模电期末考复习
模电期末复习总结
期末考试总结
1.掌握共发射极放大电路组成，各部分功能。
会计算静态工作点、画交流等效
电路，动态参数求解，最大不失真电压求解，如何稳定静态工作点。
2.掌握差动放大电路组成及功能，静态工作点的求取，动态参数的求取，明确
知道共模电压及差模电压的求法，会计算共模抑制比等参数。
3.掌握叠加法与虚短虚断法，解决运算放大器运算问题，
4.掌握，反馈类型的判断，与反馈的作用，会用虚短虚断方法或反馈系数法求
解反馈电压放大倍数；
5.掌握功率放大器的分类，静态参数及Uom，Pom，效率的求解方法；
6.掌握直流稳压电源的各部分组成及功能，会计算输出电压的变化范围。
7.掌握电压比较器的阈值以及电压传输特性的划分
8.掌握根据三极管三极电压判断管脚方法，掌握二极管的单向导通特性，掌握
场效应管静态及动态参数的求取方法。
深入理解杂质半导体的原理及性能。
9.其他各章节知识点。
模电期末复习提纲
期末复习提纲一、复习大纲：第一章绪论1.基本要求1．了解信号、频谱、模拟电路与数字电路等一些基本概念。
2．理解电压放大电路、电流放大电路、互阻放大电路和互导放大电路的基本概念，理解放大电路的模型。
3．掌握放大电路的输入电阻、输出电阻、增益、通频带等主要性能指标。
2.重点：电压放大电路、电流放大电路、互阻放大电路和互导放大电路的输入电阻、输出电阻、增益及每种电路的应用场合第二章运算放大器1.基本要求1）了解集成运放电路的组成及成为线性电路的条件。
2）熟练掌握运用虚短和虚断的概念来分析基本运放电路。
3）熟练掌握比例、加减、积分运算电路。
2.重点：虚短和虚断的概念，理想运放所组成的电路的分析方法，并结合比例、加减、积分运算电路理解如何分析。
（大题出题点）。
第三章二极管及其基本电路1.基本要求1．了解本征半导体、空穴及其导电作用，2．理解P型半导体和N型半导体中的多子与少子及其决定因素以及与本征半导体导电的区别3．了解PN结的形成，掌握PN的单向导电性和V-I特性，理解PN结的反向击穿现象4．了解半导体二极管的结构，掌握它的V-I特性曲线。
5．掌握二极管的正向V-I特性建模，并会分析和计算由二极管组成的不同电路。
（P78-P81这4点应用）6．掌握稳压管工作特性，并分析常用的稳压电路，了解其它的特殊二极管。
2.重点：二极管V-I特性，二极管电路的分析与计算（出中大题点）。
第四章双极结型三极管及其放大电路基础1.基本要求1．了解BJT结构，理解电流分配与放大作用，各极电流间的关系，掌握BJT的输入、输出特性曲线和主要参数。
注意αβ的定义式及其应用2．理解共射极放大电路的工作原理。
3．理解用图解法来分析放大电路的静态工作点和动态工作情况。
（注意静态工作点设置与失真问题）4．掌握用小信号模型法分析共射电路的电压增益、输入电阻和输出电阻。
5．理解温度对静态工作点的影响，掌握射极偏置电路能稳定Q点的工作原理。
6．理解用小信号模型来分析共集电极电路和共基极电路的分析，并能对三种基本组态电路进行比较。
模拟电路期末重点总结
模拟电路期末重点总结一、基本概念1. 信号与信号描述的方式2. 模拟电路的基本组成部分3. 模拟电路中的基本元件：电阻、电容和电感4. 基本电路定律：欧姆定律、基尔霍夫定律5. 模拟电路的常见信号源：直流电源、交流电源、信号发生器等二、放大器及其应用1. 放大器的基本原理和分类2. 放大器的频率响应：通频带、增益带宽积、截止频率3. 常见放大器电路：共基极放大器、共射极放大器、共集电极放大器4. 放大器的非线性失真及其衡量方法5. 放大器的稳定性分析与补偿方法6. 放大器的应用：功率放大、差分放大器、运算放大器等三、滤波器1. 滤波器的基本原理和分类2. 滤波器的频率响应：通频带、截止频率、衰减特性、相位特性3. 一阶滤波器：低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器、带阻滤波器4. 二阶及以上滤波器：巴特沃斯滤波器、切比雪夫滤波器、椭圆滤波器5. 滤波器的设计：选择频率响应、元件参数计算、频率响应曲线绘制等四、反馈与稳定性1. 反馈的基本概念和分类2. 反馈电路的基本特性：增益、输入阻抗、输出阻抗3. 