wafer工艺流程
半导体封装流程
主用焊料：Sn 5% Pb92.5%Ag2.5% 熔点：287℃—294℃之间 物理特性：
良好的导热和导电性能 ；低的导通电阻 Rds(on) 熔点高；工作温度高；热膨胀系数和高强度 焊接强度高耐振动；疲劳寿命时间长耐冷热循环 变形的能力强
工艺流程
Trim/Form 【切筋成型】
目的：将整条LF切割成单个的产品，在把管脚弄成客户需要的形状。 将切割好的产品机器自动放入料管里面，进入下个工序 Test；
工艺流程
Test 【测试】
目的：在半导体通过（DS-DA-WBMD-Plate-T&F）完成后，需要给需要 在送给客户使用之前进行各项参数测 试，剔除过程中的不合格产品，确保 出厂的产品都是经过测试筛选的，并 把测试合格的产品打上标签，包含器 件的型号、批次等信息。 机台： 分选机YOSHINE （型号YTH2510-11 ）
整个测试过程必须要防静电，降低不 良率。
工艺流程
Test 【测试】
主要测试测参数：静态参数，雪崩能量参数，热阻参数 （主要针对MOSFET）
工艺流程
Packing 【包装】
目的：将产品包装出货。防止产品在运送过程中 以及上板前因为
震动，摩擦，温度，Attach【芯片粘接】
DA过程演示：
在轨道高温区加入混合气体（ 90%N210%H2）进行保护，防止框 架、焊锡等发生氧化，对后续工序 产生影响。
Wire Dispensing
1. Solder wire moves downward &then upward to dispense solder onto the LF pad
半导体制造工艺流程图
外延层淀积
1.VPE〔Vaporous phase epitaxy> 气相外延生长硅
SiCl4+H2→Si+HCl 2.氧化
Tepi>Xjc+Xmc+TBL-up+tepi-ox SiO2
N-epi
N+-BL
N+-BL
P-SUB
第二次光刻—P+隔离扩散孔
• 在衬底上形成孤立的外延层岛,实现元件的隔离.
• 2.阱区注入及推进,形成阱区
P-
N-Si
CMOS集成电路工艺 --以P阱硅栅CMOS为例
• 3.去除SiO2,长薄氧,长Si3N4
Si3N4
P-
N-Si
CMOS集成电路工艺 --以P阱硅栅CMOS为例
• 4.光II---有源区光刻
Si3N4
P-
N-Si
CMOS集成电路工艺 --以P阱硅栅CMOS为例
Wafer Fab、 • 晶圆针测制程〔Wafer Probe； • 後段〔Back End • 构装〔Packaging、 • 测试制程〔Initial Test and Final Test
一、晶圆处理制程
• 晶圆处理制程之主要工作为在矽晶圆上制作电路与 电子元件〔如电晶体、电容体、逻辑闸等,为上述各 制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程 ,以 微处理器〔Microprocessor为例,其所需处理步骤可 达数百道,而其所需加工机台先进且昂贵,动辄数千 万一台,其所需制造环境为为一温度、湿度与 含尘 〔Particle均需控制的无尘室〔Clean-Room,虽然详 细的处理程序是随著产品种类与所使用的技术有关； 不过其基本处理步骤通常是晶圆先经过适 当的清洗 〔Cleaning之後,接著进行氧化〔Oxidation及沈积, 最後进行微影、蚀刻及离子植入等反覆步骤,以完成 晶圆上电路的加工与制作.
