第二章LED封装原材料芯片和支架
SMDLED封装流程介绍PPT课件
IV: (xxx-xxx) mcd
BIN: XX
VF: (xx-xx) V
LOT: |||||||||||||||||||||||||||||||||
QC:
QC PASS
xxxx
FOSHAN NATIONSTAR OPTOELECTRONICS CO., LTD
佛山市国星光电股份有限公司
TOP LED
RoHS
IF = x mA
TYPE: XX-XXXXX-XX Color Bin：xxxx
QTY: XXXX
IV: (xxx-xxx) cd
BIN: XX
VF: (xx-xx) V
LOT: |||||||||||||||||||||||||||||||||
xxxxxxx
QC:
QC PASS
FOSHAN NATIONSTAR OPTOELECTRONICS CO., LTD
5.0 抽检进仓
• 由质量部对准备入库的产品进行抽检，以确保产品符合质量标准。
LED应用
LED光源模块
LED面板灯
LED日光灯管
LED射灯、球泡灯
LED背光源
• 将PCB板划片一颗一颗的LED或是将支架冲切单颗的LED。
4.5 测试
• 根据产品特性，客户要求按给定电流进行分光分色测试，同时剔除光电性能不良 的产品。
• 测试参数通常有光强Iv，波长λd，色座标(X,Y)，正向电压Vf和反向漏电Ir。 • 分光标准一般为光强1:1.2，波长2.5nm，电压0.2V作为一档，Ir控制小于10μA
佛山市国星光电股份有限公司
单色管按波长、光强、电压分档
白管按色坐标、光强、电压分档
色区分档标准
LED支架简介
7.LED常用专业术语 （1）. LED是发光二极管的英文缩写（Light emitting diode）,显示屏行业所说的 “LED”，特指能发出可见光波段的LED。 （2）. DIP是Double In-line Package 的缩写， 双列直插式组装。 （3）. SMD是表面组装器件（Surface mounteddevice 的缩写），通俗的说法叫焊锡 式组装器件。 (4) . 光强是指发光强度，通常客户会通过光强判断我 司支架的白度（主要和我司塑胶有关)。 (5) . 死灯是指客户封装OK的产品接上电源不亮，一般 造成这样的原因是固金焊线测试或红墨水渗透测试 不过关。
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2.4MOLDING后进行折弯（主要针对焊锡脚折弯）。
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2.5清洗包装，此工站主要是为了 清除制程中的产品脏污，检测外 观不良等外观问题。
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3. Lamp LED支架
上Bar
焊线区
功能区
支架碗杯
下Bar
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4. 食人鱼支架
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5.SMD PCB支架
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6. 支架的检验 我司LED支架主要做一下测试： 1.尺寸测试：满足客户机械性能。 2.红墨水渗透测试：主要测试铜板与塑胶的结力
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1.5下图为我司主要生产的LED小功率支架之一
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1.6下图为我司生产的大功率支架之一（未折弯）
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1.7下图为我司LED小功率侧光支架
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2.LED支架的制造工艺
2.1 LED五金素材支架冲制，冲制形状如下图（以大功率为例），此时的材 料仍然是没有切片的，是用胶盘卷起的。
8ห้องสมุดไป่ตู้
