(完整版)常用半导体器件选择复习题
第4章常用半导体器件-选择复习题
1．半导体的特性不包括。
A. 遗传性
B.光敏性
C.掺杂性
D. 热敏性
2．半导体中少数载流子在内电场作用下有规则的运动称为。
A.漂移运动
B. 扩散运动
C.有序运动
D.同步运动
3．N型半导体中的多数载流子是。
A.自由电子
B.电子
C.空穴
D.光子
4．P型半导体中的多数载流子是。
A.空穴
B.电子
C. 自由电子
D.光子
5．本征半导体中掺微量三价元素后成为半导体。
A.P型
B.N型
C.复合型
D.导电型
6．本征半导体中掺微量五价元素后成为半导体。
A. N型
B. P型
C.复合型
D.导电型
7．在PN结中由于浓度的差异，空穴和电子都要从浓度高的地方向浓度低的地方运动，这就是。
A.扩散运动
B.漂移运动
C.有序运动
D.同步运动
8．将一个PN结两端各加一条引线，再封装起来，就成为一只。
A.二极管
B. 三极管
C.电子管
D.晶闸管
9．当外电场与内电场方向相同时，阻挡层，电子不容易通过。
A.变厚
B.变薄
C. 消失
D.变为导流层
10．当外电场与内电场方向相反时，阻挡层，电子容易通过。
A.变薄
B. 变厚
C. 消失
D.变为导流层
11．PN结的基本特性是。
A.单向导电性
B. 半导性
C.电流放大性
D.绝缘性
12．晶体三极管内部结构可以分为三个区，以下那个区不属于三极管的结构。
A.截止区
B. 发射区
C.基区
D.集电区
13．稳压二极管一般要串进行工作，以限制过大的电流。
A 电阻 B电容 C电感 D电源
14．下图电路中，设硅二极管管的正向压降为0V，则Y= 。
A．0V B．3V C．10V D．1.5V
15．下图电路中，设硅二极管管的正向压降为0V，则Y= 。
A．0V B．3V C．10V D．1.5V
16．下图电路中，设硅二极管管的正向压降为0V，则Y= 。
A． 3V B．0 V C．10V D．1.5V
17．下图电路中，设硅二极管管的正向压降为0V，则Y= 。
A．0V B．3V C．10V D．1.5V
18．下图电路中，设硅二极管管的正向压降为0V，则Y= 。
A． 3V B．0V C．10V D．1.5V
19．下图电路中，设硅二极管管的正向压降为0V，则Y= 。
A．3 V B． 0V C．10V D．1.5V
20．三极管各极对公共端电位如图所示，则处于放大状态的硅三极管是 C 。
21．在单管固定偏置共射极放大电路中，若测得三极管的静态管压降U CE近似等于电源电压U CC，I C 近似等于零时，则该管的工作状态为。
A. 截止
B. 饱和
C.放大
D.不能确定
22．在单管固定偏置共射极放大电路中，若测得三极管的静态管压降U CE近似等于0，I C近似等于U CC/R C，则该管的工作状态为。
A.饱和
B.截止
C.放大
D.不能确定
23．在如图所示的稳压电路中，稳压管D1与D2相同，其稳压值U Z=5.3V、正向压降0.7V，输出电压U0为。
A. 6V
B. 4.6V
C. 5.3V
D. 1.4V
24．在如图所示的稳压电路中，稳压管D1与D2相同，其稳压值U Z=5.3V、正向压降0.7V，输出电压U0为。
A. 10.6V
B. 1.4V
C. 5.3V
D. 0V
25．在如图所示的稳压电路中，稳压管D1与D2相同，其稳压值U Z=5.3V、正向压降0.7V，输出电压U0为。
A. 1.4V
B. 4.6V
C. 5.3V
D. 6V
26．在如图所示的稳压电路中，稳压管D1与D2相同，其稳压值U Z=5.3V、正向压降0.7V，输出电压U0为。
A. 0.7V
B. 4.6V
C. 1.4V
D. 6V
27．在如图所示的稳压电路中，稳压管D1与D2相同，其稳压值U Z=5.3V、正向压降0.7V，输出电压U0为。
A. 5.3V
B. 4.6V
