第四章 点缺陷和扩散(2)
第4章 晶体缺陷

刃位错的滑移
螺位错的滑移
刃、螺型位错的滑移特点
特征差异:
切应力方向不同 刃型:F⊥l;螺型:F∥l
位错运动方向与晶体滑移方向关系 刃型:运动方向与滑移 方向一致;螺型:运动方向与滑移方向垂直。 统一之处: 两者的滑移情况均与各自的b一致。
b) 位错环(混合型位错)的滑移
A、B处为刃型位错,C、D处为螺型位错,其余各处为 混合型位错。 位错环可以沿法线方向向外扩张而离开晶体;也可以反 向缩小而消失。
透射电镜下观察到的位错线
第三节 位错的能量及交互作用
位错线周围的原子偏离平衡位置,处于较高的能量状 态,高出的这部分能量称为位错的应变能(位错能)
一、位错的应变能
位错的应变能可分为:位错中心畸变能Ec和位错应 力场引起的弹性应变能Ee。 Ec:位错中心点阵畸变较大,需借助点阵模型直接考虑晶体
结构和原子间的相互作用,其能量约为总应变能的1/10~ 1/15,常予以忽略。
和间隙原子的“间隙-空位”对。
Frenkel defect
化合物离子晶体中的两种点缺陷 金属晶体:弗兰克尔缺陷比肖脱基缺陷少得多 离子晶体:结构配位数低-弗兰克尔缺陷较常见
结构配位数高-肖脱基缺陷较重要
间隙原子
定义:晶体中的原子进入晶格的间隙位置而形成 的缺陷。
Interstitial defect
b 2 r
Gb 2 r
b 2 r dr L L Gb
位错线
半原子面
刃型位错的特点
滑移面
a、属于线型位错,但在晶体中为狭长的管道畸变区;
b、是晶体中滑移区与未滑移区的分界线,不一定是 直线,也可以是折线或曲线; c、不能中断于晶体内部
第四章晶体中的点缺陷与线缺陷作业题答案

方程(1)和(2)的固溶式:(1) Ce1 x Ca x O 2 x (2) Ce
1
x 2
Ca x O 2
对于置换式固溶体有 x=0.15,1-x=0.85,2-x=1.85,所以置换式固溶体化学式 Ce0.85Ca0.15O1.85。有因为 CeO2 属于萤石结构,晶胞分子数 Z=4,晶胞中有 Ca2+、Ce4+、O2-三种质点。 晶胞质量
g
i 1
n
i
4 (0.85 140.12 0.15 40.08+1.85 16.00) =102.8 1023 (g) 23 6.02 10
D1
102.8 1023 6.467g / cm3 (0.5417 107 )3
对于间隙固溶体,其化学式 Ce0.925Ca0.15O2 晶胞质量
ZrO 2 CaO Ca "Zr VO O O ZrO 2 2CaO Ca "Zr Ca i 2O O
请写出两种固溶体的化学式,并通过计算密度,判断生成的是哪一种固溶体。 解:(1)对于置换式固溶体有 x=0.15,1-x=0.85,2-x=1.85,所以置换式固溶体化学式 Ca0.15Zr0.85O1.85。有 因为 ZrO2 属于萤石结构,晶胞分子数 Z=4,晶胞中有 Ca2+、Zr4+、O2-三种质点。 晶胞质量
2 3 解: 3MgO 2Mg Al Mg i 3OO (1)
Al O
'
Al2 O3 2MgO 2Mg 'Al VO 2OO CaF2 '' 2YF3 2YCa VCa 6FF
材料科学基础 第4章 点缺陷和扩散

化、烧结等都产生了重要的影响。
30
二、离子晶体中的空位及间隙原子
肖脱基缺陷:为了保持晶体的电的中性,空位只能 以与晶体相同的正离子:负离子的空位比率小组的 方式产生。这些电中性的正离子-负离子-空位丛簇 称为。 弗兰克缺陷:以空位/间隙对形式存在的缺陷群。
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关于空位的总结
