RHEED反射高能电子衍射对砷化镓的实时监测
反射高能电子衍射系统（RHEED）
反射高能电子衍射系统（RHEED）
佚名
【期刊名称】《物理》
【年(卷),期】2007(36)6
【摘要】高能电子小角度（-2℃）掠射样品表面，可以得到电子衍射图像．通过分析电子衍射图像，可以进行表面晶体构造分析，晶体成长过程观察及成膜厚度的监控．
【总页数】1页(P497-497)
【关键词】反射高能电子衍射系统;衍射图像;构造分析;成长过程;小角度;膜厚度;表面
【正文语种】中文
【中图分类】O484
【相关文献】
1.MBE系统中GaAs样品的RHEED分析 [J], 黄旭;潘金福;王云;周勋;丁召
2.反射高能电子衍射系统（RHEED） [J],
3.具有RHEED在线监控功能的超高真空CVD系统及3＂硅片低温外延研究 [J], 叶志镇;曹青;张侃;赵炳辉;李剑光;阙端麟;谢琪;雷震霖
4.反射高能电子衍射法（RHEED） [J],
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反射高能电子衍射仪安全操作及保养规程
反射高能电子衍射仪安全操作及保养规程反射高能电子衍射仪（Reflectron High-Energy Electron Diffraction，RHEED）是一种常用于表面研究的表征手段。
由于仪器中存在高压电压和辐射，操作不当可能会对人身安全和仪器性能造成损害。
因此，本文介绍RHEED的安全操作及保养规程，以确保仪器的正常使用和使用者的人身安全。
1. 仪器结构及原理介绍RHEED仪器由电子枪、样品台、荧光屏、散射器、真空系统等组成。
其原理是通过向被研究样品表面发射电子束，并观察散射电子所形成的衍射图案来研究表面结构。
一般来说，操作者需要对样品的位置和朝向、电子束的缩放和聚焦、荧光屏的对准等参数进行调控，才能获得理想的衍射图案。
2. 安全操作规程2.1. 使用前准备操作人员必须已经接受正式的操作培训，并经过相关考核，操作前必须按照实验室安全标准穿戴防护用品，包括但不限于实验服、手套、安全鞋等。
2.2. 仪器开机前准备开机前确认仪器与真空系统处于正常状态，所有调节螺钉之前都必须松开，保持荧光屏干燥，并确保观察荧光屏前的安全距离。
2.3. 开机及操作启动电源后，打开控制软件后放开闸门等，仪器自动开始预热。
在样品上涂抹硅油，在荧光屏捕获图案时，对电子束的聚焦和电流进行调节，直至得到理想的衍射图案。
操作人员务必保持专注、冷静、小心地进行操作，并不断地关注衍射图案的变化。
在操作过程中，禁止违反实验室安全规定，除了必须操作人员外，其他人员不得靠近仪器。
2.4. 关机关闭仪器前，先松开所有的螺钉，降低电子注电流到零，关闭电子枪高压电源，并切断所有的电源。
如果需要立即重启仪器，请等待足够的冷却时间。
3. 保养规程3.1. 日常保养常规清理除尘，荧光屏保持干燥清洁，避免出现划痕，对散射镜片和检测器进行必要的维护和保养。
3.2. 定期维护每隔三个月左右进行真空泵的清洗与更换，以保证预漏率低。
针对仪器可能出现的故障，要定期请专业售后人员进行检修。
碳化硅外延mbe法
碳化硅外延mbe法碳化硅外延MBE法引言碳化硅外延（Molecular Beam Epitaxy，MBE）是一种用于制备碳化硅（SiC）材料的技术方法。
碳化硅是一种具有优良物理和化学性质的宽禁带半导体材料，被广泛应用于高温、高频和高功率电子器件领域。
本文将重点介绍碳化硅外延MBE法的原理、步骤和应用。
一、碳化硅外延MBE法的原理碳化硅外延MBE法是一种分子束外延技术，其原理基于分子束在晶格表面的沉积和生长。
该方法通过在真空条件下，将分子束蒸发源处的原料加热至高温，使原料分子获得足够的热能，然后经过准直装置形成的分子束瞄准晶格表面。
分子束中的原料分子在晶格表面附着并扩散，最终形成具有高质量结晶的碳化硅薄膜。
二、碳化硅外延MBE法的步骤碳化硅外延MBE法一般包括以下步骤：1. 准备基片：选择适当的基片材料，并进行表面处理，以提高薄膜的生长质量和结晶度。
2. 真空系统：建立真空系统，确保反应室内的气压低于10^-7 torr，以避免气体分子对生长过程的干扰。
3. 加热源：选择合适的加热源，如电阻加热器或电子束加热器，将原料加热至所需温度。
4. 分子束准直装置：使用准直装置对分子束进行准直，以提高分子束的定向性和一致性。
5. 分子束瞄准：将准直后的分子束瞄准到基片表面，并调节功率和角度，以控制薄膜的生长速率和厚度。
6. 生长过程监测：通过反射高能电子衍射（Reflection High Energy Electron Diffraction，RHEED）等技术实时监测薄膜的生长过程，以获得高质量的碳化硅薄膜。
