电子背散射衍射分析中的伪对称性误标及其克服

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背散射电子衍射分析

背散射电子衍射分析

14.6 背散射电子衍射分析Electron Back‐scatter diffraction(EBSD)历史回顾• 1928 –Kikuchi –最早报告了电子背散射衍射花样EBSDP• 1972 –Venables et. al. –在SEM中得到了EBSDP • 1982 –Dingley–计算机辅助指标化• 1991 –Wright et. al. –全自动EBSD系统• 1993 –Michael et. al. –相鉴定Phase ID• 2000s –TSL –化学辅助相鉴定Chemically assisted phase differentiation理论依据菊池花样形成几何学T’’TS=T’M对TEM而言:菊池线位置和分布根据方程可知,衍射面(迹线)与电子束之间的夹角φ决定了菊池线的位置。

(1)当φ=0时,菊池线对称分布在(000)的四周(如右图),且分别位于(000)到(hkl)或(‐h‐k‐l)斑点距离的1/2处。

两线之间的衬度均匀且其强度比两线外的大。

(2)当φ=θ时,B亮线通过(hkl)斑点,暗线通过(000)。

(2)当φ≠0且φ≠θB 时,菊池线对不对称地分别在(000)两侧或者出现在(000)同侧。

计算法绘制菊池花样单晶Si 实验法制作标准菊池图的方法:一般按单位极图三角形的范围单个摄取的。

Ag2Al、Ti HCP晶体c/a=1.588一、EBSD分析的理论依据及工作原理◆理论依据利用从样品表面反弹回来的Array高能电子衍射,得到一系列的菊池花样。

根据菊池花样的特点得出晶面间距d和晶面之间的夹角θ,从数据库中查出可能的晶体结构和晶胞参数。

再利用化学成分等信息采用排除法确定该晶粒的晶体结构。

并得出晶粒与膜面法向的取向关系。

◆工作原理◆EBSD的装置总结EBSD分析的理论依据:利用从样品表面反弹回来的高能电子衍射,得到一系列的菊池花样。

根据菊池花样的特点得出晶面间距d和晶面之间的夹角θ,从数据库中查出可能的晶体结构和晶胞参数。

电子背散射衍射技术及其应用

电子背散射衍射技术及其应用

电子背散射衍射技术及其应用张寿禄(太原钢铁集团有限公司钢铁研究所,山西太原030003)电子背散射衍射(electron backscattered diffraction,EBSD),是开始于20世纪90年代初的一项应用于扫描电子显微镜(SEM)的新技术。

此技术实现了在块状样品上观察显微组织形貌的同时进行晶体学数据的分析,改变了传统的显微组织和晶体学分析是两个分支的研究方法。

它大大地拓展了SE M的应用范围,目前已经变成了类似于X射线能谱仪(E DS)的SE M的一个标准附件。

1 EBSD的理论基础1 1 电子背散射衍射花样(EBSP)的形成电子背散射衍射花样(electron backscattered pattern),简称 EBSP 。

它实质上是菊池花样。

在SE M中,非弹性电子的弹性散射,形成菊池衍射圆锥。

对于典型的SE M工作条件(20kV),计算得布拉格衍射角 约为0 5 ,则衍射圆锥的顶角接近180 ,因此如果将荧光屏直接置于样品之前使其与衍射圆锥相截成一对平行线,即 菊池线 。

不同晶面的衍射菊池线组成EBSP,见图1。

1 2 试验条件图2是丹麦的HKL Technology APS公司EBSD 系统的基本构成。

除了扫描电子显微镜外,EBSD系统基本由CCD相机、图像处理系统和计算机系统组成。

目前,进行EB SP的采集需要将样品高角度倾斜(70 左右),以增强背散射信号,荧光屏与高灵敏的CCD相机相连,EB SP经放大处理后显示在计算机显示器上,然后经软件进行EB SP的菊池带识别和标定。

