CMOS门电路.
3
iD/mA 可变
电阻区
恒流区
O 截止区
输出特性曲线
vGS=UT vDS/V
第三节 CMOS门电路
漏极特性曲线分为三 个工作区。
截止区 VGS VGS(th) 漏极和源极之间 没有导电沟道， iD≈0。
可变电阻区 当vGS一定时，iD与vDS之比 近似等于一个常数，具有类 似于线性电阻的性质。
第三节 CMOS门电路
第三节 CMOS门电路
MOS管的开关特性 CMOS反相器的工作原理 CMOS反相器的静态输入、输出特性 CMOS反相器的动态特性 其他类型的CMOS门电路 CMOS电路的正确使用
推出 下页 总目录
1
一、MOS管的开关特性
1. MOS管的结构和工作原理
-
S
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10
第三节 CMOS门电路
三、CMOS反相器的静态输入、输出特性
1. 输入特性 因为MOS管的栅极和衬底之间存在输入电容，
绝缘介质又非常薄，极易被击穿，
所以必须采取保护措施。
输入保护电路
VDD
C1 T1
vI
RS
vO
C2
T2
输入保护电路
C1 RS
vI
C2
VDD
T1
vO
T2
CC400系列的输入保护电路
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6
第三节 CMOS门电路
二、CMOS反相器的电路结构和工作原理
1. 电路结构
VDD T1
iD
当vI = VIL= 0时，T1导通，T2截 止，输出为高电平VOH ≈ VDD 。
vI
vO 当vI = VIH= VDD 时， T2导通，
T2 VSS
T1截止，输出为低电平VOL ≈ 0。
O IOH CMOS反相器的高电平输出特性
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14
第三节 CMOS门电路
四、其他类型的CMOS门电路
1.其他逻辑功能的CMOS门电路
在CMOS门电路的系列产品中， 除反相器外常用的还有： 与非门、或非门、与门、 或门、与或非门、异或门等几种。
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15
第三节 CMOS门电路
线与连接方法
Y1 VDD
RL
Y
A B
Y2
A
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
B
VDD
G1 Y1 G2 Y2
RL Y
线与逻辑符号
Y (AB)
(AB)(CD) (AB CD)
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20
第三节 CMOS门电路
4. CMOS传输门和双向模拟开关
C
C
T2
VDD
vI / vO T1
vO / vI vI / vO TG
vI -
- D-S间相当于一个闭合的开关。
若参数选择合理
输入低电平时MOS管截止，输出高电平。
输入高电平时MOS管导通，输出低电平。
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5
第三节 CMOS门电路
4. MOS管的开关等效电路
D
D
G CI
G CI
RON
S
S
截止状态
导通状态
CI代表栅极的输入电容， CI的数值约为几皮法。
RON为MOS管导通状态下的内阻，约在1kΩ以内。
vGS
vDS +
G
+ iD
D
N+
N+
G
P型衬底(B)
第三节 CMOS门电路
D B
S
当vDS> 0，但 vGS= 0 时，D-S间不导通， iD= 0 。
当vDS> 0， 且vGS> vGS(th) (MOS管的开启电压）
时，栅极下面的衬底表面形成一个N型反型层。 这个反型层构成了D-S间的导电沟道，有 iD流通。
VDD
T2
VIH VDD
IOL
RL
VOL
iD2
VOL
VDD=5V 10V 15V
O
IOL
CMOS反相器的低电平输出特性
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13
第三节 CMOS门电路
高电平输出特性 当输出为高电平时，工作状态如下图所示。
VIL 0
VDD T1
VOH
IOH
RL
15V10V VDD=5V
VOH VDD
Y
B
Y
TG2
Y AB
22
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第三节 CMOS门电路
