晶圆激光切割与刀片切割工艺介绍
晶圆切割的方法范文
晶圆切割的方法范文晶圆切割是在半导体制造过程中的重要一环，它指的是将晶圆切割成单个的芯片。
晶圆切割的方式多种多样，常用的有直线切割、激光切割和电火花切割等。
下面将就这三种方法进行详细介绍。
直线切割是晶圆切割中最常用的一种方式。
它利用切割机械将晶圆沿着一条直线进行切割。
首先需要在晶圆的表面画出切割线，然后将晶圆放在切割机械上，通过设定好的切割参数进行切割。
直线切割的优点是切割速度快、成本低，适合于大规模生产。
但同时也存在一些不足之处，比如切割线不能曲折，容易产生毛刺和切割畸变等问题。
激光切割是一种高精度的晶圆切割方式。
它利用激光束对晶圆进行切割，具有切割速度快、精度高的特点。
激光切割的原理是通过激光器产生高能量的激光束，然后将激光束聚焦到晶圆表面，使晶圆表面升温并蒸发，从而实现切割。
激光切割的优点是切割速度快、精度高，适合于切割细小的芯片。
但同时也存在一些缺点，比如设备成本高、切割效果易受材料本身性质影响等。
电火花切割是一种能够实现高精度切割的方法。
它利用电火花放电原理对晶圆进行切割。
电火花切割的原理是通过电极对晶圆进行放电，使晶圆上产生高温高压的放电火花，从而实现切割。
电火花切割的优点是切割精度高、切割速度快，适合于切割较硬的材料。
但与此同时，电火花切割也存在一些问题，比如设备复杂、切割后需要进行其他后续处理等。
综上所述，晶圆切割的方法有直线切割、激光切割和电火花切割等多种方式。
这些方法各有优缺点，应根据实际需要选择合适的方法进行切割。
随着半导体技术的不断发展，相信晶圆切割技术也会得到进一步的改进和完善。
半导体晶圆切割工艺
半导体晶圆切割工艺
半导体晶圆切割工艺是半导体工业中非常重要的一个工艺环节。
晶圆切割是将晶圆切割成芯片的过程，芯片是半导体电子元器件的核心部件。
半导体晶圆切割
工艺的质量将直接影响到芯片的性能和可靠性。
半导体晶圆切割工艺主要包括切割方式、切割液、切割机等几个方面。
切割方式包括了机械切割、激光切割、离子注入切割等多种方式。
切割液则是用来冷却和润滑切割过程中的刀片，以避免晶圆表面产生过多的热量和切割过程中的摩擦损耗。
切割机则是切割晶圆的主要设备，其结构和性能将直接影响到切割的效率和芯片
的质量。
在半导体晶圆切割工艺中，切割液的选择和使用非常重要。
合适的切割液能够在切割过程中起到冷却和润滑的作用，同时还能够去除切割过程中产生的毛刺，保证切割后晶圆表面的光洁度和平整度。
此外，切割液的pH值、浓度、温度等参数
也需要严格控制，以确保切割液的性能和稳定性。
半导体晶圆切割工艺的发展已经从最初的手工切割逐步发展成为了自动化、高效的切割生产线。
自动化的切割生产线具有高效、稳定、精准等优点，能够大幅度提高生产效率和芯片质量，同时还可以降低生产成本。
随着半导体工业的不断发
展和创新，半导体晶圆切割工艺也将不断地得到改进和完善，以满足不断提高的市场需求和技术要求。
不同尺寸芯片在同一片晶圆的切割方法
不同尺寸芯片在同一片晶圆的切割方法切割芯片是半导体制造过程中的一个关键步骤，它决定了芯片的最终尺寸和形状。
在同一片晶圆上切割不同尺寸的芯片需要采用不同的方法。
以下是关于不同尺寸芯片在同一片晶圆的切割方法的详细描述：1. 直线切割法：该方法适用于较大尺寸的芯片。
在晶圆上划定切割线后，使用切割工具（如钢刀或切割机）沿着切割线直接切割芯片。
2. 磁力线切割法：该方法适用于较小尺寸的芯片。
在晶圆上划定切割线后，将晶圆放置在带有磁力线的台座上，并通过控制磁力线的位置和切割线的方向，实现精确的芯片切割。
3. 裂纹引导切割法：该方法适用于较大尺寸的芯片。
在晶圆上划定切割线后，使用高能量的激光或电子束在切割线上产生微小的裂纹，然后通过应力引导裂纹扩展，最终实现芯片的切割。