进行EBSD试验,要求SEM的电子束是稳定的,样品应不充电,表面无严重形变的晶体。

由于EBSD系统对SE M电子束和样品台的自动控制,实现了EBSP花样的自动采集和标定,使得在短时间内可以获得大量的晶体学信息。

1 3 EBSD的测量局限目前,EBSD的测量空间分辨率一般为0 5 m (W-SEM,20kV,Al)或0 1 m(FEG-SE M,20kV, Al),角分辨率为0 5 。

第十四章__电子背散射衍射分析技术

第十四章__电子背散射衍射分析技术

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•图14-17 EBSD探头在扫描电镜样品室中的位置
第十四章__电子背散射衍射分析技术
第四节 电子背散射衍射技术原理及花样标定
一、电子背散射衍射技术原理 电子束入射到晶体内,会发生非弹性散射而向各个方向
传播,散射强度随着散射角增大而减小,若散射强度用箭头 长度表示,强度分布呈现液滴状,如图14-18所示
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第十四章__电子背散射衍射分析技术
第一节 概 述
电子背散射衍射(EBSD)技术,开始于20世纪80年代,该技 术是基于扫描电子显微镜为基础的新技术
利用此技术可以观察到样品的显微组织结构, 同时获得晶 体学数据,并进行数据分析
这种技术兼备了 X 射线统计分析和透射电镜电子衍射微区 分析的特点, 是X射线衍射和电子衍射晶体结构和晶体取 向分析的补充
第二节 电子背散射衍射技术相关晶体学基础
四、晶体取向数字表示方法及换算 晶体取向亦可用某一晶面(hkl)的法线、 该晶面上相互垂
直的2个晶向[uvw]和[xyz]在样品坐标系中的取向表示。这3个 方向可构成一个标准正交矩阵,称为变化矩阵g1
(14-2)
矩阵式(14-2)中, [x y z]、[h k l]和[u v w]为各自方向上单位矢 量的指数,即归一化指数
第十四章__电子背散射 衍射分析技术
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2020/11/28
第十四章__电子背散射衍射分析技术
第十四章 电子背散射衍射分析技术
本章主要内容 第一节 概 述 第二节 电子背散射衍射技术相关晶体学基础 第三节 电子背散射衍射技术硬件系统 第四节 电子背散射衍射技术原理及花样标定 第五节 电子背散射衍射技术成像及分析 第六节 电子背散射衍射技术数据处理

19.1 EBSD(电子背散射衍射)介绍

19.1 EBSD(电子背散射衍射)介绍

电子背散射衍射(EBSD)
EBSD(电子背散射衍射)技术主要用于快速获取晶体材料的晶体学信息,可对材料进行织构和晶粒间取向差分析,晶粒尺寸及形状分布分析,晶界、亚晶及孪晶分析,应变和再结晶的分析,以及相鉴定和相含量计算等,解决材料在结晶、薄膜制备、半导体器件、形变、再结晶、相变、断裂、腐蚀等过程中的问题。

国家有色金属及电子材料分析测试中心,在JSM-7001F型场发射扫描电镜上配备了EDAX公司的EBSD装置,与安装在普通钨灯丝的EBSD装置相比,具有光源强,采集速度快,菊池线质量高等优点。

通过该公司最新的TSL OIM Data-Collection 5 软件,可对采集数据进行各种解析。

实验室对铝合金、镁合金、钛合金等材料有丰富的制样及EBSD数据分析经验。

国家有色金属及电子材料分析测试中心,是中国权威的第三方金属检测机构,实验室通过ISO 17025国家实验室认可(CNAS),中国计量认证(CMA),国际航空材料认证(NADCAP),为客户提供科学的产品检测、评价方案,满足进出口及工程检测等各种需求。

EBSD分析中伪对称性的影响及其克服

EBSD分析中伪对称性的影响及其克服

对 比图


的取 向差 分 布 中
峰 明显 下 降
进一步说明
卜 取 向关 系 主 要 是误 标 点 产 生 的
电子 背散射 衍 射技 术 及 应 用

结构 镁 合 金 中 的 误 标
取 向差 分布
取 向成 像 菊 池 带 衬度 图 布
图 是
,
出 现误 标 点 的 晶 粒 的取 向分 布
转轴 分
去除 误 标 点 的 取 像 成像 图 测 试结 果 举 例
电子 背散 射 衍 射 技术 及 应 用
但是
,