传输门的另一个用途是作模拟开关，用来传输连续 变化的模拟电压信号。
C
vI / vO
TG vO / vI
C
vI / vO SW vO / vI
C
vI
SW
vO
RL
模拟开关的导通内阻为RTG。 C=0时开关截止。
23
C=1时开关接通。
vO
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2
第三节 CMOS门电路
2. MOS管的输入特性和输出特性
iD/mA
iD/mA
iD
+
+
vDS
vGS -
-
共源接法
O
输出特性曲线
vGS=UT
vDS/V
O VGS(th) vGS/V
转移特性曲线
共源接法下的输出特性曲线又称为MOS管的漏极特 性曲线。
表示iD与vGS关系的曲线称为MOS管的转移特性曲线。
C
C
vO / vI
C 1,C 0 时，传输门导通。 C 0,C 1 时，传输门截止。
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21
第三节 CMOS门电路
利用 CMOS传输门和CMOS反相器可以组合成各种 复杂的逻辑电路， 如异或门、数据选择器、寄存器、计数器等。
用反相器和传输门构成异或门电路
A
B
TG1
A
（1）CMOS与非门电路
VDD 当A，B两个输入端全为“1”时，
T3
T4
T1和T2都导通，T3和T4都截止，
Y 输出端为“0”。
T2
当输入端有一个或全为“0”时，
A
T1或T2（或都）截止，T3或T4 （或
都）导通 ，
B
T1
输出端Y为“1” 。
CMOS与非门
Y (AB)
缺点：1. 输入端的工作状态不同时影响电压传输特性。
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18
第三节 CMOS门电路
3. 漏极开路的门电路（OD门）
VDD1
VDD2
RL
CC40107
A B
Y
A
B
Y (AB)
VSS
用途：输出缓冲/驱动器；输出电平的变换； 满足大功率负载电流的需要；实现线与逻辑。
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19
第三节 CMOS门电路
G1
A B
G2
C D
Y Y1 Y2
4
恒流区 iD的大小基本上由vGS 决定，vDS的变化对iD 的影响很小。
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3. MOS管的基本开关电路
第三节 CMOS门电路
VDD RD +
当vI =vGS <vGS(th) 时， VOH ≈VDD ， D-S间相当于一个断开的开关。
+
iD vO 当vI >vGS(th) 并继续升高， VOL ≈0，
11
74HC系列的输入保护电路 上页 下页 返回
输入特性曲线
iI
第三节 CMOS门电路 iI
-0.7V O
VDD+0.7V vI
-0.7V O
VDD+0.7V vI
CC400系列的输入特性
74HC系列的输入特性
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12
2. 输出特性
第三节 CMOS门电路
低电平输出特性 当输出为低电平时，工作状态如下图所示。
RL
RL RTG
vI
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5. 三态输出的 CMOS门电路
三态输出的 CMOS反相器
VDD
EN
T1
A
Y
T2
第三节 CMOS门电路 动画
EN
A
Y
EN 1 时，输出呈现高阻态。 EN 0 时，反相器正常工作。
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24
第三节 CMOS门电路
用三态输出反相器接成 总线结构
不要使用易产生静电高压的化工材料和化纤织物包装，
最好采用金属屏蔽层作包装材料。
2）组装、调试时，应使电烙铁和其他工具、仪表、
工作台台面等良好接地。
操作人员的服装和手套等应选用无静电的原料制作。
3）不用的输入端不应悬空。
26
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2. 输入电路的过流保护
第三节 CMOS门电路
由于输入保护电路中的钳位二极管电流容量有限， 所以在可能出现较大输入电流的场合， 必须采取以下保护措施： 1）输入端接低内阻信号源时， 应在输入端与信号源之间串进保护电阻， 保证输入保护电路中的二极管导通时电流不超过1mA。 2）输入端接有大电容时， 应在输入端和电容之间接入保护电阻。
