｅｓｉｓｌａｎｔｃｏａｌｉｎｇｓ，ｓｕｐｅｒｅｏｎｄｕｅｔｉｎｇｃｏｎｔｌｎｆｆｓ．ｍａｇｎｅｔｌｃｃｏａｌｌｎｇｓ－ｏｐｌｉｅａｌｃｏ，ｔｉｎｇｓ－ａｎｄｃｏａｌｉｎｇｓｗｉｔｈｏｌｈｅｒｓｐｅｃｉａｌｆｕｎｃｔｉｏｎｓＭａｇ，ｅｌｒｏｎｓｐｕｕｅｒｌｎｇｈａｓｂｅｃｏｍｅｗｉｄｅｌｙｕｓｅｄｔ”［ａｂｒｉｃａｔｃｔｈｉｎｆｉＬｍｉｎｉｎｄｕｓｔｒｙｌ＇ｈｅｐｒｉｎｃｉｐｌｅａｎｄＩｈｔ－ｃｈａｒａｒｔｅｒｉｓｔｉｅｓｔ，ｆｍａｇｎｃｔｒｏｎｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ－ａｓｗｅｌｌａｓｔｈｅ
ｄｅｖｅｈｌｐｍｅｎｔｈｉｓｔｏｒｙａｎｄ１ｈｅｄｅｖｅｌｏｅｍｅｎｌｔｒｅｎｄｓｏｆｍ雄ｎＰＩＦｏＲｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇａｒｅｉｎｔｒｏｄｕｃｅｄｉｎｔｈｉｓｐａｐｅｒＫｅｙｗｏｒｄｓＴｈｉｎｆｉｌｍｆａｂｒｉｃａｄｏｎ．Ｍａｇｎｅｔｆ｛】ＩｌｓｐｕｒＩｒｒｉｎｇ－ＢＭａｎｅｅｄｍａｇｎｅｔＦｏｒｔｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ·Ｕｎｂａｌａｎｃｅｄｍａ４ｎｃｌｔｏｎｓｐｕｌｌｕｒｌｎｇ
【CN109772358A】一种催化剂造孔剂和基于造孔剂的高孔隙率催化剂的制备方法【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910217906.1(22)申请日 2019.03.21(66)本国优先权数据201810713939.0 2018.06.29 CN201810712993.3 2018.06.29 CN(71)申请人 光大水务（深圳）有限公司地址 518000 广东省深圳市福田区深南大道1003号东方新天地广场A座26楼 申请人 光大水务科技发展（南京）有限公司 光大水务（淄博）有限公司 深圳市长隆科技有限公司 华南师范大学(72)发明人 孙琦 王冠平 石伟 蒋延梅 于豹 刘晓静 于华芹 吴晓慧 (74)专利代理机构 江苏瑞途律师事务所 32346代理人 吴雪健 蒋海军(51)Int.Cl.B01J 23/889(2006.01)B01J 35/10(2006.01)B01J 37/00(2006.01)C02F 1/78(2006.01)C02F 103/06(2006.01)
(54)发明名称一种催化剂造孔剂和基于造孔剂的高孔隙率催化剂的制备方法(57)摘要本发明公开了一种催化剂造孔剂和基于造孔剂的高孔隙率催化剂的制备方法，属于催化剂技术领域。本发明的造孔剂，包括煤粉、碳粉或草粉中的至少一种或者多种；本发明的一种高孔隙率催化剂的制备方法，通过在制备的过程中加入造孔剂后进行预制颗粒，并通过高温煅烧使得造孔剂中的有机物挥发，增加了催化剂孔隙率，使催化剂与待处理污水的接触的活性面积增加，促进催化过程中反应物和生成物传质的进行，进而提高了催化剂的催化氧化性能。本发明通过添加造孔剂，可以大幅降低臭氧氧化nbsCOD的氧化效率，
显著降低运行成本。
权利要求书1页 说明书10页 附图2页CN 109772358 A2019.05.21
CN 109772358