,
中样 品 一 般 是相对 水 平 面 倾转


大 多数 固定 在 护
,
如图
,
以便 获
取 足够 强 的衍射 信 号
那么
,

花 样标 定 比
的要麻烦 一 些
,
其 原 因 是 涉 及 了三 倾转
个 坐 标 系 间 的变 换


,
这 三 个 坐 标 系 分别 是
揭 示 误 标 的 产 生 一 般 规律
最 后 提 出 一 定 的 解 决办 法
实 验 结 果及 分 析

给 出 密 排 六方

结构 的 镁 合 金
的 取 向关 系

,
测 试 的 一 个例 子
黑 色 小块 为

取 向成 像 图
,

,
中晶
粒 内 部 红 色小 块 是
备 抛 光 过 程 中产 生 的细 小 孪 晶 性
,
选择 折 衷 设
有 时 需 要 考 虑 菊 池 带 的衍 射 强 度 区 别

电子背散射衍射技术

电子背散射衍射技术
College of MSE, CQU 2
材料现代分析方法
电子背散射衍射技术
3.1 电子背散射衍射(EBSD)技术简介
材料宏观织构的形成必然是由微区内取向变化决定和完成 的,只有了解和揭示微观织构的演变过程、特征及规律,才 能更好地认识宏观织构。 虽然有多种测定微观织构的技术,但只有电子背散射衍射 (Electron back-scatter diffraction,简称EBSD)技术最有生 命力。 在EBSD技术商业化之前,为弥补宏观织构缺少形貌信息, 形貌照片又缺少取向信息,形貌难以与宏观织构直接联系对 应的不足,一般是借助TEM下的单个取向分析来说明宏观织 构产生的原因。这种分析方法受制样麻烦和统计性不够的影 响。
Phase and orientation
Maximum cycle time currently 100 cycles/sec (sample/conditions dependent)
多点自动标定过程
College of MSE, CQU 26
材料现代分析方法
电子背散射衍射技术
College of MSE, CQU
EBSPs的产生条件
• 固体材料,且具有一定的微观 结构特征——晶体
– 电子束下无损坏变质 – 金属、矿物、陶瓷 – 导体、半导体、绝缘体
• 高灵敏度CCD相机 • 样MSE, CQU
样品
22
• 试样表面平整,无制样引入的 应变层 • 足够强度的束流——0.5-10nA
College of MSE, CQU
31
材料现代分析方法
电子背散射衍射技术
取向与织构分析
=5000 祄 ; B C +T C 111+T C 100+T C 110 ; S t ep=8 祄 ; G rd1890x882 i

电子背散射衍射(EBSD)简介-2007

电子背散射衍射(EBSD)简介-2007

内 容
1. 2. 3. 4. 5. 6. 7.
理论基础 仪器组成和测试流程 EBSD的主要功能简介 EBSD方法在地质学上的应用 EBSD与其它方法的比较 本实验室的前期工作 构造地质学应用EBSD的实例
一、理论基础
1. 电子背散射衍射花样(EBSP)
块状样品上产生的电子背散射衍射 花样( electron backscatter diffraction pattern,EBSP)与薄膜(thin foils)在 透射电镜( TEM )中形成的菊池衍射花 样(Kikuchi diffraction patterns)有很多 相似点,都是建立在高能电子束轰击样 品时产生的一系列复杂的反应基础上。
1. Fe-Ti氧化物的鉴定
上图:铁钛氧化物三角图解(Dunlop & Ozdemir, 1997) 左上:合成钛铁氧化物的SEM和EDX分析 左下:钛铁氧化物的EBSPs及其标定结果 From Franke C. et al., Geophys. J. Int. (2007) 170, 545–555