Y (A B)
存在和与非门类似的问题。
17
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第三节 CMOS门电路
2.带缓冲级的CMOS门电路
电路构成： 在门电路的每个输入端、输出端各增设一级反相器， 加进的这些反相器具有标准参数，所以称为缓冲器。 优点： 这些带缓冲级的门电路，其输出电阻和输出的高、 低电平以及电压传输特性将不受输入端状态的影响， 电压传输特性的转折区也变得更陡。
CMOS门电路
CMOS门电
CMOS组合逻辑门的实现
• 每个输入端必接到一对NMOS和 PMOS管栅极上 • 构成组合逻辑的NMOS和PMOS必 须互补 • NMOS串联实现“与” • NMOS并联实现“或”
CMOS门电
CMOS组合逻辑门的实现
• NMOS支路并联实现各支路函数的 “或” • 各部分逻辑函数串联时实现“与” 以上构成CMOS电路的NMOS部分 • 输出为NMOS部分的“反” • PMOS部分为NMOS部分的对偶电路
CMOS门电
即：
0 0 0 1 1 0 1 1
1 0 0 0
可以看出，输出F与输入A，B 之间是“或非”逻辑
F = A+ B
CMOS门电
怎 么 样 实 现 “与 ” “或 ” 逻 辑 ？ 只要在上述的CMOS“与 非门”或者“或非门” 电路后再加一级倒相器 就可以得到相应的 CMOS“与门”或者“或 门”电路了
CMOS门电路 CMOS门电路
回 顾
基本逻辑关系
“与” F=AB “或” F=A+B
“与非” F = AB “或非” F = A+ B “异或”
F = A ⊕ B = AB + AB
CMOS门电
CMOS基本逻辑门电路 CMOS基本逻辑门电路 S与非门及或非门
VDD
COMS与非门电路
T3 T4
F = A• B
P并N串
A
T2
T1
B
CMOS门电
工作原理
① 当输入端输入的均为“1”，T1，T2管都 导通，T3，T4都截止，输出“O” ② 若输入端中有一个输入“0”，则由于两 个串联的N管中有一个截止，使得输出对 地不能构成通路，同时，由于并联的P管 中有一个导通，因而输出和电源之间可以 形成通路，输出“1” ③ 若输入端输入的都为“0”，T1，T2管都 截止，T3，T4管都导通，输出“1”
CMOS门电路PPT课件
1. MOS管的结构和工作原理
-
S
vGS
vDS +
G
+ iD
D
N+
N+
G
P型衬底(B)
第三节 CMOS门电路
D B
S
当vDS> 0，但 vGS= 0 时，D-S间2不021/3导/9 通， iD= 0 。 当vDS> 0， 且vGS> vGS(th) (MOS管的开启电压）
时，栅极下面的衬底表面形成一个N型反型层。 这个反型层构成了D-S间的导电沟道，有 iD流通。
2. 电压传输特性
AB段：
vO
VDD A B
T1的开 启电压
T1导通， T2截止， VO = VOH ≈ VDD。
CD段：
1
2 V D D VGH(th)N
VGH(th)P
T2导通， T1截止， VO = VOL ≈ 0。
CD
T2的开 O 启电压
1 2 V DD
VDD
vI
2021/3/9
CMOS反相器的电压传输特性 BC段：
27
放映结束 感谢各位的批评指导！
谢 谢！
让我们共同进步
2021/3/9
28
C
C
V DD
T2
vI / vO T 1
v O / v I v I / v O TG
C
C
2021/3/9
C1,C0 时，传输门导通。
C0,C1 时，传输门截止。
vO / vI
20
第三节 CMOS门电路
利用 CMOS传输门和CMOS反相器可以组合成各种 复杂的逻辑电路， 如异或门、数据选择器、寄存器、计数器等。
cmos门电路
CMOS反相器MOSFET有P沟道和N沟道两种，每种中又可分为耗尽型和增强型两类。
由N沟道和P沟道MOSFET组成的电路称为互补MOS或CMOS电路。
图4.6.1(a)表示CMOS反相器电路，由两种增强型MOSFET组成，其中一个为N沟道，另一个为P沟道。
图4.6.1(b)为其简化画法。
为了电路能正常工作，要求电源电压V DD＞(V TN+|V TP|)1. 工作原理首先考虑两种极限情况：当v1输入逻辑0时，相应的电压近似为0V；而当v输入逻辑1时，相应的电压近似为V DD。
假设N沟道管T N为工作管，P沟道管1T为负载管。
由于电路是互补对称的，这种假设可以是任意的，其结果相同。
