_第1章 电子技术中常用半导体器件
模拟电子技术习题答案(1)
模拟电子技术习题答案(1)
第一章常用半导体器件1
习题答案
〖题1.1〗（1）杂质浓度，温度（2）呈圆形电中性，呈圆形电中性（3）等同于，大于，变宽，大于，变窄（4）逆向打穿（5）减小，减小，增大（6）左移，下移，加高（7）、发射结，erf（8）一种载流子参予导电，两种载流子参予导电，压控，流控。
〖题1.2〗二极管电路如图t1.2所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出端电压uo。设二极管的导通压降为ud=0.7v。
adbadr10v5vcb?uo??r5v10vuo?(a)b1d1a?r12v9v?uob1b2(b)d1d2r10v15vuoab2d2??(c)(d)图t1.2
解：（a）uo=ua－ud=－5v－0.7v=－5.7v（b）uo=ub=uc=－5v（c）uo=ua=－0.7v（d）uo=ua=－9.3v
〖题1.3〗二极管电路例如图t1.3(a)右图，未知ui?10sin?t(mv)，e?1.2v，
ui电容c和直流电源e对交流视为短路，二极管的伏安特性曲线如图t1.3(b)所示，r?100?，
谋二极管两端的电压和穿过二极管的电流。
解：id?id?id?(5?1.92sin?t)ma
ud?ud?ud?(0.7?0.01sin?t)v
+redcid/ma12id8400.30.60.91.2ud/v??ud(a)(b)图t1.3
第一章常用半导体器件2
〖题1.4〗设图t1.4中的二极管d为理想二极管，试通过计算判断它们是否导通？。
6k?d4k??5k?1k?4k?5kb20v?18kd?20k?14kb?1k5k?15v10vaa10v?2k(a)(b)图t1.4
解：(a)ua??10?41?(?20)9v4?61?45ub??2010v,ua?ub,二极管导通；
14211431电子技术知识点
第1章：常用半导体器件-复习要点
基本概念：
了解半导体基本知识和PN结的形成及其单向导电性；掌握二极管的伏安特
性以及单向导电性特点，理解二极管的主要参数及意义，掌握二极管电路符号；
理解硅稳压管的结构和主要参数，
掌握稳压管的电路符号；了解三极管的基本结构和电流放大作用，
理解三极管的特性曲线及工作在放大区、饱和区和截止区特点，
理解三极管的主要参数，掌握NPN型和PNP型三极管的电路符号。
分析依据和方法：
二极管承受正向电压（正偏）二极管导通，承受反向电压（反偏）二极管截止。
稳压管在限流电阻作用下承受反向击穿电流时，稳压管两端电压稳定不变（施加反向电压大于稳定电压，否者，稳压管反向截止）；若稳压管承受正向电压，稳压管导通（与二极管相同）。
理想二极管和理想稳压管：作理想化处理即正向导通电压为零，反向截止电阻无穷大。
三极管工作在放大区：发射结承受正偏电压；集电结承受反偏电压；
三极管工作在饱和区：发射结承受正偏电压；集电结承受正偏电压；
三极管工作在截止区：发射结承受反偏电压；集电结承受反偏电压；
难点：含二极管和稳压管电路分析，三极管三种工作状态判断以及三极管类型、极性和材料的判断。
常用填空题类型：
1.本征半导体中价电子挣脱共价键的束缚成为自由电子，留下一个空位称为空穴，
它们分别带负电和正电，称为载流子。
2.在本征半导体中掺微量的五价元素，就称为N型半导体，其多数载流子是自由电子 ，少数载流子是 空穴 ，它主要依靠多数载流子导电。
3.在本征半导体中掺微量的三价元素，就称为P型半导体，其多数载流子是空穴，少数
载流子是自由电子，它主要依靠多数载流子导电。
4.PN结加正向电压时，有较大的电流通过，其电阻较小，加反向电压时处于截止状态，这就是PN结的单向导电性。
5.在半导体二极管中，与P区相连的电极称为正极或阳极，与N区相连的电极称为负极或阴极。
6.晶体管工作在截止区的条件是：发射结反向偏置，集电结反向偏置。
半导体的基本知识
10-11学年第1学期电子技术基础教案（09技师机电1班） 刘凯
- 1 - 1-1半导体的基本知识
课 题：半导体基本知识
教学目的、要求：1、了解半导体的导电特性；
2、掌握PN结及其单向导电性。
教学重点、难点：1、PN结形成的过程；（难点）
2、PN结的单向导电性。（重点）
授 课 方 法：多媒体课件讲授，提纲及重点板书。
授 课 提 纲：
教 学
内 容：
组织教学
准备教学材料，清点学生人数。（课前2分钟）
引入新课
半导体器件是用半导体材料制成的电子器件。常用的半导体器件有二极管、三极管、场效应晶体管等。半导体器件是构成各种电子电路最基本的元件。
从本节课开始，我们先从半导体的基本知识开始，介绍常用的半导体器件。要求大家本征半导体的特点，掌握PN结的形成及单向导电性。（2分钟）
进入新课
第一章 常用半导体器件
§1-1
半导体的基本知识【板书】
一、什么是半导体【板书】
1、物质按导电能力的分类【标题板书+内容多媒体】（8分钟）
自然界中的物质按其导电能力可以分为三大类：导体、绝缘体和半导体。物质的导电特性取决于原子结构。
