模拟电子技术学习笔记
模拟电子技术重点笔记
模拟电子技术重点笔记在大学的学习生涯中，模拟电子技术这门课可真是让我又爱又恨。
它就像一个神秘的魔法世界，充满了各种奇妙的电路和元件，等待着我去探索和征服。
记得刚开始接触这门课的时候，看着那一本厚厚的教材，我心里直犯嘀咕：“这都是啥呀？怎么这么复杂！”但是，随着课程的推进，我逐渐被它的魅力所吸引。
先来说说二极管吧。
这小家伙看起来简单，可实际应用中却有不少讲究。
在一个实验课上，我们要搭建一个简单的整流电路，用到了二极管。
我小心翼翼地把二极管插在电路板上，心里默默祈祷：“可千万别出错啊！”结果，通电之后，啥反应都没有。
我当时就懵了，这是咋回事呢？经过一番仔细检查，才发现原来是我把二极管的极性接反了。
哎呀，真是个低级错误！不过通过这次，我可是把二极管的极性记得牢牢的，再也不会出错啦。
三极管也是个让人头疼的主儿。
它的工作原理那叫一个复杂，什么共射、共集、共基放大电路，听得我晕头转向。
为了搞清楚这些，我可是花了不少功夫。
有一次，我为了研究一个三极管放大电路的参数，在实验室里泡了整整一个下午。
我拿着万用表，不停地测量各个节点的电压和电流，一边记录数据，一边计算。
那认真劲儿，就像是在破解一个重大的科学谜题。
最后，当我算出的结果和理论值相差无几的时候，心里那个美呀，别提多有成就感了！说到集成运算放大器，这可是模拟电子技术中的大明星。
在做一个加法器实验的时候，我按照电路图连接好了所有的元件，满心期待着能得到正确的结果。
可是，现实却给了我一个大大的“惊喜”，输出的电压完全不对！我开始逐一检查线路，每一根导线、每一个焊点都不放过。
最后发现，原来是有一个电阻的阻值选错了。
换了正确的电阻之后，加法器终于正常工作了。
那一刻，我真的体会到了“细节决定成败”这句话的真谛。
还有反馈电路，这也是个难点。
为了搞清楚正反馈和负反馈的区别，我反复看书、做习题，还找老师和同学讨论。
有一次，我和几个同学为了一道关于反馈电路的题目争论得面红耳赤，谁也说服不了谁。
模拟电子技术笔记
自强不息知行合一模拟电子技术笔记Part 1 绪论&常用半导体器件1. 绪论：讲解了主要介绍的内容。
1.1 电子元器件（包括二极管，三极管，集成电路）1.2 电子电路及其应用（放大，滤波，电源）1.3 参考书：《模拟电子技术》刘润华主编2. 常用半导体器件2.1 基本概念半导体的导电特性介于导体和绝缘体之间，如锗，硅，砷化镓等；完全纯净，结构完整的半导体晶体成为本征半导体，常温下其自由电子（即载流子，包括自由电子和空穴）很少，因此导电能力很弱；空穴的迁移是依靠吸引临近的电子来填补，从而实现空穴的移动的目的。
温度越高其载流子浓度越高，导电能力也就越强。
半导体材料的外部特性：受到外界的热和光作用时，导电能力有明显变化；在半导体中掺入某些杂质则会改变其导电能力（载流子浓度增加）。
当掺入的杂质使自由电子浓度大大增加的半导体称为N（negative）型半导体（掺入五价的磷）；自由电子（多子）的浓度远远大于空穴（少子）的浓度。
使空穴浓度增加的半导体成为P（positive）型半导体（掺入三价的硼）；空穴（多子）的浓度远远大于自由电子（少子）的浓度。
Part 22.2 PN结及其导电性P型半导体和N型半导体的交界面处由于空穴和电子的扩散运动会形成内电场（方向由N到P，会抑制扩散运动，加强漂移运动），该区域为空间电荷区。
单向导电性：PN结加上正向电压（正向偏置），P区加正电压，N区加负电压，会有正向电流流过；反向偏置正好相反，没有电流在PN结流过。
PN结的伏安特性：当PN结加正向电压时，有电流流过，PN结两端有电压，此时电压与电流的关系为指数关系；当PN结接反向电压时，当方向电压小于U BR(方向击穿电压)时反向电流很小，但是当大于U BR时，会出现击穿电流。