2.2 LED五金支架电镀，此部我司是发厂外电镀的，一般镀层为银，后 续可能会由大功率支架镀金。 2.3支架镀回后会进行切片，装铜柱，MOLDING。
直插式LED封装物料
物料介绍—支架
支架检验
• 数量短少、混料 • 支架刮伤、压伤、毛边 • 碗口变形 • 电镀不均
物料介绍—支架
支架存储
在未打开包装的条件下，仓储放置条件：25℃ 以下，相对湿度<65%以下；
请勿用徒手接触支架。 作业环境应保持恒定，控制于25℃以下，相对 湿度<65%以下，以防止支架氧化生锈； LED支架在烤箱内，在维持烤箱正常运行下， 其排气口尽量关闭； 在低温季节，要尽量减少裸支架在流程中的存 放时间
物料介绍—银胶
银胶的作用：固定晶片和导电的作用。 银胶的主要成份：银粉占75-80%、EPOXY
（环氧树脂）占10-15%、添加剂占5-10%。 银胶的使用：冷藏，使用前需解冻并充分搅
拌均匀，因银胶放置长时间后，银粉会沉 淀，如不搅拌均匀将会影响银胶的使用性 能。
– 银胶储存
• 1.1 设定冰箱温度零下15摄氏度以下，生产领班每日查 核冰箱温度，并且记录结果于物料每日查核表。
• 5）．亮度（IV）：指的是光源的明亮程度。 • 6.波长（HUE）：反映晶片发光颜色。单位：nm
物料介绍--芯片
• 镜检 材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑芯片 尺寸及电极大小是否符合工艺要求，电极 图案是否完整。
物料介绍—支架
• 支架的作用：用来导电和支撑 • 支架的组成：支架由支架素材经过电镀而
课堂实践（分组实施）
• 1.请对给定芯片、支架进行来料检验，并写 出芯片、支架的缺陷
• 2 总结芯片、支架使用时的注意事项 • 3总结芯片、支架的分类
物料介绍—环氧树脂
环氧树脂的作用：保护Lamp的内部结构，可稍微 改变Lamp的发光颜色，亮度及角度；使Lamp成 形。 • 封装树脂包括：A胶（主剂）、B胶（硬化剂）、 DP（扩散剂）、CP（着色剂）四部份组成。其 主要成分为环氧树脂（Epoxy Resin）、酸酐类 （酸无水物 Anhydride）、高光扩散性填料 （Light diffusion）及热安定性染料（dye）
LED封装天下-EMC与PCT支架谁是王者
LED封装天下EMC与PCT支架谁是“王者”?发布时间：2014-8-8 浏览次数:2167作为LED照明光源的重要组成部分，灯珠及所处的封装行业近年来一直处于新材料、新工艺的快速驱动发展阶段。
目前LED封装支架主要由塑料、铜材、电镀构成，其中导热的关键是看塑料的材质，主要的应用材料有PPA、PCT、EMC。
PCT材料在高温承受能力、高温长时间黄变、反射率、UV照射上都要优于现有的PPA。
它可达到其他同类材料不可比拟的颜色稳定性和低吸水性(千分之一左右)，用于大型户外LED屏生产，可达到良好的环境适应能力。
此外PCT材料加的是陶瓷纤，含纤20%左右，耐候性较好，抗UV，具有较低的吸水率和成型收缩率以及良好的尺寸稳定性。
而EMC支架具高耐热、抗UV、通高电流、体积小、抗黄化的特性，为追求成本不断下降的LED封厂带来新选择。
无论是台湾地区LED封装厂或是中国大陆LED封装厂2013年皆积极扩增EMC产能，其中，陆系LED封装厂产能扩增快速，据悉，天电的EMC产能也已较先前倍增，在各厂产能积极开出下，EMC导线架价格降幅预料将加速，而这也对原先具性价比优势的PCT导线架造成威胁。
观点一：EMC封装或将取代PCT随着LED照明需求的迸发，LED产业已近渡过2年的寒冬，进入春暖花开的日子。
在LED上游晶片厂忙着Flip-chip练功的同时，LED封装厂2013年也没闲着，在封装制程中导入EMC(Epoxy Molding Compound)支架成为各家一致的目标。
EMC支架具高耐热、抗UV、通高电流、体积小、抗黄化的特性，为追求成本不断下降的LED封厂带来新选择。
EMC产品炙手可热也要归功于日系封装大厂日亚化，除了率先开发采用EMC支架材料，日亚化搭在EMC支架的757系列2013年成为热销产品，高性价比表现获得市场一致好评，掀起这波EMC扩产热潮。
日亚化2013年以月产能800KK稳居EMC产能冠军，紧接在后的是大陆LED封装厂天电，月产能维270KK，台湾封装厂则以单月120KK的荣创产能最大，近期被中电收购的启耀单月也有80KK产能，亿光单月EMC产能则为60KK。
led芯片封装结构