⑴导体：一般为低价元素，如铜、铁、铝等金属，其最外层电子受原子核的束缚力很小，因而极易挣脱原子核的束缚成为自由电子。因此在外电场作用下，这些电子产生定向移动形成电流，呈现出较好的导电特性。
⑵绝缘体：高价元素（如惰性气体）和高分子物质（如橡胶，塑料）最外层电子受原子核的束缚力很强，极不易摆脱原子核的束缚成为自由电子，所以其导电性极差, 可作为绝缘材料。
⑶半导体：半导体材料最外层电子既不像导体那样极易摆脱原子核的束缚,成为自由电子,也不像绝缘体那样被原子核束缚得那么紧,因此，半导体的导电特性介于二者之间。 第一章 常用半导体器件
§1-1 半导体的基本知识
一、什么是半导体
《模拟电子技术》教案(全)
第 1 页 共 52 页 《模拟电子技术》教案（全）
模拟电子技术教案 信息工程系 目 录 第一章 常用半导体器件 第一讲 半导体基础知识 第二讲 半导体二极管 第三讲 双极型晶体管三极管 第四讲 场效应管 第二章 基本放大电路 第五讲 放大电路的主要性能指标及基本共射放大电路组成原理 第六讲 放大电路的基本分析^p
^p 方法 第七讲 放大电路静态工作点的稳定 第八讲 共集放大电路和共基放大电路 第九讲 场效应管放大电路 第十讲 多级放大电路 第十一讲 习题课 第三章 放大电路的频率响应 第十二讲 频率响应概念、RC电路频率响应及晶体管的高频等效模型 第十三讲 共射放大电路的频率响应以及增益带宽积 第四章 功率放大电路 第十四讲 功率放大电路概述和互补功率放大电路 第十五讲 改进型OCL电路 第五章 模拟集成电路基础
第十六讲 集成电路概述、电流电路和有负载放大电路 第十七讲 差动放大电路 第十八讲 集成运算放大电路 第六章 放大电路的反馈 第十九讲
反馈的基本概念和判断方法及负反馈放大电路的方框图 第二十讲 深度负反馈放大电路放大倍数的估算 第二十一讲 负反馈对放大电路的影响 第七章 信号的运算和处理电路 第二十二讲 运算电路概述和基本运算电路 第二十三讲
模拟乘法器及其应用 第二十四讲 有滤波电路 第八章 波形发生与信号转换电路 第二十五讲 振荡电路概述和正弦波振荡电路 第二十六讲 电压比较器 第二十七讲 非正弦波发生电路 第二十八讲 利用集成运放实现信号的转换 第九章 直流电 第二十九讲 直流电的概述及单相整流电路 第三十讲 滤波电路和稳压管稳压电路 第三十一讲 串联型稳压电路 第三十二讲 总复习 第一章 半导体基础知识 本章主要内容 本章重点讲述半导体器件的结构原理、外特性、主要参数及其物理意义，工作状态或工作区的分析^p
模电第一章期末知识点总结
模拟电子技术基础复习要点
一、常用半导体器件
1. 半导体二极管
（1）掌握二极管具有单向导电的特性。用电位的方法来判断二极管是否导通，即，哪个二极管的阳极电位最高，或哪个二极管的阴极电位最低，哪个二极管就优先导通。
（2）注意：理想二极管导通之后相当短路，截止后相当开路。
（3）掌握二极管的动态电阻小，静态电阻大的概念（直流通路恒压源，交流通路小电阻）。
交流的时候把二极管当成一个交流的小电阻，用静态工作点和公式求二极管的电阻值
（4）熟悉二极管的应用（开关、钳位、隔离、保护、整流、限幅）作业：1.3
2. 半导体稳压管
（1）掌握稳压管工作在反向击穿区的特点
只要不超过稳压管的最大功率，电流越大越好
（2）掌握稳压管与一电阻串联时，在电路中起的稳压作用。 （3）掌握稳压管的动态电阻小，静态电阻大的概念。
（3）熟悉稳压管的应用（稳压、限幅）作业：1.5 , 1.6
3. 晶体三极管
（1）熟悉晶体管的电流放大原理（重点掌握Ic=βIb）
（2）掌握NPN型三极管的输出特性曲线。
晶体管有三个级，必然就有BE间的输入，CE间的输出，所以有两组特性曲线。
iB和Ube之间的关系，但是保证Uce是一个恒定值
iC和Uce之间的关系，保证Ib是一个恒定值
关于NPN型管子：管子处于何种状态要根据电压之间的关系来确定。主要是饱和区和截止区之间的区别
（3）掌握三极管的放大、饱和与截止条件。
（4）理解CEOCBOII和的定义及其对晶体管集电极电流的影响。作业：1.9，1.12 ，
共射交流放大倍数β，共基交流放大倍数α≈1
4. 场效应管
（1）能够从转移特性曲线和输出特性曲线识别场效应管类型。
（2）掌握结型场效应管(N沟道)的转移特性和输出特性的意义。
（3）掌握绝缘栅N沟道增强型MOS的转移特性和输出特性的意义。
（4）掌握电流方程，1.4.4 式和1.4.5式 作业：1.14
模拟电子科学与技术 第一单元复习题
1 第一章 常用半导体器件
一、判断题：正确： “√”，错误：“×”。
（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（ ）
（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ）
（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ）
（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（ ）