4. 激光切割法：该方法适用于各种尺寸的芯片。
通过控制激光的功率和位置，将激光直接照射在切割线上，实现精确的芯片切割。
5. 钻孔切割法：该方法适用于较小尺寸的芯片。
使用小孔钻头在晶圆上穿孔，然后用刀具将穿孔点连接起来，最终实现芯片的切割。
6. 胶带切割法：该方法适用于各种尺寸的芯片。
先将晶圆裁剪成需要的大小，然后将切割后的芯片用胶带贴在背板上，最后用切割工具将芯片从晶圆上切割下来。
7. 氮气切割法：该方法适用于较小尺寸的芯片。
在晶圆上划定切割线后，使用氮气喷射在切割线上，通过高速喷射的氮气剥离晶圆上的芯片，最终实现芯片的切割。
8. 离子注入切割法：该方法适用于各种尺寸的芯片。
通过控制离子束的能量和方向，将离子注入到晶圆上划定的切割线上，然后用切割工具将芯片从晶圆上切割下来。
9. 喷砂切割法：该方法适用于较大尺寸的芯片。
在晶圆上划定切割线后，使用高压喷砂设备将砂粒喷射在切割线上，通过磨擦和冲击力将芯片切割下来。
10. 光刻切割法：该方法适用于各种尺寸的芯片。
先在晶圆上制作切割模板，然后使用光刻技术将切割模板上的图形传输到晶圆上，最后用切割工具将芯片从晶圆上切割下来。
硅晶圆的切割工艺研究
硅晶圆的切割工艺研究摘要：本文主要探究硅晶圆切割工艺。
研究过程中，以激光隐形切割工艺为例，选择8寸硅晶圆，厚度450µm，99.9%纯硅为试验材料，光纤激光器为试验设备，结果表明激光功率、焦点位置、激光频率、光板重叠率、速度及加工次数均会影响切割效果，需结合实际情况，设置切割参数，从而为相关工作者提供参考。
关键词：硅晶圆；激光切割；切割工艺前言：硅晶圆作为常见半导体材料，采用单晶硅，纯度要求超过99.9999%，硅晶圆器件已经应用至各个领域，生产总量惊人。
传统切割方式主要应用高速金刚石片进行接触式切割，易产生切割崩边、微裂纹大的情况，且刀轮多为U型与V型结构，无法做到刀片无限薄，不符合超窄切割道硅片需求。
因此，在硅晶圆切割中，应当采取非接触式的激光切割加工工艺，以完成脆性材料加工。
1试验设备与方法1.1试验材料半导体晶圆材料选用单晶硅，试验中选用材料是8寸硅晶圆，厚度450µm，为99.9%纯硅。
1.2试验设备试验设备选用光纤激光器（见图1），脉宽可变，波长1064nm，频率50-1000k，采取旁轴与同轴分别检测切割道与裂纹的机器视觉[1]。
图1 试验设备1.3试验方法本文采取隐形激光切割方式：（1）激光切割，完成后硅晶圆内部形成改质层，表面产生裂纹；（2）扩片，使用扩片机分开晶圆颗粒[2]。
隐形切割作为特殊加工方式，激光波长超过1000nm，否则会提高吸收率导致硅材料表面吸收激光，无法使其进入内部。
2工艺参数分析2.1激光功率本次试验中，激光器功率通过镜片反射，衰减器衰减及聚光镜损耗后，透过效率约为90%，后续功率讨论均为激光器至表面材料功率。
硅材料吸收激光波长1064nm效率较低，但聚焦光斑通常处于1-3微米范围，具有较大功率密度，通过试验测试可形成内部改质层，功率处于0.2-1.8W时不会破坏材料表面。
2.2焦点位置材料表面聚焦激光中，空气折射率较低，实际焦点与理论焦点位置重合，硅材料由于折射率为3.87，透过硅片表面，激光会进入内部产生折射，Z轴方向非垂直入射将会偏移焦点。
晶圆切割工艺
晶圆切割工艺
晶圆切割是半导体工艺的基础工艺之一，是一种利用光谱学原理把原始晶圆分
割为若干小块的技术，是硅片开发和加工的重要工序。
在近几十年间，随着半导体技术的不断深入发展，晶圆切割工艺也在不断精细化和转变，使得电子产品更加精致、娱乐性更加凸显。
晶圆切割工艺是一种利用可见光、紫外光和近红外光对半导体器件进行图案分
割的精湛技术。
它可以把一块原始硅晶圆切割成若干微小块，小到其平均厚度仅有数十个毫米。