C. 1.4 V
D. 6V
28．二极管的用途不包括。
A. 放大
B.钳位
C.保护
D.整流
29．工作在放大状态的NPN三极管，其发射结电压U BE和集电结电压U BC应为。
A. U BE>0，U BC<0
B. U BE>0，U BC>0
C. U BE<0，U BC<0
D. U BE<0，U BC>0
30．在如图所示的二极管电路中，二极管Ｄ1导通；Ｄ2截止。
设二极管正向压降为0V，则ＵAB为_______V。
Ａ. ０Ｂ.12 Ｃ. 15 D.27
31．晶体三极管工作在截止区的特点是_______。
Ａ.发射结和集电结均反偏Ｂ. 发射结和集电结均正偏
Ｃ.集电结正偏,发射结反偏Ｄ.集电结反偏,发射结正偏
32．晶体三极管工作在饱和区的特点是_______。
Ａ.发射结和集电结均正偏Ｂ.发射结和集电结均反偏
Ｃ.集电结正偏,发射结反偏Ｄ.集电结反偏,发射结正偏
33．晶体三极管工作在放大区的特点是_______。
Ａ.集电结反偏,发射结正偏Ｂ.发射结和集电结均反偏
Ｃ.集电结正偏,发射结反偏Ｄ.发射结和集电结均正偏34．适宜在低频电路工作的二极管是________。
Ａ. 面接触二极管Ｂ. 点接触二极管Ｃ.随便哪种均可35．适合在高频电路工作的二极管是________。
Ａ.点触型二极管Ｂ.面触型二极管Ｃ.随便哪种均可
36．稳压管的正常工作区域就是它的反向击穿区，在这个区域里电流幅度变化很大，而电压变化
______。
Ａ.很小Ｂ.很大Ｃ.不会变Ｄ.不定37．某放大器中晶体三极管三个极的电位分别是：2V，1.8V，9V。
则可以判断此三极管为 ________。
Ａ..锗NPN管Ｂ锗PNP管Ｃ.硅PNP管Ｄ.硅NPN管38．某放大器中晶体三极管三个极的电位分别是：2V，1.3V，5V。
则可以判断此三极管为：______。
Ａ. 硅NPN管Ｂ.锗NPN管Ｃ.硅PNP管Ｄ. 锗PNP管39．某放大器中晶体三极管三个极的电位分别是：-2V，-1.8V，-5V。
则可以判断此三极管为：______。
Ａ.锗PNP管Ｂ.锗NPN管Ｃ.硅PNP管Ｄ.硅NPN管40．某放大器中晶体三极管三个极的电位分别是：-2V，-1.3V，-5V。
则可以判断此三极管为：______。
Ａ.硅PNP管Ｂ.锗NPN管Ｃ. 锗PNP管Ｄ.硅NPN管
41．适宜在低频工作的二极管是________。
A.面接触二极管
B.点接触二极管
C.随便哪种均可
42．适合在高频工作的二极管是________。
A.点触型二极管
B.面触型二极管
C.随便哪种均可
43．在图示电路中，U Z1=2V，U Z2=5V，正向导通时U D＝0.7V，其输出电压为________V。
A. 7
B. 2.7
C. 5.7
D. 3.7
44．在图示电路中，U Z1=2V，U Z2=5V，正向导通时U D＝0.7V，其输出电压为________V。
A. 5.7
B. 7
C. 2.7
D. 3.7
45．在图示电路中，U Z1=2V，U Z2=5V，正向导通时U D＝0.7V，其输出电压为________V。
A. 2.7
B. 7
C. 5.7
D. 3.7
46．稳压管的正常工作区域就是它的反向击穿区，在这个区域里电流幅度变化很大，而电压变化______。
A.很小
B. 很大
C.不会变
D.不定
47．电路如图所示，二极管正向导通时U D＝0.7V，输出的电压应为：________V。
A.0.7
B. 4.7
C. 3.3
D. 12
48．图示电路中，稳压管的稳压值为U Z1=2V，U Z2=5V，稳压管正向导通时U D＝0.7V，则输出电压U0为________。
A. 2
B. 7
C. 5
D. 0.7
49．图示电路中，稳压管的稳压值为U Z1=2V，U Z2=5V，稳压管正向导通时U D＝0.7V，则输出电压U0为________。