下图为PN结的伏安特性曲线图。
其电压与电流的关系满足下式：I=Is(e u/U T-1)=Is(e qu/kT-1)势垒电容C T是在PN结反向偏置时起作用；扩散电容C D则是在PN结正向偏置是起作用。
完整版)模拟电子技术基础-知识点总结
完整版)模拟电子技术基础-知识点总结共发射极、共基极、共集电极。
2.三极管的工作原理---基极输入信号控制发射结电流，从而控制集电极电流，实现信号放大。
3.三极管的放大倍数---共发射极放大倍数最大，共集电极放大倍数最小。
三.三极管的基本放大电路1.共发射极放大电路---具有电压放大和电流放大的作用。
2.共集电极放大电路---具有电压跟随和电流跟随的作用。
3.共基极放大电路---具有电压放大的作用，输入电阻较低。
4.三极管的偏置电路---通过对三极管的基极电压进行偏置，使其工作在放大区，保证放大电路的稳定性。
四.三极管的应用1.放大器---将弱信号放大为较强的信号。
2.开关---控制大电流的通断。
3.振荡器---产生高频信号。
4.稳压电源---利用三极管的负温度系数特性，实现稳定的输出电压。
模拟电子技术复资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体是介于导体和绝缘体之间的物质，如硅Si、锗Ge。
2.半导体具有光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体是纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.载流子是带有正、负电荷的可移动的空穴和电子，是半导体中的两种主要载流体。
5.杂质半导体是在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
根据掺杂元素的不同，可分为P型半导体和N型半导体。
6.杂质半导体的特性包括载流子的浓度、体电阻和转型等。
7.PN结是由P型半导体和N型半导体组成的结，具有单向导电性和接触电位差等特性。
8.PN结的伏安特性是指在不同电压下，PN结的电流和电压之间的关系。
二.半导体二极管半导体二极管是由PN结组成的单向导电器件。
1.半导体二极管具有单向导电性，即只有在正向电压作用下才能导通，反向电压下截止。
2.半导体二极管的伏安特性与PN结的伏安特性相似，具有正向导通压降和死区电压等特性。
3.分析半导体二极管的方法包括图解分析法和等效电路法等。
三.稳压二极管及其稳压电路稳压二极管是一种特殊的二极管，其正常工作状态是处于PN结的反向击穿区，具有稳压的作用。
模拟电子技术重点笔记
模拟电子技术重点笔记说到模拟电子技术，那可真是让我又爱又恨啊！回想起当初学习这门课的时候，真的是有一箩筐的事儿能跟大家唠唠。
记得刚开始接触模拟电子技术这门课，看着那一本本厚厚的教材，我心里直发怵。
特别是那些密密麻麻的电路图，各种晶体管、放大器、反馈电路啥的，简直就像一团乱麻，让我摸不着头脑。
但没办法，硬着头皮也得上啊！我清楚地记得有一次上课，老师在黑板上画了一个复杂的共射极放大电路。
那线条纵横交错，元件一个挨着一个，我眼睛都快看花了。
老师在讲台上讲得口沫横飞，我在下面听得云里雾里。
好不容易熬到下课，我赶紧抱着书去找老师请教。
老师倒是很耐心，拿着笔在我的书上又画又写，给我一点点解释。
可我当时那个脑子啊，就像被糨糊给糊住了，怎么都转不过弯来。
回到宿舍，我不甘心就这样被这个电路给打败，于是决定自己好好钻研一番。
我把台灯开到最亮，摊开书本，拿出纸笔，准备大干一场。
我先从最基本的元件开始，一点点分析它们的作用。
三极管，这个小小的东西，居然能有那么大的能耐，控制电流的放大和缩小，真是神奇。
