06光刻技术
Resulting pattern after the resist is developed.
Incident wave Reflected wave
Photoresist
Film Substrate Standing waves cause nonuniform exposure along the thickness of the photoresist film.
Emission Spectrum of Typical High Pressure Mercury Arc Lamp
第二单元：图形加工技术 （光 刻 Optical Lithography ） （Ch7~Ch11）
Tungsten LI
Polysilicon
Tungsten plug
Mag. 17,000 X
Micrograph courtesy of Integrated Circuit Engineering
8) Metal etch
Resulting layers
3 2 1 7 8
Cross section
Top view
• 光刻是一种将图形复印和腐蚀相结合的精密表面 加工技术 在集成电路生产过程中，在介质和金 属膜上复印并刻蚀出与设计的掩膜版完全对应的 图形，以实现选择性扩散和金属布线的目的。 • 光刻是集成电路微图形结构加工的关键工艺技术 • 集成电路的特征尺寸基本上是由光刻技术决定的， 因此通常用特征尺寸来评价生产线的技术水平。 • 通常用光刻的套刻次数来表示某中集成电路生产 工艺的难易程度。 • 关键技术：套刻（对准）、图形转移（曝光）、刻蚀
Layout and Dimensions of Reticle Patterns
1) STI etch
2) P-well implant
3) N-well implant
4) Poly gate etch
5) N+ S/D implant
6) P+ S/D implant
5 4 6
7) Oxide contact etch
UV exposure light
Mask
Edge diffraction Exposed photoresist
Unexposed photoresist
Surface reflection
Polysilicon
STI
Notched photoresist STI
Substrate
Incident and Reflected Light Wave Interference in Photoresist
• 光源的选择：
– 分辨率、量子效应、衍涉、散射和漫反射（与界面和 光刻胶有关）
(nm) Ultraviolet spectrum Visible spectrum
EUV
VUV
DUV
Mid-UV
Violet
Blue
Green Yellow Orange
Red
4
50
100
150
200
250
300
350
2) Spin coat
3) Soft bake
4) Alignment and Exposure
5) Post-exposure bake
6) Develop
7) Hard bake
8) Develop inspect
6.1.1光致抗蚀剂与涂胶工艺
– 两种类型的抗蚀剂： （Ch 8）
• 1）负性胶：抗蚀剂在曝光前对某些溶剂是可溶的，而 曝光后硬化成不可溶解的物质。
– 6.1.3 曝光 （Ch 7）
• 分辨率 线宽、光源 • 图形畸变 细线条与大晶片（设备与曝光方式）、 光学畸变（光源和掩膜版设计） • 套准精度 设备的机械性能、光路设计和传感系统 • 图形完整性 曝光方式、环境净化、晶片平整度
（膜厚与刻蚀）
– 1）曝光方式
• 接触式曝光：page 165，（紫外光）>5m • 接近式曝光： page 166， （紫外光、软x射线） • 投影式曝光： （Stepper） pages 167-172 （紫外光、平行电子束） • 直写式曝光：（电子束）
• 对抗蚀剂性能的要求：
– 1）高分辨率：光刻胶光刻时所能得到的光 刻图形的最小尺寸。 常用1/W（条线/毫米）表示。 • 这里的分辨率包含光刻胶和曝光两种因素 • 正胶的分辨率高于负胶
• 平均分子量越大，分子量的分散性越大，则分辨 率越小。
W/2 W/2 W/2 W/2
对比度
1 lg(D100 / D0 )
400
450
500
550
600
650
700
13
126 157
193
248
365 i
405 436 g h
Excimer laser
Mercury lamp
Photolithography light sources
Photoresist Reflective Notching Due to Light Reflections
Wafer stage controls position of wafer in X, Y, Z, q)
Stepper Exposure Field
UV light Reticle field size 20 mm × 15mm, 4 die per field
5:1 reduction lens
• 图形加工（光刻）：包括图形转移（复印） 和图形刻蚀 • 基本要求：
– 高分辨率（光学仪器、光源和感光膜、刻蚀 技术） – 高灵敏度（感光膜 光致抗蚀剂） – 精密的套刻对准（自动化精密机械） – 大尺寸硅片加工（光学仪器、硅片加工精度） – 低缺陷（超净、掩膜版的完整） – 完美的刻蚀
• 图形转移技术（光刻技术）
Serpentine stepping pattern
Image exposure on wafer 1/5 of reticle field 4 mm × 3 mm, 4 die per exposure Wafer
Photolithography Track System
准分子激光
– 2）光源
• 光致抗蚀剂有多种，一般主要根据刻蚀对象（线 条粗细、刻蚀深度、光源和材料）而定。根据需 要也有采取多层抗蚀剂的。
• 聚乙烯醇肉桂酸脂（KPR负性胶）
• 紫外光照射后，引起聚合物分子间的交联，形成 不溶于显影液的立体网状结构。
• 2-叠氮1-萘醌5-硫酰氯与聚酚团 （AZ-1350正性胶）
• 紫外光照射后，使邻-叠氮萘醌基团分解，并在 有水存在的情况下，形成五元环羧酸 — 溶于弱 碱液。
Mercury Arc Lamp Intensity Peaks
UV Light Wavelength (nm) 436 405 365 248 Descriptor g-line h-line i-line Deep UV (DUV) CD Resolution (m) 0.5 0.4 0.35 0.25
– 涂胶工艺 – 1）增粘处理
• SiO2膜的干燥处理
• 增粘剂：
Effect of Poor Resist Adhesion Due to Surface Contamination
Resist liftoff
– 2）涂胶方法
• 转速：膜的厚度 • 时间：均匀、稳定
1) Resist dispense
Areas exposed to light become crosslinked and resist the developer chemical.