A. 0.7
B. 7
C. 5
D. 2
50．图示电路中，稳压管的稳压值为U Z1=2V，U Z2=5V，稳压管正向导通时U D＝0.7V，则输出电压U0为________。
A. 0.7
B. 7
C. 5
D. 2
51．图示电路中，稳压管的稳压值为U Z1=2V，U Z2=5V，稳压管正向导通时U D＝0.7V，则输出电压U0为________。
A. 1.4
B.2.7
C. 5.7
D. 7。
半导体器件物理复习题完整版
一． 平衡半导体： 1. 平衡半导体的特征（或称谓平衡半导体的定义）所谓平衡半导体或处于热平衡状态的半导体，是指无外界（如电压、电场、磁场或温度梯度等）作用影响的半导体。
在这种情况下，材料的所有特性均与时间和温度无关。
2. 本征半导体：本征半导体是不含杂质和无晶格缺陷的纯净半导体。
3. 杂质补偿半导体：半导体中同一区域既含受主杂质又含施主杂质的半导体。
4. 简并半导体：对N 型掺杂的半导体而言，电子浓度大于导带的有效状态密度，费米能级高于导带底（0F c E E ->）；对P 型掺杂的半导体而言，空穴浓度大于价带的有效状态密度。
费米能级低于价带顶（0Fv E E -<）。
5.有效状态密度：在导带能量范围（~cE ∞）内，对导带量子态密度函数()()342nc cmg E E E h π=-电子玻尔兹曼分布函数()exp F F E E f E kT -⎡⎤=-⎢⎥⎣⎦的乘积进行积分（即()*0342exp cn F c m E E n E E dEh kT π∞-⎡⎤=--⎢⎥⎣⎦⎰）得到的3*2222n c m kT N h π⎛⎫= ⎪⎝⎭称导带中电子的有效状态密度。
在价带能量范围（~vE -∞）内，对价带量子态密度函数()()3/2*342pv v mg E E Ehπ=-与空穴玻尔兹曼函数()exp FF E E f E kT -⎡⎤=-⎢⎥⎣⎦的乘积进行积分（即()3/2*0342exp vE pF v mE E p E E dEh kT π-⎡⎤=--⎢⎥⎣⎦⎰）得到的3*2222p v m kT N h π⎛⎫=⎪ ⎪⎝⎭称谓价带空穴的有效状态密度。
6.以导带底能量c E 为参考，导带中的平衡电子浓度：0exp cF c E E n N kT -⎡⎤=-⎢⎥⎣⎦其含义是：导带中的平衡电子浓度等于导带中的有效状态密度乘以能量为导带低能量时的玻尔兹曼分布函数。
7.以价带顶能量v E 为参考，价带中的平衡空穴浓度：0exp Fv v E E p N kT -⎡⎤=-⎢⎥⎣⎦其含义是：价带中的平衡空穴浓度等于价带中的有效状态密度乘以能量为价带顶能量时的玻尔兹曼分布函数。
【VIP专享】1章 常用半导体器件复习题
自测题
一、判断下列说法是否正确，用 “√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为
半导体。（ ）
（ 4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（5）结型场效应管外加的栅 -源电压应使栅 -源间的耗尽层承受反向电压，
才能保证其 RGS 大的特点。（ ）
。
二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将
A. 变窄
（ 3）稳压管的稳压区是其工作在
A. 正向导通
B. 基本不变
B.反向截止
（ 4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为
A. 前者反偏、后者也反偏
B. 前者正偏、后者反偏
C. 前者正偏、后者也正偏
三、写出图 T1.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压 UD＝ 0.7V。
