干膜的技术性能要求
2008-9-23作者：来源:：
干膜光致抗蚀剂的技术条件
印制电路制造者都希望选用性能良好的干膜，以保证印制板质量，稳定生产，提高效益。生产干膜的厂家也需要有一个标准来衡量产品质量。为此在电子部、化工部的支持下，1983年在大连召开了光致抗蚀干膜技术协调会议，制定了国产水溶性光致抗蚀干膜的总技术要求。近年来随着电子工业的迅速发展，印制板的精度密度不断提高，为满足印制板生产的需要，不断推出新的干膜产品系列，性能和质量有了很大的改进和提高，但至今国产干膜的技术要求还没有修订。现将83年制定的技术要求的主要内容介绍如下，虽具体数字指标已与现今干膜产品及应用工艺技术有差距，但作为评价干膜产品的技术内容仍有参考价值。
表7—1干膜外观的技术指标
指标名称指标
一级二级
透明度透明度良好，无浑浊。透明度良好，允许有不明显的浑浊。
色泽浅色，不允许有明显的色不均匀现象。浅色，允许有色不均匀现象，但不得相差悬殊。
气泡、针孔不允许有大于0.1mm的气泡及针孔不允许有大于0.2mm的气泡及针孔，0.1～0.2mm的气泡及针孔允许＜20个平方米。
◎耐蚀刻性和耐电镀性
技术要求规定，光聚合后的干膜抗蚀层，应能耐三氯化铁蚀刻液、过硫酸铵蚀刻液、酸性氯化铜蚀刻液、硫酸——过氧化氢蚀刻液的蚀刻。在上述蚀刻液中，当温度为50一55℃时，干膜表面应无发毛、渗漏、起翘和脱落现象。
在酸性光亮镀铜、氟硼酸盐普通锡铅合金、氟硼酸盐光亮镀锡铅合金以及上述电镀的各种镀前处理溶液中，聚合后的于膜抗蚀层应无表面发毛、渗镀、起翘和脱落现象。
◎去膜性能
曝光后的干膜，经蚀刻和电镀之后，可以在强碱溶液中去除，一般采用3—5％的氢氧化钠溶液，加温至60℃左右，以机械喷淋或浸泡方式去除，去膜速度越快越有利于提高生产效率。去膜形式最好是呈片状剥离，剥离下来的碎片通过过滤网除去，这样既有利于去膜溶液的使用寿命，也可以减少对喷咀的堵塞。技术要求规定，在3—5％(重量比)的氢氧化钠溶液中，液温60土10℃，一级指标为去膜时间30—75秒，二级指标为去膜时间60一150秒，去膜后无残胶。
干膜的分辨率与抗蚀剂膜厚及聚酯薄膜厚度有关。抗蚀剂膜层越厚，分辨率越低。光线透过照相底版和聚酯薄膜对干膜曝光时，由于聚酯薄膜对光线的散射作用，使光线侧射，因而降低了干膜的分辨率，聚酯薄膜越厚，光线侧射越严重，分辨率越低。
技术要求规定，能分辨的最小平行线条宽度，一级指标＜0．1mm，二级指标≤0.15mm。
干膜曝光一段时间后，经显影，光致抗蚀层已全部或大部分聚合，一般来说所形成的图像可以使用，该时间称为最小曝光时间。将曝光时间继续加长，使光致抗蚀剂聚合得更彻底，且经显影后得到的图像尺寸仍与底版图像尺寸相符，该时间称为最大曝光时间。通常干膜的最佳曝光时间选择在最小曝光时间与最大曝光时间之间。最大曝光时间与最小曝光时间之比称为曝光时间宽容度。
干膜的深度曝光性很重要。曝光时，光能量因通过抗蚀层和散射效应而减少。若抗蚀层对光的透过率不好，在抗蚀层较厚时，如上层的曝光量合适，下层就可能不发生反应，显影后抗蚀层的边缘不整齐，将影响图像的精度和分辨率，严重时抗蚀层容易发生起翘和脱落现象。为使下层能聚合，必须加大曝光量，上层就可能曝光过度。因此深度曝光性的好坏是衡量干膜质量的一项重要指标。
◎其它性能
