场效应管放大电路
R2 Rg VG R1
Rd g + UGS
ID d +
+VDD C2 + uo -
UGSQ = VG - IDQRS UGSQ IDQ= IDO( UGS(th)
Rs
UDS s - R L ID CS
1)
分压-自偏压式共源放大电路
UDSQ = VDD - IDQ ( Rd + Rs )
+VDD d g s C2 RL + uo -
RG R1
RS
+ RG Ui R1 R2
g +U & - gs RS
d
s + RL Uo -
16
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第六节 场效应管放大电路
g +
& Ui
& + Ugs
s -
id +
& gmUgs
仿真
RG RS RL R2 d
& Uo
R1 -
-
源极输出器的微变等效电路
C1 R2 g s R1 RS C2 RL + uo + ui +VDD d
可用近似估算法 或图解法， 或图解法， 求解过程可参阅 分压– 分压–自偏压式 共源放大电路。 共源放大电路。
RG
共漏极放大电路
15
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第六节 场效应管放大电路
2. 动态分析
R2 C1 + ui id
& gmUgs
分压-自偏压式共源放大电路
Ui = Ugs
Uo = - gmUgs RD′
RD′= Rd // RL
& & & ′ Au =U o U i = −gmRD Ri = RG + (R1 // R2 )
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第六节 场效应管放大电路
六、共漏极放大电路
又称源极输出器或源极跟随器 1. 静态分析
12
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第六节 场效应管放大电路
2. 图解法
+VDD ID + + UGS RS UD
S
uGS = VGQ - iD Rs uDS = VDD - iD ( Rd + Rs )
iD VGQ RS VDD RS+RD 4V IDQ IDQ 3.5V 3V
O
R2 RG VG R1
RD
iD uGS = 4.5V
ID
UGSQ VGQ uGS
O UDSQ
2V VDD uDS
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第六节 场效应管放大电路
（二) 动态分析
R2 C1G + ui R1 RS R g RD d s RL CS +VDD C2 + uo + RG Ui R1 R2 S Ugs gmUgs G + D id
仿真
+
RD RL U o -
第六节 场效应管放大电路
五、分压-自偏压式共源极放大电路
电路组成
静态时， 静态时，
R2 C1 + ui R1 Rs Rg g Rd d s RL CS +VDD 栅极电压由 栅极电压由VDD经R1、R2分压后提供， 分压后提供， C2 +
ID流经RS产生一个自偏压， 流经 产生一个自偏压， RS也有利于稳定静态工作点， 也有利于稳定静态工作点，
& & ′ Uo = gmUgs RS
′ RS = RS // RL
& & & ′ ′ & Ui = Ugs + gmUgs RS = (1 + gmRS )Ugs
′ U&o & = = gmRS Au & ′ U i 1+ gmRS
Ri = RG + ( R1 // R2 )
17
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第六节 场效应管放大电路
5
S
第六节 场效应管放大电路
或：
Id = gmUgs + r1 Uds ds gm 的值约为 0.1 ~20 mS。 mS。
可在场效应管特性曲线上作图求得。 其中：gm和rDS可在场效应管特性曲线上作图求得。 其中： gm也可由 uGS iD= IDO( -1)2 UGS(th) 2 IDO IDQ gm = UGS(th) 求导得
2
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第六节 场效应管放大电路
二、场效应管放大电路
组成原则： 组成原则：
(1) 静态：适当的静态工作点，使场效应管工作 静态：适当的静态工作点， 在恒流区， 在恒流区，场效应管的偏置电路相对 简单。 简单。 (2) 动态：能为交流信号提供通路。 动态：能为交流信号提供通路。
分析方法： 分析方法：
2. 图解法
iD VDD Rd
uDS = VDD - iD Rd 直流负载线
uGS = 4.5V 4V UGSQ
UGSQ = VGG
IDQ
O
Q
3.5V 3V 2V
UDSQ
VDD uDS
图解法分析共源放大电路的Q点