6.培养学生观察、思考、对比及分析综合的能力。过程与方法1.通过观察蚯蚓教的学实难验点，线培形养动观物察和能环力节和动实物验的能主力要；特2征.通。过教对学观方察法到与的教现学象手分段析观与察讨法论、，实对验线法形、动分物组和讨环论节法动教特学征准的备概多括媒，体继课续件培、养活分蚯析蚓、、归硬纳纸、板综、合平的面思玻维璃能、力镊。子情、感烧态杯度、价水值教观1和.通过学理解的蛔1虫.过观适1、察于程3观阅 六蛔寄.内列察读 、虫生出蚯材 让标容生3根常蚓料 学本教活.了 据见身： 生，师的2、解 问的体巩鸟 总看活形作 用蛔 题线的固类 结雌动态业 手虫 自形练与 本雄学、三： 摸对 学动状习人 节蛔生结4、、收 一人 后物和同类 课虫活构请一蚯集 摸体 回并颜步关 重的动、学、蚓鸟 蚯的 答归色学系 点形教生生让在类 蚓危 问纳。习从 并状学理列学平的害 题线蚯四线人 归、意特出四生面体以形蚓、形类 纳大图点常、五观玻存 表及动的鸟请动文 本小引以见引、察璃现 ，预物身类 3学物明 节有言及的、导巩蚯上状 是防的体之生和历 课什根蚯环怎学固蚓和， 干感主是所列环史 学么据蚓节二样生练引牛鸟 燥染要否以举节揭 到不上适动、区回习导皮类 还的特分分蚯动晓 的同节于物让分答。学纸减 是方征节布蚓物起 一，课穴并学蚯课生上少 湿法。?广的教， 些体所居归在生蚓前回运的 润；4泛益学鸟色生纳.靠物完的问答动原 的4蛔，处目类 习和活环.近在成前题蚯的因 ？了虫以。标就 生体的节身其实端并蚓快及 触解寄上知同 物表内特动体结验和总利的慢我 摸蚯生适识人 学有容点物前构并后结用生一国 蚯蚓在于与类 的什，的端中思端线问活样的 蚓人飞技有 基么引进主的的考?形题环吗十 体生行能着 本特出要几变以动，境？大 节活的1密 方征本“特节化下物.让并为珍 近习会形理切 法。课生征有以问的小学引什稀 腹性态解的 。2课物。什游题主.结生出么鸟 面和起结蛔关观题体么戏：要利明蚯？类 处适哪构虫系察：的特的特用确蚓等 ，于些特适。蛔章形殊形征板，这资 是穴疾点于可虫我态结式。书生种料 光居病是寄的们结构，五小物典， 滑生？重生鸟内学构，学、结的型以 还活5要生类部习与.其习巩鸟结的爱 是如原活生结了功颜消固类构线鸟 粗形何因的存构腔能色化练适特形护 糙态预之结的，肠相是系习于点动鸟 ？、防一构现你动适否统。飞都物为结蛔。和状认物应与的行是。主构虫课生却为和”其结的与题、病本理不蛔扁的他构特环以生？8特乐虫形观部特8征境小理三页点观的动位点梳相组等、这；，哪物教相，理适为方引些2鸟，育同师.知应单面导鸟掌类结了；？生识的位学你握日构解2互.。办特生认线益特了通动手征观识形减点它过，抄；察吗动少是们理生报5蛔？物，与的解.参一了虫它和有寄主蛔与份解结们环些生要虫其。蚯构都节已生特对中爱蚓。会动经活征人培鸟与飞物灭相。类养护人吗的绝适这造兴鸟类？主或应节成趣的为要濒的课情关什特临？就危感系么征灭来害教；？；绝学，育，习使。我比学们它生可们理以更解做高养些等成什的良么两好。类卫动生物习。惯根的据重学要生意回义答；的3.情通况过，了给解出蚯课蚓课与题人。类回的答关：系线，形进动行物生和命环科节学动价环值节观动的物教一育、。根教据学蛔重虫点病1.引蛔出虫蛔适虫于这寄种生典生型活的线结形构动和物生。理二特、点设；置2.问蚯题蚓让的学生生活思习考性预和习适。于穴居生活的形态、结构、生理等方面的特征；3.线形动物和环节动物的主要特征。
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半导体器件物理复习题一．平衡半导体：概念题：1. 平衡半导体的特征（或称谓平衡半导体的定义） 所谓平衡半导体或处于热平衡状态的半导体， 是指无外界 （如电压、电场、磁场或温度梯度等）作用影响的半导体。
在这种情况下，材料的所有特性均与时间和温度无关。