led芯片封装结构LED芯片封装结构是LED显示技术中非常重要的一个方面，不同的封装结构不仅会对LED显示效果产生影响，还会对LED的性能、可靠性和应用范围带来影响。
下面将围绕LED芯片封装结构，分步骤阐述其相关知识和特点。
一、LED芯片结构LED是指在特定的PN结区域中，在外电场或注入光子激活下发射出光子的半导体器件。
常见的LED芯片结构主要包括：单层异质结（SH）、双层异质结（DH）、量子阱（QW）、超晶格（SL）等。
二、LED封装的分类LED封装根据不同的分类方式，可分为背光封装、发光封装、芯片级封装等。
1.背光封装背光封装是把LED芯片直接粘贴在PCB板上，通过反射罩、感光胶封装，使光线简单而直接地从LED芯片侧面发射。
背光封装的优点是封装简单、LED芯片与PCB之间的连接快速，但散光效果较差。
2.发光封装发光封装是把LED芯片倒装焊接在PCB板上，通过封装材料的形成，使光线穿透LED芯片后，从LED芯片的正面发射。
发光封装的散光效果好，但其封装材料成本较高，缺点是封装结构较复杂，制作成本也随之升高。
3.芯片级封装芯片级封装是通过半导体加工技术将LED芯片直接封装成一个封装体。
芯片级封装具有体积小、散热性能好、光电转换效率高等优点，但其制造工艺复杂、成本较高。
三、LED封装的类型目前主流的LED封装类型包括：贴片式SMD、插件式DIP和COB封装。
1.SMD封装SMD封装的特点是产品尺寸小、重量轻、粘贴在PCB板上，适用于高密度照明、大面积照明等场合，其品质稳定，寿命长。
2.DIP封装DIP封装是通过支架连接LED芯片和PCB板，具有方便安装、易于维修的特点，但经常发生焊接不良、丢失等问题。
3.COB封装COB封装是直接把LED芯片粘合在PCB板上，整合灯珠（光引发）和电路控制器于一体，在同等功率和光通量情况下，比SMD和DIP封装的效率更高。
总之，LED芯片封装结构是LED显示的核心内容之一，其类型、特点和适用场合都需要根据产品的实际需求进行选择。
LED封装技术对比 - SMD、COB、N合一
二、共阴技术
IMD MiNi P0.9技术
传统SMD P0.9技术
共阴灯珠、共阴电源、共阴IC
常规共阳方案
共阴技术低功耗高亮度、光电转换效率更高、更低发热、寿命更长，相比共阳技术节能30%
三、高对比度
IMD MiNi P0.9技术
传统SMD P0.9技术
全黑灯封装
白色灯罩需 显示屏厂家 雾化处理
无法在现场对灯珠进行维修，必须返厂维修且备 大量备品模组
上下游产业配套成熟，技术成熟度高
在防护性方面具有差异化竞争优势，但显示效果 还有缺陷，技术成熟度不高
第三章 N合一（IMD）
Mini LED显示产品的特点
IMD（Integrated Mounted Device)集成封装 通过内部电路连接将相互关联的多个元器件集成封装在一个封装体中
COB——Three Kinds of Chips
COB——Three Kinds of Chips
a、采用正装蓝绿/垂直红色 优点：工艺成熟、成本低 缺点：焊线数多一次通过率低，焊盘使用数量
多，但像素占用面积大
b、采用垂直芯片 优点：与正装芯片工艺相同、成本低、 线少，
可实现更高密度 缺点：垂直芯片价格较高
传统SMD P0.9技术
48通道 SPWM共阴高刷
常规16通道共阳
低亮高IC灰高刷（通过硬件实现真16BIT灰阶效果，不I再C 是通过软件玩数字游戏）
115%NTSC超高色域，是全球第一家同时支持HLG和HDR10两种格式的HDR显示
系统；色域自动转换技术；傲视同行的低灰亮度校正技术。
五、智能节能技术
整体一致性好
在差异，整屏色度亮度一致性差
整屏颜色一致性
led封装工艺流程图
led封装工艺流程图LED（Light Emitting Diode）是一种能够发光的二极管，它已经广泛应用于各个领域，包括照明、显示、通信等等。
而LED的封装工艺流程图则是指将LED芯片封装到LED灯珠中的一组工艺流程的图示。
下面是一个简单的LED封装工艺流程图。
第一步：原材料准备原材料主要包括LED芯片、LED封装材料（底壳、透镜等）、引线、涂料等。
第一步就是准备好这些原材料，确保质量可靠。
第二步：芯片分选LED芯片是LED灯珠的核心部件，不同颜色、不同亮度的LED芯片需要进行分选。
分选的目的是为了确保每颗LED芯片的光色、亮度一致性，以提高产品的质量。
第三步：LED芯片粘贴将经过分选的LED芯片粘贴在底壳上，粘贴的时候需要注意芯片的位置和方向，确保粘贴的质量。