利用晶圆切割工艺，将这些微小的晶圆组件之间的间隙设计得极小，这样就可以实现微处理器的数据处理速度快，可以安装更多的芯片，也可以把小块晶圆切割成更小的块。
另外，晶圆切割工艺可以使用在一些其它消费产品，比如像智能手机、投影仪、VR眼镜等，晶圆切割和封装工艺技术可以把原来大尺寸的功能放入更小的设备中，在模块内部芯片结构的优化更能增强它的功能性能，从而使这些精致的娱乐用品更加高雅、便携和低耗。
晶圆切割工艺的发展为新型生活娱乐产品的出现提供了必要条件，让人们在生
活中获得更多乐趣。
原来巨大臃肿的电脑和泛滥成灾的电子危机也沦为历史，让人们获得简洁、高效节能、娱乐性强的电子产品。
作为一种有着多方面好处的分割工艺，晶圆切割技术将被应用在更多领域，使我们拥有更加美好的生活和娱乐体验。
用热激光切割技术切割晶圆
用热激光切割技术切割 晶圆
前言 建立在众所周知的原理基础上的热激光切割技术 （ ｅ ａ ｌ ｅ ｓ ａ ｔ ｎ Ｔ Ｓ ｔ ｒ ｌａ ｒ ｅ ｒｉ ， Ｌ ）用于切割 ｈ ｍ ｓ ｐ ａｏ 脆性材料。应用范围包括切割显示器玻璃 （ 包括层状玻璃 ） 、浮法玻璃生产线上的玻璃边缘、氧 化铝陶瓷等。 与其他的激光技术 比较， Ｔ Ｓ 用 Ｌ 取代机械法切割晶圆有诸多优点。 本文论述 了Ｔ Ｓ Ｌ 在切割半导体硅片领域的应用。 热激光切割是切割脆性材料 的简单技术，是利用热感应机械应力的切割工艺。工艺过程分 两步进行。开始时，需要有一个非常小的划痕 （ 缺陷） ，划痕可能是前一步的工艺过程造成的， 例如碾磨或线状锯切割； 在大 多数情况下，可以用工具如金刚石或造痕激光器来制造这个划痕 。 这个起始的划痕给 了切割过程一个明确的起始点。否则，切割可能从离缺陷最近的地方开始。 在切割过程中，被切割材料被带有能量子的激光加热，被加热 的材料膨胀并产生放射状的 压力，在受热带周围感应发生切 向拉伸应力 （ Ｓ ） Ｔ 。 Ｉ 激光聚焦处随之被冷却，材料因冷却而收缩。 在冷却区域感应产生额外的拉力 （ Ｆ ） 在 Ｔ Ⅱ。 两种应力的覆盖区——只有在这个区域一 材料开始裂开。从最初的划痕开始，至此完成了材 料的切割过程 。被切割晶圆具有质量优异的切割边缘 。 对于晶体材料 （ 例如硅片 ）来说，分离是完全的。局部最大的拉伸应力位于受热焦点和冷 却点之间的轴上，因此力和强度的中心也可 自定位 。如果开裂速度比受热焦点和冷却点汇聚进 行得快 ，开裂 就会 向零压 力处 蔓延并 导致延 迟 。 尽 管 Ｔ Ｓ的进 行几 乎与切 割边 缘 的裂 纹前沿 晶面 的排列 无 关 ，但通 常 的机 械划 痕和切割 技 Ｌ 术也如此。更多的竖 向的裂纹前沿与晶面排列的关系更小且可得到最好的结果，而获得竖向的 裂纹前沿的关键是利用激光波长 ，激光可被吸收到裂纹深处。 工艺条件／ 特点 下面 对一 些影 响因素和 工艺 条件进 行讨论 。 Ｔ Ｓ工艺需要被切割的材料内部具有大的热膨胀梯度。由于热能的切割作用主要集中在晶 Ｌ 圆的表面，高能量的激光不可能补偿小的热值。基于这个事实，熔化硅片的切割在 以前是不可 能实现的。 该项技术是建立在材料内部产生热感应机械应力的基础上的。当晶圆的厚度很薄时，分别 进行的加热和冷却的部分非常小，难 以产生断裂力。到 目前为止，试验成功的切割晶圆的最薄 的厚度为 ５ ｇ ０ ｍ，切割厚度的下 限尚需通过进一步的试验确定。 感应力和材料 内部的固有力相结合而发生切割过程。由于这个原因，切割多晶的 （ 光伏的） 晶圆更为困难，但存在切割的可能性 。对于较大面积的晶圆，切割线会与晶圆的边缘以小角度 汇合 ，这 时需要特 别措 旄来 稳定切 割过程 。 在激光的应用 中，吸收值和反射值通常是重要的指标 。为了达到硅材料的表面和内部的均 衡受热，激光的波长在近红外区为最优 （ ００ １８ｎ 。考虑由功能层，例如表面钝化层导致 １３￣ ００ｍ）