Ultraviolet light Chrome island on glass mask
Exposed area of photoresist
Island Window
– 2）高灵敏度：光刻胶感光所必须的照射量
• 正性胶：显影后使膜厚为零时的最小照射量 • 负性胶：显影后膜厚减薄至原膜厚1/2时的照射 量
– 3）粘附性：与待刻介质之间粘附的牢固程 度，直接影响光刻质量。
• 绝大多数抗蚀剂都是疏水性的，而许多介质（特 别是SiO2是亲水的。
– 4）成膜性：能形成致密性好的、针孔密度小 的薄膜。 – 5）稳定性：主要指烘烤干燥时的热稳定性， 不发生热交联，不发生热形变。 – 6）抗蚀性：能够较长时间抵抗腐蚀剂的侵蚀。 整体的抗蚀性与粘附性、成膜性也关。 – 7）颗粒度和纯度 – 常见光致抗蚀剂及工作原理
Reticle (may contain one or more die in the reticle field) Projection lens (reduces the size of reticle field for presentation to the wafer surface)
Single field exposure, includes: focus, align, expose, step, and repeat process
Reticle Pattern Transfer to Resist
UV light source
Shutter
Alignment laser
Shutter is closed during focus and alignment and removed during wafer exposure
简述光刻技术
简述光刻技术光刻技术是一种半导体加工技术，它被广泛应用于集成电路制造、平板显示器制造、MEMS（微机电系统）制造以及其他微纳米器件的制造中。
通过光刻技术，可以将图案投影到半导体材料表面上，然后使用化学刻蚀等工艺将图案转移到半导体材料上，从而制作出微小而精密的结构。
光刻技术的发展对现代电子工业的发展起到了关键作用，其不断提升的分辨率和精度，为微电子领域的发展提供了强大的支持。
光刻技术的基本原理是利用光学投影系统将图案投射到半导体材料的表面上。
该图案通常由一个硅片上的光刻透镜形成，这个硅片被称为掩膜，通过掩膜和投影光源的组合来形成所需的图案。
投影光源照射到掩模上的图案，然后通过光学投影系统将图案投影到待加工的半导体材料表面上，形成微小的结构。
在现代的光刻技术中，使用的光源通常是紫外线光源，其波长为193nm或者更短的EUV（极紫外光）光源。
这样的光源具有较短的波长，可以实现更高的分辨率，从而可以制作出更小尺寸的微结构。
光刻机的光学镜头和控制系统也在不断地提升，以满足对分辨率和精度的需求。
光刻技术在半导体制造中的应用主要包括两个方面，一是用于制作集成电路中的各种微小结构，例如晶体管的栅极、金属线路、电容等；二是用于制作各种传感器、MEMS等微纳米器件。
在集成电路制造中，光刻技术通常是在硅片上进行的，硅片经过多道工艺，将图案逐渐转移到硅片上，并最终形成完整的芯片。
在平板显示器制造中，光刻技术则是用于制作液晶显示器的像素结构；而在MEMS器件的制造中，光刻技术则是用于制作微机械结构和微流体结构。
光刻技术的发展受到了许多因素的影响，包括光学技术、光源技术、掩膜制备技术、光刻胶技术等。
在光学技术方面，光学投影系统的分辨率和变像畸变都会直接影响到光刻的精度；在光源技术方面，光刻机所使用的光源的波长和功率都会对分辨率和加工速度有直接影响；掩膜制备技术则影响到了掩模的制备精度和稳定性；光刻胶技术则直接影响到了图案的传输和转移过程。