第四步：焊接引线将引线焊接在LED芯片上，引线的材料可以是黄铜或铝线。
第五步：封胶为了保护LED芯片并提高灯珠的亮度和防护等级，需要在LED芯片和底壳之间加入适量的封胶。
常用的封胶材料有环氧树脂、硅胶等。
第六步：测试封装完成后，需要对LED灯珠进行测试，主要测试项目包括电流、电压、亮度等。
通过测试，可以确保产品的质量。
第七步：成品检验成品检验是对封装完成的LED灯珠进行全面的检查，包括外观、尺寸、亮度等。
只有经过合格的成品检验，才能进入下一步的包装和出厂。
第八步：包装和出厂合格的LED灯珠将进行包装，常见的包装方式有盒装、袋装等。
包装完成后，产品将进行出厂检验，确保产品的质量达到标准要求。
以上是一个简单的LED封装工艺流程图，每个步骤都非常重要，只有每个环节都严格按照标准进行操作，才能保证生产出高质量的LED灯珠。
同时，不同类型的LED灯珠在封装工艺上可能有所不同，但整体流程大致类似。
随着技术的进步，LED封装工艺也在不断改进和创新，以满足市场的需求。
LED封装介绍PPT课件
编带
*主要控制参数：包装的整齐性，准确性
更换载带
调机
NG
编带
QC
OK
编带
孔带余隙控制在0.15 mm～0.3mm 注意孔带变形/脚断/ 卡料/横料/侧料/背 朝天等不良
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包装
*外观主要控制参数：1.材料的各类外观不良
2.载带包装的整齐性，准确性
金线价格计算：上海黄金交易所黄金报价*百米系数+百米加工价格 例如：一百米0.8mil价格=296*0.801+10=247.096
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LED封装流程
支架
点固晶胶
固晶
焊线
点胶
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LED封装流程
第17页/共45页
TOP-封装流程
进料检验
固晶 焊线
扩晶
固晶
烘烤
电浆清洗
焊线
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TOP-SMD支架特性
➢ PPA的性能
PPA：改性聚对苯二酰对苯二胺（PPA）塑料的热变形温度高达300℃以上，连续使用温度可达170℃，能满所需的短 期和长期的热性能。它可在宽广的温度范围内和高湿度环境中保持其优越的机械性特性—强度、硬度。具有很好的 反光性，以及耐化学腐蚀等特性。
主要控制参数：支架损伤，毛边
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分光
标准件校正机台
调机
设BIN
QC
OK
分光
NG
*主要控制参数：光电参数是否符合规格
颜色、亮度一致性 电压：红黄光0.1V/档；蓝绿白光0.2V/档 波长：红光3nm/档；蓝绿光2.5nm/档；黄光 2nm/档 亮度：1.2倍率/档或1.1倍率/档
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《LED封装介绍》课件
LED封装面临的挑战
技术创新
LED封装技术需要不断进行创新，提高 光效、降低成本，以满足市场需求。
产能与供应链管理
随着市场的不断扩大，LED封装企业 需要加强产能和供应链管理，确保产
品的及时供应。
表面贴装LED封装技术是一种将LED直接粘贴在电路板上的封装形式，具有体积 小、易于自动化生产等特点。
详细描述
表面贴装LED封装技术采用小型化的封装体和引脚，可以直接将LED粘贴在PCB 板上，简化了组装过程。这种封装形式广泛应用于消费电子产品中，如手机、电 视等。
功率型LED封装技术
总结词
功率型LED封装技术是一种高功率、高可靠性的LED封装形式 ，具有较长的使用寿命和较好的散热性能。
LED封装发展趋势
高效能化 随着LED照明技术的不断进步， 高效能、高光效的LED封装产品 成为发展趋势，能够满足市场对 节能照明的需求。
环保化 随着环保意识的提高，无铅、无 汞等环保型LED封装产品成为发用领域的拓宽，LED封装 产品趋向于小型化和集成化，以 适应不同空间和设计要求。
详细描述
功率型LED封装技术采用较大的芯片和特殊的散热设计，能 够承受较高的工作温度和电流密度。这种封装形式广泛应用 于照明、汽车等领域，需要解决的关键问题是散热和可靠性 问题。
