电子能量损失谱人原理及其应用(精品资源)
电子衍射图中包含了弹 性和非弹性散射的信息
非弹性散射： Phonons Interband transition Plasma ionization
电子能量损失谱和非弹性散射
1：零损失峰和phonons损失 2：等离子振荡和带间跃迁损失 3：电离化过程损失 4：本底
Al的电子能量损失谱图
和其它谱仪的比较—由收集原子中电子跃迁信号提
内置Ω型 JEM2010FEF
Energy dispersion
内置Ω型 JEM2010FEF
X orbit (the plane perpendicular to the magnetic field)
Y orbit (the plane parallel to the magnetic field)
电子能量损失谱原理与应用
内容
1、电子与物质交互作用 2、电子显微镜/电子能量损失谱仪组合 3、电子能量损失谱仪的一些重要参数 4、电子能量损失谱的谱图及谱图处理 5、电子通道效应和 momentum-
resolved ENEFS 6、能量过滤像和Z-衬度像
电子与物质交互作用
弹性散射与非弹性散射
DSTEM: 由聚焦电子束确定样品上对EELS譜有贡献的区域 有可能获得接近一个原子柱的空间分辨率
三种模式的光路图
虚线表示沿着β角的束散射
三种模式采集EELS谱时的参数考虑
电子能量损失谱的谱图、 谱图处理及应用
电子能量损失与动量转换
q = K0 – K 在E很小时，近似可得 q2 = K02(θ2+ θE2) θE 是一表征能量损失的特征角
TEM Diff mode: Screen: “diff. pattern” 投影镜后焦面 “image” image coupling 谱仪的物 “image”
电子能量损失谱仪的一些重要参数
谱仪的一些重要参数－色散度
dispersion: dx/dE 色散度 x: 色散面上的空间坐标 E: 电子能量
激发，损失能量小于0.1eV 零损失峰的半高宽表征谱仪的能量分
辨率 零损失峰可用作于：
谱仪的调整 定量分析
低能损失范围谱图
低能损失－等离子损失峰（plasmons)
等离子损失峰：入射电子与导体或半导体样品中的自 由电子气交互作用，使电子气振荡.
入射电子损失能量（等离子振荡能量）
EP = hωP = h (ne2/ε0m)1/2 n: 自由电子气的局域态密度 可利用上式测定样品的浓度
随损失能量增加，能量分辨率变差
谱仪的一些重要参数－点扩展函数
Point spread function 由于系统，特别是YAG，存在的点扩展函数，使得
到的信号 “delocalization”
在EELS谱图中，若原信息只占一个Channel，但 由于点扩展函数效应，信号可占大于一个或几个 Channels
Spatial resolution
取决于采集谱时，所选择的电子显微镜的模式
TEM mode: 谱仪光栏直径/放大倍率 ＝ 1mm/100000 = 10nm 能量损失大时，受物镜色差影响，可造成偏离物位置约 100nm 适合于采用大的谱仪接收角，获得好的能量分辨率，空间分辨率差
TEM diff. : 空间分辨率 ＝ 样品上的束斑直径 一般电镜：由选区衍射光栏确定样品上对EELS譜有贡献的区域
采用对测量的信号解卷的方法，消除点扩展函数的 影响
谱仪的一些重要参数－谱仪接收角β
STEM: β = d/2h
ห้องสมุดไป่ตู้
谱仪的一些重要参数－谱仪接收角β
TEM image mode β = βob/M β ~ 100mrad. 无物镜光栏
TEM diff. mode β = deffθB/R
谱仪的一些重要参数－空间分辨率
入射束具能量E0，波矢K0，散射角θ 损失能量为E，损失能量后，波矢为K 样品的动量转换 q
Al的谱图
1：零损失峰和phonons 损失
2：等离子振荡和带间跃 迁损失
3：离子化过程损失 4：本底
零损失峰
零损失峰不包含样品信息 入射电子与样品未发生交互作用 入射电子与样品发生弹性交互作用 （但不包括大散射角的Bragg衍射） 入射电子造成样品中原子振动，声子
电子显微镜/电子能量损失谱仪组合
组合要求
具不同能量的电子有不同通道 能量色散面上显示具不同能量的
电子的分布 动能相同的电子聚焦在同一线上
磁棱镜
能量色散面的共轭面 TEM：投影镜的后焦面 DSTEM：物平面 TEMFEF：在？
两种类型的TEM-EELS结构
内置Ω型 外置（后置）谱仪型
色散度随 入射电子的能量变化而变化 磁棱镜的磁场变化而变化
对PEELS, dx/dE ≈ 1.5 μm/eV
谱仪的一些重要参数－能量分辨率
energy resolution ΔE：能量分辨率
定义：ΔE：零损失峰的半高宽
ΔE 与电子源种类有关 (ΔE[W] > ΔE[LaB6] > ΔE[FEG]) 冷场发射枪的能量分辨率可达0.3eV
内置Ω型 JEM2010FEF
GATAN – PEELS 外（后）置系统
GATAN – PEELS 系统
谱仪的能量色散面的共轭面是投影镜的后焦面 谱仪的物即为投影镜后焦面上的衬度分布
TEM Image mode: Screen: “image” 投影镜后焦面 “diff. pattern” diffraction coupling 谱仪的物 “diff. pattern”
Al样品的不同厚度 的等离子损失峰
在电子显微镜中需同时考虑体等离子振荡（纵向电荷 密度波）和表面等离子振荡（横向电荷密度波）