其它相关信息
样品变形程度 样品中的主要矿物组成及其颗粒度 测量矿物的电子探针数据及其分析结果 测量矿物的晶体对称性、空间群、晶胞参数(a, b, c & α, β, γ)和原子位置 (这些数据可以从矿物数据库中获取)
电子背散射衍射(EBSD)测试流程示意图
榴辉岩(MB98-08)EBSD面扫描的测量数据
From Massonne H.-J. & Neuser R. D., Mineralogical Magazine, 2005
显微构造定量研究(quantification of microstructures)

背散射电子衍射EBSD

背散射电子衍射EBSD
微观结构演化
EBSD技术还可以用于研究金属材料在加工、热处理和服役过程中的微观结构演化。通过EBSD技术,可以观察到 晶粒的形核、长大、粗化等现象,以及晶界的迁移、旋转和扭曲等行为,为金属材料的优化设计和性能提升提供 重要依据。
陶瓷材料的相变研究相变Fra bibliotek究EBSD技术也可以用于陶瓷材料的相变研究。通过EBSD技术,可以观察陶瓷材 料在加热或冷却过程中的相变行为,包括相的形核、长大和转变等现象。这些 信息对于陶瓷材料的制备工艺和性能优化具有重要意义。
EBSD技术通过收集和分析这些衍射花样,可以获得样品的晶体取向、晶界类型 和晶体结构等信息。
EBSD的应用领域
材料科学
EBSD技术在材料科学领域广泛应用于金属、陶瓷、 复合材料等材料的晶体结构和织构分析。
地质学
在地质学领域,EBSD技术用于研究岩石、矿石和 矿物的晶体结构和形成过程。
生物学
在生物学领域,EBSD技术用于研究生物组织的晶 体结构和功能。
、晶体结构、相组成等。
数据收集与处理
01
02
03
数据整理
将采集到的数据进行整理, 筛选出质量较高的衍射点 进行分析。
数据可视化
将数据以图像、图表等形 式进行可视化展示,以便 更好地理解和分析材料的 晶体结构。
结果分析
根据数据分析结果,对材 料的晶体结构、相组成、 织构等进行深入分析,并 得出相应的结论。
实现高通量表征
通过自动化和高通量的EBSD技术,可 以对大量材料样品进行快速、高效的 晶体结构表征,为材料基因组计划提 供强大的数据支持。
EBSD在新型材料研发中的应用
新型功能材料研究
EBSD技术可以用于研究新型功能材料 的晶体结构和相组成,有助于深入理 解材料的物理和化学性质,促进新型 功能材料的研发和应用。
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收稿日期:2007208223基金项目:国家自然科学基金(No .50571009)作者简介:孟利(1978-),男,博士研究生。

研究方向为镁合金热、温形变行为的E BS D 微织构。

E 2mail:li_meng@文章编号:1007-1482(2007)04-0282-04・论著・电子背散射衍射分析中的伪对称性误标及其克服孟 利, 杨 平, 李志超, 崔凤娥(北京科技大学材料科学与工程学院,北京100083)摘 要:本文基于在实验过程中遇到的误标数据,考察EBS D 测量过程中发生误标的原因。

涉及的材料包括密排六方结构(镁合金)、体心立方结构(电工钢)金属。

统计结果表明,密排六方结构中的误标点(块)主要以30°〈0001〉和30°〈11212〉的取向关系出现;体心立方结构中的误标点(块)多是30°〈111〉的取向关系,而且误标点具有重合位置点阵(CS L )关系。