晶圆工艺的切割方法
晶圆工艺的切割方法晶圆工艺是半导体制造中的一个重要环节，主要用于将晶圆切割成芯片。
切割方法的选择直接影响到芯片的质量和产能。
目前常用的晶圆切割方法主要有切割机械法、切割激光法和切割冲击法。
切割机械法是目前最常用的切割方法之一、该方法使用金刚石铣刀或锯片进行切割，将晶圆切割成芯片。
该方法的优点是成本低、切割速度快，适用于大批量生产。
但由于机械切割存在切割力大、刀具损耗大、切割边缘质量不理想等问题，因此需要进行后续工艺处理。
切割激光法是一种通过激光束进行切割的方法。
该方法具有切割精度高、切割速度快、切割边缘质量好等优点。
激光切割可以实现非接触切割，减少了对芯片的损伤。
此外，激光切割还可以切割各种材料的晶圆，适用范围广。
但该方法的成本较高，设备复杂，且激光切割过程中容易产生热影响区，需要进行冷却处理。
切割冲击法是一种通过冲击力将晶圆切割成芯片的方法。
该方法主要通过应用高速气体喷射或水射流来切割晶圆。
切割冲击法具有切割速度快、切割力小、切割边缘质量好等优点。
此外，该方法的成本较低，适用于批量生产。
但切割冲击法对芯片的切割质量较为敏感，需要精确控制切割参数。
在实际应用中，不同的切割方法往往结合使用。
例如，先采用切割机械法将晶圆切割成薄片，再采用激光切割或冲击切割对薄片进行细分。
这样可以充分发挥各种切割方法的优势，提高切割质量和生产效率。
总之，晶圆工艺的切割方法是半导体制造中的重要环节，不同的切割方法各有优劣。
通过合理选择切割方法，并结合其他工艺步骤，可以实现高质量和高产能的芯片生产。
构成晶圆制造的五大工艺
构成晶圆制造的五大工艺晶圆制造是半导体工业中最关键的环节之一，它涉及到许多复杂的工艺和技术。
晶圆制造的五大工艺包括晶圆切割、晶圆清洗、光刻、离子注入和薄膜沉积。
下面将对这五大工艺进行详细介绍。
1. 晶圆切割晶圆切割是将硅单晶棒切成薄片，即晶圆的过程。
通常使用钻石锯片进行切割，但由于硅单晶非常硬，因此需要用到高压水流或者磨料来辅助切割。
在切割过程中，还需要进行去毛边和去角处理，以确保最后得到的晶圆表面平整光滑。
2. 晶圆清洗在晶圆制造过程中，需要对晶片进行多次清洗以确保其表面干净无尘。
清洗过程通常包括化学溶解、超声波振荡和离心等步骤。
其中化学溶解可以去除表面污垢和有机物质；超声波振荡可以将难以去除的颗粒和污垢震落；离心可以将液体和固体分离，以便于后续处理。
3. 光刻光刻是一种利用光敏材料制作图形的技术。
在晶圆制造中，光刻通常用于制作电路图案。
首先，在晶圆上涂覆一层感光胶，然后使用掩模板对感光胶进行曝光，使得只有被曝光的部分会发生化学反应。
最后，使用化学溶解剂将未曝光的感光胶去除，留下所需的电路图案。
4. 离子注入离子注入是一种将材料中的离子注入到另一种材料中的技术。
在晶圆制造中，离子注入通常用于改变硅片的电学性质。
具体来说，通过向硅片中注入不同类型的离子（如磷、硼等），可以改变硅片中自由电子和空穴浓度，从而控制其导电性能。
5. 薄膜沉积薄膜沉积是一种将材料沉积到另一种材料表面上形成薄层的技术。
在晶圆制造中，薄膜沉积通常用于制作金属线路和绝缘层等。
常用的沉积方法包括物理气相沉积、化学气相沉积和溅射等。
其中，物理气相沉积是将固态材料加热到高温后，在真空环境下使其蒸发并在晶片表面形成薄层；化学气相沉积是通过化学反应在晶片表面形成薄层；溅射则是利用离子轰击材料表面将其溅射到晶片表面上。
总之，晶圆制造的五大工艺涵盖了许多复杂的技术和过程。
这些工艺不仅需要精密的设备和仪器，还需要高度专业化的技术人员来操作和控制。