p图4.6.2分析了当v1＝V DD时的工作情况。
参看图4.6.2(b)。
在T N的输出特性i D-v DS曲线簇中选择V GSN=V DD，并叠加一条负载线，它是负载管T p在v SGP=0V时的输出特性i D-v SD。
由于v SGP＜V T(V TN=|V TP|=V T)，负载曲线几乎是一条与横轴重合的水平线。
两条曲线的交点即工作点。
显然，这时的V DSN=0V，由于电路的输出V O=V DSN，故V OL＝0V(典型值＜10mV)，而通过两管的电流接近于零。
这就是说，电路的功耗很小（微瓦数量级）。
(a)电路(b)简化电路图4.6.1 CMOS反相器(a)电路(b)图解图4.6.2 CMOS反相器在输入为高电平时的图解分析图4.6.3分析了另一种极限情况，此时对应于v I＝0V，其工作状态示于图4.6.3(b)中。
此时工作管T N在v GSN＝0的情况下运用，其输出特性i D-v DS几乎与横轴重合，负载曲线是负载管T p在v GSP=V DD时的输出特性i D-v DS。
由图可知，工作点决定了V OH≈V DD；通过两器件的电流接近于零值。
可见上述两种极限情况下的功耗都很低。
(a)电路(b)图解图4.6.3 CMOS反相器在输入为低电平时的图解分析由此可知，基本CMOS反相器近似于理想的逻辑单元，其输出电压接近于零，而功耗几乎为零。
cmos或非门电路
cmos或非门电路CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) 和非门电路是数字电路中常见的基本逻辑门电路。
这两种电路在现代电子技术中扮演着重要的角色。
下面将为您介绍这两种电路的历史、原理和应用。
CMOS电路最早出现在20世纪60年代，当时是由Fairchild公司的工程师研制出来的。
CMOS电路最大的特点就是功耗低、可靠性高，因此在现代集成电路中得到广泛应用。
CMOS电路的原理是利用p型金属-氧化物-半导体（pMOS）晶体管和n型金属-氧化物-半导体（nMOS）晶体管的互补特性，实现高阻抗输入、低阻抗输出的逻辑运算。
CMOS电路具有许多优点，例如低功耗、高可靠性和良好的抗干扰性。
由于这些优点，CMOS电路被广泛应用于数字电路、模拟电路和微处理器中。
此外，CMOS电路在单片集成电路中的应用也日益广泛。
非门电路是由两个逻辑门（或称为反相器）组成的电路，其中一个门输出与输入信号相反，另一个门输出与输入信号相同。
非门电路的原理是利用反相器实现逻辑运算。
非门电路是最基本的数字逻辑电路之一。
非门电路的应用很广泛。
例如，在计算机内存中，非门电路被用来检测并修复存储单元的错误。
在数字电路中，非门电路被用来实现布尔函数的取反操作。
此外，非门电路还被用来实现流水线寄存器中的时钟控制信号。
总之，CMOS电路和非门电路都是数字电路中非常常见和重要的电路。
它们提供了许多重要的功能，被广泛应用于计算机和其他数字电路中。
随着电子技术的不断发展，这两种电路的应用将继续扩大。
CMOS门电路
2.1.4 CMOS门电路的电气特性
CD4000 系列门电路的极限参数（ VDD=5V） ◆ 输出高电平电压VOH ，VOH（min）= VDD-0.1V
◆ ◆ ◆
◆
输出低电平电压VOL ，VOL（max）= 0.1V 输入高电平电压VIH ，VIH（min）= 70%VDD 输入低电平电压VIL，VIL（max）= 30%VDD 阈值电压VTH=1/2VDD
PMOS
漏极相连 做输出端 NMOS
柵极相连 做输入端
2.1.2 CMOS反相器
2. CMOS反相器的工作原理
（1）当vI=0V时，vGSN=0V，VTN 截 止 ， ∣ vGSP∣=VDD ， VTP 导 通 ， vO≈VDD，门电路输出输出高电平；
VDD
VTP vI VTN vO
（ 2 ） 当 vI=VDD 时 ， VGSN=VDD ， VTN导通，∣VGSP∣=0V，VTP截止 ，vO≈0V，门电路输出低电平。
问题的提出
异或门的逻辑功能：
A B =1 F
输入相同，输出为“0”
输入不同，输出为“1”
F=AB
内部电路是什么样的，如何实现相应的逻辑功能？
门电路有哪些参数？如何正确使用？
本章的教学目标
■ 理解CMOS门电路结构与工作原理 ■ 掌握CMOS门电路外特性，正确使用CMOS门电路
■ 理解TTL门电路结构与工作原理 ■ 掌握TTL门电路外特性，正确使用TTL门电路
（2）由动态尖峰电流产生的瞬时动态功耗
VDD VTP iD vI vO vO
0 iD
t
VTN
0
t
PT CP DVD2D f
（3）总的动态功耗