反馈网络的分析方法：开环增益、闭环增益、反馈系数、传输函数4. 反馈对电路性能的影响：增益稳定、频率稳定、阻抗稳定5. 反馈的设计与应用：选择反馈类型、计算反馈网络参数、稳定性分析等五、振荡器与信号发生器1. 振荡器的基本概念和分类2. 反馈振荡器的工作原理和条件3. 原型振荡器电路：震荡频率计算、电路稳定性分析4. 信号发生器的基本原理和常见电路：正弦波发生器、方波发生器、脉冲发生器等5. 信号发生器的电路设计与参数计算六、功率放大器与运算放大器1. 功率放大器的基本概念和应用领域2. A类、B类、AB类功率放大器的工作原理和特点3. 放大器的功率分配：效率和最大功率输出4. 运算放大器的基本概念和特性5. 运算放大器的基础电路：反相放大器、非反相放大器、加法器等6. 运算放大器的应用：积分器、微分器、比较器、滤波器等七、混频器与调制解调器1. 混频器的基本原理和分类2. 混频器的输入输出特性：转移函数、幅频特性、相频特性3. 调制解调器的基本原理和应用：AM调制解调、FM调制解调、PM调制解调4. 调制解调器的电路实现：调幅电路、调频电路、解调电路等八、特殊用途电路1. 比较器的基本原理和应用2. 电压源的设计与应用3. 倍压电路和反相器：电压倍增电路、反相放大电路等4. 电流源和电流镜电路：恒流源、恒流电桥等5. 电流传感器的电路设计和应用在模拟电路的学习中，我们需要掌握模拟电路的基本概念和基本组成部分，了解模拟电路中的基本元件和基本电路定律。
模拟电子技术期末复习试题及答案
《模拟电子技术》期末复习试题及参考答案一、填空题（每空1分，共32分）1、自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。
2、PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（），反偏时（）。
3、扩展运动形成的电流是（）电流，漂移运动形成的电流是（）。
4、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成开断。
5、场效应管的漏极电流I D=( ),所以它是（）控制文件。
6、当温度升高时三极管的集电极电流IC（），电流放大系数β（）。
7、为了提高三极管放大电路的输入电阻，采用（）负反馈。
为了稳定输出电流，采用（）负反馈。
8、负反馈使放大电路增益（），但（）增益稳定性。
9、（）称为负反馈深度，其中F=( ),称为（）。
10、差模信号是大小（），极性（），差分电路不抑制（）漂移。
11、甲乙类互补功率放大器，可以消除（）类互补功率（）失真。
12、用低频信号去改变高频信号的（）称为调幅，高频信号称为（）信号。
13、当频率升高时，晶体管电流放大系数（）共基极电路比共射极电路的高频特性（），fδ=（）fβ14、振荡电路的平衡条件是（），正反馈才能保证振荡电路的（）。
15半波整流电路电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（）。
二、选择题（每空2分，共30分）1、三端集成稳压器CW7906的输出电压是（）A -6VB -9vC -12v2、测得某电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极管的三个电极分别是（），该管是（）型。
A (E、B、C) B(B、C、E) C(B、E、C) D(PNP) E(NPN)3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。
共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。
A 饱和B 截止C交越D频率4、差分放大电路是为了（）而设置的。
A稳定Au B放大信号 C抑制零点漂移5、K MCR是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（）能力。
模拟电子技术期末考试复习要点