在生产操作过程中为避免漏曝光和重曝光，干膜在曝光前后颜色应有明显的变化，这就是干膜的变色性能。当使用于膜作为掩孔蚀刻时，要求干膜具有足够的柔韧性，以能够承受显影过程、蚀刻过程液体压力的冲击而不破裂，这就是干膜的掩蔽性能。
指标名称指标
一级二级
凝胶粒子不允许有大于0.1mm的凝胶粒子。不允许有大于0.2mm的凝胶粒子，0.1～0.2mm的凝胶粒子允许≤15个／平方米
机械杂质不允许有明显的机械杂质。允许有少量的机械杂质。
划伤不允许。允许有不明显的划伤。
流胶不允许。允许有不明显的流胶。
折痕不允许。允许有轻微折痕。
◎光致抗蚀层厚度
表7---3干膜的感光性
一级二级
最小曝光时间tmin(秒）抗蚀层厚度25μm ≤10≤20
抗蚀层厚度38μm ≤10≤20
抗蚀层厚度50μm ≤12≤24
曝光时间宽容度tmax/tmin≥2＞1.585
深度曝光性（秒）≤0.25tmin≤0.5tmin
◎显影性及耐显影性
干膜的显影性是指干膜按最佳工作状态贴膜、曝光及显影后所获得图像效果的好坏，即电路图像应是清晰的，未曝光部分应去除干净无残胶。曝光后留在板面上的抗蚀层应光滑，坚实。
第一次响应时的光密度和饱和光密度的比值称为深度曝光系数。此系数的测量方法是将干膜贴在透明的有机玻璃板上，采用透射密度计测量光密度，测试比较复杂，且干膜贴在有机玻璃板上与贴在覆铜箔板上的情况也有所不同。为简便测量及符合实际应用情况，以干膜的最小曝光时间为基准来衡量深度曝光性，其测量方法是将干膜贴在覆铜箔板上后，按最小曝光时间缩小一定倍数曝光并显影，再检查覆铜箔板表面上的干膜有无响应。在使用5Kw高压汞灯，灯距650mm，曝光表面温度25土5℃的条件下，干膜的感光性应符合如表7—3要求：
外观
使用干膜时，首先应进行外观检查。质量好的干膜必须无气泡、颗粒、杂质；抗蚀膜厚度均匀；颜色均匀一致；无胶层流动。如果干膜存在上述要求中的缺陷，就会增加图像转移后的修版量，严重者根本无法使用。膜卷必须卷绕紧密、整齐，层间对准误差应小于1mm，这是为了防止在贴膜时因卷绕误差而弄脏热压辊，也不会因卷绕不紧而出现连续贴膜的故障。聚酯薄膜应尽可能薄，聚酯膜太厚会造成曝光时光线严重散射，而使图像失真，降低干膜分辨率。聚酯薄膜必须透明度高，否则会增加曝光时间。聚乙烯保护膜厚度应均匀，如厚度不均匀将造成光致抗蚀层胶层流动，严重影响干膜的质量。干膜外观具体技术指标如表7—1所述:
干膜的耐显影性是指曝光的干膜耐过显影的程度，即显影时间可以超过的程度，耐显影性反映了显影工艺的宽容度。
干膜的显影性与耐显影性直接影响生产印制板的质量。显影不良的干膜会给蚀刻带来困难，在图形电镀工艺中，显影不良会产生镀不上或镀层结合力差等缺陷。干膜的耐显影性不良，在过度显影时，会产生干膜脱落和电镀渗镀等毛病。上述缺陷严重时会导致印制板报废。对干膜的显影性和耐显影性技术要求如表7—4。
表7—4干膜的显影性和耐显影性
溶液温度℃40±240±2
1％无水碳酸钠溶液显影时间(秒)抗蚀层厚度25μm ≤60≤90
抗蚀层厚度38μm ≤80≤100
抗蚀层厚度50μm ≤100≤120
1％无水碳酸钠溶液耐显影时间(分) ≥5≥3
◎分辨军
所谓分辨率是指在1mm的距离内，干膜抗蚀剂所能形成的线条(或间距)的条数，分辨率也可以用线条(或间距)绝对尺寸的大小来表示。
一级二级
厚度(um)聚酯片基光致抗蚀层聚乙烯保护膜总厚度25～30
25、38、50
25～30
75～110 ±3
