第5章固体中的缺陷 《材料科学与工程基础》
《固体中的点缺陷》课件
总结
点缺陷的重要性
点缺陷对材料的性质和性能具有重要影响。
对未来的展望
深入研究固体中的点缺陷将有助于开发更优质的材 料和应用。
1
密封技术
使用密封技术可以将点缺陷修复或减少其对材料性能的影响。
2
补充材料技术
通过添加补充材料，可以填补点缺陷并提高固体的性能。
点缺陷的应用
1 光电器件中的应用
点缺陷可以影响光电器件的光吸收、发射和传导性能。
2 半导体材料中的应用
半导体材料中的点缺陷可以调节导电性和能带结构。
3 电池材料中的应用
点缺陷可以影响电池材料的电子传导和离子扩散性能。
间隙缺陷
间隙缺陷指晶体中有其他原子 占据了晶格点之外的间隙位置。
气泡缺陷
气泡缺陷是由气体被困在晶体 中形成的缺陷。
点缺陷的检测
电子显微镜检测
使用电子显微镜可以观察和分析固体中的点缺陷。
吸收光谱技术
通过测量材料吸收光谱可以得出点缺陷的存在和性质。
散射技术
散射技术可以揭示固体中的点缺陷的位置和结构。
点缺陷的修复
点缺陷的形成原因
点缺陷的形成可以是热力学和动力学过程，例如晶体生长、化学反应和辐射暴露。
点缺陷的影响
1 对物理性质的影响
点缺陷可以影响固体的导电性、热导性、磁性和光学性质。
2 对材料性能的影响
点缺陷可能影响材料的机械强度、耐腐蚀性和化学稳定性。
点缺陷的分类
空位缺陷
空位缺陷指晶体中出现了空缺 的晶格点。
《固体中的点缺陷》PPT 课件
欢迎来到《固体中的点缺陷》PPT课件！本课程将深入探讨固体中的点缺陷， 包括其概述、影响、分类、检测、修复和应用。让我们一起开始探索这个有 趣的主题吧！
《材料科学基础》练习题集01
《材料科学基础》复习题第1章原子结构与结合键一、判断题：4、金属键具有明显的方向性和饱和性。
（ F）5、共价键具有明显的方向性和饱和性。
（ T）6、组成固溶体的两组元完全互溶的必要条件是两组元的电负性相同。
两组元的晶体结构相同（ F）7、工程材料的强度与结合键有一定的关系，结合键能越高的材料，通常其弹性模量、强度和熔点越低。
（F）8、晶体中配位数和致密度之间的关系是配位数越大，致密度越小。
（F ）二、选择题：1、具有明显的方向性和饱和性。
A、金属键B、共价键C、离子键D、化学键2、以下各种结合键中，结合键能最大的是。
A、离子键、共价键B、金属键C、分子键D、化学键3、以下各种结合键中，结合键能最小的是。
A、离子键、共价键B、金属键C、分子键D、化学键5、已知铝元素的电负性为1.61，氧元素的电负性为3.44，则Al2O3中离子键结合的比例为。
A、28%B、45%C、57%D、68%6、以下关于结合键的性质与材料性能的关系中，是不正确的。
P54A、结合键能是影响弹性模量的主要因素，结合键能越大，材料的弹性模量越大。
B、具有同类型结合键的材料，结合键能越高，熔点也越高。
C、具有离子键和共价键的材料，塑性较差。
D、随着温度升高，金属中的正离子和原子本身振动的幅度加大，导电率和导热率都会增加。
（应该是自由电子的定向运动加剧）7、组成固溶体的两组元完全互溶的必要条件是。
A、两组元的电子浓度相同B、两组元的晶体结构相同C、两组元的原子半径相同D、两组元电负性相同11、晶体中配位数和致密度之间的关系是。
A、配位数越大，致密度越大B、配位数越小，致密度越大C、配位数越大，致密度越小D、两者之间无直接关系三、填空题：2、构成陶瓷化合物的两种元素的电负性差值越大，则化合物中离子键结合的比例越大。
3、体心立方结构的晶格常数为a，单位晶胞原子数为 2 、原子半径为a ，配位数为 8 。
4、面心立方结构的晶格常数为a ，原子半径为 a ，配位数为 12 。
固体缺陷 书