与直流负载线的交点即是静态工作点Q 与直流负载线的交点即是静态工作点Q 。
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uo 旁路电容 必须足够大， 旁路电容CS必须足够大， -
以免影响电压放大倍数。 以免影响电压放大倍数。 RG用于提高放大电路的输入电阻。 用于提高放大电路的输入电阻。
分压-自偏压式共源放大电路
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第六节 场效应管放大电路
（一） 静态分析 1. 近似估算法 VG = R1 R1 + R2 VDD
Rg
iD
RD d + uDS s + uO -
VDD
UGSQ = VGG uGS 2 iD= IDO( -1) UGS(th) UDSQ = VDD - IDQ RD
+ ui VGG
+ g uGS -
共源极放大电路的原理电路
IDQ=IDO(
9
UGSQ
UGS(th)
-1)
2
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下页首页Βιβλιοθήκη 第六节 场效应管放大电路= gm ⋅ ∆uGS + 1
跨导 漏极输出电阻
4
rDS
⋅ ∆uDS
∂iD gm = ∂uGS
rDS
∂u DS = ∂i D
第六节 场效应管放大电路
场效应管的微变等效电路为： 场效应管的微变等效电路为：
iD D G uGS S uDS
G
ugs
D
gmugs rDS uds
S G
ugs
D
很大， 很大， 可忽略。 可忽略。 gmugs uds rDS 通常为几百千欧。 通常为几百千欧。
g s + Ugs -
id
io
+
RG R1 R2
d 求源极输出器RO 的等效电路 gmUgs
RS Ro
Uo
-
& & Uo Uo & & & = & = + gmUo = ( 1 + gm)Uo Io − gmUgs R RS S RS
& Uo 1 1 Ro = // RS & = g +1 R = g Io m S m
静态分析： 静态分析： 估算法、图解法。 估算法、图解法。 微变等效电路法。 微变等效电路法。 动态分析： 动态分析：
3
第六节 场效应管放大电路
三、 场效应管的微变等效电路
iD D G uGS S uDS
iD = f (uGS , u DS ) 求iD全微分得 ∂iD ∂iD ∆iD = ⋅ ∆uGS + ⋅ ∆uDS ∂uGS ∂uDS
第六节 场效应管放大电路
第六节 场效应管放大电路
场效应管的特点 场效应管放大电路 场效应管微变等效电路 共源极放大电路 分压分压-自偏压式共源极放大电路 共漏极放大电路
1
下页 总目录
第六节 场效应管放大电路
一、场效应管的特点
1. 场效应管是电压控制元件, 场效应管是电压控制元件, 三极管是电流控制元件。 三极管是电流控制元件。 2. 场效应管输入电阻非常高,三极管输入电阻较小。 场效应管输入电阻非常高,三极管输入电阻较小。 3. 场效应管噪声小,受外界温度及辐射的影响小, 场效应管噪声小,受外界温度及辐射的影响小, 存在零温度系数工作点。 存在零温度系数工作点。 4. 场效应管的制造工艺简单, 便于集成。 场效应管的制造工艺简单, 便于集成。 5. 存放时,栅极与源极应短接在一起。 存放时,栅极与源极应短接在一起。 焊接时,烙铁外壳应接地。 焊接时,烙铁外壳应接地。
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第六节 场效应管放大电路
动态参数计算
RD RG + ui VGG + uo RG g + + Ugs s Rd gmUgs id + Uo d
VDD
Ui -
共源电路的微变等效电路
UI = UGS Uo Au = = - gm RD Ui
7
Uo = - gmUgs RD Ro = RD
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第六节 场效应管放大电路
四、共源极放大电路
（一）电路组成
RD
uGS > UGS(th) uDS > uGS - UGS(th)
3场效应管放大电路
三、场效应管放大电路1、当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将。
A.增大B.不变C.减小答案：A2.已知场效应管的输出特性曲线如图P1.22所示，画出它在恒流区的转移特性曲线。
图P1.22解：在场效应管的恒流区作横坐标的垂线〔如解图P1.22（a）所示〕，读出其与各条曲线交点的纵坐标值及U GS值，建立i D＝f（u GS）坐标系，描点，连线，即可得到转移特性曲线，如解图P1.22（b）所示。
解图P1.223.结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS大的特点。