2. 本征半导体：本征半导体是不含杂质和无晶格缺陷的纯净半导体。
3. 受主（杂质）原子：形成 P 型半导体材料而掺入本征半导体中的杂质原子（一般为元素周期表中的Ⅲ族元素） 。
4. 施主（杂质）原子：形成 N 型半导体材料而掺入本征半导体中的杂质原子（一般为元素周期表中的Ⅴ族元素） 。
5. 杂质补偿半导体：半导体中同一区域既含受主杂质又含施主杂质的半导体。
6. 兼并半导体：对 N 型掺杂的半导体而言，电子浓度大于导带的有效状态密度，费米能级高于导带底 （ E FE c 0）；对 P 型掺杂的半导体而言，空穴浓度大于价带的有效状态密度。
费米能级低于价带顶（ E F E v 0 ）。
7.有效状态密度：4 2m n*3/2在导带能量范围（ E c ~）内，对导带量子态密度函数g c EEE c 与h 3电子玻尔兹曼分布函数f F EexpE EF 的乘积进行积分（即kT4 2m n*3/23nE E expE EF dE ）得到的 Nc 22m n * kT 2 称谓导带中h 3ckTh 2E c电子的有效状态密度。
4 2m *p 3/2在价带能量范围 （~E v ）内，对价带量子态密度函数 g v EE vE 与h 3空 穴 玻 尔 兹 曼 函 数 f F Eexp E F E 的乘积进行积分（即kTEv42m *p3/23E F E2 m * kT2p 0E v E expdE ）得到的 N v 2p称谓价带空h3kTh 2穴的有效状态密度。
8. 以导带底能量 E c 为参考，导带中的平衡电子浓度：E c E F其含义是：导带中的平衡电子浓度等于导带中的有效状态密度乘n 0 N c expkT以能量为导带低能量时的玻尔兹曼分布函数。
半导体器件习题及答案
半导体器件习题及答案(总14页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--1第1章 半导体器件一、是非题 (注:请在每小题后[ ]内用"√"表示对,用"×"表示错)1、P 型半导体可通过在本半导体中掺入五价磷元素而获得。
（ ）2、N 型半导体可以通过在本征半导体中掺入三价元素而得到。
（ ）3、在N 型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以发型为P 型半导体。
（ ）4、P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ ）5、N 型半导体的多数载流子是电子，所以它带负电。
（ ）6、半导体中的价电子易于脱离原子核的束缚而在晶格中运动。
（ ）7、半导体中的空穴的移动是借助于邻近价电子与空穴复合而移动的。
（ ）8、施主杂质成为离子后是正离子。
（ ）9、受主杂质成为离子后是负离子。
（ ）10、PN 结中的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。
（ ）11、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。
（ ）12、由于PN 结交界面两边存在电位差，所以，当把PN 结两端短路时就有电流流过。
（ ）13、PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）14、二极管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外，还可以描述二极管的反向击穿特性。
（ ）15、通常的BJT 管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。
（ ）16、有人测得某晶体管的U BE =，I B =20μA ，因此推算出r be =U BE /I B =20μA=35kΩ。