我对照着书上的原理图，自己在纸上反复画了好几遍，试图理解每一个节点的电流和电压变化。
然后是偏置电路，为了让三极管能正常工作，这偏置电路可太重要了。
我一会儿算算电阻的值，一会儿又想想电容的作用，脑袋里就像有一群小蜜蜂在嗡嗡乱飞。
不知不觉，几个小时过去了，我面前的草稿纸已经堆了厚厚一沓，可我还是感觉没有完全搞明白。
这时候，宿舍的哥们儿回来了，看到我一脸苦大仇深的样子，就凑过来问我咋回事。
我把书往他面前一推，说：“这破电路，我弄了半天也没整明白。
”他看了看，笑着说：“别急别急，咱们一起研究研究。
”于是，我俩就开始了一场“电路攻坚战”。
我们从三极管的特性开始，一点点梳理，互相交流自己的理解。
有时候我觉得他说得不对，就争得面红耳赤；有时候他又被我的想法给逗乐了，说我钻了牛角尖。
就这样，在我俩的“争吵”和“合作”中，这个电路渐渐变得清晰起来。
模拟电子技术重点笔记
模拟电子技术重点笔记一、半导体基础知识在模拟电子技术中，首先要了解半导体的特性。
半导体材料，如硅和锗，其导电性介于导体和绝缘体之间。
半导体中的载流子有自由电子和空穴。
本征半导体，即纯净的半导体，在一定温度下，自由电子和空穴的浓度相等。
而杂质半导体，通过掺入不同杂质，可以形成 N 型半导体（多数载流子为电子）和 P 型半导体（多数载流子为空穴）。
PN 结是半导体器件的核心结构。
当 P 型半导体和 N 型半导体结合时，会形成空间电荷区，产生内建电场。
PN 结具有单向导电性，正向偏置时导通，反向偏置时截止。
二、二极管二极管是由一个 PN 结加上电极和封装构成的。
其伏安特性是非线性的，正向导通时，电压超过开启电压后，电流迅速增加；反向截止时，只有很小的反向饱和电流。
二极管的主要参数包括最大整流电流、最高反向工作电压等。
在实际电路中，二极管常用于整流、限幅、钳位等。
例如，在整流电路中，利用二极管的单向导电性，将交流电压转换为直流电压。
三、三极管三极管是一种具有放大作用的半导体器件，分为NPN 型和PNP 型。
三极管的三个电极分别是基极（b）、集电极（c）和发射极（e）。
要使三极管处于放大状态，需要满足发射结正偏，集电结反偏的条件。
三极管的特性曲线包括输入特性曲线和输出特性曲线。
输出特性曲线分为三个区域：截止区、放大区和饱和区。
在放大电路中，三极管通过对基极电流的控制来实现对集电极电流的放大。
四、基本放大电路基本放大电路有共射极放大电路、共集电极放大电路和共基极放大电路。
共射极放大电路的电压放大倍数较大，输入输出信号反相；共集电极放大电路的电压放大倍数接近 1，输入输出信号同相，具有电流放大和功率放大作用，常用于阻抗匹配；共基极放大电路的频率特性较好，适用于高频电路。
放大电路的性能指标包括放大倍数、输入电阻、输出电阻、通频带等。
为了改善放大电路的性能，常常引入负反馈。
负反馈可以提高放大电路的稳定性、减小非线性失真、扩展通频带等。
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模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模拟电子技术读书笔记
模拟电子技术读书笔记【篇一：模拟电子技术(读书笔记)】关于模拟电子技术的读书报告——模拟电子技术的发展与应用专业班级姓名完成时间摘要模拟电子技术作为电气工程及自动化专业的专业主干课程之一，经历了长足的发展，目前已经被广泛应用在我们的生活当中。
它是一门研究对仿真信号进行处理的模拟电路的学科。
模拟电子技术以半导体二极管、半导体三极管和场效应管为关键电子器件，包括功率放大电路、运算放大电路、反馈放大电路、信号运算与处理电路、信号产生电路、电源稳压电路等研究方向，不断的改革创新，并应用到生产生活当中，极大的推动了科技的进步。