空位是热力学上稳定的点缺陷,一定的温度对应一定的 平衡浓度,偏高或偏低都不稳定。
不同金属的空位形成能是不同的,一般高熔点金属的形 成能大于低熔点金属的形成能。
空位浓度、空位形成能和加热温度之间的关系密切。在 相同的条件下,空位形成能越大,则空位浓度越低;加 热温度越高,则空位浓度越大。 C平=exp[-Ev/kT+Sc/k]
23
空位迁移也要克服一定的“势垒”,也即空位迁移能Qfv。 迁移速率为: j=zexp(Sc/k)exp(-Qfv/kT)
金属熔点越高,空位形成能和迁移能越大。所以,在相 同条件下,高熔点金属形成的空位数比低熔点金属少。
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5.材料中空位的实际意义
空位迁移是许多材料加工工艺的基础。
晶体中原子的扩散就是依靠空位迁移而实现的。 在常温下空位迁移所引起的原子热振动动能显著提高,再加上高 温下空位浓度的增多,因此高温下原子的扩散速度十分迅速。
53扩散分类1根据?c?t分类稳态扩散和非稳态扩散2根据?c?x分类?c?x0自扩散在纯金属和均匀合金中进行?c?x?0互扩散上坡扩散和下坡扩散3根据扩散途径分类体扩散晶界扩散表面扩散短程扩散沿位错进行的扩散4根据合金组织分类单相扩散多相扩散54二扩散的物理描述fick第一扩散定律影响原子移动的速率即扩散速率的因素
岩石物理化学教案中的岩石的晶体缺陷与扩散行为

岩石物理化学教案中的岩石的晶体缺陷与扩散行为岩石的晶体缺陷与扩散行为岩石是地球上最基本的物质构成之一,由各种矿物质以不同的方式组成而成。
在岩石物理化学教案中,研究岩石的晶体缺陷与扩散行为对于理解岩石的物理化学特性至关重要。
本文将探讨岩石晶体缺陷的类型和形成机制以及岩石中的扩散行为,以期进一步加深对岩石物理化学性质的认识。
一、岩石的晶体缺陷1. 点缺陷点缺陷是指晶体中位置不正常的离子或原子。
常见的点缺陷有空位缺陷和替位缺陷。
空位缺陷指的是晶体中某些位置上没有原子存在,而替位缺陷则是指晶体中某些位置上的原子被其他类型的原子替代。
2. 线缺陷线缺陷是指晶体中由于位错而形成的缺陷。
位错是晶体中原子排列出现错误的地方,可以分为错配位错和间隙位错。
错配位错是指晶体中原子的排列发生错位,而间隙位错则是指某些位置上的原子被其他类型的原子填充。
3. 面缺陷面缺陷是指晶体表面的缺陷,如晶界、堆垛层错等。
晶界是指两个晶粒之间的交界面,由于晶体之间的连接方式不同,晶界会出现晶界能量的不连续性,从而引起一些特殊的物理化学性质。
二、岩石中的扩散行为扩散是指物质在固态中自由运动,从高浓度区域向低浓度区域传播的过程。
在岩石中,多种因素会影响扩散行为,如温度、压力、活动能等。
常见的扩散类型有短程扩散和长程扩散。
1. 短程扩散短程扩散指的是在晶格点附近或晶界附近进行的扩散,通常发生在晶体内部。
这种扩散速率相对较快,是岩石中许多重要地质过程的主要控制因素之一。
2. 长程扩散长程扩散指的是晶体中原子或离子在晶体内进行较长距离的迁移。
由于原子间的相互作用力较大,所以长程扩散的速率相对较慢。
然而,长程扩散在地球科学中扮演着不可忽视的角色,对于岩石的变质作用以及岩石演化过程具有重要意义。
在岩石物理化学教案中,深入研究岩石的晶体缺陷与扩散行为对于理解岩石的物理化学性质和地质过程具有重要的意义。
岩石中的晶体缺陷类型和形成机制告诉我们晶体内部构造的复杂性,而扩散行为则揭示了物质在固态中的运动特性。
第四章 晶体中的点缺陷和面缺陷

成的,浓度大小取决于温度和缺陷形成能。
非平衡态点缺陷:通过各种手段在晶体中引入额外的点缺陷,形态和数量
完全取决于产生点缺陷的方法,不受体系温度控制。