05
LED封装应用领域
显示屏
01
02
03
广告牌显示屏
利用LED封装技术制作的 大型广告牌，具有高亮度 、长寿命和低能耗的特点 。
和散热的作用。
环氧树脂的质量和配比对LED的 透光率、耐热性和寿命有很大影
电子封装技术第2章精选全文完整版
SIP
DIP
70年代是IC飞速发展的时期，一块硅片已可集成211～216个元器 件，成为大规模IC（LSI）。除此之外，集成的对象也发生了根本 的变化，集成电路可以是一个具有复杂功能的部件（如电子计算 器），也可以是一台电子整机（如单片电子计算机），同时芯片尺 寸也在增大。
80年代初期，电子封装技术向两个方面发展：
与PWB连接。
芯片的载体是硅片，芯片上集成晶体管等 多种元件。
将一个或多个芯片进行封装（包含 芯片焊区与封装引脚或基板焊区的 电路连通）。
板上芯片(直接芯片封装)，将裸芯片直接粘贴在 PWB上，键合之后胶封。
将通一过级各封级装封和装其他和元电器路件的组互装连到， 印才刷使电芯路片板和上各，印种刷元电器路件板实的现材 质应不有是的硅功片能，，而是并有保机证材工料作等的。 （的可一连靠级通性封）。装引脚与PCB建立电路
通常把零级和一级封装称为电子封装（技术），而把二级和三级 封装称为电子组装（技术）。
一级封装
二级封装
三级封装
零级封装
注：也可将芯片通过引线键合、TAB或倒装焊接的方式直接焊接在印 刷电路板（板卡）上，跳过了一级封装，直接进行二级封装。
In
Out
电子封装(包含零级和一级封装)
L/F 内引脚 (INNER LEAD)
LCCC 城堡式Au凹槽
PLCC 引脚弯到底部
QFP
超大规模集成电路（VLSI，216-221个元器件，上千个引脚数） 的出现，使得QFP封装无法满足要求，电子封装引脚由周边形发展 成为面阵型。传统的PGA封装可以满足低引脚数的LSI，而用PGA 封装VLSI时便有了体积大、工艺复杂、无法使用SMT表面封装等 缺点。因此，90年代初，开发出了集QFP和PGA优点的焊球阵列封 装（BGA）。
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采用蓝宝石衬底和碳化硅衬底的LED芯片 芯片 采用蓝宝石衬底和碳化硅衬底的
2012-4-27
济南大学理学院
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第2章 LED的封装原物料 章 的封装原物料
三、碳化硅衬底 碳化硅衬底（ 公司专门采用SiC材料作为衬底）的 材料作为衬底） 碳化硅衬底（CREE公司专门采用 公司专门采用 材料作为衬底 LED芯片，电极是 型电极，电流是纵向流动的。采用这种衬 芯片， 型电极， 芯片 电极是L型电极 电流是纵向流动的。 底制作的器件的导电和导热性能都非常好， 底制作的器件的导电和导热性能都非常好，有利于做成面积 较大的大功率器件。 较大的大功率器件。 优 点 缺 点 碳化硅制造成本较高，实现其商业化还需要降低相应的成本。 碳化硅制造成本较高，实现其商业化还需要降低相应的成本。 碳化硅的导热系数为490W/m·K，要比蓝宝石衬底高出10倍 ，要比蓝宝石衬底高出 倍 碳化硅的导热系数为 以上。 以上。
2012-4-27
济南大学理学院
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第2章 LED的封装原物料 章 的封装原物料
M N H L I H L F E D C K B A J G G
双电极芯片结构示意图
C D E F G n型接触 发光层 p型接触 透明导电层 p极金属层 J K L M N 芯片尺寸（宽） 芯片高度 电极厚度 p极电极直径 n极电极直径
§2.1 LED芯片结构 芯片结构
LED芯片是半导体发光器件 芯片是半导体发光器件LED的核心部件，它主要由 的核心部件， 芯片是半导体发光器件 的核心部件 砷(AS)、铝(AL)、镓(Ga)、铟(IN)、磷(P)、氮(N)、锶(Ｓi)这 、 、 、 、 、 、 Ｓ 这 几种元素中的若干种组成。 几种元素中的若干种组成。
第2章 LED的封装原物料 章 的封装原物料
苏永道 教授
济南大学 理学院
2012-4-27
济南大学理学院
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第2章 LED的封装原物料 章 的封装原物料