±2．5
±5
±10．5 ±3
±30．5
±10
±16．5
宽度(mm) 485,300±
要求揭去聚乙烯保护膜时，保护膜不粘连抗蚀层。
◎贴膜性
当在加热加压条件下将干膜贴在覆铜箔板表面上时，贴膜机热压辊的温度105土10℃，传送速度0.9～1.8米／分，线压力0.54公斤/cm，干膜应能贴牢。
◎感光性
感光性包括感光速度、曝光时间宽容度和深度曝光性等。感光速度是指光致抗蚀剂在紫外光照射下，光聚合单体产生聚合反应形成具有一定抗蚀、能力的聚合物所需光能量的多少。在光源强度及灯距固定的情况下，感光速度表现为曝光时间的长短，曝光时间短即为感光速度快，从提高生产效率和保证印制板精度方面考虑，希望选用感光速度快的干膜。
◎储存期
干膜在储存过程中可能由于溶剂的挥发而变脆，也可能由于环境温度的影响而产生热聚·合，或因抗蚀剂产生局部流动而造成厚度不均匀(即所谓冷流)，这些都严重影响干膜的使用。因此在良好的环境里储存干膜是十分重要的。技术要求规定，干膜应储存在阴凉而洁净的室内，防止与化学药品和放射性物质一起存放。储存条件为：黄光区，温度低于27℃(5—21℃为最佳)，相对湿度50％左右。储存期从出厂之日算起不小于六个月，超过储存期按技术要求检验合格者仍可使用。在储存和运输过程中应避免受潮、受热、受机械损伤和受日光直接照射。
一般在产品包装单或产品说明书上都标出光致抗蚀层的厚度，可根据不同的用途选用不同厚度的干膜。如印制蚀刻工艺可选光致抗蚀层厚度为25μm的干膜，图形电镀工艺则需选光致抗蚀层厚度为38μm的干膜。如用于掩孔，光致抗蚀层厚度应达到50μm。干膜厚度及尺寸公差技术要求如表7—2。
表7—2干膜的厚度及尺寸公差
规格名称标称尺寸公差
◎光谱特性
在紫外——可见光自动记录分光光度计上制作光谱吸收曲线(揭去聚乙烯保护膜，以聚酯薄膜作参比，光谱波长为横坐标，吸收率即光密度D作纵坐标)，确定光谱吸收区域波长及安全光区域。技术要求规定，干膜光谱吸收区域波长为310～440毫微米(nm)，安全光区域波长为≥460毫微米(nm)。
高压汞灯及卤化物灯在近紫外区附近辐射强度较大，均可作为干膜曝光的光源。低压钠灯主要幅射能量在波长为589.0～589．6nm的范围，且单色性好，所发出的黄光对人眼睛较敏感、明亮，便于操作。故可选用低压钠灯作为干膜操作的安全光。
干膜光刻胶技术
干膜光刻胶技术一、介绍干膜光刻胶技术1.1 定义干膜光刻胶技术是一种常用于电子器件制造中的光刻工艺。
它是一种逐层涂覆光刻胶的过程，通过光刻胶的暴光和显影来实现对电路或器件的精确定义。
1.2 原理干膜光刻胶技术的基本原理是在待光刻的物体表面上涂覆一层光刻胶，并通过暴光和显影等步骤来实现对光刻胶的处理。
在光刻过程中，光刻胶会形成一个薄膜，保护待光刻物体的某些区域，其余区域则暴露出来以供后续处理。
二、干膜光刻胶的制备2.1 材料准备•光刻胶：选择适合的光刻胶，一般根据需要的分辨率和显影的要求来选择。
•基片：选择质量良好的基片材料。
2.2 胶液制备1.将光刻胶放入特定容器中。
2.按照比例向容器中加入相应的稀释剂。
3.严格按照工艺要求搅拌混合，直至光刻胶和稀释剂均匀混合。
2.3 胶液过滤1.准备一个过滤器。
2.将混合好的胶液通过过滤器，去除杂质和颗粒，以保证胶液的纯净度。
2.4 胶液涂覆1.准备好基片。
2.将过滤好的胶液均匀涂覆在基片表面。