晶体中引入非平衡态点缺陷的方法:
快速冷却 低温,形成过饱和点缺陷 (1)淬火 :高温---------
23
P22
(a)M离子空位VM″ ;
· X离子空位VX·
· (b)M离子填隙Mi· ; ( c)M离子错位MX; X离子错位X X离子填隙Xi″ M 24
6.带电缺陷:
对于离子晶体 MX ,如果取走一个 M2+和取走一个 M原子相比,少取了二个电子。 因此,M空位必然和二个附加电子 2e′相联系,如果这二个附加电子被束缚在 M空位上,则M2+空位可写成VM″(=VM2+); 同样,如果取走一个X2-,即相当于取走一个X原子加二个电子,则在X空位上留
16
表4-1为某些化合物的缺陷形成自由能。 目前,对缺陷形成自由能尚不能精确计算,但其大小与晶 体结构、离子极化等因素有关。
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表2-7为由理论公式计算的缺陷浓度。由表中数据可见,随⊿Gf升高,温度降 低,缺陷浓度急剧下降。
当⊿Gf不太大,温度较高时,晶体中热缺陷的浓度可达百分之几。
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§4-2 非热力学平衡态点缺陷
1
第四章 晶体中的点缺陷与线缺陷
理想晶体:热力学上最稳定的状态,内能最低,存在于0K。 真实晶体: 在高于 0K 的任何温度下,都或多或少地存在着对理想
晶体结构的偏离。 实际晶体结构中和理想点阵结构发生偏离的区域,就是晶体结 构缺陷。或:造成晶体点阵结构的周期势场畸变的一切因素,都称 之为晶体缺陷。 晶体结构缺陷与固体的电学性质、机械强度、扩散、烧结、化 学反应性、非化学计量化合物组成以及对材料的物理化学性能都密 切相关。只有在理解了晶体结构缺陷的基础上,才能阐明涉及到质 点迁移的速度过程。掌握晶体结构缺陷的知识是掌握材料科学的基 础。
4-晶体结构缺陷的类型

根据质量作用定律,可以利用化学平衡方法 计算热缺陷的浓度。
1.化学平衡方法计算热缺陷浓度
(1)MX2型晶体肖特基缺陷浓度的计算
CaF2晶体形成肖特基缺陷反应方程式为:
2.间隙原子:亦称为填隙原子,用Mi、Xi来表示,其含义为M、X原子位
于晶格间隙位置。
3. 错位原子 错位原子用MX、XM等表示,MX的含义是M
原子占据X原子的位置。XM表示X原子占据M原子的
位置。
4. 自由电子(electron)与电子空穴 (hole)
分别用e,和h· 来表示。其中右上标中的一撇“,”
4.1.3.1杂质缺陷反应方程式
例1· 写出NaF加入YF3中的缺陷反应方程式 以正离子为基准,反应方程式为:
NaF Na Y ' 'FF 2V
YF3
F
以负离子为基准,反应方程式为:
例2· 写出CaCl2加入KCl中的缺陷反应方程式
以正离子为基准,缺陷反应方程式为:
CaCl2 Ca ClCl Cli '
4.1.3 杂质缺陷
对于杂质缺陷而言,缺陷反应方程式的一般式:
杂质 (组成缺陷或非本征缺陷) 缺陷反应方程式──杂 质在基质中的溶解过程,因此,固溶体即可以看作是 一种杂质缺陷。 杂质进入基质晶体时,一般遵循杂质的正负离子 分别进入基质的正负离子位置的原则,这样基质晶体 的晶格畸变小,缺陷容易形成。在不等价替换时,会 产生间隙质点或空位,
肖特基缺陷
弗仑克尔(Frenkel)缺陷
晶格中的原子由于热振动能量的涨落跳进间隙 位置,从而产生一个空位和一个填隙原子。这 是晶格中点缺陷的第二种类型。由于它是由弗 仑克尔最早提出的,因此把这种空位填隙原子 对称为弗仑克尔缺陷。 在一定的温度下,弗仑克尔缺陷的产生和复合 的过程相平衡。