模拟电子技术期末考试复习要点第一章晶体二极管1、杂质半导体P型半导体：多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子；N型半导体：多数载流子是自由电子，少数载流子是孔穴；2、PN结形成的物理过程；伏安特性：正向特性：外加正向电压即正偏，空间电荷区变窄（或变薄），形成较大的正向扩散电流。
反向特性：外加反向电压即反偏，空间电荷区变宽（或变厚），形成很小的反向漂移电流；击穿特性：稳压二极管；3、晶体二极管主要特性：单向导电性。
当外加电压大于导通电压时，晶体二极管导通；当外加电压小于导通电压时，晶体二极管截止。
模型：简化电路模型（理想模型、恒压降模型）；电路分析方法：简化分析法（估算法、画输出信号波形方法）；应用：整流电路、限幅电路；（重点）作业：P45：1-15、1-18、1-22第二章晶体三极管1、类型：NPN和PNP；2、基本结构三个区：基区、发射区、集电区；三个极：基极、发射极、集电极；两个结：发射结、集电结；3、工作模式放大模式：发射结正偏，集电结反偏——正向受控特性；饱和模式：发射结正偏，集电结正偏——受控开关特性；截止模式：发射结反偏，集电结反偏——受控开关特性；4、放大模式下的工作原理内部载流子传输过程；直流电流传输方程；直流简化电路模型；5、伏安特性曲线输入特性曲线族；输出特性曲线族：分为四个区——放大区、饱和区、截止区、击穿区；6、小信号电路模型：简化小信号电路模型；7、电路分析方法直流分析法：工程近似分析法——估算法；（P78-80：2-3-3 分压式偏置电路）交流分析法：小信号等效电路分析法；第四章放大器基础1、偏置电路和耦合方式偏置电路要求：提供合适的静态工作点，保证器件工作在放大模式；当环境温度等因素变化时，能稳定电路的静态工作点；分压式偏置电路；（重点）耦合方式：电容耦合、直接耦合（级间直流电平配置问题、零点漂移问题）；2、基本组态放大器（共发、共集）（重点）直流通路、直流等效电路、交流通路、交流等效电路、静态工作点的计算（I BQ 、I CQ 、V CEQ ）、性能指标（输入电阻、输出电阻、电压增益）的计算、三种组态放大器的性能比较（P189）；3、 差分放大器（重点）差模信号和共模性号：大小相等、极性相反；大小相等、极性相同；（P192：例4-3-1和4-3-2）差模性能分析（双端输出电路、单端输出电路）：半电路差模交流通路、差模性能指标（差模输入电阻、差模输出电阻、差模电压增益）计算；共模性能分析（双端输出电路、单端输出电路）：半电路共模交流通路、共模性能指标（共模输入电阻、共模输出电阻、共模电压增益）计算；共模抑制比；作业：P254：4-1（a ）（b ）、4-11、4-16、4-18、4-38第五章 放大器中的负反馈1、 正反馈和负反馈正反馈：使净输入量增大；负反馈：使净输入量减小；2、 反馈极性与类型的判别判断反馈类型：短路法；判断极性：瞬时极性法；3、 负反馈对放大器性能的影响：降低增益、减小增益灵敏度（提高增益稳定性）、改变输入、输出电阻（如何改变的？）；4、 引入负反馈的原则：要稳定直流量（如静态工作点）：引入直流负反馈；要稳定交流量（如电压放大倍数）：引入交流负反馈；要稳定输出电压：引入电压负反馈；要稳定输出电流：引入电流负反馈；要增大输入电阻：引入串联负反馈；要减小输入电阻：引入并联负反馈；要增大输出电阻：引入电流负反馈；要减小输出电阻：引入电压负反馈； 作业：第5章课件 例3第六章 集成运算放大器及其应用电路1、 理想条件下的两条重要法则：虚短：v v +-=、虚断：0i i +-==； 2、 基本应用电路：反相放大器（虚地：0v v +-==）、同相放大器（同相跟随器）； 3、 运算电路：反相加法器、同相加法器、减法器、积分器、微分器；4、 三运放仪器放大器；作业：P382：6-1、6-4。
《模拟电子技术》期末考试复习题(含答案)
《模拟电子技术》期末考试复习题班级：学号：姓名：成绩：一、填空题1．硅二极管导通时的正向管压降约为____ V，锗二极管导通时的管压降约为____ V。
二极管的两端加正向电压时，有一段死区电压，锗管约为____V，硅管约为____V。
0.70.30.20.52．半导体具有____特性、____特性和____的特性。
掺杂热敏光敏3．电路中流过二极管的正向电流过大，二极管将会____；如果施加在二极管两端的反向电压过高，二极管将会____。