（ ）17、有人测得晶体管在U BE =，I B =5μA ，因此认为在此工作点上的r be 大约为26mV/I B =Ω。
（ ）18、有人测得当U BE =，I B =10μA 。
考虑到当U BE =0V 时I B =0因此推算得到0.6060()100BE be B U r k I ∆-===Ω∆-（ ）二、选择题(注:在每小题的备选答案中选择适合的答案编号填入该题空白处,多选或不选按选错论) . 1、在绝对零度（0K ）时，本征半导体中_________ 载流子。
半导体物理复习试题及答案复习资料
半导体物理复习试题及答案复习资料一、选择题1、下面关于晶体结构的描述，错误的是（）A 晶体具有周期性的原子排列B 晶体中原子的排列具有长程有序性C 非晶体的原子排列没有周期性D 所有晶体都是各向同性的答案：D解释：晶体具有各向异性，而非各向同性。
2、半导体中的施主杂质能级（）A 位于导带底附近B 位于价带顶附近C 位于禁带中央D 靠近价带顶答案：A解释：施主杂质能级靠近导带底，容易向导带提供电子。
3、本征半导体的载流子浓度随温度升高而（）A 不变B 减小C 增大D 先增大后减小答案：C解释：温度升高，本征激发增强，载流子浓度增大。
4、下面关于 PN 结的描述，正确的是（）A PN 结空间电荷区中的内建电场方向由 N 区指向 P 区B 正向偏置时，PN 结电流很大C 反向偏置时，PN 结电流很小且趋于饱和D 以上都对答案：D解释：PN 结空间电荷区中的内建电场方向由 N 区指向 P 区，正向偏置时多数载流子扩散电流大，反向偏置时少数载流子漂移电流小且趋于饱和。
5、金属和半导体接触时，如果形成阻挡层，那么半导体表面是（）A 积累层C 反型层D 以上都可能答案：B解释：形成阻挡层时，半导体表面通常是耗尽层。
二、填空题1、常见的半导体材料有_____、＿____和_____等。
答案：硅、锗、砷化镓2、半导体中的载流子包括_____和_____。
答案：电子、空穴3、施主杂质的电离能_____受主杂质的电离能。
（填“大于”或“小于”）答案：小于4、当半导体处于热平衡状态时，其费米能级_____。
（填“恒定不变”或“随温度变化”）答案：恒定不变5、异质结分为_____异质结和_____异质结。
答案：突变异质结、缓变异质结1、简述半导体中施主杂质和受主杂质的作用。
答：施主杂质在半导体中能够提供电子，使其成为主要的导电载流子，增加半导体的电导率。
受主杂质能够接受电子，产生空穴，使空穴成为主要的导电载流子，同样能提高半导体的电导率。
01常用半导体器件练习题
01常用半导体器件练习题第1章常用半导体器件一．选择题1、半导体导电的载流子是____C____，金属导电的载流子是_____A__。
A．电子B．空穴C．电子和空穴Ｄ．原子核2、在纯净半导体中掺入微量3价元素形成的是___A_____型半导体。
A.PB.NC.PND.电子导电3、纯净半导体中掺入微量5价元素形成的是____B____型半导体。
A.PB.NC.PND.空穴导电4、N型半导体多数载流子是B，少数载流子是A；P型半导体中多数载流子是A，少数载流子是BA．空穴B．电子Ｃ．原子核Ｄ．中子5、杂质半导体中多数载流子浓度取决于D，少数载流子浓度取于BA．反向电压的大小B．环境温度C．制作时间D．掺入杂质的浓度6、PN结正向导通时，需外加一定的电压U，此时，电压U的正端应接PN结的A，负端应接PN结BA．P区B．N区7、二极管的反向饱和电流主要与B有关。
(当温度一定时，少子浓度一定，反向电流几乎不随外加电压而变化，故称为反向饱和电流。
)A．反向电压的大小B．环境温度C．制作时间D．掺入杂质的浓度8、二极管的伏安特性曲线反映的是二极管A的关系曲线。
A．VD-IDB．VD-rDC．ID-rDD．f-ID9、用万用表测量二极管的极性，将红、黑表笔分别接二极管的两个电极，若测得的电阻很小（几千欧以下），则黑表笔所接电极为二极管的CA．正极B．负极C．无法确定10、下列器件中，B不属于特殊二极管。