材料基础-第四章固体材料的缺陷

例如,Fe的剪切模量大约100GPa,则理论剪切 模量应为3000MPa。但是,单晶体Fe的实际强度仅 为1-10MPa,晶面之间的滑移用相当小剪力就能移 动。理论值与实际值相差巨大。因而,人们就猜测 晶体中存在着象位错这样的线缺陷。 当时仅是理论上的一种推测,没有真正看到。 直到50年代,透射电镜(TEM)的研发成功,才从 实验中观察到实际的位错形貌。 当晶体的一部分相对于另一部分进行局部滑移 时,晶体的已滑移部分与未滑移部分的交界线形成 分界线,即位错,用TEM可观察到(见图4-4)。 位错主要分两种类型:刃型位错和螺型位错。
按晶体缺陷的几何特征,可以分成四种 基本类型:点缺陷、线缺陷(位错)、面缺陷 和体缺陷,如图4-1所示。 但需记住,这些缺陷只代表理想原子排 列中的缺陷。而实用上,为了获得所要求的 材料性能如强度、硬度、塑性等,有时要有 意地制造一些缺陷,即通过合金化、扩散、 热处理和表面处理,设计和控制这些缺陷。 因此,设计和控制晶体缺陷是改进产品 质量的关键,特别是对晶体生长以及使用过 程中控制缺陷的形成、类型以及变化,都是 极为重要的。
图4-3 晶格节点的置换原子
4. 点缺陷对材料性能的影响 在一般情况下,点缺陷主要影响晶体的物 理性质,如比容、比热容、电阻率等。 (1)比容 为了在晶体内部产生一个空位,需将该处 的原子移到晶体表面上,这就导致体积的增加。
(2)比热容 由于形成点缺陷,需向晶体提供附加的能 量(空位生成焓),因而引起附加的比热容。
断裂,而不会沿垂直截面的方向断裂,原因在于 材料在变形过程中发生了滑移,如图4-10所示。
图4-10 单晶体的拉伸断裂 及晶面滑移形貌
这是因为,材料的塑性变形通常会沿着晶体原子 的密排方向滑移,见图4-11 外加拉应力、滑移方向和滑移面的关系
晶体中的缺陷和扩散1晶格缺陷的主要类型

2. Frenkel 缺陷:由热激发而形成的成对的间隙原子与空位.
Frenkel 缺陷: 空位——间隙原子对
形成一个 Frenkel 缺陷要比形成一个空位所需的能量多 些,因而也更难些。 空位和 Frenkel 缺陷的成因都是由于晶格原子的热振动, 因此这两种点缺陷也称为热缺陷。 3. 杂质原子 当晶体中的杂质以原子状态在晶体中形成点缺陷时,称为杂质原子。 • 替位式杂质(代位式杂质):硅、锗单晶体是 4 价的半导体材料,在没有杂质纯净的情况下, 它们的导电性能很差,如果在高纯的硅、锗单晶体中有控制地掺入微量的 3 价杂质 B、Al、 Ga 和 In 等,或微量的 5 价杂质 P、As 和 Sb 等,可以使硅、锗的导电性能有很大的改变。例 如在 105 个硅原子中掺入一个硼(B)原子,就可以使硅的电导率增加 103 倍。实验证明, 这些杂质原子在硅、锗晶体中形成替位式缺陷,代替硅、锗原子所占的位置。
•:在外加应力下位错移动的方向与外加应力垂直的位错称为 (Screw Dislocation) 螺位错。 螺位错在晶体表面表现为一个台阶。此台阶可以作为晶体的生长核,可得到实验验证。
在 Si 单晶中所观察到的 Frank-Read 源
在 SiC 单晶中所观察到的螺位错生长螺线 三、面缺陷
常见的面缺陷: 1.晶粒间界: 自然界极大部分固体不是完美的单晶体,而是由许多小单晶颗粒组成的多晶体。 单晶颗粒之间的界面叫晶粒间界,是一种二维缺陷。间隙原子和空位很容易沿晶粒间界扩散, 因为间界上的点缺陷与线缺陷很多,代位式的扩散十分容易。多晶体有很多应用。例如磁记 录薄膜. 2.层错:晶体中的某个原子层发生堆积错误 fcc 晶体中的正常堆积次序:···ABCABC ··· fcc 晶体中的层错: ···ABCABABC ··· 另外还有挛晶界、小角晶界和层错等. 体缺陷,如:空洞、气泡和包裹物等