烧坏（开路）击穿（短路）4．使用二极管时，应考虑的主要参数是________和________。
最大整流电流（额定电流）最高反向工作电压（耐压）5．理想二极管的特点是正向导通时管压降为____，反向截止时反向电流为____。
0V0A6．用万用表测量二极管的正反向电阻时，若正、反向电阻均接近于零，则表明该二极管已____；若正、反向电阻均接近于无穷大，则表明二极管已____。
击穿烧坏7．在晶体管中，I E与I B、I C的关系为_________。
I E=I B+I C8．示波器是电子技术中常用的测量仪器，用于观察被测信号的____及测量被测信号的_________、_________和_________。
波形频率大小相位9．硅晶体管发射结的死区电压约为_____V，锗晶体管发射结的死区电压约为____V。
晶体管处在正常放大状态时，硅管发射结的导通电压约为_____V，锗管发射结的导通电压约为____V。
0.50.20.70.310．某晶体管的U CE不变，基极电流I B =30μA时，集电极电流I C =1. 2mA，则发射极电流I E =____ mA，若基极电流I B增大到50μA时，I C增大到2mA，则发射极电流I E =_____mA，晶体管的电流放大系数β=_____。
1.23mA2.05mA4011．用万用表测量晶体管时，应将万用表置于_____挡，并进行_____。
模拟电子技术期末总复习
4、 作图：vi→iB→iC、vCE→vo 5、求放大倍数：
AV
vo vi
e j
Vom Vim
20
假设uBE有一微小的变化
iB IB uA
45 35 25 15
t
iC
Q
0.68 0.7 0.72
UV BE ui
直流负载线
IC
mA
3.3 2.7 2.1
1.5
0.9
交流负载线
55 ib
45
h参数等效电路：
Ii
Ib
Ic
Ui R'B rbe
Ib RL
U o
动态：
AV
rbe
R' L (1 )RE1
Ri RB1 // RB2 //[rbe (1 )RE1]
RE1 RC
Ro RC
RB C1
ui
RE
+VCC
C2
RL uo
静态：
IB
VCC VBE
放大器的性能指标：
电压放大倍数、输入电阻ri 、输出电阻ro 、通频带
17
（二）放大器的分析方法
A、图解法分析法：
1、静态工作点的图解分析：
（1）近似估算Q点: +
ΔVI
RB
T
-
VBB
I BQ
=
VBB－
V BE
RB
ICQ I BQ
VCEQ VCC ICQ RC
C+
RC
ΔVO
VCC
-
18
22
电路参数对Q点的影响：
Rb：
iC
Rb↗
IBQ↘
模拟电子技术期末复习
3、计算Av、Ri、Ro
例题1 共发射极放大电路如图所示。已知β=60，VBEQ=0.7V，
电容容量足够大。试求： 1. 电路静态工作点：IBQ、ICQ和VCEQ； 2. 画出交流小信号等效电路； 3. 求AV、AVS、Ri、Ro的值； 4. 说明RE和CE的作用。
RB1
RC C2
VCC
解：1.
VBQ
ib 2 0
Rb 2 vi v f vo Rb 2 R f
电路2
Rf vo Avf 1 vi Rb 2
+
+ + +
15V
Rc1
Rc 2
T3 T4
vI
Rb1
Rf
求闭环电压增益
T1
T2
Rb 2
IO
Rc3
vO
Re 4
15V
1.电压并联负反馈； 2.深度负反馈时，根据“虚短”和“虚断”，得
深度负反馈条件下： xid= xi - xf 0，存在虚短、虚断
四、负反馈的作用
降低增益、提高增益稳定性、降低噪声、减小 失真、扩展通频带、改变输入输出电阻。
串联负反馈 —— 增大输入电阻
并联负反馈 —— 减小输入电阻 电压负反馈 —— 减小输出电阻，稳定输出电压 电流负反馈 —— 增大输出电阻，稳定输出电流
差分式放大电路几个概念： vid = vi1 vi2 差模信号
1 vic = (vi1 vi2 ) 共模信号 2 v Avd = o 差模电压增益 vid v o Avc = 共模电压增益 vic
vo = v o vo Avdvid Avcvic
K CMR
其中 v ——差模信号产生的输出 o
模电期末复习题答案