（）答案：√4.若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零，则其输入电阻会明显变小。
（）答案：×5.电路如图1.23所示，T的输出特性如图P1.22所示，分析当u I＝4V、8V、12V三种情况下场效应管分别工作在什么区域。
解：根据图P1.22所示T的输出特性可知，其开启电压为5V，根据图P1.23所示电路可知所以u GS＝u I。
当u I＝4V时，u GS小于开启电压，故T截止。
当u I＝8V时，设T工作在恒流区，根据输出特性可知i D≈0.6mA，管压降u DS≈V DD－i D R d≈10V因此，u GD＝u GS－u DS≈－2V，小于开启电压，图P1.23 说明假设成立，即T工作在恒流区。
当u I＝12V时，由于V DD ＝12V，必然使T工作在可变电阻区。
6.U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。
A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管答案：A7.电路如图P5.14所示，已知C gs＝C gd＝5pF，g m＝5mS，C1＝C2＝C S＝10μF。
试求f H、f L各约为多少，并写出的表达式。
图P5.14解：f H、f L、的表达式分析如下：：图2图1（5）U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。
A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管（5）A C8.一个JFET的转移特性曲线如图题4.1.3所示，试问：1.它是N沟道还是P沟道FET？2.它的夹断电压VP和饱和漏极电流IDSS各是多少？解由图题4．1．3可见，它是N沟道JFET，其VP＝–4 V，IDSS＝3 mA。
场效应管功放电路原理
场效应管功放电路原理场效应管功放电路是一种在音频电路中广泛使用的放大器。
这种电路依赖于场效应管的输出功率进行放大，可提供高品质的音频输出。
在本文中，我们将解释场效应管功放电路的原理，以及它是如何工作的。
场效应管（FET）是一种半导体器件，与双极型晶体管相比，其特点是输入电阻高、输出电阻低，并且具有高增益和低噪声。
由于这些优点，场效应管在音频电路中经常被用作放大器。
场效应管功放电路的基本原理如下：信号源通过输入电容连接到场效应管的栅极。
栅极电压变化，通过栅极和源极之间的通道控制了场效应管的电流。
输出电容将电流信号连接到负载，如扬声器或耳机。
一个负反馈网络可以添加在输出和输入之间，以确保输出信号匹配输入信号。
放大器的设计和实现是针对性的。
如果希望放大器具有高功率输出，需要使用高功率的场效应管。
此类场效应管需要与合适的散热器相连。
因为这些场效应管工作时会产生大量的热量。
另外，输出电容的大小应适当地选择，以确保信号不被截断。
场效应管功放电路的另一个关键因素是选择适当的电源电压和电源电容。
电源电压可以影响放大器的最大输出功率，但是过高的电源电压可能会使放大器过载。
电源电容可以降低电源的波动，从而提高放大器的噪声性能。
但是，选择过大的电源电容可能会导致初始启动时的过电流。
在设计场效应管功放电路时，还需要选择适当的输入和输出电容，以确保阻止带外信号。
输入电容是信号源和放大器之间的阻断电容，而输出电容是放大器和负载之间的阻断电容。
总的来说，场效应管功放电路是一种在音频应用中非常重要的放大器。
它具有高输入阻抗，低输出阻抗和高增益，是电子产品中广泛应用的器件之一。
合适的选型和设计可以使其产生出清晰、高质量的音频效果。
第四章场效应管放大电路
N沟道MOS管，在VGS＜VT时，不能形成导电 沟道，管子处于截止状态；只有当VGS≥VT时，才有沟 道形成。 VT——开启电压。
这种在VGS=0时没有沟道，只有VGS≥VT时才能 形成感生导电沟道的MOS管称为增强型MOS管。
第四章 场效应管放大电路
→形成由栅极指向P型
衬底的纵向电场
+
→将靠近栅极下方的空 穴向下排斥
-
→形成耗尽层。
第四章 场效应管放大电路
现假设vDS=0V，在s、g间加一电压vGS＞0V 当vGS增大时→耗尽层增宽，并且该大电场会 把衬底的自由电子吸引到
耗尽层与绝缘层之间，形
成一N型薄层，构成漏-源 之间的导电沟道，称为反
N沟道耗尽型 MOS管 与 N沟 道 增 强型MOS管基本相 似。
区别：耗尽型
MOS 管 在 vGS=0 时 ，漏－源极间已有 导电沟道产生；
增强型MOS管要
在vGS≥VT时才出现 导电沟道。
5.1.5
第四章 场效应管放大电路
N沟道耗尽型MOSFET 在栅极下方的SiO2 层中掺入了大量的金 属正离子。所以当 vGS=0 时 ， 这 些 正 离 子 已经感应出反型层， 形成了沟道。
夹断区
VT
2VT
第四章 场效应管放大电路
①截止区: vGS<vT
无导电沟道,iD=0,管子处于截止区.