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扩散驱动力问题
从热力学的角度看,扩散是由于化学位的不 同而引起的,各组元的原子总是由高化学位区向 低化学位区扩散。扩散的真正推动力不是浓度梯 扩散的真正推动力不是浓度梯 度而是化学位梯度;平衡时, 度而是化学位梯度 平衡时,各组元的化学位梯 度为零。这就是有关扩散过程的热力学理论,它 度为零 更有普遍性,更能说明扩散过程的实质。
D0与高分子链长的平方成反比。
在金属、离子和共价晶体小的杂质扩散是由单 个原子或离子穿过点阵进行的,而在非晶态聚合物 区域的相对开放的结构中则整个分子可以穿过点阵 扩散。 在聚合物内扩散分子从一个开放体积区域迁移 到另一个类似的开放体积区域需要能量。像整根热 塑性高分子链迁动一样,杂质在非晶态区域扩散比 在晶态区域快得多。
5
扩散过程的特点 微观特点;原子的热运动和跃迁杂乱无章。 宏观特点:大量原子的跃迁具有统计规律性。如存 在浓度梯度时,会出现物质原子的定向迁移。
6
扩散分类 (1)根据∂C/∂t分类 稳态扩散和非稳态扩散 (2)根据∂C/∂x分类 ∂C/∂x=0 自扩散,在纯金属和均匀合金中进行 ∂C/∂x≠0 互扩散,上坡扩散和下坡扩散 (3)根据扩散途径分类 体扩散、晶界扩散、表面扩散、短程扩散(沿位 错进行的扩散) (4)根据合金组织分类 单相扩散、多相扩散
10
举例
11
扩散激活能的求解:
12
13
三、共价和金属晶体中的扩散机制
多晶体金属中,扩散物质可以沿金属表面、晶 界、位错线发生迁移,分别被称为“表面扩散”、 “晶界扩散”和“位错扩散”,扩散物质也可以在 晶粒点阵内部发生迁移,被称为体扩散。 体扩散。 体扩散是固态金属中最基本的扩散途径,人们 在这方面做了许多工作,先后提出了原子在点阵中 迁移的各种机制,来说明扩散的基本过程。其中最 基本的扩散机制是间隙机制和空位机制。
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离子固体不是有效的电导体,因为离子传输电 荷的能力有限,这与扩散有关,离子固体的电导率 与离子的扩散系数有关。很多离子晶体的扩散资料 是由电导率测量获得的。由于扩散系数是温度和杂 质浓度的函数,那么离子固体的电导率也是这些变 量的强函数。
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五、聚合物中的扩散机制
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D=D0exp(-Q/RT) =
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恒温下扩散系数随分子尺寸增加而降低
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六、菲克(Fick)第二定律 六、菲克(Fick)第二定律
Fick第一定律 Fick第一定律只适用于浓度梯度∂C/∂x不随时间变化的 稳态扩散。 实际上在扩散过程中,扩散方向上各处的扩散物质的 浓度梯度是随时间而变化的,即为非稳态扩散,因此必须在 扩散方程中引入时间参数(即引入∂C/∂t)。
8
Fick第一定律 Fick第一定律
扩散中原子的通量与质量浓度梯度成正比,即:
dC J = −D dx