A1.一种用于催化剂造孔的造孔剂，其特征在于：包括煤粉、碳粉或草粉中的至少一种或者多种。2.根据权利要求1所述的一种用于催化剂造孔的造孔剂，其特征在于：草粉为玉米秸秆或/和花生秧破碎细粉；碳粉包括粘结树脂和炭黑。3.一种高孔隙率催化剂的制备方法，其特征在于：先将催化剂载体和催化剂活性原料进行混合干燥，得到混合物料；向混合物料中加入造孔剂后进行预制颗粒，所述造孔剂为权利要求1-2任意一项所述的造孔剂，造孔剂的添加量为催化剂载体质量的5-25％；而后对预制颗粒进行煅烧处理，煅烧完成得到高孔隙率催化剂。4.根据权利要求3所述的一种高孔隙率催化剂的制备方法，其特征在于：具体步骤为S100、原料混合细磨先将催化剂载体和催化剂活性原料进行混合干燥，得到混合物料；向混合物料中加入造孔剂，并采用球磨机进行球磨混匀，得到混合细料；S200、催化剂预制颗粒将混合细料加入到造粒机中，添加粘结剂溶液对混合细料进行造粒处理，造粒完成后得到催化剂预制颗粒；S300、催化剂煅烧处理对上述制备得到催化剂预制颗粒进行煅烧处理，煅烧温度为450-800℃，煅烧的过程中催化剂活性原料氧化为氧化物，并生成催化剂活性组分，煅烧完成得到高孔隙率催化剂。5.根据权利要求3所述的一种高孔隙率催化剂的制备方法，其特征在于：催化剂活性原料为铁盐，且为草酸铁、硝酸铁、氯化铁中的至少一种。6.根据权利要求3所述的一种高孔隙率催化剂的制备方法，其特征在于：催化剂活性原料为钴盐和锰盐，所述钴盐为草酸钴、硝酸钴、氯化钴中的至少一种；所述锰盐为草酸锰、硝酸锰、氯化锰中的至少一种。7.根据权利要求3所述的一种高孔隙率催化剂的制备方法，其特征在于，在煅烧的过程中催化剂活性原料煅烧生成催化剂活性组分，催化剂活性组分的质量为催化剂载体质量的2-10％。8.根据权利要求4所述的一种高孔隙率催化剂的制备方法，其特征在于：S200步骤中所采用的粘结剂溶液为硅溶胶溶液，且硅溶胶溶液的添加量为混合细料质量的5-15％；且硅溶胶溶液中硅溶胶的质量百分浓度为5-25％。9.根据权利要求6所述的一种高孔隙率催化剂的制备方法，其特征在于：在煅烧的过程中催化剂活性原料煅烧生成催化剂活性组分，催化剂活性组分为氧化钴和氧化锰的混合物，且催化剂活性组分中氧化钴的质量百分含量为30-70％。10.根据权利要求3-9任意一项所述的一种高孔隙率催化剂的制备方法，其特征在于：所述催化剂载体为ρ-
【CN109739070A】一种高分辨率高透光度半导体用3D打印式正性光刻胶【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910172308.7(22)申请日 2019.03.07(71)申请人 中山职业技术学院地址 528400 广东省中山市博爱七路25号(72)发明人 聂建华 王俊 李吉昌 李金盛 江常胜 余明君 (74)专利代理机构 中山市科创专利代理有限公司 44211代理人 谢自成 毛海娟(51)Int.Cl.G03F 7/039(2006.01)
(54)发明名称一种高分辨率高透光度半导体用3D打印式正性光刻胶(57)摘要本发明公开了一种高分辨率高透光度半导体用3D打印式正性光刻胶，其通过以下方法制备：采用稀土物质、钛源、可溶性镁盐、可溶性锂盐、甲基丙烯酸酯单体等为原料，通过高温水热反应制得钛酸镁锂改性甲基丙烯酸酯单体；然后将其参通过自由基聚合反应，合成制得以钛酸镁锂胶体粒子为“锚点”的高度支化的改性丙烯酸树脂；之后将改性丙烯酸树脂、产酸剂、助剂等充分分散均质，即制得流动性好、聚合度高、抗蚀刻性能优异的光刻胶成品。该光刻胶属于化学放大类，其在193nm深紫外光源下感光性能强，灵敏度好，分辨率达到0.09～0.11μm，光刻综合性能达到国际最先进水平，