7. 结束生长：在达到所需薄膜厚度后，停止原料的供应，使生长过程结束。
8. 冷却：将生长后的样品缓慢冷却至室温，以避免薄膜的热应力和结构损伤。
三、碳化硅外延MBE法的应用碳化硅外延MBE法在半导体器件领域具有广泛的应用前景，主要表现在以下几个方面：1. 高功率器件：碳化硅具有优异的热稳定性和高击穿场强，可用于制备高功率电子器件，如功率放大器和开关器件。
3薄膜的制备2蒸镀
2）蒸气的方向性
物质在蒸发的过程中，蒸发原子的运动具有明显 的方向性。它对于薄膜的均匀性有显著的影响。
点蒸发源
dM s dAs
M e cos 4 r2
Me—蒸发出来的物质总量
dAs---衬底面积元
螺线形蒸发源------舟形蒸发源
ii、电子束加热：
原理图：
通过改变电子束功率，和电 子束的聚焦，可以控制加热 温度。通过改变电场，磁场 使电子束扫描薄膜材料。
优点：由于电子束只加热薄膜 材料中很小的局部，薄膜材料 的大部分在坩埚中处于低温状 态，隔绝了薄膜材料熔融部分 与坩埚的接触，避免了坩埚材 料的污染；蒸发温度也不受坩 埚材料熔点的限制。
Φ—dAs与蒸发源平面法线 间的夹角
r—蒸发源于衬底间的距离
3）蒸发源---蒸发材料的加热装置
蒸镀的装置—真空室+加热装置（蒸发源）+衬底 蒸发源—电阻加热；电子束加热；高频感应加热
i、电阻加热
把片状或线状高熔点金属
（钨、钼、钛、钽）做成适当形状的蒸发源,装上蒸镀
材料，通电流加热蒸镀材料，使其蒸发。
8、MBE设备的超高真空环境为各类表面分析 方法提供了研究生长过程的条件；
反射式高能电子衍射仪（RHEED）
1983年Neave，Van Hove 首次在MBE外延生长过程 中观察到高能电子衍射镜面 反射电子束强度的衰减振荡， 此振荡周期严格的对应一个 单原子层的生长。
镜面反射 漫反射
元素的蒸气压
由于附着在蒸发源、银上的气体放出使真空度降低。（除 气）为了减小银的损耗，经过适当时间后，减小蒸发源电 流，使蒸发量减小到膜厚计测量的灵敏度之下，直到真空 度恢复。
球差校正透射电镜技术探究SrTiO3
第 62 卷第 5 期2023 年9 月Vol.62 No.5Sept.2023中山大学学报（自然科学版）（中英文）ACTA SCIENTIARUM NATURALIUM UNIVERSITATIS SUNYATSENI球差校正透射电镜技术探究SrTiO3/SrTiO3 同质薄膜导电起源*宋海利1，黄荣21. 中山大学化学学院/生物无机与合成化学教育部重点实验室，广东广州 5100062. 华东师范大学物理与电子科学学院 / 极化材料与器件教育部重点实验室，上海 200062摘要：通过脉冲激光沉积方法沿着SrTiO3 衬底（001）方向生长了SrTiO3/SrTiO3（001）同质外延薄膜，薄膜退火前为导电状态，在氧气气氛中退火后变为绝缘态。
运用环形高角暗场像、环形明场像和能量损失谱等多种先进的球差校正透射电镜技术，从原子尺度分析薄膜表面和界面处的原子占位、电子结构以及氧空位等。
研究发现，退火前薄膜表面存在TiOx（1<x<2）重构层，退火后重构层仍然存在，但Ti的价态有所升高。
同时，通过原子分辨率的能量损失谱分析对比了退火前后Ti和O的价态变化，发现：退火前薄膜表面和界面附近存在氧空位，薄膜表面的氧空位更多，退火后氧空位消失。
因此，对于SrTiO3/SrTiO3同质薄膜来说，薄膜导电的起源主要为薄膜表面和界面附近氧空位的共同作用。
关键词：钙钛矿氧化物；球差校正透射电镜；电子能量损失谱；氧空位中图分类号：O73；O766 文献标志码：A 文章编号：2097 - 0137（2023）05 - 0101 - 06Exploring the conductive origin of SrTiO3/ SrTiO3homogeneous films byspherical aberration-corrected transmission electron microscopySONG Haili1， HUANG Rong21. School of Chemistry， Sun Yat-sen University/Key Laboratory of Bioinorganic and SyntheticChemistry of Ministry of Education， Guangzhou 510006， China2. School of Physics and Electronic Science， East China Normal University / Key Laboratory of