误标具有明显的晶粒取向选择性。

最后提出一些的减少误标的办法。

关键词:电子背散射衍射(EBS D );伪对称性;误标;取向中图分类号:TG115123;O 722+7 文献标识码:AM is 2i n dex i n g of pseudosy mm etry i n EBS D ana lyses and its elim i n a ti onMENG L i, Y ANG Ping, L I Zhichao, CU I Fenge(Depart m ent ofMaterials,University of Science and Technol ogy Beijing,Beijing 100083,China )Abstract:The reas on of m is 2indexing during E BS D measure ment was exa m ined based on the m is 2indexing data encountered in the experi m ents .The materials involve HCP metal of magnesium all oys and BCC met 2al of electric steel .Statistical results reveal that orientati on relati onshi p s of 30°〈0001〉and 30°〈11212〉appears mostly in HCP magnesium all oys .O ther wise,30°〈111〉is the most relati onshi p in the BCC metal;further more the m is 2indexing s pots have CS L boundaries relative t o matrix .M is 2indexing exhibits obvi ously orientati on dependence .A t the end of this article,several means of reducti on m is 2indexing are menti oned .Key words:EBS D;p seudosy mmetry;m is 2indexing;orientati on引言E BS D 技术经过十多年年的发展,已经成为扫描电镜(SE M )或电子探针(EP M )上必要的装备。

利用E BS D 技术可以同时获取晶体材料亚微米水平的显微形貌信息,各个晶粒的取向以及晶粒间取向差,不同相的分布,晶(相)界的类型甚至位错密度的高低,等等[1-3]。

在SE M 中样品一般是相对水平面倾转65~70°(大多数固定在70°),以便获取足够强的衍射信号。

鉴于SE M 中菊池花样的产生及获取条件,在做花样识别及标定时会有以下误标的可能性:(1)由于SE M 中产生的花样没有TE M 中的清晰,高阶的花样分辨不清晰,不能探测到足够数量的菊池带,系统标定时出现“鬼”带(即由于Hough 变换有其不足之处,当菊池花样比较模糊或花样衬度不好时不能探测到足够多的菊池带,系统在自动标定时附加了不存在的或不真实的额外的菊池带);(2)一般商用的E BS D 系统可选择标定的菊池带有限(一般选用5~6条标定带,选用更多带将会牺牲测试时间);(3)采集花样的屏幕大小是固定的,屏幕外沿的花样信息容易遗失。

此外,还与材料晶体结构对称性有关,某些晶面或晶向产生的衍射花样很接近给标定带来困难;另外由于样品制备不精表面质量不好致使衍射花样质量弱,给标定带来困难。

本文结合作者实验过程中遇到的测试误标探讨误标产生的原因,揭示误标的产生一般规律,最后提出一定的解决办法。

2007年 第12卷 第4期孟 利等:电子背散射衍射分析中的伪对称性误标及其克服283 1 实验材料和方法实验材料为AZ31工业镁合金(密排六方结构)和普通电工钢(体心立方结构α2铁素体)。

镁合金样品使用AC 22电解液(丹麦STRUERS 公司生产的商用电解液)或硝酸:甲醇=1∶4(体积比)溶液电解抛光;电工钢使用5%(体积)高氯酸乙醇溶液电解抛光。

使用LE O 21450型扫描电镜上装配的丹麦HK L 公司的Channel 4处理系统做EBS D 测试分析。

图1 HCP 结构镁合金中的误标(a )取向成像菊池带衬度图;(b )出现误标点的晶粒的取向分布;(c )取向差分布;(d )转轴分布;(e )去除误标点的取像成像图;(f )去除误标点后的取向差分布2 实验结果及分析图1给出密排六方(HCP )结构的镁合金E BS D测试结果。

取向成像图(图1a )中晶粒内部红色小块是30°〈0001〉的取向关系,黑色小块为30°〈11212〉取向关系,类似于30°〈0001〉取向关系。

蓝色小方块的取向关系是~86°〈1120〉取向关系的孪晶,可以判断是样品制备抛光过程中产生的细小孪晶。

可见,并不是所有晶粒中出现误标块,说明出现误标有晶粒选择性。

[图1b 给出发生误标的晶粒取向,除了基面取向({0001}平行轧面)外还有其他取向。

]图1c 给出图1a 的取向差分布,在30°处有明显的峰。

图1d 给出25~30°取向差对应的转轴分布,可见转轴主要为〈0001〉,〈1120〉是孪晶的取向差转轴。

图1e,f 是经过E BS D 软件内置的功能去除误标点的取像成像图和对应的取向差分布,对比图1c,图1f 的取向差分布中30°峰明显下降,进一步说明30°〈0001〉取向关系主要是误标点产生的。