应用前景极为广阔。
权利要求书2页 说明书7页CN 109739070 A2019.05.10
CN 109739070
A1.一种高分辨率高透光度半导体用3D打印式正性光刻胶，其特征在于通过以下质量份组分混合并充分搅拌与研磨制成：改性甲基丙烯酸树脂溶液 100份产酸剂 0.5～5份助剂 1～5份；所述的改性甲基丙烯酸树脂溶液由以下质量份组分制成：醇 200份钛酸镁锂改性甲基丙烯酸酯单体 30～70份聚合引发剂 1.1～5.5份，制备方法为：将100份醇、30～70份钛酸镁锂改性甲基丙烯酸酯单体、0.1～0.5份聚合引发剂加到反应釜中，再升温至70～90℃；然后将100份醇和1～5份聚合引发剂混合均匀，再缓慢滴入反应釜中，控制滴加时间至少30min；加料完毕继续保温反应1～4h，然后停止反应并冷却至室温出料，即制得改性甲基丙烯酸树脂溶液。2.根据权利要求1所述的一种高分辨率高透光度半导体用3D打印式正性光刻胶，其特征在于所述的钛酸镁锂改性甲基丙烯酸酯单体由以下方法制备而成：将0.1～0.5份稀土物质和30～60份钛源加到1000份纯水中搅拌10～30min，然后加入20～50份可溶性镁盐和1～5份可溶性锂盐，升温至60～80℃并保温反应10～30min；之后加入1000～3000份甲基丙烯酸酯单体并充分搅拌均匀，再升温至120～150℃并保温反应30～60min；然后停止反应并降温出料，待反应液静置直至明显分层，再弃去下层水相，保留上层有机相；有机相中加入1000份饱和食盐水并充分搅拌，静置直至明显分层，再弃去下层水相，保留上层有机相，即得钛酸镁锂改性甲基丙烯酸酯单体。3.根据权利要求1所述的一种高分辨率高透光度半导体用3D打印式正性光刻胶，其特征在于所述改性甲基丙烯酸树脂溶液、产酸剂与助剂研磨后通过0.2μm滤膜过滤，滤液即为光刻胶。4.根据权利要求2所述的一种高分辨率高透光度半导体用3D打印式正性光刻胶，其特征在于所述的稀土物质为Ce(NO3)3、Ce2(SO4)3、CeCl3、Dy(NO3)3、Dy2(SO4)3、DyCl3中的一种或几种。5.根据权利要求2所述的一种高分辨率高透光度半导体用3D打印式正性光刻胶，其特征在于所述的钛源为钛酸四异丙酯、正钛酸四丁酯、三羟酰基钛酸异丙酯、三硬脂酯基钛酸异丙酯、二羟酰基乙二撑钛酸脂中的一种或几种。6.根据权利要求2所述的一种高分辨率高透光度半导体用3D打印式正性光刻胶，其特征在于所述的可溶性镁盐为氯化镁、硫酸镁、硝酸镁中的一种或几种。7.根据权利要求2所述的一种高分辨率高透光度半导体用3D打印式正性光刻胶，其特征在于所述的可溶性锂盐为氯化锂、硫酸锂、硝酸锂、氢氧化锂、碳酸锂中的一种或几种。8.根据权利要求2所述的一种高分辨率高透光度半导体用3D打印式正性光刻胶，其特征在于所述的丙烯酸酯单体为甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸异辛酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸-2-乙基己酯、甲基丙烯酸月桂酯、甲基丙烯酸-2-羟基乙酯、甲基丙烯酸-2-羟基丙酯、甲氧基聚乙二醇(350)单甲基丙烯酸酯、