光刻去胶工艺技术
光刻去胶工艺技术光刻去胶工艺技术是一种在半导体器件制造过程中非常重要的工艺技术。
光刻去胶工艺技术的主要作用是将胶层去除，使光刻胶起到遮蔽某些区域的作用，从而实现对半导体器件进行精确的雕刻。
光刻去胶工艺技术的主要步骤包括胶层涂覆、曝光、显影和去胶等过程。
首先，将光刻胶溶液涂覆在待处理的基片上，然后进行紫外线曝光，使光刻胶在被曝光的区域发生化学反应。
接下来，使用显影剂将未被曝光的光刻胶去除，形成所需的图形。
最后，利用去胶剂去除曝光的光刻胶，露出基片上的材料。
光刻去胶工艺技术具有许多优点。
首先，它具有高分辨率和精确控制的特点，使得可以制造出非常小尺寸的器件。
其次，光刻去胶工艺技术可以适应不同种类的基片材料，例如硅、石英和玻璃等。
此外，光刻去胶过程中的去胶剂对基片材料没有侵蚀性，保证了器件的质量。
然而，光刻去胶工艺技术也存在一些挑战和限制。
首先，由于胶层的涂覆和显影过程都是液体操作，因此容易产生液体残留，对设备和器件造成污染。
其次，在光刻过程中，温度和湿度的变化也会对曝光和显影过程产生影响，需要进行封闭式环境的控制。
为了克服这些问题，研究人员们正在努力改进光刻去胶工艺技术。
一方面，他们在胶层涂覆和显影过程中引入自动化控制，以减少手动操作的错误和污染。
另一方面，他们还在光刻机的设计中加入了更先进的温湿度控制系统，以确保工艺参数的稳定性和可重复性。
总之，光刻去胶工艺技术是半导体器件制造过程中不可或缺的一部分。
它具有高分辨率、精确控制和适应不同基片材料的优点，但在液体操作和温湿度控制方面也存在一些挑战。
通过不断改进和创新，我们相信光刻去胶工艺技术将在半导体工业中发挥更大的作用，为我们带来更多精密的器件和先进的科技应用。
芯片制造中的光刻技术
01
光刻技术的基本原理及其在芯片制造中的重要性
光刻技术的发展历程及现状
光刻技术的起源
• 20世纪50年代，光刻技术起源于 美国贝尔实验室 • 20世纪60年代，光刻技术应用于 集成电路制造 • 20世纪70年代，光刻技术实现大 规模集成电路制造
光刻技术的发展阶段
• 20世纪80年代，光刻技术采用g 线光源，分辨率达到0.5微米 • 20世纪90年代，光刻技术采用i线 光源，分辨率达到0.35微米 • 21世纪初，光刻技术采用ArF光 源，分辨率达到193纳米
光刻胶材料的发展方向
• 光刻胶材料将实现更高分辨率、更高灵敏度、更高抗蚀性等方面的突破 • 光刻胶材料将采用新型材料、新工艺等创新手段
04
光刻工艺过程中的关键技术
光刻工艺的基本流程及关键技术点
光刻工艺的基本流程
• 光刻工艺包括光刻胶涂覆、对准、曝 光、显影、刻蚀等步骤 • 光刻工艺需要实现工艺参数的优化和 协同
• 光刻胶材料将实现更高分辨率、更高敏感度、更低成本 • 光刻设备材料将实现更高精度、更高稳定性、更低损耗
光刻技术面临的挑战及应对策略
• 光刻技术将面临光源、材料、工艺等方面的挑战 • 光刻技术将采用创新技术、优化工艺、提高产线自动化等手段应对挑战
02
光刻设备及其工作原理
光刻设备的分类及特点
01
谢谢观看
THANK YOU FOR WATCHING
光刻设备的工作原理
• 光刻设备通过光源照射光刻胶，实现图 形的转移和复制 • 光刻设备通过曝光、显影、刻蚀等工艺 实现图形的转移和复制
光刻设备的工艺流程
• 光刻设备的工艺流程包括光刻胶涂覆、 对准、曝光、显影、刻蚀等步骤 • 光刻设备的工艺流程需要实现工艺参数 的优化和协同
第六讲：光刻工艺(半导体制造技术)
❖ 工艺宽容度