3.使用旋涂机等设备，控制涂覆的厚度和均匀性。
三、干膜光刻胶的光刻步骤3.1 掩膜制备1.选择合适的掩膜材料。
2.利用曝光设备将掩膜图案转移到光刻胶上。
3.2 暴光1.使用光刻机将掩膜上的图案通过紫外线或激光照射到光刻胶上。
2.光刻胶中的光敏化剂会发生反应，产生化学变化。
3.3 烘烤1.将暴光过的光刻胶放入烘烤机中。
2.控制温度和时间，使光刻胶中的物质发生凝聚和固化的过程。
3.4 显影1.准备好显影液。
2.将烘烤后的光刻胶浸泡在显影液中，使显影液与未固化的光刻胶发生化学反应。
3.反应后，使用去离子水清洗光刻胶，去除显影液和剩余的光刻胶。
四、干膜光刻胶技术的应用领域4.1 电子器件制造干膜光刻胶技术广泛应用于电子器件制造过程中。
在集成电路制造中，通过干膜光刻胶技术可以实现对电路结构的精确定义，从而保证电路的正常工作。
4.2 晶体管制造在晶体管的制造过程中，干膜光刻胶技术可用于控制晶体管的栅极和源/漏极区域的尺寸和形状，从而影响晶体管的电性能。
干膜的技术性能要求
干膜的技术性能要2008-9-23作者来干膜光致抗蚀剂的技术条印制电路制造者都希望选用性能良好的干膜，以保证印制板质量，稳定生产，提高效益。
生产干膜的厂家也有一个标准来衡量产品质量。
为此在电子部、化工部的支持下198年在大连召开了光致抗蚀干膜技术协调会定了国产水溶性光致抗蚀干膜的总技术要求。
近年来随着电子工业的迅速发展，印制板的精度密度不断提高，为印制板生产的需要，不断推出新的干膜产品系列，性能和质量有了很大的改进和提高，但至今国产干膜的技术要有修订。
现8年制定的技术要求的主要内容介绍如下，虽具体数字指标已与现今干膜产品及应用工艺技术距，但作为评价干膜产品的技术内容仍有参考价值外使用干膜时，首先应进行外观检查。
质量好的干膜必须无气泡、颗粒、杂质；抗蚀膜厚度均匀；颜色均匀致；无胶层流动。
如果干膜存在上述要求中的缺陷，就会增加图像转移后的修版量，严重者根本无法使用。
膜卷必卷绕紧密、整齐，层间对准误差应小于1mm，这是为了防止在贴膜时因卷绕误差而弄脏热压辊，也不会因卷绕不而出现连续贴膜的故障。
聚酯薄膜应尽可能薄，聚酯膜太厚会造成曝光时光线严重散射，而使图像失真，降低干膜辨率。
聚酯薄膜必须透明度高，否则会增加曝光时间。
聚乙烯保护膜厚度应均匀，如厚度不均匀将造成光致抗蚀层层流动，严重影响干膜的质量。
干膜外观具体技术指标如表7—1所述:表7—1 干膜外观的技术指标指标名称指标一级二级透明度透明度良好，无浑浊。
透明度良好，允许有不明显的浑浊。
色泽浅色，不允许有明显的色不均匀现象。
浅色，允许有色不均匀现象，但不得相差悬殊。
气泡、针孔不允许有大于0.1mm的气泡及针孔不允许有大于0.2mm的气泡及针孔，0.1～0.2mm的气泡及针孔许＜20个平方M。
指标名称指标一级二级凝胶粒子不允许有大于0.1mm的凝胶粒子。
不允许有大于0.2mm的凝胶粒子，0.1～0.2mm的凝胶粒子允许≤个／平方M允许有少量的机械杂质。
机械杂质不允许有明显的机械杂质。
精选干膜技术资料
干膜光致抗蚀剂的结构、感光胶层的主要成分及作用
干膜光致抗蚀剂的结构、感光胶层的主要成分及作用
干膜光致抗蚀剂的结构