2 PD PC PT C L C PD）VDD f （
第三章-CMOS门电路
3.3.1 MOS管的开关特性 第一页 上一页 下一页
最后 一页
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BJT是一种电流控制元件(iB~ iC)，工作时，多数 载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型 器件。
MOS管是一种电压控制器件(uGS~ iD) ，工作时， 只有一种载流子参与导电，因此它是单极型器件。
MOS管因其制造工艺简单，功耗小，温度特性好， 输入电阻极高等优点，得到了广泛应用。
3.3.3 其它类型的CMOS门电路
第一页 上一页 下一页
最后 一页
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1. 其他逻辑功能的CMOS门电路（P91~93）
在CMOS门电路的系列产品中，除了反相器外常用的还 有与门、或门、与非门、或非门、与或非门、异或门等 。 2. 漏极开路的门电路（OD门）
如同TTL电路中的OC门那样，CMOS门的输出电路结 构也可做成漏极开路（OD）的形式。其使用方法与TTL的 OC门类似。
强。
原因：TTL的输出电阻小。5mA内 变化很小IOH
实际只有0.4mA
21
3.3.4 CMOS反相器的动态特性（门电第路一页状上态一页切下一换页 时最一后页
结束 放映
所呈现的特性）
tPLH：输出由低电平变为高电平的传输延迟时间 tPHL：输出由高电平变为低电平的传输延迟时间
22
CMOS反相器传输延迟的原因：
24
第一页 上一页 下一页
最后 一页
结束 放映
漏极开路的门电路（OD门）（Open-Drain）
VDD1
内部逻辑 A B
VDD2 使用时必须外接上拉电阻
D vO
G
TN•
S
RL
Y=(AB)'
CMOS和TTL集成门电路多余输入端处理
CMOS 和TTL 集成门电路多余输入端处理
CMOS 和TTL 集成门电路在实际使用时经常遇到这样一个问题，即输入端有多余的，如何正确处理这些多余的输入端才能使电路正常而稳定的工作?
一、CMOS 门电路
CMOS 门电路一般是由MOS 管构成，由于MOS 管的栅极和其它各极间有绝缘层相隔，在直流状态下，栅极无电流，所以静态时栅极不取电流，输入电平与外接电阻无关。
由于MOS 管在电路中是一压控元件，基于这一特点，输入端信号易受外界干扰，所以在使用CMOS 门电路时输入端特别注意不能悬空。
在使用时应采用以下方法：
1、与门和与非门电路：由于与门电路的逻辑功能是输入信号只要有低电平，输出信号就为低电平，只有全部为高电平时，输出端才为高电平。
而与非门电路的逻辑功能是输入信号只要有低电平，输出信号就是高电平，只有当输入信号全部为高电平时，输出信号才是低电平。
所以某输入端输入电平为高电平时，对电路的逻辑功能并无影响，即其它使用的输入端与输出端之间仍具有与或者与非逻辑功能。
这样对于CMOS 与门、与非门电路的多余输入端就应采用高电平，即可通过限流电阻(500Ω)接电源。
2、或门、或非门电路：或门电路的逻辑功能是输入信号只要有高电平输出信号就为高电平，只有输入信号全部为低电平时，输出信号才为低电平。
而或非门电路的逻辑功能是输入信号只要有高电平，输出信号就是低电平，只。
典型的cmos与非门电路使用的电路
典型的CMOS与非门电路1. 引言CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）与非门电路是数字电路中常见的逻辑门电路之一。
它由两个互补型金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）组成，一个是P型MOSFET，另一个是N型MOSFET。
CMOS与非门电路具有低功耗、高噪声抑制能力和抗干扰能力强等优点，在现代集成电路中得到广泛应用。
本文将详细介绍典型的CMOS与非门电路的结构、工作原理以及应用领域，并通过图示和实例进行解释，希望能够帮助读者更好地理解和应用这一电路。
2. CMOS与非门电路结构典型的CMOS与非门电路由两个互补型金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）组成，其中一个为P型MOSFET，另一个为N型MOSFET。
这两个MOSFET分别被称为上下管。
P型MOSFET由P型半导体材料构成，其通道上有一层负责控制通道导通和截止的氧化物层。