(完整版)减薄、划片工艺介绍
扩张
• 步骤：
• 扩张前准备
开机，打开电源，查看引伸盘控温器上的温 度显示值是否为40℃± 5℃,异常红灯会亮。
划片 贴片 切割 裂片 倒膜 扩张
放扩张环 ，打开压盖，将扩张环的内环 放入底盘中，注意光滑面朝上，将扩张环的 外环放入压环盘中，注意光滑面朝下。
划片 贴片 切割 裂片 倒膜 扩张
430μm
80μm
上蜡
减薄
• 定义：
将芯片固定在陶瓷盘上便于减薄的过程 。
上蜡 研磨 抛光
卸片
清洗
上蜡
减薄
• 步骤：
• 清洁陶瓷盘
上蜡贴片前，首先需要保证陶瓷盘的 洁净程度，LED芯片减薄是属于微米量 级的操作，任何细微的杂质都可能导 致意想不到的异常状况。
上蜡 研磨 抛光 卸片
清洗
上蜡
• 步骤：
上蜡 研磨 抛光 卸片
清洗
研磨
• 步骤：
• 镶盘 将锡盘上均匀布满钻石液的过程。
减薄 上蜡 研磨 抛光 卸片 清洗
抛光
减薄
• 步骤：
• 抛光
通过抛光液中的钻石颗粒，缓慢减薄 芯片。
上蜡 研磨 抛光
卸片
清洗
卸片
减薄
• 定义：
将减薄后的芯片从陶瓷盘上卸下来的过 程。
上蜡 研磨 抛光
卸片
清洗
卸片
减薄
• 步骤：
• 浸泡
将抛光后的陶瓷盘放入去蜡锅中，加 热浸泡5min左右，使芯片从陶瓷上剥 离。
上蜡 研磨 抛光 卸片
清洗
卸片
减薄
• 步骤：
• 夹取
用平口镊小心将减薄后的芯片夹只提 篮中以便于清洗。由于芯片很薄夹取 过程中需非常小心。
半导体制造工艺流程_图文
SiO2 P+
AL
N+ N-epi
P-SUB
Al P+
主要制程介绍
矽晶圓材料（Wafer）
圓晶是制作矽半導體IC所用之矽晶片，狀似圓 形，故稱晶圓。材料是「矽」， IC（ Integrated Circuit）厂用的矽晶片即為 矽晶體，因為整片的矽晶片是單一完整的晶體 ，故又稱為單晶體。但在整體固態晶體內，眾 多小晶體的方向不相，則為复晶體（或多晶體 ）。生成單晶體或多晶體与晶體生長時的溫度 ，速率与雜質都有關系。
外延层电阻
SiO2
R
N+
R
P+
P
P+
N-epi
P-SUB
集成电路中电阻5
MOS中多晶硅电阻
多晶硅
SiO2氧化层Si源自其它：MOS管电阻集成电路中电容1
SiO2 P+
A-
N+E P+-I
N+-BL P-SUB
B+
A-
B+
N P+ Cjs
发射区扩散层—隔离层—隐埋层扩散层PN电容
集成电路中电容2
N+
後段backend构装packaging测试制程initialtestandfinaltest一晶圆处理制程晶圆处理制程之主要工作为在矽晶圆上制作电路与电子元件如电晶体电容体逻辑闸等为上述各制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程以微处理器microprocessor为例其所需处理步骤可达数百道而其所需加工机台先进且昂贵动辄数千万一台其所需制造环境为为一温度湿度与含尘particle均需控制的无尘室cleanroom虽然详细的处理程序是随著产品种类与所使用的技术有关
半导体制造工艺流程演示文稿
PSG
N+ N+ P-
P+ P+
N-Si
VDD SP
D
IN
OUT
D
SN
第39页，共96页。
集成电路中电阻1
基区扩散电阻
SiO2 P+
R+
R-
P N-epi
N+-BL
VCC AL
N+
P+
P-SUB
第40页，共96页。
集成电路中电阻2
发射区扩散电阻
SiO2
R
P+ N+
N-epi N+-BL
P-SUB
而其所需加工机台先进且昂贵，动辄数千万一台，其所需制
造环境为为一温度、湿度与 含尘（Particle）均需控制的无 尘室（Clean-Room），虽然详细的处理程序是随著产品 种类与所使用的技术有关；不过其基本处理步骤通常是 晶圆先经过适 当的清洗（Cleaning）之後，接著进行氧 化（Oxidation）及沈积，最後进行微影、蚀刻及离子植 入等反覆步骤，以完成晶圆上电路的加工与制作。
N+ N+ P-
P+
N-Si
PSG P+
第37页，共96页。
CMOS集成电路工艺 --以P阱硅栅CMOS为例
• 12。光刻Ⅷ---引线孔光刻。
N+ N+ P-
P+
N-Si
PSG P+
第38页，共96页。
CMOS集成电路工艺 --以P阱硅栅CMOS为例
• 13。光刻Ⅸ---引线孔光刻（反刻AL）。
第19页，共96页。
外延层淀积
1。VPE（Vaporous phase epitaxy)
半导体制造流程详解
半导体制造流程（转）半导体相关知识●本征材料：纯硅9-10个9250000Ω.cm●N型硅：掺入V族元素—磷P、砷As、锑Sb●P型硅：掺入III族元素—镓Ga、硼B●PN结：半导体元件制造过程可分为●前段(Front End)制造过程晶圆处理过程(Wafer Fabrication；简称Wafer Fab)、晶圆针测过程(Wafer Probe);●后段(Back End)构装(Packaging)、测试过程(Initial Test and Final Test)一、晶圆处理制造过程●晶圆处理制程的主要工作在矽晶圆上制作电路与电子元件（如电晶体、电容体、逻辑闸等），为上述制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程。
以微处理器为例，其所需处理步骤可达数百道，而其所需加工机台先进且昂贵，动辄数千万一台，其所需制造环境为一温度、湿度与含尘(Particle)均需控制的无尘室(Clean-Room),虽然详细的处理程序是随着产品种类与所使用的技术有关，不过其基本处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗之后，接着进行氧化(Oxidation)及沉积，最后进行微影、蚀刻及离子植入等反复步骤，以完成晶圆上电路的加工与制作。
二、晶圆针测制程●经过Wafer Fab制程后，晶圆上即形成一格格的小格，我们称之为晶方或晶粒(Die)，在一般情形下，同一片晶圆上皆制作相同的晶片，但是也有可能在同一片晶圆上制作不同规格的产品；这些晶圆必须通过晶片允收测试，晶粒将会一一经过针测(Probe)仪器以测试其电气特性，而不合格的晶粒将会被标上记号(Ink Dot)，此过程即称之为晶圆针测制程(Wafer Probe)。