干膜光致抗蚀剂由聚酯薄膜，光致抗蚀剂膜及聚乙烯保护膜三部分组成。 聚酯薄膜是支撑感光胶层的载体，使之涂布成膜，厚度通常为25μm左右。聚酯薄膜在曝 光之后显影之前除去，防止曝光时氧气向抗蚀剂层扩散，破坏游离基，引起感光度下降。 聚乙烯膜是复盖在感光胶层上的保护膜，防止灰尘等污物粘污干膜，避免在卷膜时，每层 抗蚀剂膜之间相互粘连。聚乙烯膜一般厚度为25μm左右。 光致抗蚀剂膜为干膜的主体，多为负性感光材料，其厚度视其用途不同，有若干种规格，最薄的可以是十几个微米，最厚的可达100μm。
三、湿法贴膜技术：
从成本分析，采用干膜法进行图形转移，生产中采用此法时间最长，而采用湿法贴膜技术，是最近几年的事情。它是利用干膜水溶性特点，使膜面部分液体形式排挤基板表面留在缺陷处的气泡并能填满和粘着牢固，经湿影后确保细导线图形的完整性和一致性。其实质是排挤基板面上与干膜间残留的微气泡，以免造成精细导线产生质量缺陷（缺口、针孔、断线等）。其分辨率可达到0.08mm。但是这种工艺方法也不可能再继续提高其分辨率。
4)增塑剂
可增加干膜抗蚀剂的均匀性和柔韧性。三乙二醇双醋酸脂可作为增塑剂。 5)增粘剂
可增加干膜光致抗蚀剂与铜表面的化学结合力，防止因粘结不牢引起胶膜起翘、渗镀等弊 病。常用的增粘剂如苯并三氮唑。 6)热阻聚剂
在干膜的生产及应用过程中，很多步骤需要接受热能，为阻止热能对干膜的聚合作用加入 热阻聚剂。如甲氧基酚、对苯二酚等均可作为热阻聚剂。7)色料
1.有较高的分辨率，一般线宽可做到0．1mm；
2.干膜应用在图形电镀工艺中，电镀加厚在高而垂直的夹壁问进行，在镀层厚度小于 抗 蚀剂厚度时，可以防止产生镀层突延和防止去膜时抗蚀剂嵌入镀层下面，保证线条精度；
FPC曝光机设计技术手记(5) 感光干膜特性与影响
曝光菲林表面划痕影响的不良
分析： 这张照片存在轻微的菲林表面划痕不良，不良 原因是曝光菲林表面存在不良划痕，从而在曝 光时产生局部的轻微“过曝”，并由此在蚀刻 作业中形成相应的局部“过蚀”不良。其的主 要不良判断特征是： 1、不良全部是过蚀或严重时出现的断路不良； 2、不良点可形成不规则的连续曲线形状；
FPC 曝光机设计技术手记（5） ——感光干膜特性与影响
FPC曝光工艺覆感光干膜的前处理
纯水湿润
适用 特点
覆感光干膜的 前处理
酸微蚀刻
适用 特点
等离子处理
适用 特点
工艺简单，适用粗线路产品 成本低，效率高，线路粗 工艺复杂，使用低频细线路 覆膜效果好，适用线路较细 工艺较复杂，适用高频细线路 覆膜效果好，需要延时老化
曝光干膜覆膜附着力不良，蚀刻中干膜飘起
分析： 这类情况主要原因可能是干膜覆合时 压膜条件和覆膜后老化时间不足，造 成蚀刻过程中干膜局部与基材气隙剥 离，而没有干膜保护的部分在蚀刻作 业过程中造成过蚀短路。其主要的不 良判断特征是： 1、全部为断路不良； 2、断路不良部分为连续弧曲线形状。
曝光干膜覆合时干膜碎屑影响的不良
FPC 曝光工艺覆干膜后的静置老化要求
工艺位置
覆膜后，曝光前
覆干膜后的 静置老化工艺
曝光前老化 曝光后老化
工艺目的 常规数值范围
工艺位置 工艺目的 常规数值范围
完成干膜与基材的良好紧密结合， 防止曝光不良
从工艺质量与生产效率平衡考虑， 静置老化时间通常为0.5-3小时；
曝光后，显影前
完成干膜曝光光化学反应的充分稳定， 防止显影时出现干膜光化学不充分的气
日积月累，铁杵成针！
2020-12-02
外层干膜超粗化前处理线技术规范