固体缺陷书【原创版】目录1.固体缺陷的定义和重要性2.固体缺陷的类型3.固体缺陷的产生原因和影响4.固体缺陷的检测和预防方法5.固体缺陷在实际应用中的案例分析正文一、固体缺陷的定义和重要性固体缺陷是指在固态材料中存在的结构不完整、几何形状异常或物理性质异常的区域。
这些缺陷会对材料的性能产生不利影响，如降低强度、韧性和疲劳寿命，导致材料在使用过程中出现失效。
因此，研究固体缺陷对于提高材料的质量和可靠性具有重要意义。
二、固体缺陷的类型固体缺陷主要分为以下几类：1.点缺陷：包括空位、间隙和替位等，是原子层面上的缺陷。
2.线缺陷：包括位错、双晶界和反相界等，是晶体结构中的线状缺陷。
3.面缺陷：包括晶界、相界和位错环等，是晶体结构中的面状缺陷。
4.体缺陷：包括孔洞、夹杂和裂纹等，是材料中的体积缺陷。
三、固体缺陷的产生原因和影响固体缺陷的产生原因很多，包括材料制备过程中的不均匀成分、温度和应力分布，以及使用过程中的外力作用、腐蚀和疲劳等。
这些缺陷会对材料的性能产生不利影响，如降低强度、韧性和疲劳寿命，导致材料在使用过程中出现失效。
四、固体缺陷的检测和预防方法为了确保材料的质量和可靠性，需要对固体缺陷进行检测和预防。
常见的检测方法包括 X 射线衍射、电子显微镜和磁力探伤等。
预防方法主要包括合理控制材料制备过程中的参数，优化热处理和加工工艺，以及采取适当的使用和维护措施等。
五、固体缺陷在实际应用中的案例分析在实际应用中，固体缺陷可能导致材料失效，造成严重后果。
例如，在航空航天、核能和汽车等领域，由于材料缺陷导致的事故屡见不鲜。
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《固体中的点缺陷》PPT课件
/2 L 2 O ( i 1 ) N / i 4 O O 2 L N 1 i O i
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36
杂质缺陷
• 为保持电中性，每引入一个Li+，则相应的
有一个Ni2+被氧化为Ni3+，最后形成的化合
物可以表示为：LiN3iN12iO
•
存在的缺陷为：Li
' Ni
和
Ni
• Ni
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8
具有刃位错的点阵图
螺型位错：晶面的生长并未中断，但是它是斜面地 绕着一根轴线盘旋生长起来的，每绕轴线盘旋一圈， 就上升一个晶面间距，这种缺陷叫做螺型位错.
具有螺位错的点阵图 Q是滑移面
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9
二维缺陷(面缺陷)
二维缺陷
小角晶粒间界 孪晶界面 堆垛层错
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10
晶粒间界
多晶体： 每一个晶粒是一个单晶体，许多单晶 颗粒体组成的固体叫多晶体。
理想的晶体除了可以作为理论模型之外， 在技术上没什么用处
偏离理想的不完善的晶体，一些结构和组成中 存在有某些缺陷的晶体，具有重要的理论意义 和实际价值。
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2
固相中的化学反应只有通过缺陷的运动（扩散） 才能发生和进行，晶体中的缺陷决定着固体物质 的化学活性，而且各种缺陷还规定了晶体的光学、 电学、磁学、声学、力学和热学等方面的性质， 可以使晶体构成重要的技术材料。
Ti
' Ti
• 生成物的组成可以写为：
LaB1 aT3 iT14 iO 3
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35
杂质缺陷
• 例二：利用掺在过程必须遵循电中性原则， 制备具有指定载流子浓度的材料。
