透射式光电传感器
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PD Topr Tstg Tsol
三.光电特性(Ta=25℃)
输入 输出 综合
项目 正向压降 反向电流 集～射压降 射～集压降 集电极遮光电流 集电极通光电流 饱和压降 响应 上升时间 时间 下降时间
符号 VF IR V（BR）CEO V（BR）ECO ICEO IC（ON） VCE（SAT） Tr Tf
Photo Interrupter
PART №：DB1S650
四. 电学特性曲线图（Ta=25℃）
图.1 耗散功率与环境温度
透射式光电传感器
图.2 正向电流与正向电压
正向电流 IF (mA)
耗散功率 P (mW)
环境温度 Ta (℃)
图.3 集电极电流与集射电压
正向电压 VF (V)
图.4 响应时间与负载电阻
最小
30 5 2
数值
单位
60
mA
5
V
1
A
75
mW
20
mA
30
V
5
V
100
mW
-25℃～+85℃
-40℃～+100℃
260℃ 为 5 秒 (距管体 1.6mm)
典型 1.2
3 4
最大 1.5 100
100 5 0.4 15 20
单位 V
μA V V nA mA V
μS
测试条件 IF=20mA VR=5V IC=1mA IE=100A VCE=10V VCE=5V,IF=20mA IC=70μA,IF=1.4mA VCE=5V,IF=2mA RL=100Ω
光缝 受光间距 引脚间距 封装
DB1S650
直向槽型
Hale Waihona Puke Baidu
直接安装型 0.5
5.0
高分辨能力
9.5
图.6
二. 极限参数(Ta=25℃)
输入 输出
项目 正向电流 反向电压 脉冲电流 耗散功率 集电极电流 集～射压降 射～集压降 耗散功率 工作温度 储藏温度 焊接温度
符号 IF VR IP PD IC
VCEO VECO
Photo Interrupter
PART №：DB1S650
透射式光电传感器
* DB1S650 是采用高功率红外发光二极管与高灵敏度光电晶体管组成的光电传感器。
* 适用于光电控制、光电计量等电路中，可检测物体的有无、运动方向、转速等方面。
一. 产品规格(单位:毫米)
产品型号 产品图片 内部电路 特性描写
响应时间 (uS)
集电极电流 IC (mA)
集射电压 VCE (V)
图.5 响应时间测试电路
负载电阻 RL (KΩ)
图.6 外形尺寸图 (单位：毫米 ±0.1)
三.光电特性(Ta=25℃)
输入 输出 综合
项目 正向压降 反向电流 集～射压降 射～集压降 集电极遮光电流 集电极通光电流 饱和压降 响应 上升时间 时间 下降时间
符号 VF IR V（BR）CEO V（BR）ECO ICEO IC（ON） VCE（SAT） Tr Tf
Photo Interrupter
PART №：DB1S650
四. 电学特性曲线图（Ta=25℃）
图.1 耗散功率与环境温度
透射式光电传感器
图.2 正向电流与正向电压
正向电流 IF (mA)
耗散功率 P (mW)
环境温度 Ta (℃)
图.3 集电极电流与集射电压
正向电压 VF (V)
图.4 响应时间与负载电阻
最小
30 5 2
数值
单位
60
mA
5
V
1
A
75
mW
20
mA
30
V
5
V
100
mW
-25℃～+85℃
-40℃～+100℃
260℃ 为 5 秒 (距管体 1.6mm)
典型 1.2
3 4
最大 1.5 100
100 5 0.4 15 20
单位 V
μA V V nA mA V
μS
测试条件 IF=20mA VR=5V IC=1mA IE=100A VCE=10V VCE=5V,IF=20mA IC=70μA,IF=1.4mA VCE=5V,IF=2mA RL=100Ω
光缝 受光间距 引脚间距 封装
DB1S650
直向槽型
Hale Waihona Puke Baidu
直接安装型 0.5
5.0
高分辨能力
9.5
图.6
二. 极限参数(Ta=25℃)
输入 输出
项目 正向电流 反向电压 脉冲电流 耗散功率 集电极电流 集～射压降 射～集压降 耗散功率 工作温度 储藏温度 焊接温度
符号 IF VR IP PD IC
VCEO VECO
Photo Interrupter
PART №：DB1S650
透射式光电传感器
* DB1S650 是采用高功率红外发光二极管与高灵敏度光电晶体管组成的光电传感器。
* 适用于光电控制、光电计量等电路中，可检测物体的有无、运动方向、转速等方面。
一. 产品规格(单位:毫米)
产品型号 产品图片 内部电路 特性描写
响应时间 (uS)
集电极电流 IC (mA)
集射电压 VCE (V)
图.5 响应时间测试电路
负载电阻 RL (KΩ)
图.6 外形尺寸图 (单位：毫米 ±0.1)