技术规范:设备名称: 外层干膜超粗化前处理线规格型号: 无设备功能（模块）描述:1．磨板：去除板面氧化和手纹印等；2．超粗化：粗化表面，增大铜面微观粗糙度，提高界面结合力；3．盐酸洗：清除表面的化学残留物。
设备流程:→三级水洗（2）→盐酸洗→三级水洗（3）→烘干入板→磨板→三级水洗（1）→超粗化备注：1、虚线部分由方正提供：磨板段利用原PTH磨板机（位于下料间），超粗化缸利用内层清洗线除油缸，由宇宙公司负责改造。
2、其余部分由宇宙公司制造。
3、全线速度统一控制。
供应商确认：________________________ 相关部门经理确认：__朱兴华__________________MTBF = 400 hoursMTBF = Scheduled time – unscheduled downtimeNumber of failuresMTTR = 2 hoursMTTR = Unscheduled Downtime – Wait timeNumber of failuresMTBF 和 MTTR 计算依据如下:1.Scheduled Time –设备计划用于生产的时间22.0 hours/day ×7 days/week (360 days/years) =7920 hours/years.2.Failure –任何导致设备无法继续生产的原因，包括设备故障或潜在的超出设备工艺技术规范要求的品质隐患。
3.Down Time –由于上述原因导致的停机。
4.Wait Time - 设备在发生故障停机后，到我公司正式通知到供应商为止的时间。
正式通知包括但不局限于电话、传真、电子邮件等。
备件:供应商应该按照我公司的要求在设备到厂安装前提供设备安装用的材料、备件以及工具等。
在设备完成验收前提供以下要求的备件清单。
备件包括耗材、预防维护用备件、长效备件等。
备件清单应该包含以下内容：1.设备制造商的备件编号、描述以及功能2.备件制造商的编号3.备件在每台机的数量4.备件价格5.备件的损耗周期以及建议更换周期.6.备件供货周期7.界定备件的种类，如耗材、维护保养用备件、长效备件等。
干膜光刻胶技术
干膜光刻胶技术干膜光刻胶技术是一种高精度微细加工技术，适用于微电子、半导体、光电、 MEMS 等领域。
该技术利用光刻胶遮光和腐蚀等特性，在平板上制备各种微细图形和结构。
干膜光刻胶技术具有成本低、加工速度快、加工精度高等优点，因此在微电子工业中得到了广泛应用。
干膜光刻胶技术的原理是在硅片表面和光刻胶之间贴上一层薄膜，使光刻胶与硅片分离，然后通过光刻制程对胶膜进行加工。
光刻制程通常包括以下步骤：（1）洗净，将硅片表面脱脂、清洗干净。
（2）光刻胶涂覆，将光刻胶均匀地涂覆在硅片上，形成厚度为 2-4μm 的光刻胶膜。
其中，光刻胶的选择对加工精度、分辨率和加工速度等方面均有影响。
（3）加热，利用高温热板或热板和光刻炉对光刻胶进行加热，控制光刻胶的光安息点和曝光时的光子剂量。
（4）曝光，通过主曝光机或光掩膜对光刻胶进行暴露，形成所需的微细图形和结构。
（5）显影，利用显影液除去暴露于光下的光刻胶，使暴露的硅片区域裸露出来。
（6）腐蚀，通过湿法或干法腐蚀来加工出所需结构。
与传统湿法光刻相比，干膜光刻胶技术具有显著优点。
首先，干膜光刻胶不需要洗涤处理，不会对环境造成污染。
其次，干膜光刻胶技术可以减少加工时间和成本，并提高了加工效率。
此外，干膜光刻胶技术的加工精度和分辨率也得到了极大的提高。