• NiO：淡绿色绝缘体，掺入少量Li2O后，为
本科课程《材料科学与工程基础》教学大纲 (1)
四川大学本科课程《材料科学与工程基础》教学大纲一、课程基本信息课程名称（中、英文）：《材料科学与工程基础》（FUNDAMENTALS OF MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING）课程号（代码）：30014530课程类别：专业基础课学时/学分：48 /3先修课程：大学化学、大学物理、物理化学适用专业：高分子材料与工程等二级学科材料类专业开课时间：大学二年级下期二、课程的目的及任务材料科学与工程是二十世纪六十年代初期创立的研究材料共性规律的一门学科，其研究内容涉及金属、无机非金属和有机高分子等材料的成分、结构、加工同材料性能及材料应用之间的相互关系。
材料科学、材料工业和高新技术的发展要求高分子材料与工程等二级学科材料类专业的学生必须同时具备“大材料”基础和“中材料”专业的宽厚知识结构。
本课程是材料类专业的学科基础课程，是联系基础课与专业课的桥梁。
本课程从材料科学与工程的“四要素”出发，采用“集成化”的模式，详细讲授金属材料、无机非金属材料、高分子材料、复合材料等各种材料的共性规律及个性特征。
使学生建立材料制备/加工——组成/结构——性能---应用关系的“大材料”整体概念，从原理上认识高分子材料等各种材料的基本属性，及其在材料领域中的地位和作用。
为以后二级学科“中材料”专业课程的学习、材料设计、以及材料的应用等奠定良好基础。
本课程采用中文教材与英文原版教材相结合，实施“双语”教学。
使学生通过本课程的学习，熟悉材料科学与工程领域的主要英文专业词汇，提高对英文教材的阅读理解能力。
三、课程的教学内容、要点及学时分配（以红字方式注明重点难点）第一章绪论（1学时）本章概要：简要介绍材料的定义及分类，材料科学与工程的基本内容。
使学生了解本课程的学习内容和学习方法。
讲授要点：材料的定义、分类材料科学与工程的定义、性质、重要性（举例）课程学习的目的、方法、要求第二章材料结构基础（15学时）本章概要：按照从微观到宏观、从内部到表面、从静态到动态、从单组分到多组分的顺序，阐述原子电子结构、原子间相互作用和结合方式，固体内部和表面原子的空间排列状态、聚集态结构的有序性、无序性和转变规律及相互关系。
第五章结构缺陷及固溶体 PPT
X
X M+
X M+ X M+
M+ X M+ X
M+
M+ X
X M+ X M+
Hale Waihona Puke X M+ X M+
正离子空位
负离子空位
大家好
6
材料科学基础
2）填隙质点：
原子或离子进入晶体中正常结点之间的间隙位置， 成为填隙原子（或离子）或间隙原子（或离子）。
从成分上看，填隙质点可以是晶体自身的质点， 也可以 是外来 杂质的 质点。
大家好
17
材料科学基础
例题：
大家好
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材料科学基础
⑤ 自由电子 e 及电子空穴 h•；
⑥ 带电缺陷：
不同价态的离子之间的替代就出现带电缺陷。
如 Ca2+ 取代 Na+ 形成
C
a
• N
a
Ca2+ 取代 Zr4+ 形成
Ca
'' Zr
⑦ 缔合中心：
一个带电的点缺陷与另一个带相反电荷的点缺陷相互
缔合形成一组或一群新的缺陷，它不是原来两种缺陷的中
“ ”表示有效负电荷，用“ ”表示有效零电荷， 零电荷可以省略不标。
大家好
15
材料科学基础
① 空位：V
VM —— M 原子空位 VX —— X 原子空位
在金属材料中，只有原子空位。
对于离子晶体，
V
'' M
—— 正离子空位
V
• X
•
—— 负离子空位
VM '' VM2e' VX •• VX2h•