然后晶圆将依晶粒为单位分割成一粒粒独立的晶粒。
三、IC构装制程●IC构装制程(Packaging)：利用塑料或陶瓷包装晶粒与配线以成机体电路●目的：是为了制造出所生产的电路的保护层，避免电路收到机械性刮伤或是高温破坏。
半导体光罩工艺流程
半导体光罩工艺流程1.涂覆光刻胶在半导体晶圆上。
Coat photoresist on the semiconductor wafer.2.烘干晶圆，使光刻胶变得均匀。
Bake the wafer to make the photoresist uniform.3.使用光刻机将光刻胶暴露在紫外光下。
Expose the photoresist to ultraviolet light using a photolithography machine.4.开发光刻胶，以显示出光罩所需的图案。
Develop the photoresist to reveal the pattern required for the photomask.5.将图案转移到半导体晶圆上。
Transfer the pattern onto the semiconductor wafer.6.检查光刻形成的图案是否符合要求。
Inspect the pattern formed by photolithography to ensure it meets the requirements.7.进行浸泡处理，以去除残留的光刻胶。
Perform a wet etching process to remove any residual photoresist.8.清洗晶圆，以去除浸泡处理产生的化学物质。
Rinse the wafer to remove any chemicals produced during the wet etching process.9.检查半导体晶圆上的图案质量。
Inspect the quality of the pattern on the semiconductor wafer.10.进行蚀刻，以在晶圆上形成所需的结构。
Perform etching to create the required structures on the wafer.11.检查蚀刻后的晶圆表面，确保结构质量。
硅片(多晶硅)切割工艺及流程毕业设计论文
Xinyu College毕业设计（论文）题目硅片（多晶硅）切割工艺及流程所属系太阳能科学与工程系专业光伏材料加工与应用技术硅片（多晶硅）切割工艺及流程摘要随着能源短缺和环境污染等问题的日益加剧，利用可再生、无污染的能源已成为现代社会的一个趋势，太阳能的开发与利用越来越被人们所重视。
未来太阳的大规模应用主要是用来发电，目前实用太阳能发电方式主要为“光—电转换”。
其基本原理是利用光生伏打效应将太阳辐射能直接转换为电能，它的基本装置是太阳能电池。
太阳能电池是由太阳能电池硅片组件组成的一个系统。
硅片的质量直接影响了太阳电池的光电转换效率。
本文介绍了光伏产业的发展现状及趋势，对多线切割、硅片切割机的工作原理及结构进行了大概的介绍，详细阐述了硅片切割工艺及流程，并对切片切割操作中遇到的问题及解决方案作了详尽的论述。
关键词：多线切割；wafer(polycrystalline) cutting technology andflowAbstractAs the shortage of energy and the pollution of environment, it is a trend use renewable and non-pollution energy nowadays, thedevelopment and use of solar energy is becoming more valued by people .A scale use of the sunshine is main use to generate electricity。
Nowadays the main way to use solar to generate electricity is translate light to electricity . Its basic principle is use photovoltaic effect to solar radiation energy to electric immediate. Its foundation appliance is solar cell. Solar cell is a system make of silicon wafers. The quality of silicon wafer influences the photoelectric conversion efficiency of solar immediate.This passage introduced the current situation and trend ofPhotovoltaic Industry. We have a general introduce of multiwire cutting , the operating principle and the structure of silicon wafer slitter. Also it included the expound silicon wafer cutting and technological process in detail. At last, we have a detail expound of the problems and solve project while cutting silicon wafers and solve project..Keywords: multiwire cutting;目录摘要 (I)ABSTRACT (II)第1章光伏产业的发展现状及趋势 (2)1.1国际光伏产业的现状 (1)1.2国内光伏产业的现状 ................................................... 错误！未定义书签。