PolarMaterials and Devices， Ministry of Education，Shanghai 200062， ChinaAbstract：A SrTiO3 /SrTiO3homogeneous epitaxial film was grown along the SrTiO3substrate （001）by PLD method. The film was conductive before annealing， and became insulating states after anneal‐ing. A variety of advanced spherical aberration-corrected transmission microscopy techniques like annu‐lar high-angle darkfield image，annular brightfield image and atomic-resolution energy loss spectro‐scope （EELS） was used to explore the atomic occupancy， electronic structure and oxygen vacancies in the film. A TiOx (1<x<2) reconstruction layer was found on the surface of the film. And the valence state of Ti in the reconstruction layer increases slightly after annealing. According to EELS analysis，oxygen vacancies existed in the whole film including the surface and interface before annealing， anddisappeared after annealing. Therefore， for non-polar films SrTiO3/SrTiO3， oxygen vacancies near thefilm surface and interface maybe the origin of electrical conduction.Key words：perovskite oxides； spherical aberration-corrected transmission electron microscope；energy loss spectroscope； oxygen vacancyDOI：10.13471/ki.acta.snus.2023B021*收稿日期：2023 − 05 − 10 录用日期：2023 − 05 − 23 网络首发日期：2023 − 06 − 30基金项目：广东省基础与应用基础研究基金（2020A1515110178）作者简介：宋海利（1989年生），女；研究方向：功能纳米材料微结构；E-mail：*****************第 62 卷中山大学学报（自然科学版）（中英文）2004年，Ohtomo 和Hwang （2004）在（100）面的SrTiO 3（STO）衬底上外延生长出高质量LaAlO 3（LAO ）薄膜，并发现在n 型界面（LaO ）+/（TiO 2）0处形成了高迁移率的二维电子气（2DEG ，two-dimen ‐sional electron gas ）。
在RHEED实时监控下GaAs晶体生长研究
导体光 电器件 上有 着 广 泛 的用 途 。Ｇａ Ａｓ的 制 备有 多 种 方法 ， 多研 究 小 组 利 用 金 属 有 机 化 学 气 相 淀 积 很
降温到 ４ ０ 热 偶 读数 约 为 ３ ０ ） 个 过 程 ， 长完 ５ ℃（ ５℃ ７ 生 成 后对样 品进 行 了 Ｅ Ｓ谱 图分 析 。 Ｄ
率约 为 １ ０ ｍ／ ） ５ ０ ． ｕ ｈ 、 ０ ℃再 退 火 ｌ 、 ８ ℃ （ ｈ ５ ０ 热偶 读 数
约为 ４ ０ ） 长 ｌ （ ９℃ 生 ｈ Ｇａ源 温度 升 高 到 ９ ０ ， ， ５ ℃ ＡｓＧａ
束 流 比为 ８ ， 长速 率约 为 １ ０ ｍ／ ） ５ ０ Ｏ生 ． ｕ ｈ 、８ ℃退火 ２ 、 ｈ
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２１ 年 ４ ４） ００ 第 期（ 卷 １
在 ＲＨＥ Ｄ 实 时 监 控 下 Ｇａ Ｅ Ａｓ晶 体 生 长 研 究