（5）稳压管稳压电路正常工作时，稳压管工作在正向导通状态。（ ）
（6）PN结正偏时正向电阻很小，呈现低阻态，反偏时反向电阻很大，呈现高阻态。（ ）
（7）在本征半导体中，自由电子与空穴总是成对出现的。（ ）
（8）PN结外加正向电压时导通，外加反向电压时截止。（ ）
（9）最大整流电流是二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流。（ ）
（10）二极管最高反向工作电压就是击穿电压。（ ）
（11）双极型晶体管比场效应管的温度稳定性好、抗辐射能力强。（ ）
（12）当晶体管工作在饱和区时，晶体管失去线性放大作用。（ ）
（13）在测量的稳压管参数时，稳压管的稳定电流Iz是与稳定电压Uz所对应的稳压管电流，只要不超过额定功率，电流愈大，稳压效果愈好。（ ）
（14）稳压管电路中，外加反向电压必须大于稳压管的稳定电压，并且必须串联一个电阻来限制反向击穿电流，从而保证稳压管安全正常工作，故称这个电阻为限流电阻。（ ）
（15）晶体管能够放大的内部条件是发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度，并且基区很薄，集电结面积较大。（ ）
（17）在本征半导体晶体中掺入微量的五价杂质元素，可形成P型半导体。( )
（18）在本征半导体晶体中掺入微量的五价杂质元素，可形成N型半导体。( )
（19）普通硅二极管的正向导通压降约等于0.7V（ ）。
（20）普通锗二极管的正向导通压降约等于0.7V（ ）。
（21）普通硅二极管的正向死区电压（门槛电压）约等于0.5V（ ）。
(完整版)电子技术基础教学大纲
电子技术基础教学大纲
电子技术基础是入门性质的技术基础课，它既有自身的理论体系，又有很强的实践性。本课程的任务是使学生获得电子技术方面的基本理论、基本知识和基本技能，培养分析问题和解决问题的能力，为今后进一步学习、研究、应用电子技术打下基础。本课程是我院工科电类专业的必修课。
模拟部分教学大纲
学时： 55 学分:4
适用专业：电子类、自控类、计算机类专业（高职高专）
先修课程：《大学物理》、《电工技术基础》
一、课程内容和基本要求
第一章 半导体器件
1、正确理解PN结的形成及其单向导电作用，熟练掌握二极管、稳压管的外特性和主要参数。
2、正确理解半导体三极管的结构及工作原理，熟练掌握外特性和主要参数。
第二章 基本放大电路
1、正确理解放大的基本概念，放大电路的主要指标，掌握放大电路的组成特点。
2、掌握放大电路定性分析方法及静态工作点的估算方法。
3、熟练掌握放大电路的等效电路法，会计算静态工作点，能用微变等效电路计算放大电路的电压放大倍数、输入和输出电阻。
4、正确理解放大器失真产生的原因及解决的办法， 放大电路频率特性的概念及其频率特性。
5、了解级间耦合放大电路的工作原理及指标的估算，选频放大电路。 第三章 场效应管放大电路
1、正确理解结型场效应管和绝缘栅场效应管的结构、工作原理，掌握特性曲线和主要参数。
2、确理解场效应管放大电路结构，工作原理。
第四章 集成运算放大电器
1、熟练掌握集成运算放大器的组成、性能特点和基本单元电路。
2、正确理解差动放大器的组成、工作原理及应用，了解通用型集成运算放大器的主要性能指标。
3、了解集成运放的应用及两种基本电路。
第五章 负反馈放大电路
1、练掌握反馈的基本概念和分类，会判断反馈放大电路的类型和极性。
2、熟练掌握负反馈的四种组态及其对放大电路性能的影响。
第六章 集成运算放大器的应用
1、练掌握由集成运放组成线性电路和非线性应用电路的方法和应用知识。
《模拟电子技术基础》(童诗白、华成英第四版)习题解答
1
模拟电子技术基础
第四版
清华大学电子学教研组 编
童诗白 华成英 主编
自测题与习题解答
山东大学物理与微电子学院 2 目录
第1章 常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3
第2章 基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14
第3章 多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31
第4章 集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41
第5章 放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50
第6章 放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60
第7章 信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74
第8章 波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90