顾宜《材料科学与工程基础》课后题答案
顾宜《材料科学与工程基础》课后题答案第一章：引言1.1 材料科学与工程基础的重要性材料科学与工程基础是现代工程领域不可或缺的一门基础课程。
它包括了材料科学与工程学科的基本原理和方法，为后续学习和研究提供了必要的基础知识。
材料是任何工程的基础，它在各个领域中都扮演着重要角色，如机械工程、电子工程、航空航天工程等。
因此，熟悉材料的结构、性质和应用对于工程师来说至关重要。
1.2 材料科学与工程基础的学习目标材料科学与工程基础的学习目标如下： - 理解材料的基本概念和分类方法； - 掌握材料制备、表征和性能分析的基本技术； - 理解不同材料的特性和应用； - 开发解决材料工程问题的能力。
第二章：晶体结构与晶体缺陷2.1 晶体的结构晶体是由原子、离子或分子按照一定的排列方式组成的长程有序固体结构。
晶体的结构可以通过晶体的晶胞来描述，晶胞是最小的重复单元。
2.2 晶体的缺陷晶体的缺陷指的是在晶体结构中存在的不完整或不规则的区域。
晶体的缺陷可以分为点缺陷、线缺陷和面缺陷三种类型。
点缺陷包括空位、插入原子和替代原子等。
线缺陷包括位错和脚位错。
面缺陷包括晶界和层错。
第三章：物理性能与力学性能3.1 物理性能物理性能是指材料的一些基本物理特性，如密度、热导率、电导率等。
物理性能的好坏对材料的应用和工程设计具有重要影响。
3.2 力学性能力学性能是指材料在力学作用下的表现。
常见的力学性能包括强度、硬度、韧性、可塑性等。
力学性能的好坏决定了材料在工程中的使用范围和耐久性。
第四章：金属材料4.1 金属的结构与特性金属是指电子云密度较大、以金属键连接的材料。
金属的结构特点是具有密堆结构和离域电子特性。
4.2 金属的物理性能与力学性能金属材料具有良好的导电性、导热性和延展性，对磨损和腐蚀有较好的抵抗能力。
金属材料的力学性能受材料的组织和处理方式的影响。
第五章：陶瓷材料与玻璃材料5.1 陶瓷材料的分类与特性陶瓷材料是以非金属元素为主要成分的材料，分为晶体陶瓷和非晶态陶瓷两大类。
第五章结构缺陷及固溶体ppt课件
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注意：
1）位置关系强调形成缺陷时，基质晶体中正负离子格点数 之比保持不变，并非原子个数比保持不变。 2）在上述各种缺陷符号中，位于正常格点上，对格点数的 多少有影响，而不在正常格点上，对格点数的多少无影响。 3）形成缺陷时，基质晶体中的原子数会发生变化，外加杂 质进入基质晶体时，系统原子数增加，晶体尺寸增大；基
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材料科学基础
练习: 写出Al2O3 溶解到MgO晶格内形成有限
型置换固溶体的缺陷反应式。
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27
5.2 固溶体 （Solid solution, ss）
5.2.1 概述 凡在固体条件下，一种组分（溶剂）内“溶解”
了其它组分（溶质）而形成的单一、均匀的晶态固体 称为固溶体。可以在晶体生长过程中生成，也可以从 溶液或熔体中析晶时形成，还可以通过烧结过程中由 原子扩散而形成。
固溶体和化合物的区别
固溶体：组成可在一定范围内波动；溶质不破
坏主晶相的晶体结构；局部的微不均匀性。
化合物：化合物的结构不同于任何一个组元，
而有其特定的结构；精选相PPT均课件匀的。
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意义： 采用固溶体原理来制备或开发各种新的
材料，满足科技的发展对材料性能提出的特
殊性要求.