罗子 江 ， 周 勋 。 杨 再 荣 贺 业全 何 浩 邓 朝 勇 丁 召 ， ， ， ， ，
（． １ 贵州大 学 理学 院 ， 贵州 贵 阳 ５ ０ ２ ；． 州财 经学 院 教 育管理 学 院 ， ５０ ５２贵 贵州 贵 阳 ５ ０ ０ ； ５ ０ ４
５ ０ 热偶 读数 约为 ４ ０ 退 火 １ ５ 、０ ℃生长 ２ ０ ℃（ ０ ℃） ． ｈ ５０ ｈ
（ 源 温 度 升 高 到 ９ ０ ， ， ａ束 流 比为 ８ ， 长 速 Ｇａ ５ ℃ Ａｓ Ｇ ０生
ＭＯ ＶＤ） ３脉 冲激 光 沉 积 （ ｕｓｄ ｌ ｅ ｅ ｏ ｉｏ ， ｃ ［、 １ ｐ ｌ ａ ｒｄ ｐ ｓｔ ｎ ｅ ｓ ｉ Ｐ Ｄ） ３ 水平 布 里 奇 曼 （ ｏ ｉ ｎａ Ｂ ｉｇ ｎ ＨＢ 【 Ｌ ［、 ２ ｈ ｒ ｏ ｔｌ ｒ ｍａ ， ） ｚ ｄ 以及 分子束 外延 （ ｌｃ ｌｒ ｅｍ ｐｔｘ ， ｍｏｅｕａ ａ ｅ ｉ ｙ ＭＢ ［ 制 ｂ ａ Ｅ） 们
分子束外延InAs量子点的RHEED实时原位分析
M icronanoelect ronic Technology Vol.45No.8 A ugust 2008分子束外延InAs 量子点的RHEED 实时原位分析李美成,王 禄,熊 敏,刘景民,赵连城(哈尔滨工业大学电力部信息功能材料与器件研究所,哈尔滨 150001)摘要:介绍了利用反射式高能电子衍射(R H EED )方法在自组装InAs 量子点制备过程中进行结构分析的理论研究与实验工作的最新进展。
从反射式高能电子衍射在InAs 量子点临界转变状态测定、量子点表面取向、量子点应力分布测定、量子点形核长大动力学过程研究等方面的应用,可以看出R H EED 在InAs 量子点形成过程中对多种结构特征的原位分析具有突出优势。
反射式高能电子衍射仪作为分子束外延系统中的标准配置,已成为一种对InAs 量子点微观结构进行分析的简易而理想的分析测试工具。
随着反射式高能电子衍射以及衍射理论的进一步发展,必将促进InAs 量子点结构的精确表征水平的提高,进而实现更加理想结构的InAs 量子点的制备及其应用。
关键词:分子束外延;InAs 量子点;反射式高能电子衍射;实时原位;微结构分析中图分类号:TN 405.984;O 471.1 文献标识码:A 文章编号:1671-4776(2008)08-0470-06In 2Situ Diagnosis of InAs Q u antum Dots F abricated by MBE Using RHEEDLi Meicheng ,Wang L u ,Xiong Min ,Liu Jingmin ,Zhao Liancheng(I nstitute of I nf ormation Functional M aterials and Devices ,Elect ric Power Division ,H arbin I nstitute of Technolog y ,H arbin 150001,China )Abstract :The t heoretical analysis and recent p rogress using reflection high 2energy elect ron dif 2fractio n (R H EED )in diagnosis of self 2assembled InAs quant um dot s are presented.From R H EED for t he applications which include t he determination of t he critical t ransition ,quant um dot facet orientation and quant um dot st rain dist ribution ,t he st udy on t he dynamic p rocess for qut ume dot nucleation and growt h and so on ,it can be seen t hat t he reflection high 2energy elec 2t ron diff raction is a rat her simple but ideal equip ment in t he real time microst ruct ure analysis tool of InAs quant um dot s wit h t he standard co nfiguration used in MB E.Moreover ,t