J为扩散通量,表示单位时间内通过垂直于扩散方向 的单位 为扩散通量,表示单位时间内通过垂直于扩散方向x的单位 为扩散通量 面积的扩散物质质量,其单位为g/(cm2•s); 面积的扩散物质质量,其单位为 ; D为扩散系数,单位为cm2/s; 为扩散系数,单位为 为扩散系数 ; C是扩散物质的浓度,其单位为g/cm3。 是扩散物质的浓度,其单位为 是扩散物质的浓度 式中的负号表示物质的扩散方向与质量浓度梯度方向相反。 式中的负号表示物质的扩散方向与质量浓度梯度方向相反。
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菲克第二定律
∆m = (Jx − Jx−∆x ) A∆t
考虑如图所示的扩散系 统,扩散物质沿x方向通过 J ∆m (J x − Jx−∆x ) ∆ = =− 横截面积为A(=∆y∆z)、长度 x ∆xA∆t ∆x ∆ 为∆x的微元体,假设流入微 ∂C 元体(x处)和流出微元体 ∂J ∆x →0, ∆t →0时 , =− ∂t ∂ (x+∆x处)的扩散通量分别 x dC 为Jx和J J = −D x+∆x,则在∆t时间内 dx 微元体中累积的扩散物质量 ∂C :∂ ∂C ∂2C 为
纯金属和置换固溶体中 纯金属和置换固溶体 溶质原子扩散一般采用空位 机制进行。 空位扩散机制认为由于 晶体中存庄着一定数量的空 位,因此原子的扩散便可通 过不断地跃迁到邻近的空位 而实现。 条件:扩散原子近邻存 条件 在空位并且具有足以越过能 垒的能量。
19
Q D = D0 exp(− ) RT
扩散元素 N C N Fe Fe Ni Mn 基体金属 γ-Fe α-Fe α-Fe α-Fe γ-Fe γ-Fe γ-Fe D0/10-5m2/s 0.33 0.20 0.46 19 1.8 4.4 5.7 Q/103J/mol 144 84 75 239 270 283 277
公式适用范围:只适用于浓度梯度∂C/∂x不 公式适用范围 随时间变化的稳态扩散。
9
扩散系数D 扩散系数D:
D=D0e-Q/RT
D与T成指数关系,随温度的升高,扩散系数急剧 增大。这是因为: 温度升高,借助热起伏,获得足够能量而越过势垒进行 扩散的原子的几率增大。 温度升高空位浓度增大,有利于扩散。
图 原子通过微元体的情况
∂t
=
∂x
(D
∂x
)=D
∂x
2
∆m = (Jx − Jx−∆x ) A∆t
30
对于三维扩散,若各个方向上的扩散系数相同, 对于三维扩散,若各个方向上的扩散系数相同, 则有: 则有
∂2C ∂2C ∂2C ∂C = D 2 + 2 + 2 = D∇2C ∂x ∂t ∂y ∂z
14
15
一般来说, 一般来说 , 空位扩散激 活能Q 活能 v高于 间隙扩散激 活能Q 活能 i 。 因 为前一种机 制要 求的能量包 括空位形成 及原子移人 空位的能量, 空位的能量 , 而后一种情 况的能量仅 是使间隙原 子移入间隙 位置的能量。 位置的能量 。
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1.间隙微观机制 1.间隙微观机制
根据已知条件 确定边界条件 由边界条件 求解erf(β) 求解 β源自求解C37有效渗入距离
有效渗入距离为扩散物质含量具有原始含量与表 面含量平均值的地方。 面含量平均值的地方。
38
39
七、 扩散的热力学分析
Fick定律所涉及的都是高浓度向低浓度扩散的 定律所涉及的都是高浓度向低浓度扩散的 过程,称为顺扩散。 过程,称为顺扩散。 顺扩散 在许多情况下还存在低浓度向高浓度的扩散过 或称为“ 程,称为“逆扩散”(或称为“上坡扩散”)。例 称为“逆扩散” 或称为 上坡扩散” 。 如合金元素在晶界的偏聚、沉淀相的析出等。 如合金元素在晶界的偏聚、沉淀相的析出等。 决定扩散方向的不是浓度梯度,是化学势。 决定扩散方向的不是浓度梯度,