②可变电阻区: vDS< vGS-vT
iD
K n [2(GS
T
)DS
2 DS
]
Kn
nCox
2
(W L
)
单位：mA V 2
场效应管共栅放大电路
当rds>>R'D时， AU≈ gmR'D
rds>>R‘D，gmrds>>1
输入电阻
ri
Ui Id
1 R D /rds g m 1/ rds
≈1/gm，
r'i≈Rs//1/gm
66/73
3.共栅放大电路（续） 电压增益 AU≈ gmR'D
输入电阻 输出电阻
ri≈1/gm r'i≈Rs//1/gm
63/73 共栅放大电路特点： 电压增益高， 输入电阻很低， 输出电阻高， 输出电压与输入电压同相。
思考题：若不忽略rds，如何 分析共栅放大电路特性？
gmUgs
S
D
rds
G
64/73
思考题：若不忽略rds，如何分析共栅放大电路特
性？
SD
gmUgs Id
S
D
G
rds
r'i ri G
电压增益
Id=gmUgs+Uds/rds Uds=Uo-Ui Uo= -IdR'D Ugs= -Ui
62/37.3共栅放大电路
说明：为简化分析忽略rds
电压增益
AU
Uo Ui
= - g mU gs RD U gs
g m RD
输入电阻
ri
Ui Ii
U gs g mU gs
1
gm
ri Rs // g 1 m
输出电阻 r'o=RD
SD
G
r'o
gmUgs
S
D
rds
G
gmUgs
S
D
Ii
r'i ri G ro
模拟电子技术(3)--场效应管及其基本放大电路
第3章 场效应管及其基本放大电路试卷3.1判断下列说法是否正确，用“√”和“ ”表示判断结果填入空内1. 结型场效应管外加栅源电压u GS应使栅源间的耗尽层承受反偏电压，才能保证其输入电阻R G大的特点。
（ ）2. 耗尽型MOS管在栅源电压u GS为正或为负时均能实现压控电流的作用。
（ ）3. 若耗尽型N沟道MOS管的栅源电压u GS大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ）4. 工作于恒流区的场效应管，低频跨导g m与漏极电流I DQ成正比。
（ ）5. 增强型MOS管采用自给偏压时，漏极电流i D必为零。
（ ）【解3.1】：1. √ 2.√ 3.× 4.× 5.√3.2选择填空1. 场效应管的栅-源之间的电阻比晶体管基-射之间的电阻 。
A．大 B．小 C．差不多2. 场效应管是通过改变 来改变漏极电流的。
所以是 控制型器件。
A．栅源电压 B．漏源电压 C．栅极电流D．电压 E．电流3. 用于放大时，场效应管工作在特性曲线的 。
A．可变电阻区 B．恒流区 C．截止区4. N沟道结型场效应管中参加导电的载流子是 。
A．自由电子和空穴 B．自由电子 C．空穴5. 对于结型场效应管，当︱u GS︱︱U GS(off)︱时，管子一定工作在 。
A．恒流区 B．可变电阻区 C．截止区 B．击穿区6. 当栅源电压u GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 。
A．结型场效应管 B．增强型MOS管 C．耗尽型MOS管7. 某场效应管的开启电压U GS(th)=2V，则该管是 。
A．N沟道增强型MOS管 B．P沟道增强型MOS管C．N沟道耗尽型MOS管 D．P沟道耗尽型MOS管8. 共源极场效应管放大电路，其输出电压与输入电压 ；共漏极场效应管放大电路，其输出电压与输入电压 。
A．同相 B．反相【解3.2】：1.A 2.A,D 3.B 4.B 5.C 6.A C 7.A 8.B,A3.3判断图T3.3所示各电路能否进行正常放大？如果不能，指出其中错误，并加以改正。
基于Multisim的场效应管放大器电路设计
电子设计实验报告课题：基于Multisim的场效应管放大器电路设计实验成员：2012.6.16基于Multisim的场效应管放大器电路设计一、实验目的：1、场效应管电路模型、工作点、参数调整、行为特征观察方法2、研究场效应放大电路的放大特性及元件参数的计算3、进一步熟悉放大器性能指标的测量方法二、实验原理：1．场效应管的特点场效应管与双极型晶体管比较有如下特点：(1)场效应管为电压控制型元件；(2)输入阻抗高(尤其是MOS场效应管)；(3)噪声系数小；(4)温度稳定性好，抗辐射能力强；(5)结型管的源极(S)和漏极(D)可以互换使用，但切勿将栅(G)源(S)极电压的极性接反，以免PN结因正偏过流而烧坏。