模电期末复习题答案1. 半导体二极管的正向导通电压一般为多少？答：半导体二极管的正向导通电压一般为0.7V。
2. 共发射极放大电路中，集电极电流与基极电流的关系是什么？答：在共发射极放大电路中，集电极电流Ic与基极电流Ib的关系为Ic = βIb，其中β为晶体管的直流电流放大倍数。
3. 什么是差分放大电路的共模抑制比？答：差分放大电路的共模抑制比（CMRR）是指差分放大电路对差模信号的放大倍数与对共模信号放大倍数的比值，它反映了差分放大电路抑制共模信号的能力。
4. 运算放大器的开环增益和闭环增益有何不同？答：运算放大器的开环增益是指在没有反馈的情况下，运算放大器的输入信号与输出信号之间的增益；而闭环增益是指在有反馈的情况下，运算放大器的输入信号与输出信号之间的增益。
闭环增益通常远小于开环增益。
5. 什么是理想运算放大器？答：理想运算放大器是指在理论上具有无限大的开环增益、无限大的输入阻抗、无限小的输出阻抗、无限宽的带宽和零输入失调电压的运算放大器。
6. 场效应管的工作原理是什么？答：场效应管的工作原理是通过改变栅极电压来控制源极和漏极之间的导电沟道，从而控制漏极电流的大小。
7. 什么是负反馈放大电路？答：负反馈放大电路是指将放大器的输出信号的一部分或全部以反相的方式送回到输入端，以减小输出信号的放大倍数，从而提高放大器的稳定性和线性度。
8. 什么是波特图？答：波特图是频率响应的图形表示，它显示了系统增益的对数（以分贝为单位）与频率（以对数刻度）之间的关系，以及相位与频率之间的关系。
9. 什么是锁相环？答：锁相环是一种电子电路，能够锁定输入信号的相位并生成一个与输入信号同相位的输出信号，常用于频率合成、调制解调和时钟恢复等应用。
10. 什么是调制和解调？答：调制是指将信息信号（如音频或视频信号）与高频载波信号结合的过程，以便于在信道中传输；解调则是将调制信号中的信息信号从载波信号中提取出来的过程。
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3.熟练掌握乙与信号产生电路
1. 掌握有源滤波器的构成与特性
掌握电流源的构成、恒流特性及其在放大电路中的作用。 掌握反馈的基本概念，能熟练判断反馈电路的极性和类型。
2. 掌握正弦波振荡器的振荡条件 第六章 模拟集成电路
了解MOS场效应管工作原理，重点了解场效应管中预夹断的基本概念； 熟练掌握乙类、甲乙类功率放大电路的功率计算。 熟悉晶体二极管的数学模型、曲线模型、简化电路模型，掌握各种模型的特点及应用场合； 熟练利用相位平衡条件判断RC、LC振荡电路 熟练掌握差分放大电路的静态工作点和动态指标的计算，以及输出输入相位关系。 熟练掌握差模信号、共模信号、差模增益、共模增益和共模抑制比的基本概念。
第六章 模拟集成电路
1.掌握电流源的构成、恒流特性及其在放大电路中 的作用。
2.正确理解直接耦合放大电路中零点漂移（简称零 漂）产生的原因，以及零漂指标的定义方法。
3.熟练掌握差模信号、共模信号、差模增益、共模 增益和共模抑制比的基本概念。
4.熟练掌握差分放大电路的组成、工作原理以及抑 制零点漂移的原理。
Fundamental of Electronic Technology
第二章 运算放大器
1. 掌握线性工作时，理想运放的两条重要 法则。
2.掌握反相放大器与同相放大器的电路结 构和性能特点。
3.能熟练利用虚短、虚断的概念，分析 各种运算电路的性能。
第三章 二极管及其基本电路
1.了解PN结基本特性； 2.熟悉晶体二极管的数学模型、曲线模型、
4. 熟练利用相位平衡条件判断RC、LC振荡 熟悉三极管放大电路三种分析方法：估算法、图解法及小信号等效电路法。
第三章 二极管及其基本电路 掌握反相放大器与同相放大器的电路结构和性能特点。
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第三章 集成运算放大器
镜像恒流源的工作原理 差动放大电路的差模信号、共模信号、共模 抑制比的概念；差动放大倍数、差模输入电 阻、输出电阻的估算。四种不同输入、输出 方式的性能比较。 RE的作用？ 理想运算放大器的概念：虚短和虚断。
第四章 信号运算与处理电路