整个光刻过程步骤之多，而且每一步骤都 会影响最终的图形尺寸， 另外每一工艺步骤都 有它的内部变异。不同的光刻胶对工艺变异的 容忍性都不一样。那么，容忍性越高，在晶圆 表面达到所需要尺寸的可能性就越大，或者说 工艺的宽容度就越大。
❖ 针孔
所谓针孔是指光刻胶层中尺寸非常小的空 穴。可以是涂胶工艺中由环境中的微粒污染物 造成的，也可以由光刻胶层结构上的空穴造成。 针孔是有害的，因为它可以允许刻蚀剂渗过光 刻胶层进而在晶圆表面层刻蚀除小孔。
光源则来自电磁 接近式 光谱的其他成分。
投影式
X 射线 电子束
步进式
曝光光源
普通光源光的波长范围大，图形边缘衍射现象 严重，满足不了特征尺寸的要求。所以作为晶圆生产 用的曝光光源必须是某一单一波长的光源；另外光源 还必须通过反射镜和透镜，使光源发出的光转化成一 束平行光，这样才能保证特征尺寸的要求。
时间和温度是软烘焙的参数，不完全的烘焙在 曝光过程中造成图像形成不完整和在刻蚀过程 中造成多余的光刻胶漂移；过分烘焙会造成光 刻胶中的聚合物产生聚合反应，并且不与曝光
射线反应。
负胶必须在氮气中进行烘焙，而正胶可以 在空气中烘焙。
下表总结了不同的烘焙方式
方法
烘焙时间（分钟） 温度控制 生产率
速度
光刻胶
正性
负性 PMMA PMIPK PBS TFECA COP (PCA)
聚合物
酚醛树脂（间 甲酚甲醛） 聚异戊二烯 聚甲基丙烯酸酯
聚甲基异丙烯基酮
聚丁烯 1 砜
聚三氟乙烷基氯丙烯 酸酯 共聚物（ a 氰乙基丙烯酸， a 氨基乙烷基丙烯酸酯）
极性
感光性
曝光光源
(Coul/cm )
+
光刻与刻蚀工艺
涂胶/显影技术
01
02
03
涂胶
在晶圆表面涂上一层光敏 胶，以保护非曝光区域并 提高图像对比度。
显影
用适当的溶剂去除曝光区 域的光敏胶，以形成所需 的图案。
控制胶厚
保持胶厚均匀，以避免图 像的扭曲和失真。
烘烤与曝光技术
烘烤
通过加热去除晶圆表面的湿气，以提高光敏胶的灵敏度和图像质 量。
曝光
将掩模图像投影到光敏胶上，通过光化学反应将图像转移到晶圆 上。
非接触式光刻
投影式非接触
利用光学系统将掩膜板上的图像投影到光刻胶涂层上，优点是无需直接接触，缺点是难度较高，需要精确的控 制系统。
电子束光刻
利用电子束在光刻胶上直接曝光，优点是分辨率高、无需掩膜板，缺点是生产效率低。
投影式光刻
接触式投影
掩膜板与光刻胶涂层之间保持接触，通过投影系统将图像投影到光刻胶上，优点是操作简单、高效， 缺点是图像质量可能受到掩膜板损伤和光刻胶污染的影响。
要点二
损伤控制
是指在刻蚀过程中避免对材料产生损伤。对于某些特殊 材料，如脆性材料，损伤控制尤为重要。如果刻蚀过程 中产生过多损伤，可能会导致材料性能下降甚至破裂。
感谢您的观看
THANKS
光刻工艺的基本步骤
涂胶
将光刻胶涂敷在硅片表面，以形成 光刻胶层。
烘烤
通过烘烤使光刻胶层干燥并固化。
曝光
将掩膜版上的图形对准硅片上的光 刻胶层，并使用曝光设备将图形转 移到光刻胶上。
显影
使用显影液将曝光后的光刻胶进行 化学处理，使图形更加清晰地展现 出来。
光刻工艺的重要性
光刻工艺是半导体制造中的关键环节，直接影响芯片的制造 质量和性能。
光刻机曝光技术
光刻机曝光技术是光刻机的一个核心功能，其原理是通过特定的光源照射掩膜版上的图形或电路结构，然后将图形或电路结构复制到涂有光刻胶的硅片上。
具体来说，曝光系统是光刻机的核心部件之一，为了尽量减小衍射极限的限制，曝光系统大量采用紫外、深紫外和极紫外光做光源，比如汞灯、准分子激光器。
曝光系统主要实现平滑衍射效应、实现均匀照明、滤光和冷光处理、实现强光照明和光强调节等功能。
曝光方式分为接触接近式、投影式和直写式。
但总体来说，曝光系统所采用的光源必须满足如下的要求：
1.适当的波长；