对于耗尽型MOS管，其栅源偏压可正可负，使用较灵活。
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。
由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。
它属于电压控制型半导体器件。
具有输入电阻高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。
和双极型晶体管相比场效应管的不足之处是共源跨导gm。
值较低(只有ms级)，MOS管的绝缘层很薄，极容易被感应电荷所击穿。
因此，在用仪器测量其参数或用烙铁进行焊接时，都必须使仪器、烙铁或电路本身具有良好的接地。
焊接时，一般先焊S极，再焊其他极。
不用时应将所有电极短接。
2．偏置电路和静态工作点的确定与双极型晶体管放大器一样，为使场效应管放大器正常工作，也需选择恰当的直流偏置电路以建立合适的静态工作点。
场效应管放大器的偏置电路形式主要有自偏压电路和分压器式自偏压电路(增强型MOS管不能采用自偏压电路)两种。
三、实验内容及步骤1．场效应管共源放大器的调试(1)连接电路。
按图2.4.1在模拟电路实验板上插接好电路，场效应管选用N 沟道结型管3DJ6D，静态工作点的设置方式为自偏压式。
结型场效应管组成的共源极放大电路
结型场效应管组成的共源极 放大电路
以N沟道结型场效应管组成的共源极放大电路为例
1.1、电路结构
1.2、直流（静态）工作状态分析
1、静态漏极电流
I DQ
I DSS
(1
U GSQ UGS ( off
)
)2
IDQ：漏极静态电流；IDSS：饱和漏极电流， UGS(off)：夹断电压， UGSQ：静态栅-源极间电压。
U0 Id (RL // RD ) gmU gs (RL // RD )
U0 Ui
gmU gs (RL // RD ) U gs
gm (RL // RD )
Au
U0 Ui
gm (RL // RD )
2、输入电阻Ri
Ri RG
3、输出电阻R0 负载电阻RL开路
R0 RD
模拟电子技术
U SQ I DQ RS
• 栅极电压为零，漏极电压为正，因此，栅-源极之间 的电压就成为负偏压。这种通过源极电阻产生栅极负 偏压的方式称为自偏压方式。省去了负电源。
• 为了消除源极所接电阻RS会对交流通路产生影响， 在自偏压电路中，RS需并联一只电容CS，这只电容 对交流信号来说是短路，因此RS对交流信号的影响 就可以消除。
• [例6-4] 已知结型N沟道场效应管的输出特性曲线如图
6-18所示，夹断电压UGS(off)=－0.44V，用这只场效应 管来组成图6-17所示的源极放大电路，RD=6kΩ， RS=0.5kΩ，RG=2MΩ，电源电压EC=12V，求放大电路 的静态工作点，并在特性曲线图中标出。
解：
由图：IDSS=2.5mA
UGSQ UGS U SQ
场效应管的栅极电流趋于零，流过栅极电阻RG的电 流为零，栅极电阻RG两端电压相等，因此栅极电压 即为地电压：
4.14 场效应管共源放大电路(54-58)
54/734.2.3 场效应管三种基本放大电路场效应管放大电路的组成只能有三种连接方式：①共源极（CS, Common-Source）放大电路②共漏极（CD, Common-Drain）放大电路③共栅极（CG, Common-Gate ）放大电路1. 