对于各向异性的介质,设在x、 、 三个方向上 对于各向异性的介质,设在 、y、z三个方向上 的扩散系数依次为Dx、 、 ,则有: 的扩散系数依次为 、Dy、Dz,则有:
∂C ∂2C ∂2C ∂2C = Dx 2 + Dy 2 + Dz 2 ∂t ∂x ∂y ∂z
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(二)Fick第二定律的解 )Fick第二定律的解
1. 半无限大厚板
式中C(x,t)为在 时刻距离扩散界面 处的浓度。 为在t时刻距离扩散界面 处的浓度。 式中 为在 时刻距离扩散界面x处的浓度 C0为初始浓度,Cs为表面浓度 饱和值,可以不断补 为初始浓度, 为表面浓度(饱和值 饱和值, 为误差函数。 充,保持恒定)。erf为误差函数。 保持恒定 。 为误差函数
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四、离子晶体中的扩散机制
为了维持电的中性,在离子晶体中扩散必须牵 涉至少两种带电物(离子和带电的空位)。 空位浓度随着杂质的加入而急剧增加,附加空 位对扩散影响的程度取决于这些空位必须紧密地保 留与杂质离子联结的程度。若空位可以自由地从它 取代的杂质原子位置移开,这些空位可以显著地增 加在离子晶体中的扩散速率。
32
33
34
2. 无限长扩散偶的扩散
图 无限长扩散偶中的溶质原子分布
35
将两根溶质原子浓度分别是C1 和C2、横截面积和浓度均匀的金属 棒沿着长度方向焊接在一起,形成 无限长扩散偶,然后将扩散偶加热 到一定温度保温,考察浓度沿长度 方向随时间的变化。 将焊接面作为坐标原点,扩散 沿x轴方向,列出扩散问题的初始 条件和边界条件分别为: t=0时: = 时 t≥0时: 时
7
二、扩散的物理描述(Fick第一扩散定律) 二、扩散的物理描述(Fick第一扩散定律)
影响原子移动的速率( 影响原子移动的速率(即扩散速 率)的因素? 的因素?
两个面之间的浓度差C1-C2。若浓度 差增加,则扩散流量增加。 原子的跳动距离∆x(取决于晶体结 ∆x( 构)。若跳动距离减小,则扩散流量 增加。 原子试图从一个面到另一面的跳动 频率(是温度的指数函数)。若跳动频 率增加,则扩散流量增加。
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当浓度梯度的方向与化学势梯度方向一致时, 当浓度梯度的方向与化学势梯度方向一致时,溶 质原子就会从高浓度地区向低浓度地区迁移, 质原子就会从高浓度地区向低浓度地区迁移,产生所 顺扩散” 能使成分趋向均匀, 谓“顺扩散”,能使成分趋向均匀,铸锭均匀化退火 就是产生这种形式的扩散。 就是产生这种形式的扩散。 但是, 但是,当浓度梯度方向与化学势梯度方向不一致 时,溶质原子就会朝浓度梯度相反的方向迁移,即从 溶质原子就会朝浓度梯度相反的方向迁移, 低浓度地区向高浓度地区进行所谓“逆扩散” 低浓度地区向高浓度地区进行所谓“逆扩散”,使合 金发生区域性的不均匀。 金发生区域性的不均匀。 例如在共析分解和过饱和固溶体的分解过程中, 例如在共析分解和过饱和固溶体的分解过程中, 同类原子的聚集可显著降低系统自由能…… 同类原子的聚集可显著降低系统自由能
《材料科学基础》 材料科学基础》
第四章
点缺陷和扩散 (2)
1
一、扩散实例 二、扩散的物理描述(Fick第一扩散定律) 三、共价和金属晶体中的扩散机制 四、离子晶体中的扩散机制 五、聚合物中的扩散机制 六、菲克(Fick)第二定律 七、扩散的热力学分析 八、影响扩散的因素