图2是BCC 结构的金属E BS D 测试结果。

图2a 菊池带衬度图的下半部分的晶粒中彩色细线包图2 BCC结构金属中的E BS D误标(a)菊池带衬度图;(b)取向差分布图;(c)误标点与其基体取向分布;(d)具有误标点的晶粒取向分布;(e)重合位置点阵(CS L)分布图围的小长条是误标产生的,可见产生误标也同样具有晶粒选择性。

图2c是晶粒与其内部的误标点取向,误标点的取向与其基体晶粒在{111}极图上共享一个111极点,而且共轴的111极点集中在RD一侧的T D沿线上,且为靠近极图中心最近的位置。

图2d是统计一批样品中的具有误标点晶粒的取向,结果显示误标出现具有明显的取向选择性,即晶粒取向集中在〈111〉//ND。

图2b的取向差分布图显示显著的30°取向差峰,它对应图2e是重合位置点阵(CS L)的取向关系,即30°〈111〉。

3 讨论311 密排六方(HCP)结构的误标分析一般HCP结构的晶体本身至少具有旋转对称性622,绕〈0001〉的6次轴为最高对称轴,{0001}面为其最密排面,是衍射最容易发生的晶面。

当〈0001〉方向为区轴(或晶带轴)出现在菊池花样中心附近时,就包含了从中心开始的3个{1010}和3个{1120}绕〈0002〉相间隔30°的六条对称菊池带(见图3),{1010}和{1120}的菊池带宽比值d1010/ d1120=1/3。

那么,如果在标定时只考虑这六条菊池带的角(或中心线)位置,就导致30°〈0001〉旋转的菊池花样难以分辨,有时会被判断成不同取向的点,30°〈0001〉误标点就从此而来。

312 体心立方(BCC)结构的误标分析图4为BCC结构的菊池花样示意图。

晶格在图4a,b中两个位置是绕[111]轴转动30°前后的菊2007年 第12卷 第4期孟 利等:电子背散射衍射分析中的伪对称性误标及其克服285图3 〈0001〉为区轴中心的菊池花样示意图(a )(0°,0°,0°); (b )(30°,0°,0°)图4 BCC 结构中的伪对称性示意图(a )(0°,5417°,45°); (b )(30°,5417°,45°)池花样,可见如果只考虑带中心线,则具有6次对称性,不能区分这两个取向,与立方体系3次对称性相悖。

对比图2的实验结果,可以说明误标点和基体的取向差共轴为什么集中在靠近{111}极图中心的位置。

不同于前面的HCP 结构中的小方块误标点,BCC 结构中大多是长条形的误标区域,原因是设置了较短的时间采集菊池花样,使得后面标定更多的继承前一点的结果,即一点误标后,后面标定同一菊池花样时,默认前一次标定的结果。

因前一次是误标的,所以误标取向被继承下来形成长条形误标块。

那么,由于这种误标继承的原因,形成的区域与基体取向具有很好的共格关系,很容易被软件判断成CS L 晶界。

图5为获得存在误标点晶粒的实时菊池花样,显然可见菊池花样具有与图4一致的伪对称性条件。

4 总结综合以上分析,在保证EBS D 系统已经经过良好校正和良好的样品表面质量,以及低倍测试时良好的动态聚焦的情况下,出现误标的原因可以来源于:(1)由于晶体的对称而衍射出相似的菊池花样;(2)没有捕获清晰的足够数量菊池花样;(3)测试时参数的选择合理与否。

具体来讲可通过下列方法减少伪对称性造成的误标:1)缩短E BS D 探头到样品的距离DD,这样可捕获更多的菊池带;2)增加标定需要的晶带数目,从而可用高指数面标定;3)用菊池带边线代替中心线标定,以减小取向数据的误差;4)标定模式选择,如HK L 系统的“O 2Lock ”标定模式,以更精准的标准标定花样;以上办法会牺牲一些测试时间,需要根据实验需要做对比实验,优化实验参数,选择折衷设置。

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