共源放大电路•直流分析U GS = U G -U S-ID R S2G S D D SS G S,th(1)UI I U =-U GSQ 和I DQU DSQ =E D -I DQ (R S +R D )D 212E R R R+=一般r ds 较大可忽略i d GR G R 1R 2R D R L D r ds R S S U gsU i U o未接C s 时io U U U A =- g m U gs (R D //R L )U gs + g m U gs R s =- g m R 'D 1+ g m R s R 'D =R D //R L •交流分析g m U gsI d G R G R 1R 2R D R L D r ds R S g m U gs U gs U i U o S 未接C s 时U A =- g m R 'D1+ g m R s r 'i r 'i =R G +(R 1//R 2)≈R G r 'o r 'o ≈ R D接入C s 时A U = -g m (R D //R L )r 'i =R G +(R 1//R 2)≈R G r 'o =R D R s 的作用是提供一个直流栅源电压、引入直流负反馈来稳定工作点。
但它同时对交流也起负反馈作用，使电路的放大倍数降低。
接入CS 可以消除R S 对交流的负反馈作用。
（详见反馈章节）57/73有缘学习更多＋谓ｙｇｄ３０７６考证资料或关注桃报：奉献教育（店铺）共源放大电路小结：共源放大电路特点：电压增益高，输入电阻高，输出电阻较高，输出电压与输入电压反相。
场效应晶体管放大电路
N
N
G
P+ P+
UDS G
P+ P+
UDS
UGS
S
S
第3页/共34页
Sect
3.1.2 JFET特性曲线
1. 输出特性曲线：
iD f (U DS )∣ UGS const
可变电阻区 线性放大区 ID=gm UGS 击穿区
2. 转移特性曲线：
ID
I
DSS
(1
U GS UP
)
2
IDSS：饱和栅极漏极电流,
着源极、栅极的次序焊在电路上； • 电烙铁或测试仪表与场效应晶体管接触时，均
第15页/共34页
各种场效应管所加偏压极性小结
结型
N沟道(uGS＜0) P沟道(uGS＞0)
场效应管
绝缘栅型
增强型
耗尽型
PN沟沟道道((uuGGSS＜＞00)) N沟道(uGS极性任意) P沟道(uGS极性任意)
uo
u gs
g m u gs
u ds
S
GD
Id
RG
Ui
Ugs
gm Ugs RD
RL
Uo
R2
R1
S
第26页/共34页
动态分析：
G
电压放大倍数
Id
RL
D
RG
Ugs
Ui R2R1RD g源自 UgsRL Uo•
•
Ui Ugs
S
ri
•
ro
Au gm R'L
•
•
Uo gm Ugs (RD // RL )
ID(mA)
第8页/共34页
UGS=6V
场效应管及放大电路
场效应管是利用电场效应来控制电流 大小，与双极型晶体管不同，它是多子导 电，输入阻抗高，温度稳定性好、噪声低。 场效应管有两种: 绝缘栅型场效应管MOS 结型场效应管JFET
分类：
JFET 结型 MOSFET (IGFET) 绝缘栅型
N沟道
P沟道
（耗尽型） N沟道
FET 场效应管
ID=f(VDS)VGS=const
输出特性曲线
vGS 在恒流区，iD I D 0 ( - 1) 2 VT
I D 0是vGS 2VT时的iD值
输出特性曲线
(1) 截止区（夹断区） VGS< VT以下区域就是截止区 VGS VT ID=0
iD
(2) 放大区（恒流区） 产生夹断后，VDS增大，ID不变的 区域，VGS -VDS VP VDSID不变 处于恒流区的场效应管相当于一 个压控电流源 (3)饱和区（可变电阻区） 未产生夹断时，VDS增大，ID随着增大的区域 VGS -VDS VP VDSID 处于饱和区的场效应管相当于一个压控可变电阻
夹断 电压
在恒流区时 uGS 2 iD I DSS (1 ) Up
uGD=UGS(off)时称为 预夹断
3. 主要参数
① 夹断电压VP (或VGS(off))： 漏极电流约为零时的VGS值 。 ② 饱和漏极电流IDSS： VGS=0时对应的漏极电流。 ③ 低频跨导gm： 低频跨导反映了vGS对iD的控制作用。gm 可以在转移特性曲线上求得，单位是mS(毫西门子)。
2. 静态工作点
Q点： VGS 、 ID 、 VDS 已知VP ，由
vGS = - iDR
VDS = VDD - ID (Rd + R )