第9章 功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114
第10章 直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126 3 第1章 常用半导体器件
自测题
一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。( √ )
(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × )
(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( √ )
(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( × )
(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其GSR大的特点。( √ )
(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GSU 大于零，则其输入电阻会明显变小。( × )
二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄 B.基本不变 C.变宽
(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿
(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏
(4) UGS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
电子技术教案完整版
编号：1—1 教研室主任签字:王亚君
授课日期
授课班级
课题名称 第一章 常用半导体器件
§1-1 半导体的基本知识
教学目的 1. 知道半导体的导电特性
2．知道两种杂质半导体的形成、特点
3．提高学生学习本课程的兴趣。
4．对学生进行养成教育；安全及就业观的引导。
教学重点 半导体的导电特性、两种杂质半导体的形成、特点
教学难点 PN结的形成及其特性
教学方法 讲练法
课题类型 新授课
课的结构 组织教学→复习→导入新课→讲授新课→练习→小结→作业
教学环节 教 学 内 容 教学活动 时间
组织教学
导入新课
讲授新课
考勤，教师组织学生做好上课准备
课前教育：
1、本课程的性质与本专业的联系
2、课堂要求：学习态度；出勤要求
作业要求
3、学时分配：理论；实验
按导电能力物质的分类有几种
§1-1 半导体的基本知识
一、半导体的导电特性
1、半导体的特点
热敏性，光敏性，掺杂性
2、半导体的导电特性
有两种导电粒子：自由电子和空穴
教师环视学生集中学生注意力
教师叙述
10分钟
15分钟
教学环节 教 学 内 容 教学活动 时间
讲授新课
练 习
讲授新课
二、N型和P型半导体
1、N型半导体的形成及特点
1）形成：在纯净的半导体中掺入五价元素磷
2）特点：自由电子多、空穴少
2、P型半导体的形成及特点
1）形成：在纯净的半导体中掺入三价元素硼
2）特点：自由电子少、空穴多
1、常用的半导体材料是（ ）和（ ）。
2、N型半导体的多数载流子是（ ）、少数栽流子是（ ）。
3、N型和P型半导体的电中性
电子电路基础习题册参考答案-第一章
电子电路基础习题册参考答案（第三版）全国中等职业技术
第一章 常用半导体器件
§1-1 晶体二极管
一、 填空题
1、物质按导电能力的强弱可分为 导体 、 绝缘体 和 半导体
三大类，最常用的半导体材料是 硅 和 锗 。
2、根据在纯净的半导体中掺入的 杂质 元素不同，可形成 N
型半导体和 P 型半导体。
3、纯净半导体又称 本征 半导体，其内部空穴和自由电子数
相等 。N型半导体又称 电子 型半导体，其内部少数载流子是
空穴 ；P型半导体又称 空穴 型半导体，其内部少数载流子是
电子 。
4、晶体二极管具有 单向导电性 ，即加正向电压时，二极管 导通 ，加反向电压时，二极管 截止
。一般硅二极管的开启电压约为 V，锗二极管的开启电压约为 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为 V,锗二极管的正向压降约为
V。
5.锗二极管开启电压小，通常用于 检波电路 ，硅二极管反向电流小，在 整流电路
及电工设备中常使用硅二极管。
6.稳压二极管工作于 反向击穿 区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能 好 。 7在稳压电路中，必须串接 限流 电阻，防止 反向击穿电流 超过极限值而发生 热击穿 损坏稳压管。
8二极管按制造工艺不同，分为 点接触 型、 面接触 型和 平面 型。
9、二极管按用途不同可分为 普通二极管 、 整流二极管 、
稳压二极管 、
开关 、 热敏 、 发光 和 光电二极管 等二极管。
10、二极管的主要参数有 最大整流电流 、 最高反向工作电压 、 反向饱和电流 和 最高工作频率 。