切单（Singulation），一个晶圆被分割成多个半导体芯片的工艺SKhynixNewsroom
切单（Singulation），一个晶圆被分割成多个半导体芯片的工艺SKhynixNewsroom一个晶圆要经历三次的变化过程，才能成为一个真正的半导体芯片：首先，是将块儿状的铸锭切成晶圆；在第二道工序中，通过前道工序要在晶圆的正面雕刻晶体管；最后，再进行封装，即通过切割过程，使晶圆成为一个完整的半导体芯片。
可见，封装工序属于后道工序，在这道工序中，会把晶圆切割成若干六面体形状的单个芯片，这种得到独立芯片的过程被称作做“切单（Singulaton）”,而把晶圆板锯切成独立长方体的过程则叫做“晶片切割(Die Sawing)”。
近来，随着半导体集成度的提高，晶圆厚度变得越来越薄，这当然给“切单”工艺也带来了不少难度。
一、晶圆切割(Wafer Dicing)的发展历程图1. 晶圆切割方法的发展历程（切单）下载图片前道和后道工序通过各种不同方式的互动而进一步发展：后道工序的进化可以决定晶圆上die单独分离出的六面体小芯片）的结构和位置，以及晶片上焊盘（电连接路径）的结构和位置；与之相反，前端工艺的进化则改变了后端工艺中的晶圆背面减薄和“晶片切割(Die Sawing)”晶圆的流程和方法。
因此，封装的外观日益变得精巧，会对后端工艺带来很大的影响。
而且，根据包装外观的变化，切割次数、程序和类型也会发生相应的变化。
▶请参见“轻、薄、短、小”，半导体封装的演变（“Light, Thin, Short and Small”, The Development of Semiconductor Packages）。
那么，现在就让我们一起通过芯片“切单”的演化过程，来看看五种切割方法吧。
二、划片切割（Scribe Dicing）图2. 早期的划片切割法：划片后进行物理上的分割（Breaking）@直径为6英寸以下的的晶圆下载图片早期，通过施加外力切割的“掰开（Breaking）”是唯一可以把晶圆分割成六面形的Die的切割法。
晶圆激光切割工艺技术
晶圆激光切割工艺技术晶圆激光切割工艺技术是一种将激光技术应用于半导体制造过程中的一种切割方法。
它通过利用激光的热效应，将激光束聚焦到晶圆材料上，从而可以实现高精度、高效率的切割。
在晶圆激光切割工艺技术中，首先需要选择合适的激光源。
常见的激光源有固体激光器、气体激光器和半导体激光器等。
不同的激光源具有不同的特点和适用范围，需要根据实际需求进行选择。
在切割过程中，激光束可以通过透镜等光学元件进行聚焦，从而可以实现高能量密度的激光束。
晶圆材料会在激光束的照射下被加热，其温度逐渐升高。
当温度达到晶圆材料的熔点时，材料开始熔化，并随着激光束的扫描，不断形成切割孔洞。
晶圆激光切割工艺技术具有以下几个优点。
首先，由于激光束是非接触式的切割方法，因此可以避免因切割过程中与晶圆材料接触而引起的污染和损伤。
同时，激光束的直径非常小，可以实现非常细小的切割孔洞，从而可以实现高分辨率和高精度的切割。
此外，晶圆激光切割工艺技术还具有切割速度快、切割质量高和可靠性强的特点。
由于激光切割是通过热效应实现的，因此可以实现非常高效率的切割。
同时，由于激光束的能量集中在非常小的空间范围内，可以实现非常小的切割孔洞，从而得到更高的切割质量。
此外，激光切割具有高可靠性，可以适应各种复杂形状和材料的切割需求。
然而，晶圆激光切割工艺技术也存在一些挑战和难点。
首先，由于激光切割需要对晶圆材料进行加热，因此可能会引起晶圆材料的热应力，从而影响材料的性能和可靠性。
此外，激光切割过程中会产生大量的热量和烟尘，需要进行有效的散热和烟尘处理。
同时，晶圆激光切割工艺技术的设备和操作都需要非常高的技术要求，对操作人员的技术水平和经验要求非常高。