干膜光刻胶技术近年来越来越受到研究人员和工业界的高度重视。
然而，干膜光刻胶技术也面临着一些挑战。
例如，制备高材料质量的干膜光刻胶仍然是一个难题。
此外，干膜光刻胶在加工过程中容易受到机械力和热膨胀等因素的影响，这也限制了其加工精度和分辨率。
综上所述，干膜光刻胶技术是一种高精度微细加工技术，具有成本低、加工速度快、加工精度高等优点。
该技术在微电子、半导体、光电、MEMS等领域得到了广泛应用。
虽然干膜光刻胶技术面临一些挑战，但相信在不久的将来，通过不断的研究和创新，干膜光刻胶技术将会带来更大的突破和进步。
干膜技术
2020/8/1
根据显影和去膜的方法可把干膜分为三种类型：
1.溶剂型干膜 使用有机溶剂作显影剂和去膜剂，例如用1．1．1三氯乙 烷显影，二氯甲烷去膜，这两种溶 剂遇火不燃烧。醋酸 丁酯等有机溶剂也可用作显影和去膜，但易燃烧，很不 安全。 溶剂型干膜是美国最早研制并投入大量生产的一 种干膜，我国早期也研制过。它的优点是 技术成熟，工 艺稳定，耐酸耐碱，应用范围广。但是，使用这种干膜 需要消耗大量的有机溶剂，需 要价格昂贵的显影和去膜 设备及辅助装置，生产成本高，溶剂有毒，污染环境， 所以日趋以水溶 性干膜所取代，仅在特殊要求时才使用。
7)色料 为使干膜呈现鲜艳的颜色，便于修版和检查而添加色料。如 加入孔雀石绿、苏丹三等色料 使干膜呈现鲜艳的绿色、兰色 等。
8)溶剂 为溶解上述各组份必须使用溶剂。通常采用丙酮、酒精作溶 剂。 此外有些种类的干膜还加入光致变色剂，使之在曝光后 增色或减色，以鉴别是否曝光，这 种干膜又叫变色于膜。
4)光致抗蚀剂的分类： 按用途分为耐蚀刻抗蚀剂和耐电镀抗蚀剂。 按显影类型分为全水溶性抗蚀剂、半水溶性抗蚀剂和溶剂 性抗蚀剂。
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2020/8/1
什么是图像转移
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2020/8/1
什么是图像转移
制造印制板过程中的一道工序就是将照相底版上 的电路图像转移到覆铜箔层压板上，形成一种抗 蚀或抗电镀的掩膜图像。抗蚀图像用于“印制蚀 刻工艺”，即用保护性的抗蚀材料在覆铜箔层压 板上形成正相图像，那些未被抗蚀剂保护的不需 要的铜箔，在随后的化学蚀刻工序中被去掉，蚀 刻后去除抗蚀层，便得到所需的裸铜电路图像。 而抗电镀图像用于“图形电镀工艺”，即用保护 性的抗蚀材料在覆铜层压板上形成负相图像，使 所需要的图像是铜表面，经过清洁、粗化等处理 后，在其上电镀铜或电镀金属保护层(锡铅、锡镍、 锡、金等)，然后去掉抗蚀层进行蚀刻，电镀的金 属保护层在蚀刻工序中起抗蚀作用。
《建筑外墙涂料通用技术要求》JGT512-2017行业标准解读
耐温变性在《建筑涂料涂层耐温变性试验方法》J G/T 25中称涂层耐冻融循环，定义不是很准确。
在J I S A6909中称冷热冲击，较为接近模拟的自然现象。
国内的涂料标准中，多为5或10个循环，在G B/T9755-2014中更改为3个循坏，而在J I S A6909中所有外墙涂料体系均为10个循坏。
故本标准将涂层耐温变性分为3次、5次、10次循环三个级别。
涂层的使用寿命越长，其耐温变性循环次数理应越多。