LED的封装工艺有其自己的特点。对LED封装前首先要做 的封装工艺有其自己的特点。 封装前首先要做 的封装工艺有 封装前 的是控制原物料。因为许多场合需要户外使用 环境条件往往 许多场合需要户外使用， 的是控制原物料。因为许多场合需要户外使用，环境条件往往 比较恶劣 不是长期在高温下工作就是长期在低温下工作， 恶劣， 比较恶劣，不是长期在高温下工作就是长期在低温下工作，而 且长期受雨水的腐蚀， 的信赖度不是很好， 且长期受雨水的腐蚀，如LED的信赖度不是很好，很容易出现 的信赖度不是很好 瞎点现象，所以注意对原物料品质的控制显得尤其重要 显得尤其重要。 瞎点现象，所以注意对原物料品质的控制显得尤其重要。
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第2章 LED的封装原物料 章 的封装原物料
1.晶格失配和热应力失配， 1.晶格失配和热应力失配，会在外延层中产 晶格失配和热应力失配 生大量缺陷； 生大量缺陷； 蓝宝石衬底存在的问题： 蓝宝石衬底存在的问题： 2.蓝宝石是一种绝缘体， 2.蓝宝石是一种绝缘体，在上表面制作两个电 蓝宝石是一种绝缘体 造成了有效发光面积减少； 极，造成了有效发光面积减少； 3.增加了光刻、蚀刻工艺过程，制作成本高。 3.增加了光刻、蚀刻工艺过程，制作成本高。 增加了光刻
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济南大学理学院
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第2章 LED的封装原物料 章 的封装原物料
§2.1.3 LED晶粒种类简介 晶粒种类简介
晶粒种类 类别 颜色 红 高亮度红 橙 高亮度橙 黄 可见光 高亮度黄 黄绿 高亮度黄绿 绿 高亮度绿 高亮度蓝绿/绿 高亮度蓝 不可见光 红外线 555nm~560nm 490nm~540nm 455nm~485nm 850nm~940nm 569nm~575nm 585nm~600nm 605nm~622nm 波长 645nm~655nm 630nm~645nm 结构 AlGaAs/GaAs AlGaInP/GaAs GaAsP/GaP AlGaInP/GaAs GaAsP/GaP AlGaInP/GaAP AlGaInP/GaAs GaInN/Sapphire GaInN/Sapphire GaAs/GaAs AlGaAs/GaAs AlGaAs/AlGaAs
磊晶加热 主要目的由加热来打断磊晶时产生的Mg-H键结﹐ 使 键结﹐ 主要目的由加热来打断磊晶时产生的 键结 P-GaN活性化﹔ 实验证实在 活性化﹔ 活性化 实验证实在730℃氮气环境下加热 ℃ 氮气环境下加热20 分钟可有良好效果。 分钟可有良好效果。
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第2章 LED的封装原物料 章 的封装原物料
四元晶片(磷 ☆ 四元晶片 磷﹑铝﹑镓﹑铟)：SRF( 较亮红色 AlGalnP )、 ： 、 HRF(超亮红色 AlGalnP)、URF(最亮红色 AlGalnP 630nm)、 超亮红色 、 最亮红色 、 VY(较亮黄色 较亮黄色GaAsP/GaP 585nm)、HY(超亮黄色 AlGalnP 较亮黄色 、 超亮黄色 595nm)、UY(最亮黄色 AlGalnP 595nm)、UYS(最亮黄色 、 最亮黄色 、 最亮黄色 AlGalnP 587nm)、UE(最亮桔色 AlGalnP 620nm)、HE(超亮桔 、 最亮桔色 、 超亮桔 色 AlGalnP 620nm)、UG (最亮绿色 AIGalnP 574nm) LED等。 、 最亮绿色 等 发光二极管芯片制作方法和材料的磊晶种类： 制作方法和材料 ＆ 发光二极管芯片制作方法和材料的磊晶种类： 1.LPE： 液相磊晶法 GaP/GaP； ： ； 2.VPE： 气相磊晶法 GaAsP/GaAs； ： ； 3.MOVPE：有机金属气相磊晶法) AlGaInP、GaN； ：有机金属气相磊晶法 、 ；
2012-4-27
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第2章 LED的封装原物料 章 的封装原物料