总的来说，晶圆激光切割工艺技术是一种高效、高精度的切割方法，广泛应用于半导体制造领域。
随着激光技术的不断发展和创新，相信晶圆激光切割工艺技术将会越来越成熟和完善，为半导体制造业的发展提供强有力的支持。
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传统划片工艺介绍
4.刀片划片速度为 40-80mm/s，划片速度较慢。且切割不同 的晶圆片，需要更换不同的刀具。 5.旋转砂轮式划片（Dicing Saw）需要刀片冷却水和切割水， 均为去离子水（DI 纯水） 6.刀片切割刀片需要频繁的更换，后期运行成本较高。
新型划片---激光
激光属于无接触式加工，不对晶圆产生机械应力 的作用，对晶圆损伤较小。 由于激光在聚焦上的优点, 聚焦点可小到亚微米 数量级, 从而对晶圆的微处理更具优越性, 可以进行 小部件的加工; 即使在不高的脉冲能量水平下, 也能 得到较高的能量密度, 有效地进行材料加工。 大多数材料吸收激光直接将硅材料 汽化，形成沟道。从而实现切割的目的 因为光斑较小，最低限度的炭化影响。
传统刀片划片原理
刀片划片原理--- 撞击 当工作物是属于硬、脆的材质，钻石颗粒 会以撞击（Fracturing）的方式，将工作物敲 碎，再利用刀口将粉末移除。 特性：容易产生崩碎
（Chipping）
钻石颗粒撞击
•微小裂纹的范围 •钻石颗粒旋转方向
工作物
例：ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ晶片、玻璃
工作物移动的方向
传统划片工艺介绍
1.机械划片是机械力直接作用在晶圆表面，在晶体内部产生 应力损伤，容易产生晶圆崩边及晶片破损。 2.由于刀片具有一定的厚度，由此刀具的划片线宽较大。金 刚石锯片划片能够达到的最小切割线宽度一般在25～35微 米之间。
3.刀具划片采用的是机械力的作用方式，因而刀具划片具有 一定的局限性。对于厚度在100微米以下的晶圆，用刀具 进行划片极易导致晶圆破碎。
激光划片工艺介绍
1.激光划片是非机械式的，属于非接触式加工，可 以避免出现芯片正面破碎和其它损坏现象，激光 划片后需要使用传统工艺将芯片彻底划开。 2.激光划片采用的高光束质量的光纤激光器对芯片 的电性影响较小，可以提供更高的划片成品率。
对比表格
传统划片方式（砂轮）
切割速度 切割线宽 40-80mm/s 30～40微米
半导体器件
• 半导体器件分类
部分器件可用于 激光划片 发光二极管，三极管，整流桥， 可控硅，触发管 IGBT,VNOS管等
半导体分立器件 半导体器件 半导体集成电路
光电，显示，语音，功率， 敏感，电真空，储存， 微处理器件等
传统划片方法---刀片
最早的晶圆是用划片系统进行划片（切割）的，现在 这种方法仍然占据了世界芯片切割市场的较大份额，特别 是在非集成电路晶圆划片领域。金刚石锯片（砂轮）划片 方法是目前常见的晶圆划片方法。
半导体晶圆激光划片工艺介绍
目录
• • • • • • 名词解释 应用范围 传统划片工艺介绍 激光划片工艺介绍 两种工艺对比介绍 后期运行成本比较
什么是晶圆划片 ？
•
晶圆划片(即切割）是半导体芯片制造工艺流程中的一 道必不可少的工序，在晶圆制造中属后道工序。将做好芯 片的整片晶圆按芯片大小分割成单一的芯片（晶粒），称 之为晶圆划片。
激光划片方式（光）
1-150mm/s 30～45微米
切割效果
热影响区 残留应力 对晶圆厚度要求 适应性 有无损耗 成本
易崩边，破碎
较大 较大 100 um以上 不同类型晶圆片需更换刀具 需去离子水，更换刀具，损耗大 成熟工艺成本较低
光滑平整，不易破碎
较小 极小 基本无厚度要求 可适应不同类型晶圆片 损耗很小 激光器为消耗材料，成本 较高