N型MOSFET由N型半导体材料构成，其通道上同样有一层负责控制通道导通和截止的氧化物层。
两个MOSFET的源极分别连接到电源VDD和地GND，漏极则通过输出端口连接在一起。
控制信号分别通过两个MOSFET的栅极输入。
3. CMOS与非门电路工作原理CMOS与非门电路的工作原理可以分为两个阶段：导通阶段和截止阶段。
3.1 导通阶段在导通阶段，当输入信号为高电平时，即栅极输入为高电平时，P型MOSFET的栅极极性变为正向偏置，使得P型MOSFET导通。
N型MOSFET的栅极极性变为负向偏置，使得N型MOSFET截止。
这样，P型MOSFET将电源VDD与输出端口连接在一起，实现逻辑门输出为高电平。
3.2 截止阶段在截止阶段，当输入信号为低电平时，即栅极输入为低电平时，P型MOSFET的栅极极性变为负向偏置，使得P型MOSFET截止。
N型MOSFET的栅极极性变为正向偏置，使得N型MOSFET导通。
这样，N型MOSFET将输出端口与地GND连接在一起，实现逻辑门输出为低电平。
TTL和CMOS门电路
TTL和CMOS门电路⽹页收藏TTL和CMOS门的区别：1. TTL和带缓冲的TTL信号输出⾼电平>2.4V,输出低电平<0.4V。
在室温下，⼀般输出⾼电平是3.5V，输出低电平是0.2V。
最⼩输⼊⾼电平和低电平：输⼊⾼电平>=2.0V，输⼊低电平<=0.8V，噪声容限是0.4V。
2. CMOS电平：1逻辑电平电压接近于电压，0逻辑电平接近于0V。
⽽且具有很宽的噪声容限。
3. 电平转换电路：因为TTL和COMS的⾼低电平的值不⼀样（ttl 5v<＝＝>cmos 3.3v），所以互相连接时需要电平的转换：就是⽤两个电阻对电平分压，没有什么⾼深的东西。
4. OC门，即集电极开路门电路，OD门，即漏极开路门电路，必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为⾼低电平⽤。
否则它⼀般只作为开关⼤电压和⼤电流负载，所以⼜叫做驱动门电路。
5. TTL和COMS电路⽐较：1）TTL电路是电流控制器件，⽽coms电路是电压控制器件。
2）TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗⼤。
COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。
COMS电路本⾝的功耗与输⼊信号的脉冲频率有关，频率越⾼，集越热，这是正常现象。
3）COMS电路的锁定效应：COMS电路由于输⼊太⼤的电流，内部的电流急剧增⼤，除⾮切断电源，电流⼀直在增⼤。
这种效应就是锁定效应。
当产⽣锁定效应时，COMS的内部电流能达到40mA以上，很容易烧毁芯⽚。
防御措施： 1）在输⼊端和输出端加钳位电路，使输⼊和输出不超过不超过规定电压。
2）芯⽚的电源输⼊端加去耦电路，防⽌VDD端出现瞬间的⾼压。
3）在VDD和外电源之间加线流电阻，即使有⼤的电流也不让它进去。
4）当系统由⼏个电源分别供电时，开关要按下列顺序：开启时，先开启COMS电路得电源，再开启输⼊信号和负载的电源；关闭时，先关闭输⼊信号和负载的电源，再关闭COMS电路的电源。
常用CMOS门电路.
（5）因CMOS集成电路的功耗小，其内部发热量小，所以CMOS电路的集成度 要比TTL电路高。 （6）CMOS集成电路的温度稳定性好，抗辐射能力强，适合于特殊环境下工作。 （7）由于CMOS电路的输入阻抗高，使其容易受静电感应而击穿，所以在其内部 一般都设置了保护电路。
数字逻辑电路
常用CMOS门电路
图1 CMOS开关电路
图2 CMOS三态双向传输电路
图2为COMS三态门双向传输控制电路。当 CMOS三态门G1或G2的控制端为高电平时， 该门起传输作用，否则呈高阻状态。即当C =1时，三态门G1接通，三态门G2处于高阻 状态，信号D送至Q；当C = 0时，三态门 G2接通，三态门G1处于高阻状态，信号Q 送至D。某些集成电路就具有这种三态双向 传输控制的功能，在计算机的接口技术中被 广泛使用。
CMOS数字电路的特点有： （1）由于CMOS管的导通内阻比双极型晶体管导通内阻大，所以CMOS电路的工 作速度比TTL电路的工作速度低。
（2）CMOS电路的输入阻抗很高，可达10MΩ以上，在频率不高的情况下，电 路可以驱动的CMOS电路多于TTL电路。
（3）允许CMOS电路的电源电压的变化范围较大，约在5～15V之间，所以其输 出高、低电平的摆幅较大。与TTL电路相比，该电路的抗干扰能力更强，噪音容限 可达30%VDD（VDD为电源电压）。