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32
材料科学基础
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3
5.1 点缺陷（零维缺陷）
缺陷尺寸处于原子大小的数量级上，即三维方向 上缺陷的尺寸都很小。
包括空位（vacancy)，间隙质点(interstial particle)，杂质质点(foreign particle)，
点缺陷与材料的电学性质，光学性质，材料的高 温动力学过程等有关。 在无机材料中最基本和最重要的是点缺陷。
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第5章固体中的缺陷为什么要学习固体中的缺陷某些材料的性质受到存在于材料中的缺陷的极大影响。
因此、知道存在于材料中缺陷的类型，以及它们在影响材料性质中的作用是很重要的。
例如、纯金属的力学性质经过合金化以后（即加入杂质原子）会发生很大变化——例如、标准银合金（含银92.5％，含铜7.5％）比纯银更硬更强（8.10节）。
而且，在我们的计算机、计算器和家用功能的集成微电子设备是通过在半导体材料上引入高度可控的杂质浓度和定域化掺杂获得的（12.11节）。
学过这一章后，你应当掌握以下内容：1. 描述空位和自间隙晶体缺陷。
2. 已知相关常数，计算某特定温度下材料中的平衡空位数。
3. 两种类型的固溶体的书面定义和图示表达。
4. 陶瓷化合物中几种不同的点缺陷。
5. 已知合金中组元的质量和原子量，计算每种元素的质量百分浓度和原子百分浓度。
6. 对于刃型、螺型和混合型位错中的每一种：（a ） 描述和画出位错；（b ） 注意位错线的位置；（c ） 指出位错线延伸的方向。
7. 描述（a ）晶界和（b ）孪生晶界附近的原子结构5.1 引言对于晶体固体材料，我们默认在材料内部原子级水平上排列完全有序。
然而这种理想固体是不存在的；所有固体都存在大量的各种缺陷。
事实上材料的许多性质都很深地受到材料中缺陷程度的影响；这种影响不总是有害的，人们常常通过有意识的引入缺陷和控制缺陷的量来获得特殊性质的材料，详细情况在下面的章节中要介绍。
“晶体缺陷”意味着在原子大小范围晶格不规则。
晶体缺陷的分类通常按照缺陷区的几何形状和大小。
这一章要讨论几种不同的缺陷，包括点缺陷（尺寸与一两个原子大小相近），线缺陷（一维缺陷），以及面缺陷，即界面，是二维缺陷。
也要讨论如果在某一方向上缺陷区的尺寸可以与晶体或晶粒的线度相比拟，而在其它方向上的尺寸相对于晶体或晶粒线度可以忽略不计，那么这种缺陷就称为线缺陷或位错，这是本章要着重讨论的缺陷…(3)面缺陷如果在共面的各方向上缺陷区的尺寸可与晶体或晶粒的线度相比固体中的杂质，因为杂质原子也可能以点缺陷的形式存在。
{最后，简要叙述显微测量缺陷的技术和材料的结构。
}点缺陷5.2 金属中的点缺陷最简单的点缺陷是空位,即空的晶格位。
通常在一个原子原来占据的地方变成了空位（图 5.1）。
所有晶体固体都含有空位，事实上，不可能阻止材料中没有空位这种缺陷。
空位存在的必然性可以用热力学原理来解释；实质上、空位的存在增加了晶体中的熵（无序性）。
一定量的材料中的平衡空位数Nv 随温度而增加，具有如下关系： )exp(kTQ N N v v -= （5.1）式中，N 是总的原子数，v Q 是形成空位所需要的能量，T 是绝对温度，k 是气体常数或波尔兹曼常数，取值取决于v Q 的单位。
v Q 的单位为焦耳时，k 为1.38*10-23J/atom-K,当v Q 的单位为电子伏特时，k 为8.62*10-5eV/atom-K 。
因此，空位数随温度成指数增加。