A．稳压管B．整流管C．发光管D．光电管11、稳压二极管稳压，利用的是稳压二极管的CA．正向特性B．反向特性C．反向击穿特性12、稳压管的稳定电压VZ是指其DA．反向偏置电压B．正向导通电压C．死区电压D．反向击穿电压13、光电二极管有光线照射时，反向电阻A(反压下，光照产生光电流) A．减少B．增大C．基本不变D．无法确定14、三极管的主要特征是具有____C____作用。
A．电压放大B．单向导电C．电流放大D．电流与电压放大15、三极管处于放大状态时____A____。
(完整版)半导体器件物理试题库.docx
西安邮电大学微电子学系商世广半导体器件试题库常用单位：在室温（ T = 300K ）时，硅本征载流子的浓度为n i = 1.510×10/cm3电荷的电量 q= 1.6 ×10-19Cn2/V sp2/V s μ=1350 cmμ=500 cmε0×10-12F/m=8.854一、半导体物理基础部分（一）名词解释题杂质补偿：半导体内同时含有施主杂质和受主杂质时，施主和受主在导电性能上有互相抵消的作用，通常称为杂质的补偿作用。
非平衡载流子：半导体处于非平衡态时，附加的产生率使载流子浓度超过热平衡载流子浓度，额外产生的这部分载流子就是非平衡载流子。
迁移率：载流子在单位外电场作用下运动能力的强弱标志，即单位电场下的漂移速度。
晶向：晶面：（二）填空题1．根据半导体材料内部原子排列的有序程度，可将固体材料分为、多晶和三种。
2．根据杂质原子在半导体晶格中所处位置，可分为杂质和杂质两种。
3．点缺陷主要分为、和反肖特基缺陷。
4．线缺陷，也称位错，包括、两种。
5．根据能带理论，当半导体获得电子时，能带向弯曲，获得空穴时，能带向弯曲。
6．能向半导体基体提供电子的杂质称为杂质；能向半导体基体提供空穴的杂质称为杂质。
7．对于 N 型半导体，根据导带低E C和 E F的相对位置，半导体可分为、弱简并和三种。
8．载流子产生定向运动形成电流的两大动力是、。
9．在 Si-SiO 2系统中，存在、固定电荷、和辐射电离缺陷 4 种基本形式的电荷或能态。
10．对于N 型半导体，当掺杂浓度提高时，费米能级分别向移动；对于P 型半导体，当温度升高时，费米能级向移动。
（三）简答题1．什么是有效质量，引入有效质量的意义何在？有效质量与惯性质量的区别是什么？2．说明元素半导体Si 、 Ge中主要掺杂杂质及其作用？3．说明费米分布函数和玻耳兹曼分布函数的实用范围？4．什么是杂质的补偿，补偿的意义是什么？（四）问答题1．说明为什么不同的半导体材料制成的半导体器件或集成电路其最高工作温度各不相同？要获得在较高温度下能够正常工作的半导体器件的主要途径是什么？（五）计算题1．金刚石结构晶胞的晶格常数为a，计算晶面（ 100）、（ 110）的面间距和原子面密度。
半导体试题及答案
半导体试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 半导体材料的导电性介于金属和绝缘体之间，这是因为：A. 半导体材料内部存在大量的自由电子B. 半导体材料内部存在大量的空穴C. 半导体材料的能带结构D. 半导体材料的晶格结构答案：C2. 下列哪种掺杂方式可以增加半导体的导电性？A. N型掺杂B. P型掺杂C. 同时进行N型和P型掺杂D. 不进行任何掺杂答案：A3. 半导体的PN结在正向偏置时，其导通的原因是：A. 电子从P区注入N区B. 空穴从N区注入P区C. 电子和空穴的复合D. 电子和空穴的注入答案：D4. 半导体器件中，晶体管的放大作用主要依赖于：A. 基极电流B. 发射极电流C. 集电极电流D. 所有电流的总和5. 下列哪种材料不适合作为半导体材料？A. 硅B. 锗C. 铜D. 砷化镓答案：C6. 