本次读书报告，从模拟电子技术的基础说起，概述了模拟电子技术的发展过程以及目前较为常用的一些模拟电子器件，包括二极管、三极管以及集成运算放大电路及其应用状况。
关键词：模拟电子技术，二极管，三极管，功率放大电路，运算放大电路。
模拟电子技术作为电气工程专业的主干课程之一，在电气工程领域有着举足轻重的地位，其也随着科技的进步在不断的发展，并且已经渗透到几乎所有的电气领域和人们的生活当中。
利用这个暑假，我认真的阅读学习了基本关于模拟电子技术方面的书籍。
这基本书较为详细的介绍了模拟电子技术的基础知识和发展现状及应用。
在读这几本书的时候与之前学过的模拟电路结合起来，使得我对模拟电子技术这门课程有了更深层次的认识。
模拟电子技术基础大概被分为以下几个部分介绍，分别为：常用半导体器件、基本放大电路、多级放大电路、集成运算放大电路、放大电路的频率响应、放大电路中的反馈、信号的运算和处理、波形的发生和信号的转换、功率放大电路、直流电源。
通过这几部分详细的讲述了模拟电子技术的基础知识，对于电气专业的其他以模拟电路为基础的课程的学习也有很大的帮助。
模拟的电子技术的发展可大概分三个阶段：从1900年到1947年是电子管时代，从1947年开始晶体管时代，从1960年开始进入集成电路时代。
在进入集成电路时代以来，模拟电子器件的基本单元就是半导体器件，其是构成半导体器件的基本元件，他们所用的材料是经过特殊加工且性能可控的半导体材料。
模拟电子技术基础知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
*三种模型微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
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本证半导体：纯净晶体结构的导体。
常用的有硅和锗。
在外电场的作用下，自由电子定向移动形成电子电流；从而破坏晶格间原有的共价键，出现电子的空位，称为空穴。
空穴也进行位置的相对移动，形成空穴电流。
N型半导体：在本征半导体中加入+5价的元素，（磷，锑，砷）。
使导体内的每一个原子周围除形成共价键之外，有一个游离的电子，N型半导体的多数载流子电子，少数载流子空穴。
电子受力移动，留下施主杂质带正电（不参与导电）。
所以，杂质半导体，多数载流子主要取决于杂质的浓度。
少数载流子有共价键提供，其浓度取决于温度。
整个半导体内先电中性。
二极管的应用：限幅电路
门电路
三极管的结构及类型
无论是PNP 还是NPN 型的三极管，都包含三个区：发射区(c)、基区(b)和集电极区(e)。
集电结
发射结
正向
反向
正向 饱和状态 放大状态 反向
反向放大
截止状态
三极管的接法：
b
e
c
I B
E C
(a ) 共基极b e I B
I E
I C
(b ) 共发射极b e I B
I E I C
(c ) 共集电极
c
c I e =I c +I b (共基极电流放大系数α，共
发射极电流放大系数β)
1：发射结(c)重掺杂。
2：基区(e)很薄。
3：集电极面积大。
三极管的放大作用
1：当Uce不变时，输入回路中的电流Ib与电压Ube之间的关
系曲线称为输入特性
三极管的特性曲线：2：当Ib不变时，输出回路中的电流Ic与电压Uce之间的关系
曲线称为输出特性
直流分析：即静态分析，基极电流Ib、集电极电流Ic=βI b，Uce。
电容开路
(先画出直流通路) 电感短路
信号源短路
共设极的电路：
1、输入电压与输出电压反相。
2、顶部失真，输入回路就出现开始失真。
（饱和）Uce减小到极限
3、底部失真，输入端Ib没失真，在输出出现失真。
（截止）Uce增静态工作点不合适大到极限近似等于Vcc
不失真，整个周期，三极管处在放大区。