2.足够的光强；
3.均匀的光束分布；
4.稳定的发光特性；
5.长的使用寿命和低的维护成本。
此外，光刻胶是光刻机曝光技术中的另一个重要因素。
光刻胶是一种对光敏感的有机化合物，其质量和性能直接影响到曝光的效果。
总的来说，光刻机曝光技术是一种复杂而精密的技术，需要多个
部件和因素的配合才能实现高质量的曝光效果。
LED芯片制造之光刻简介
02
光刻技术简介
光刻技术原理
01
光刻技术原理是将设计好的图案 通过光刻机投影到光敏材料上， 利用光的能量将图案转移到光敏 材料上，形成电路图样。
02
光刻技术利用光的干涉和衍射原 理，通过精确控制曝光时间和角 度，实现高精度、高分辨率的图 案转移。
光刻技术的应用领域
光刻技术广泛应用于集成电路、微电 子器件、平板显示等领域，是制造 LED芯片、集成电路、微电子器件等 的关键技术之一。
合小批量、高精度制造。
速度
电子束曝光技术的制造速度相对 较慢，而光刻技术具有较高的生
产效率。
光刻技术与离子束曝光技术的比较
分辨率
离子束曝光技术具有更 高的分辨率，因为它使 用离子束而非光学波束 进行曝光。
适用范围
离子束曝光技术适用于 制造高精度、高附加值 的微纳器件，而光刻技 术在LED芯片制造等领 域应用广泛。
05
02
表面处理技术
对外延片表面进行处理，可以提高表面质量， 减少缺陷和杂质，提高LED芯片的发光效率。
04
刻蚀与剥离技术
刻蚀和剥离技术是制造LED芯片的重 要环节，需要精确控制刻蚀深度和剥 离方向。
06
切割与研磨技术
将LED芯片从衬底上切割下来并进行研磨和抛 光处理，可以提高芯片表面的平整度和光洁度。
镀透明电极层
在LED外延片的表面上镀 一层透明导电膜，作为电 极的接触层。
LED芯片制造流程
刻蚀与剥离
镀膜与蒸镀
切割与研磨
将LED外延片进行刻蚀 和剥离，形成器件结构。
在LED芯片表面镀上金 属膜和介质膜，并进行 金属和透明电极的蒸镀。
将LED芯片从衬底上切 割下来，并进行研磨和
光刻机中的自动对位与校准技术
光刻机中的自动对位与校准技术光刻机是一种常用于微电子制造过程中的关键设备，用于在硅片上制造微小结构。
在光刻过程中，自动对位与校准技术扮演着重要的角色，它能够确保光刻过程中的准确性和稳定性。
本文将对光刻机中的自动对位与校准技术进行详细介绍。
自动对位技术是光刻机中的一项重要技术，它能够根据设计图案的布局信息，精确地将光刻胶层或掩膜对准待加工的硅片。
在对位过程中，光刻机会利用图像识别技术来寻找并识别硅片上的标记点，然后通过算法计算出偏差，并校正光刻机的位置，从而实现精确的对位。
这种自动对位技术可以大大提高光刻过程的准确性和效率。
同时，光刻机中的自动校准技术也是至关重要的。
随着微电子制造工艺的不断发展，人们对芯片的制造精度要求越来越高。
因此，在光刻过程中，需要对光刻机进行定期的校准，以确保所制造的芯片具备高度一致的精度和性能。
自动校准技术通过使用精密的测量仪器，如干涉仪或电子显微镜，对光刻机进行精准测量，并根据所得到的数据进行实时校准，从而提高光刻机的稳定性和可靠性。
在光刻机中，自动对位与校准技术的实现离不开几项关键技术。
首先是图像识别技术，它能够对硅片上的标记点进行快速高效的识别和定位。
图像识别技术采用复杂的算法，通过对图像进行处理和分析，识别硅片上的标记点并计算其相对位置，为后续的对位和校准提供准确的数据。
其次是自动控制技术，它能够根据对位和校准的结果，实时调整光刻机的位置和参数，从而实现精确的对位和校准。
自动控制技术结合了图像识别技术和动态控制算法，能够对光刻机进行精细的控制，以达到最佳的对位和校准效果。
此外，精密测量技术也是光刻机中的关键技术之一。