hrough f urt her imp rovement of t he equip ment performance and employment of dynamic diff raction t heory in R H EED ,t he ability of R H EED to characterize quant um dot st ruct ure will be promoted ,and t he fabrication and applications of better InAs quant um dot s can be realized finally.K ey w ords :MB E (molecular beam epitaxy );InAs QDs (quant um dot s );R H EED (reflection high 2energy elect ron diffraction );in 2sit u ;micro st ruct ure diagnosis EEACC :0590;0520X ;2530C收稿日期:2008-05-08E 2m ail :meicheng @074显微、测量、微细加工技术与设备 Microscope ,Measurement ,Microfabrication &Equip ment0 引 言利用自组装方法制备的半导体量子点因其在量子点激光器[1-2]、量子点探测器[3-4]等光电领域的重要应用,已经成为当前微纳电子领域的研究热点之一。
超宽禁带半导体氧化镓材料的产业进展及未来展望
超宽禁带半导体氧化镓材料的产业进展及未来展望1 前言从2020年开始，日本经济产业省（METI）大力支持“氧化镓（Ga2O3）”半导体材料发展，计划2025年前为私营企业和大学提供共约1亿美元财政资金，意图占领下一代功率半导体产业发展的制高点。
以Novel Crystal Technology和Flosfia为代表的初创企业，正在联合田村制作所、三菱电机、日本电装和富士电机等科技巨头，以及东京农工大学、京都大学和日本国家信息与通信研究院等科研机构，推动Ga2O3单晶及衬底材料以及下游功率器件的产业化，日本政产学研投各界已开始全面布局超宽禁带半导体——氧化镓材料。
与此同时，全球半导体产业中具有全面领先优势的美国，正在从前沿军事技术布局的角度大力发展Ga2O3材料及功率器件。
美国空军研究实验室、美国海军实验室和美国宇航局，积极寻求与美国高校和全球企业合作，开发耐更高电压、尺寸更小、更耐辐照的Ga2O3功率器件。
不仅日、美正在布局，德国莱布尼茨晶体生長研究所、法国圣戈班以及中国电子科技集团等全球企业/科研机构也加入了Ga2O3材料及器件研发的浪潮中，这种半导体材料可谓是吸引了世界的广泛关注。
为何氧化镓半导体能够吸引全球各界的目光？其在未来半导体产业中将会有什么样的前景？本文简述了半导体材料的发展历程、氧化镓半导体的特点及优势，以及氧化镓的制备技术、研发与产业化进展，最后对氧化镓半导体产业发展的未来进行了展望。
2 半导体材料发展历程自20世纪50年代开始，半导体行业得到了高速的发展，半导体材料也发展到了第3代。
第1代半导体材料是以硅（Si）和锗（Ge）为代表，其中Si具有很好的机械加工性能和热性能，在自然界中储量丰富、价格低廉，目前可以制备高纯度大尺寸的单晶，因此极大推动了微电子行业的发展，其在半导体产业中具有不可替代的地位。
随着半导体科技的发展，对器件性能、尺寸和能耗的要求越来越高，硅材料也渐渐暴露了其缺点，尤其是在高频、高功率器件和光电子方面的应用局限性。
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知识回顾 Knowledge Review
在420℃生长30s的RHEED 图中,观察到原来的衍射 斑点加条纹渐渐成网格 状衍射斑点 (图1),斑点 周围还出现了卫星小斑 点,它很可能是粘接样品 的少量的 In与As 反应生 成极少量的InAs,这与文 献 中 关 于 InAs 量 子 点 的 RHEED衍射斑点相似。继 续生长 60s以后, 极少量 的 InAs 在 大 量 的 GaAs 的 覆盖下已经很难发现,从 而使得卫星小斑点逐渐 消失
二、砷化镓的RHEED图样分析
利用RHEED图像可研究GaAs表面重构方式 和生长机制。报道了一种新型的分子束外 延 方 法 , 在 RHEED 实 时 监 控 下 , 利 用 GaAs(001)基片同质外延GaAs。通过改变生 长和退火的时间与温度(420、500、580℃), 结合RHEED图像演变与GaAs表面平整度( 粗糙化)的联系,得到表面原子级平整的 GaAs样品。