对大多数金属，空位分数N N v /在略低于熔点的时候是10-4数量级，也就是说，在10000个位置中有一个是空的。
正如以上讨论指出的，其他材料的空位数也有类似于公式5.1的关系。
自间隙是晶体中的一个原子挤入到原来并没有原子占据的很小的间隙位置中去的情况。
这种情况也表示在图5.1中。
对于金属材料，自间隙会引起周围晶格的较大变形，因为原子比间隙的空间要大得多。
因此这种情况并不多见，它仅仅以很小的浓度，即远低于空位的浓度出现。
例5.15.3 陶瓷中的点缺陷原子点缺陷陶瓷化合物也存在点缺陷。
象金属一样，空位和间隙都是可能的；可是由于陶瓷材料至少含有两类离子，每种离子都可能形成缺陷，例如在NaCl 中，Na 离子间隙和空位以及Cl 离子间隙和空位都可能存在。
知道阴离子间隙的精确浓度不太可能。
阴离子相对较大，要填入到较小的间隙中需要额外的应力排开周围的离子。
图5.2画出了阴离子和阳离子空位，以及阳离子间隙。
陶瓷中缺陷的表示通常通过指定原子的类型和点缺陷浓度。
由于原子以带电的离子出现，当考虑缺陷结构的时候，必须考虑电中性的要求。
电中性是材料中离子所带的正负电荷总数相等。
因此、陶瓷中的缺陷不会单独发生。
一种缺陷类型是阳离子空位和阴离子间隙对。
这种缺陷叫做弗兰克尔缺陷（图 5.3）。
可以认为是阳离子离开它的晶格位置进入间隙位置形成的。
电荷没有发生变化，因为阳离子在间隙中仍然带正电。
另一种类型的点缺陷是AX 型化合物中发现的阳离子空位－阴离子空位对，叫做肖特基缺陷，也画在图5.3中。
认为这种缺陷是把材料内部的一个阳离子和一个阴离子移动到材料的外表面形成的。
因为阳离子和阴离子有相等的电荷，有一个阴离子空位便存在一个阳离子空位，整个材料维持电中性的要求。
无论肖特基缺陷和弗兰克尔缺陷都不会改变阳离子与阴离子的比值。
如果没有其他缺陷存在，这时材料为化学计量关系，化学计量是化合物中的阴阳离子精确按照化学式的比例关系取值。
如NaCl 化学计量为：阴阳离子比为1:1，如果偏离这一比值，我们就把这种化合物称为非化学计量的。
非化学计量在某些陶瓷材料中是存在的，若材料中含有某种具有两种价态的离子时。
氧化铁就是这样一种材料，因为铁可以二价和三价形式存在；这两种价态的任意一种离子的数量取决于温度和氧气压力。
由于Fe 3+的形成引入多余的一个正电荷，破坏了原材料的电中性，必须由某种缺陷形式进行弥补。
当每形成两个Fe 3+就可能形成一个Fe 2＋空位（或移去两个正电荷）（图5.4）。
晶体这时不再是化学计量的，因为有多余的一个氧离子，但是晶体保持电中性。
这种现象在铁氧化物中非常普遍，事实上，它的化学式常写成Fe 1-x O(这里x 是小于1的可变的分数。
5.4 固体中的杂质金属中的杂质自然界只由一种原子组成的纯金属是不存在的，杂质即外来原子总是有，一些以点缺陷的形式存在。
事实上，即使采用相当复杂的技术，也很难把金属提纯到99.9999%以上，就是在这样高的纯度下，在一立方米材料中也含有1022-1023的杂质原子。
工程上应用的大多数金属都不是高纯的，而是合金，人们有意加入一些杂质原子以改善金属的力学性质和耐腐蚀特性。
例如Sterling银是含银92.5%，含铜7.5%的银合金。
在通常情况下，高纯银耐腐蚀性好，但是很软。
加入铜合金化以后大大改善了银的力学强度，也没有损害它的耐腐蚀性能。
杂质原子加入到金属中会导致固溶体和二次相的形成，这取决于杂质种类、它们的浓度和合金的温度。
这里只讨论固溶体，新相放在第10章讨论。
一些有关杂质和固熔体的概念要说明。
至于合金，通常用溶质和溶剂来表示量的关系，溶剂是大量存在的元素或化合物，溶剂原子也叫做主体原子。
溶质则是以微量或少量存在的元素或化合物。
固溶体固溶体是外来的溶质原子加入到溶剂材料中，晶体结构不变，没有新结构产生的一类物质。
也许用液体溶液来说明是有助于理解。