精密测量技术可以通过干涉仪、电子显微镜等测量仪器对光刻机进行精确的测量和校准，以提高光刻机的精度和稳定性。
测量结果可以作为反馈信号，用于自动控制系统对光刻机进行实时调整。
总之，光刻机中的自动对位与校准技术是现代微电子制造过程中的重要环节。
它可以提高光刻过程的准确性和效率，保证芯片的制造精度和性能。
第三章 光刻工艺技术
第三章光刻工艺技术光刻的本质在于将掩膜版上的图形复制到要进行刻蚀和离子注入的硅片上，作为半导体及其相关产业发展和进步的关键技术之一，光刻一方面被认为是半导体制造业发展的瓶颈，另一方面它却作为推动者，支撑着半导体产业的发展。
3.1 光学成像原理光刻的原理起源于印刷技术中的照相制版，是在一个平面上加工形成微图形。
随着器件尺寸的不断缩小，光刻技术也从最初的接触式、接近式曝光发展到目前普遍使用的投影式曝光，图3.1是投影式曝光示意图。
投影式曝光技术中由于硅片和掩膜版没有接触，从而避免了由于接触引入的工艺缺陷，同时掩膜版的利用率得以提高，因此，该曝光技术成为了目前光刻技术的主流。
下面介绍投影式曝光技术中的光学成像原理：图3.1 投影式曝光示意图光是一种电磁波，具有波动性。
根据惠更斯原理，波在传播过程中如遇障碍物，特别是当障碍物的大小与光的波长大小相当时，在障碍物附近衍生的多个点光源发出的球面波相叠加，使光波绕到障碍物的背面进行传播，从而发生衍射现象，如图3.2-3.3所示。
图3.2 光的衍射现象图3.3 光发生衍射时的衍射角由布拉格定律可以得到各级衍射角的大小为sinα＝nλ/P，(n=0,±1, ±2, ±3……) (3.1)其中α为衍射角，λ为光源波长，P为光栅周期。
由此可见，P越小，相应衍射角就越大，透镜上产生的各级明暗条纹相隔距离就越大。
光刻系统中有两个重要的指标用以表征光刻成像质量：分辨率和焦深。
首先讨论两个重要参数：数值孔径（NA）和相干系数（σ）。
NA表征物镜收集衍射光的能力，用物镜收集的最大衍射角αm的正弦值表示，即NA＝n·sinαm(3.2)其中，n为介质的折射率。
由此可知：NA越大，物镜收集衍射光的级次就越高（αm越大），另外，还可以通过增加介质折射率n的方法来增加数值孔径NA（如后面提到的浸没式光刻）。
光的空间相干系数σ说明了投影物镜表面被光源占据的程度，如图3.4所示，σ＝ sin δ/sin α = NA C /NA O (3.3)其中NA C 和NA O 分别为聚焦物镜和投影物镜的数值孔径。
光刻技术的发展史
光刻技术的发展史
光刻技术是半导体制造过程中的一项核心技术，它被广泛应用于芯片制造、集成电路制造、平面显示器制造等领域。
以下是光刻技术的发展史：
1.接触式光刻技术（1950年代至1960年代）：接触式光刻技术
是最早的一种光刻技术，它使用的是硬模板，将图案直接接触在光刻胶上。
2.投影式光刻技术（1960年代至1970年代）：投影式光刻技术
使用投影光学系统，将掩膜上的图案投影到光刻胶上，因此可以实现更高的分辨率和更复杂的图案。
3.近场光刻技术（1970年代至1980年代）：近场光刻技术使用
特殊的光刻胶和近场光刻头，可以实现比传统投影式光刻更高的分辨率和更复杂的图案。
4.紫外光刻技术（1980年代至今）：紫外光刻技术使用波长为
248nm或193nm的紫外光，可以实现更高的分辨率和更复杂的图案。
目前，193nm光刻已成为芯片制造中主流的光刻技术。
5.双重曝光光刻技术（2000年代）：双重曝光光刻技术是一种
新型的光刻技术，它可以在不增加制造成本的情况下实现更高的分辨率和更复杂的图案。
6.多重图案光刻技术（2010年代）：多重图案光刻技术可以同
时实现多个图案的制造，从而大大提高了芯片制造的效率和成本效益。