运用虚短和虚断概念分析运算电路（比例、 求和、积分）输出电压和输入电压的函数关 系。 单门限比较器、迟滞比较器的工作原理和电 压传输特性，门限电平的计算。
第八章 功放与电源
OCL、OTL功放的原理、输出功率、效率、 电源提供功率、管耗的估算。 交越失真的概念。 乙类放大与甲乙类放大的区别。 直流电源的组成部分。 桥氏整流、电容滤波的原理及典型参数 UO(AV )。 串联反馈式稳压电路的稳压原理，三端集 成稳压器的应用电路。
1. 某晶体管的输出特性曲线如图所示。 （1）从图中确定该管的主要参数ICEO和U(BR)CEO。 （2）当温度升高时，特性曲线将向上移动还是向下移动？曲线之间的间隔 将增大还是减小？ （ 3 ）若管子 ICM ＝ 80mA ， PCM ＝ 50mW ，试计算当该管工作电压 UCE=10V 时，工作电流IC最大不得超过多少？ （ 4 ）管子极限参数同上，若工作电流 IC＝ 1mA，则工作电压 UCE最大不得 超过多少？
第一章 半导体基础
本征半导体￫杂质半导体 PN结的单向导电性 稳压管的稳压特性、动态电阻 三极管的输入特性、输出特性及主要参数， 理解电流控制作用 场效应管的转移特性和输出特性及主要参 数，理解电压控制作用。
第二章 放大器基础
图解法：直流负载线、交流负载线的含义，确定 静态工作点，求最大不失真输出电压。 微变等效电路法估算放大电路参数。 共射、共集、共基放大电路的工作原理、Q点、 Au、Ri、Ro的计算。三组态的性能比较。 共源、共漏放大电路的动态分析。 多级放大电路的极间耦合方式，零点漂移的概念。 多级放大电路分析计算。
第五章 频率响应
幅频特性、相频特性的波特图表 示，会读图。
第六章 反馈放大电路
瞬时极性法判断反馈极性。 负反馈组态的判断。 负反馈对放大器性能的影响。如何正确 引入负反馈？ 深度负反馈放大电路闭环电压放大倍数 的估算。
第七章 波形产生电路
产生正弦波振荡的相位条件？利用瞬时极性 法判断能否产生振荡，振荡频率的估算。幅 值条件？ 矩形波、三角波电路的工作原理、波形图的 画法。
IC(mA ) 5 PCM 100A
4
80A
3
60A
2
40A
1
20A IB=0
0
5
10
15
20
25
UCE(V)
2.电路如图所示，晶体管的ß ＝60，rbb’=100Ω。 （1）求解Q点、画出微变等效电路，求Au、Ri和Ro。 （2）设us＝10sin（1000t）mV，问 ui＝？uo＝？若电容 C3开路，则 ui＝ ？uo＝？
ui 1 ui 2
（3）当ui1= 28mV，ui2= – 20mV时，uo=？此时uC1、uC2各为多少伏？
+Vcc
R1 Rc
+
uo RL
Rc
-
Rb
+
T1 R2
+
T2 T3
Rb
+
ui1
-
ui2
-
UZ
-
DZ
Re
-VEE
5.（1）指出电路中有哪些反馈（包括本级、级间反馈； 交流、直流反馈），说明各个反馈在电路中所起的作用； 对于交流负反馈，试判断其反馈组态。
（2）在深度负反馈条件下，写出Auf的表达式。
VCC R1
C4
R4
R6 C3
C1 T1 C5 T2
.
Ui R2 R3 C2
R5 R7
C6 R8
.
Uo
＋VCC=+12V C2
Rb 300k
RC 3k
Rs 2k ui us
C1
Hale Waihona Puke RL 3k Re 1k C3
uo
3.放大电路的对数幅频特性如图所示。 （1）电路由两级阻容耦合电路组成，每级的下限和上限频率分别是多少？ （2）总的电压放大倍数Aum、下限频率fL和上限频率fH是多少？
F | 20lg | A
40 +20dB/dec 20 -40dB/dec
+40dB/dec
0 10 102 103 104 105 106
f(Hz)
4. 恒 流 源 式 差 动 放 大 电 路 如 图 所 示 。 已 知 ： UZ=4V ， VCC=VEE=9V ， Rb=5kΩ ，Rc=10kΩ ，R1=5kΩ ，R2=1kΩ ，Re=8.5kΩ ，RL=30kΩ ，若三 极管的β =80、UBE=0.6V、rbb`=100Ω 。试计算： （1）各三极管的静态工作点Q1~Q3； （2）差模电压放大倍数 Aud uo ；