反射高能电子衍射仪（RHEED）对 砷化镓的实时监测
报告人： 仲玉泉 专 业：物理电子学 学 号：2120100212
一、RHEED简介
（reflection high-energyelectron diffraction）反射高能电子衍射
结构:
RHEED 装置由高能电子枪和荧光屏两部分组成,从 电子枪发射出来的具有一定能量(通常为10-30kev)（ 对比LEED：10-300eV） 的电子束以1-2°的掠射角 射到样品表面, 样品上的光束入射点与荧光屏的距离 (又称照相机距离)为270mm。CCD拍摄下荧光屏上图 像，送至计算机处理。
总结：
1.由于RHEED采用掠入射，入射束要覆盖约Icm长的表面，因
此要求样品表面非常平整。高能电子束强度高，平行度好。在 实际的应用方面，RHEED可以弥补LEED的一些不足。例如 LEED的样品温度升高到500℃以上时就观察不到衍射图样，而 在 RHEED 中 ， 温 度 高 达 1300℃ 时 也 能 观 察 到 衍 射 图 ， 因 此 RHEED也可用于研究与温度有关的表面过程及结构变化。
典型的ＲＨＥＥＤ图像：
衬底表面的形貌与它 的 电 子 衍 射 RHEED 图像具有一定的关系 。如果表面不平整， 那 么 它 的 RHEED 图 像呈现点状分布;如果 表面平整，那么它的 RHEED 图 像 呈 现 平 行的条状分布;如果衬 底表面粗糙度介于两 者之间，它的 RHEED 图 像 呈 现 点 连线结构
ＲＨＥＥＤ特点：
１.由于电子垂直于样品表面的动量分量很小,又受 到库仑场的散射,所以电子束的透入深度仅1 - 2 个 原子层, 因此RHEED 所反映的完全是样品表面的 结构信息。
２ . 与 低 能 电 子 衍 射 (Low Energy Electron Diffraction,LEED) 不 同 ， 在 RHEED 系 统 中 电 子 束 为掠入射，在监测的同时不影响材料的生长，所 以被广泛集成在MBE (Molecula Beam Epitaxy)， CVD ( Chemical Vapor Deposition)等材料生长系统 中，用于材料生长的实时监测，并且在研究晶体 生长、吸附、表面缺陷等方面也取得了很大的进 展。
在图3的RHEED图像中各个方向上雨滴状椭圆斑点的 出现表明,随着生长的不断进行,表面开始出现平整的趋 势。
在500℃退火1.5h的RHEED图像(图4)中,斑点的 拉长趋势明显,隐约看见在同一竖直方向上的 斑点有拉长变细变小甚至连接的趋势。衍射斑 点拉长变细变小是由于在退火过程中,表面原 子获得一定能量不断在表面运动,使得表面逐 渐趋于平整。
总结：
2. 在 RHEED 的 实 时 监 控 下 , 利 用 GaAs(001) Байду номын сангаас 片 同 质 外 延
GaAs。通过改变生长和退火的时间与温度,结合RHEED图 像的演变与GaAs表面平整度的联系,得到表面原子级平整、 高纯度的GaAs晶体。基片完成脱氧预处理以后从低温420℃ 生长开始,通过不同温度(420、500、580℃)的再生长、多次 退火,得到在不同时间段内的衍射图像。图像从开始的完全 网格状斑点、椭圆状斑点、拉长连接形成细线,随后出现条 纹化趋势到逐渐条纹化直至完全条纹化。在580℃得到的图 像中,通过完全条纹化的衍射图像可以确定样品表面已经呈 原子级平整,并且能够清晰观察到并分辨出[110]方向的2×结 构、[100]方向1×结构、[110]方向4×结构的衍射图像,GaAs 表面呈(2×4)重构。降温到450℃后得到具有C(4×4)表面重 构的GaAs。
图5和6表明衍射斑点已经从拉长、连接逐步实现条纹化。随 着条纹化的不断进行,GaAs的表面的平整度正在不断提高,在 [110]方向隐约可以观察到在亮线之间出现较为模糊的暗线
在图7中注意到各个方向上的衍射图像已经接近完全条 纹化,[110]方向已经出现明显的明暗相间条纹,在另外两 个方向[110]以及[100]上,亮条纹之间暗条纹逐渐明显。 可以推断表面已经慢慢趋于原子级平整,再进行退火处 理,就将得到非常平整的表面,同时能够通过衍射图像很 容易的判断此时的重构方式
温度降 低到 450℃ 后 得到的 图 像 9, 这 是平整 GaAs(001) 表面典 型的 C(4×4) 重构形 式的 RHEED 衍射图 像。
在图8中,亮条纹之间的暗条纹清晰起来,可以明确地指出[110]方向 的2×结构、[100]方向1×结构、[110]方向4×结构。这是原子级 平整的GaAs(001)表面(2×4)重构形式的RHEED衍射图像。