芯片按发光亮度分类可分为： ＆ 芯片按发光亮度分类可分为： 一般亮度： 红色 红色GAaAsP 655nm)、H ( 高红 高红GaP 697nm )、 ☆ 一般亮度：R(红色 、 、 G ( 绿色 绿色GaP 565nm )、Y ( 黄色 黄色GaAsP/GaP 585nm )、E(桔色 、 、 桔色 GaAsP/ GaP 635nm )等； 等 高亮度： 较亮绿色GaP 565nm )、VY(较亮黄色 GaAsP/ ☆ 高亮度：VG (较亮绿色 较亮绿色 、 较亮黄色 GaP 585nm )、SR( 较亮红色GaA/AS 660nm )； 、 较亮红色 ； 超高亮度： ﹑ ﹑ ﹑ ☆ 超高亮度：UG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE等。 ﹑ ﹑ 等 芯片按组成元素可分为： ＆ 芯片按组成元素可分为： 二元晶片(磷 ☆ 二元晶片 磷﹑镓)：H﹑G等； ： ﹑ 等 三元晶片(磷 较亮红色GaA/AS 660nm)、 HR ☆ 三元晶片 磷﹑镓 ﹑砷)：SR(较亮红色 ： 较亮红色 、 (超亮红色 超亮红色GaAlAs 660nm)、UR(最亮红色 最亮红色GaAlAs 660nm)等； 超亮红色 、 最亮红色 等
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第2章 LED的封装原物料 章 的封装原物料
三种衬底材料的性能比较 衬底材料 蓝宝石(Al 蓝宝石 2O3) 硅(Si) 碳化硅(SiC) 碳化硅 导热系数 (W/m·K) 46 150 490 膨胀系 数 (×10-6) × 1.9 5~20 -1.4 稳定性 一般 良 良 导热 性 差 好 好 成本 中 低 高 抗静电 能力 一般 好 好
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第2章 LED的封装原物料 章 的封装原物料
4.SH：单异型结构 GaAlAs/GaAs； ： ； 5.DH：双异型结构 GaAlAs/GaAs； ： ； 6.DDH：双异型结构 GaAlAs/GaAlAs。 ： 。 不同LED芯片，其结构大同小异，有外延用的芯片基板( 蓝 芯片，其结构大同小异，有外延用的芯片基板 不同 芯片 宝石基板、碳化硅基板等) 宝石基板、碳化硅基板等 和掺杂的外延半导体材料及透明金属 电极等构成。 电极等构成。
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第2章 LED的封装原物料 章 的封装原物料
§2.1.2 LED双电极芯片 双电极芯片
M N H L I H L F E D C K B A J G G
双电极芯片结构示意图
双电极芯片结构代码含义 代码 A B 说明 蓝宝石基板 低温缓冲层 代码 H I 说明 n极金属层 芯片尺寸（长）
除了以上三种常用的衬底材料之外，还有 除了以上三种常用的衬底材料之外，还有GaAS、AlN、ZnO 、 、 等材料也可作为衬底，通常根据设计的需要选择使用。 等材料也可作为衬底，通常根据设计的需要选择使用。
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第2章 LED的封装原物料 章 的封装原物料
§2.1.5 LED芯片的制作流程 芯片的制作流程
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第2章 LED的封装原物料 章 的封装原物料
二、硅衬底 硅是热的良导体，所以器件的导热性能可以明显改善， 硅是热的良导体，所以器件的导热性能可以明显改善，从 而延长了器件的寿命。 而延长了器件的寿命。 硅衬底芯片电极采用两种接触方式: 硅衬底芯片电极采用两种接触方式 接 触 垂 直 接 触 接 触 水 平 接 触 L V
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§2.1.1 LED单电极芯片 单电极芯片
G
I
A C D
G
A B
H E F
J
图2.1 单电极芯片结构示意图
单电极芯片结构代码含义 单电极芯片结构代码含义 代码 A B C D E 说明 p极金属层 发光区 p层 n层 n型结晶基板 代码 F G H I J 说明 n极金属层 芯片尺寸（长×宽） 芯片高度 电极厚度 电极直径