如果两种互相溶解的液体（例如水和酒精）混合，就会产生分子混合的完全均匀的一种液体。
与溶液类似，固溶体中的杂质原子也随机均匀的分散在固体中。
固溶体中的杂质点缺陷有两种形式：即置换型和间隙型固溶体。
置换型固溶体是杂质原子取代溶剂原子形成的（图 5.5）。
溶质原子能否取代溶剂原子形成置换型固溶体具有以下规则：1.原子大小因素只有原子半径相近，即溶质和溶剂原子半径的差值不超过15%，才可能形成置换型固溶体，否则会产生额外的晶格缺陷或生成新相。
2.晶体结构溶质和溶剂原子的金属晶体结构必须相同。
3.电负性更为电负性的原子与更为电正性的原子很可能形成金属间化合物而不是置换型固溶体。
4.价态其他因素相同，具有较高化合价的金属会溶解其他较高化合价的金属而不是较低化合价的金属。
置换型固溶体的一个典型例子是铜和镍形成的固溶体。
这两种元素可以任意比例完全互溶。
上面提到的规则也完全符合。
铜和镍的原子半径分别为0.128和0.125nm，金属铜和镍都为面心立方结构，它们的电负性分别为1.9和1.8（图2.7）；最后，铜的最常见化合价为+1（有时也可为+2），镍的化合价为+2。
间隙型固溶体杂质原子填充在主体原子的空隙中（见图 5.5）。
对于金属材料具有相当高的致密度，间隙空间很小。
因此间隙杂质原子的半径应比主体原子半径小。
通常允许的间隙杂质原子浓度是较低的（小于10%）。
即便是很小的间隙原子通常半径也大于间隙空位，因此它们会对相邻的主体原子施加晶格应力。
（题5.9）碳加入到铁当中会形成间隙型固溶体；碳的最大浓度为2%。
碳的原子半径远小于铁，为0.071nm，而铁为0.124nm。
陶瓷中的杂质象金属材料一样，杂质原子可在陶瓷材料中形成固溶体。
间隙型和取代型两种固溶体都是可能的，对间隙型固溶体杂质离子的半径必须小于阴离子半径，对于置换型固溶体置换离子的电性质与被置换离子的电性质要相同，如果杂质原子是阳离子，它最可能占据阳离子空位。
为了得到置换型固溶体，杂质离子的半径和电荷应与被置换的离子或空位尽量一致。
例如钙和氧离子很可能分别取代钠离子和氯离子。
图5.6中画出了阳离子和阴离子置换型和间隙型杂质。
为了使置换型杂质原子获得一定的固溶度，离子大小和电荷应当与被置换的主体离子尽可能一致。
如果杂质离子与被置换的主体离子电荷不同，晶体必须补偿这种差异以满足固体电中性的要求。
正如上面讨论的，一种补偿方式是形成晶格缺陷——即上面谈到的离子型的间隙或空位。
聚合物中的点缺陷应当注意由于聚合物的链状结构和结晶形态，聚合物中的缺陷与陶瓷和金属中的形式是不相同的。
聚合物结晶区材料中的点缺陷类似于金属，包括空位和间隙原子或离子。
链末端认为是一种缺陷，因为它们在化学上与单元链有所不同，空位也与链末端有关。
杂质原子/离子或原子团/离子团可以作为中间杂质参与分子结构中，它们也可以主链和短支链形式进入聚合物的分子结构。
5.6成份的表示常常有必要按照合金的元素组成表示成分（或浓度）。
两种表示浓度最普通的形式是质量百分浓度和原子百分浓度。
质量百分浓度（wt%）是某种金属元素的质量除以合金的总质量。
如含有元素1和元素2的质量百分浓度表达式为：（5.3）式中m1、m2分别表示两种元素的质量。
元素2的浓度可以按照类似的方法计算。
原子百分浓度（at%）的计算是某种金属元素的摩尔数除以合金的总摩尔数。
具有某特定质量的元素的摩尔数nm1可按下式计算：（5.4）式中m1’和A1分别为元素1的质量和原子量。
含有元素1和元素2的合金中元素1的原子百分浓度表达式为：（5.5）以类似方法可以得到元素2的原子百分浓度。
原子百分浓度也可用原子数而不是摩尔数来计算，因为所有物质的每摩尔的原子数是相同的。
其他形式的缺陷5.7 位错-线缺陷位错是线缺陷即一维缺陷，在位错线附近原子发生错排。