晶圆制造工艺流程
晶圆制造工艺流程1、表面清洗2、初次氧化3、CVD(Chemical Vapor deposition) 法沉积一层Si3N4 (Hot CVD 或LPCVD) 。
(1)常压CVD (Normal Pressure CVD)(2)低压CVD (Low Pressure CVD)(3)热CVD (Hot CVD)/(thermal CVD)(4)电浆增强CVD (Plasma Enhanced CVD)(5)MOCVD (Metal Organic CVD) & 分子磊晶成长(Molecular Beam Epitaxy)(6)外延生长法(LPE)4、涂敷光刻胶(1)光刻胶的涂敷(2)预烘(pre bake)(3)曝光(4)显影(5)后烘(post bake)(6)腐蚀(etching)(7)光刻胶的去除5、此处用干法氧化法将氮化硅去除6 、离子布植将硼离子(B+3) 透过SiO2 膜注入衬底,形成P 型阱7、去除光刻胶,放高温炉中进行退火处理8、用热磷酸去除氮化硅层,掺杂磷(P+5) 离子,形成N 型阱9、退火处理,然后用HF 去除SiO2 层10、干法氧化法生成一层SiO2 层,然后LPCVD 沉积一层氮化硅11、利用光刻技术和离子刻蚀技术,保留下栅隔离层上面的氮化硅层12、湿法氧化,生长未有氮化硅保护的SiO2 层,形成PN 之间的隔离区13、热磷酸去除氮化硅,然后用HF 溶液去除栅隔离层位置的SiO2 ,并重新生成品质更好的SiO2 薄膜, 作为栅极氧化层。
14、LPCVD 沉积多晶硅层,然后涂敷光阻进行光刻,以及等离子蚀刻技术,栅极结构,并氧化生成SiO2 保护层。
15、表面涂敷光阻,去除P 阱区的光阻,注入砷(As) 离子,形成NMOS 的源漏极。
用同样的方法,在N 阱区,注入B 离子形成PMOS 的源漏极。
16、利用PECVD 沉积一层无掺杂氧化层,保护元件,并进行退火处理。
流片的工艺流程
流片的工艺流程（中英文实用版）英文文档内容：The process flow of wafer fabrication, commonly known as "flowing" in the semiconductor industry, is a complex series of steps that transform a raw silicon wafer into a functional integrated circuit.This process is critical in the production of microchips and involves several key stages, including design, manufacturing, and testing.The initial step in the wafer fabrication process is the design phase, where engineers create the electronic circuitry that will be etched onto the silicon wafer.This design is crucial as it determines the functionality of the final integrated circuit.Once the design is complete, the manufacturing phase begins.This involves several sub-processes, including photolithography, etching, deposition, and planarization.Photolithography uses light-sensitive chemicals and masks to transfer the electronic design onto the wafer.Etching removes unwanted material, while deposition adds layers of Conductive, Insulating, or Semiconductor materials to the wafer.Planarization ensures that the surface of the wafer is flat and ready for the next steps.After manufacturing, the wafer undergoes testing to ensure that it meets the required specifications.This testing includes electrical testing,where the functionality of the integrated circuits is checked, and visual inspection, where any physical defects are identified.Finally, the wafer is packaged, which involves encapsulating the delicate silicon in a protective material to protect it from damage during use.This process is followed by testing the packaged chips to ensure their functionality before they are shipped to customers.中文文档内容：晶圆制造的工艺流程，在半导体行业中通常被称为“流片”，是将原始硅晶圆转化为功能性集成电路的一系列复杂步骤。