半导体器件的最小特征尺寸缩小，可以带来以下哪些好处？A. 降低成本B. 提高速度C. 减少功耗D. 所有以上答案：D7. 在半导体工艺中，光刻技术主要用于：A. 制造晶体管B. 制造集成电路C. 制造绝缘体D. 制造导线答案：B8. 半导体的能带理论中，价带和导带之间的区域被称为：A. 能隙B. 能级C. 能带D. 能区答案：A9. 下列哪种半导体器件具有记忆功能？B. 晶体管C. 存储器D. 逻辑门答案：C10. 半导体器件的热稳定性主要取决于：A. 材料的热导率B. 器件的散热设计C. 器件的制造工艺D. 所有以上答案：D二、多项选择题（每题3分，共15分）1. 半导体材料的特性包括：A. 导电性B. 绝缘性C. 半导体性D. 磁性答案：AC2. 下列哪些因素会影响半导体器件的性能？A. 温度B. 湿度C. 光照D. 电压答案：ABC3. 半导体器件的类型包括：A. 二极管B. 晶体管C. 集成电路D. 电阻答案：ABC4. 下列哪些是半导体材料的掺杂元素？A. 硼B. 磷C. 铜D. 锗答案：AB5. 在半导体工艺中，下列哪些步骤是必要的？A. 清洗B. 氧化C. 蒸发D. 抛光答案：ABC三、填空题（每题2分，共20分）1. 半导体材料的导电性主要依赖于______。
半导体器件复习练习题（二极管、三极管、场效应管、差动放大电路、集成运放）
半导体器件复习练习题（二极管、三极管、场效应管、差动放大电路、集成运放）1-半导体器件复习练习题(二极管、三极管、场效应管、差动放大电路、集成运放)半导体基本知识和半导体器件（二极管、三极管、场效应管、集成运放）一、选择题：1、PN结外加正向电压时，其空间电荷区（）。
A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定2、PN结外反正向电压时，其空间电荷区（）。
A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定3、当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Is将增大，是因为此时PN结内部的（）A. 多数载流子浓度增大B. 少数载流子浓度增大C. 多数载流子浓度减小D. 少数载流子浓度减小4、PN结反向向偏置时，其内电场被（）。
A.削弱B.增强C.不变D.不确定5、在绝对零度（0K）和没有外界激发时，本征半导体中( )载流子。
A.有B.没有C.少数D.多数6、集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（）。
A．减小温漂 B. 增大放大倍数C. 提高输入电阻D. 减小输出电阻7、以下所列器件中，（）器件不是工作在反偏状态的。
A、光电二极管B、发光二极管C、变容二极管D、稳压管8、当晶体管工作在放大区时，（）。
A. 发射结和集电结均反偏B.发射结正偏，集电结反偏C. 发射结和集电结均正偏D.发射结反偏，集电结正偏9、稳压二极管稳压时，其工作在( )，A．正向导通区B．反向截止区C．反向击穿区 D.不确定10、抑制温漂（零漂）最常用的方法是采用（）电路。
A.差放B.正弦C.数字D.功率放大11、在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（）。
A．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管12、某场效应管的转移特性如右图所示，该管为（）。
A．P沟道增强型MOS管 B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管13A．输入电阻高 B.输出电阻低C.共模抑制比大D.电压放大倍数大14、如右图所示复合管，已知V1的?1 = 30，V2的?2 = 50，则复合后的?约为（）。