68|CHINA HOUSING FACILITIES
标
化
陈虹霖，住宅产业化进程中内装部品体系研究，《重庆大学硕士学位论文》，2017.05
李悦，预制装配式住宅机电管线设计研究，《规划与设计》2016.05
[3]《装配式住宅建筑设计标准》（JGJ T398-2017）
[4]《建筑模数协调标准》（GB T50002-2013）
作者简介
张志毅，男，1979.10，硕士研究生，硕士，工程师，暖通主任工程师，国家注册公用设备师（暖通）。
69
2020.01 |。
《干膜技术资料》课件
干膜在医药行业的应用
总结词
生物相容性、可降解
详细描述
在医药行业中，干膜需要具备生物相容性， 以确保与人体接触时不会产生不良反应。此 外，为了环保需求，干膜材料应具备可降解 性，减少对环境的负担。
干膜在食品包装行业的应用
总结词
安全卫生、保鲜保质
详细描述
干膜在食品包装行业中的应用主要是为了确 保食品的安全卫生和保鲜保质。干膜材料应 符合相关食品安全标准，具有良好的阻隔性 能和密封性，能够防止食品受潮、氧化和细
总结词
可回收、可降解
详细描述
随着环保意识的提高，食品包装行业对干膜的环保性能 提出了更高的要求。干膜材料应具备可回收和可降解的 特性，减少对环境的污染。通过采用环保型的干膜材料 和生产工艺，可以降低食品包装行业的环境影响。
干膜在食品包装行业的应用
总结词
成本低廉、性能优良
详细描述
食品包装行业对成本敏感，因此干膜材料应具备成本 低廉的优势。同时，为了满足食品包装的需求，干膜 还应具备优良的性能，如良好的阻隔性能、耐高温性 能和抗拉伸性能等。通过优化干膜材料和生产工艺， 可以降低成本并保持优良的性能。
干膜技术资料
xx年xx月xx日
• 干膜技术简介 • 干膜的制造工艺 • 干膜的特性与优势 • 干膜的应用案例 • 干膜技术的未来发展
目录
01
干膜技术简介
干膜的定义与特性
干膜的定义
干膜是一种特殊的薄膜材料，由聚酯 、聚酰亚胺等高分子材料制成，具有 绝缘、防潮、防腐蚀等特性。
干膜的特性
干膜具有优异的耐热性、电气绝缘性 、尺寸稳定性、耐化学腐蚀性和机械 强度等特性，广泛应用于电子、电器 、航空航天、汽车、建筑等领域。
线路干膜的解析度
线路干膜的解析度
线路干膜是一种线路制造技术，它使用干膜技术来制造线路。
干膜是指使用蚀刻技术将图形蚀刻到膜上的技术。
线路干膜的解析度指的是干膜技术能够制造出的最小线宽。
一般来说，线路干膜的解析度越高，能够制造出的线路越精细，线路的性能也会更好。
但是，线路干膜的解析度也受到膜材的粗糙度、蚀刻技术的精度和膜的厚度等因素的影响。
因此，在选择线路干膜时，应当注意这些因素，以保证线路干膜的解析度线路干膜的解析度在现代电子产品制造中起着至关重要的作用。
随着电子产品的技术不断发展，电子元器件的尺寸也在不断缩小。
因此，线路干膜的解析度也必须不断提高，以满足电子元器件的制造要求。
目前，线路干膜的解析度已经达到了几百微米的级别。
线路干膜的解析度越高，就意味着能够制造出更精细的线路，这对电子产品的性能有着重要的影响。
例如，高解析度的线路干膜可以制造出更细的线路，这有助于提高电子产品的信号传输质量和精度。
此外，高解析度的线路干膜还可以在电子产品的空间利用率方面发挥作用，使得电子产品的尺寸可以更小。
总之，线路干膜的解析度对电子产品的性能有着重要的影响，应当给予充分的重视。