用Fourier-ratio反卷积的方法校正低能损失范围的 多重散射效应。（高能损失部分，在扣除本底后，用 Fourier-ratio方法加以校正）
供电子结构信息
ELNES: 电离损失峰精 细结构
XANES： X射线吸收边精细结构 XPS(ESCA)：X射线光电子谱 KE=hν-Φ-Eb （binding energy) UPS: 紫外光电子谱，bonding energy. 0.1-1mm空间分辨率 XES: X-ray Emission Spectroscopy AES: Auger Electron Spectroscopy, 20nm空间分辨率
电子能损谱技术及其在材料科学领域中的应用
电子能损谱技术及其在材料科学领域中的应用随着科技的飞速发展，人类对材料的研究也越来越深入。
在材料科学领域中，电子能损谱技术被广泛应用。
本文将从电子能损谱技术的基本原理、仪器构成、应用领域等方面进行介绍。
一、电子能损谱技术的基本原理电子能损谱技术（Electron Energy Loss Spectroscopy，EELS）是通过观测物质中电子在经过介质时所发生的损失能量而进行的一种材料研究技术。
在EELS实验中，所使用的电子束能量从几十电子伏特到一千电子伏特左右。
当电子穿过物质时，会与物质中的原子、分子等相互作用。
在这个相互作用的过程中，电子的能量会因发生散射、波长的变化等损失。
测量电子的损失能量，可以了解物质的电子结构、化学成分、结构特性等。
二、EELS实验仪器的构成EELS实验主要由电子束发生器、能谱仪和信号处理器组成。
电子束发生器用于制备电子束，能谱仪则用于测量电子束在物质中的能量损失情况，而信号处理器则用于处理测量到的电子能损谱图（EEL谱图）。
在EELS实验中，电子束发生器一般采用透射电子显微镜（Transmission Electron Microscope，TEM）或扫描透射电子显微镜（Scanning Transmission Electron Microscopy，STEM）。
TEM 和STEM可以提供很高的空间分辨率，从而使得对材料进行微观结构分析时，可以看到更多的细节和特征。
能谱仪则是EELS实验的核心设备。
能谱仪在TEM或STEM 中设置，其主要作用是测量电子束在物质中的能量损失情况。
能谱仪分为两种类型：全能谱仪和分散能谱仪。
全能谱仪可以连续地记录所有能量损失；而分散能谱仪则可以分离出不同能量损失的电子，对其进行记录和分析。
信号处理器用于对EEL谱图进行处理，提取出所需要的信息。
信号处理器可使用的软件有多种，如Python和MATLAB等。
在处理过程中，本文使用MATLAB对EEL谱图进行处理和分析。
电子损失能谱
电子损失能谱入射电子与样品发生非弹性相互作用，电子损失一定能量，如果我们对出射电子按照损失的能量进行统计计数，就可以得到电子能量损失谱（Electron，Energy，Loss，Spectoscopy，，EELS）。
电子能量损失谱技术经过了六十多年的发展期。
价损失是在高能电子散射中的一个主要非弹性散射过程，它决定了大部分入射电子能量损失。
晶体材料的价带是许多电子态的集合，并且，这些状态决定了许多固体材料的物理性质。
价损失能谱对材料的固态结构是敏感的，并且它可用于区别两个相。
价损失具有非固定散射特性，甚至当电子相距试样几个纳米距离时会发生，因此，价损失能谱只能用于表征价带的集合固态激发特性，而非单个原子性质。
图1是价谱与价带中的电子态密度之间的对应关系，这里在零损失峰和第一峰之间的间隙对于绝缘体是导带与价带之间的间隔。
图1，(a)价电子向导带的跃迁；(b)观察到的EELS，谱与价带中电子态密度(DOS)的关系由于价电子态密度很高，所以连续介电函数ε(ω,q)通常用于表征价带中的电子特性，这取决于等离子体激元振荡的频率ω和扰动波矢量，q13，。
价带激发中的介电响应函数的引入，与将一个非弹性散射过程的量子力学描述转换为一个经典电动力学处理是等同的，并且这种方法在实践中显示了巨大成功。
介电函数表征了介质对由外部源产生的电场(如快速运动电子)的极化响应。
由于带间跃迁的激发和等离子体激元振荡，造成电子能量损。
电子能量损失谱的分析提供了关于固体激发模式的直接信息。
EELS谱中通常能反映出原子内层激发，由于这是一个原子束缚的电子被激发，使它从内壳层进入价带，并伴随着入射电子能量损失和动能转变的过程。
这是一种局部的非弹性散射过程，仅当入射电子在晶体中扩散时才发生，由于内层能级是原子的独特的特性，电离边的强度可有效地用于分析试样的化学性，同时，受约束电子电离的可能性强烈地依赖于价带的态密度，并且在近边能量观察到的精细结构反映了材料的固态结构，因此，EELS不仅能用于定量地确定试样的化学组分，特别是由于荧光性没有减弱信号强度的轻元素，而且也可用于探测试样的电子结构。
电子能量损失谱
高分辨率、高灵敏度、高空间分辨能 力，能够提供关于物质内部结构和化 学信息。
电子能量损失谱的应用领域
材料科学
研究材料微观结构和化学组成 ，如金属、陶瓷、高分子等。
生物学
研究生物大分子结构和功能， 如蛋白质、核酸等。
环境科学
检测大气、水体中的污染物和 有毒物质。
医学
研究生物组织、药物和医疗器 械的相互作用。
CHAPTER
电子能量损失谱的产生
当高能电子束与物质相互作用 时，电子会损失能量并产生非
弹性散射。
损失的能量以热、光、声等 形式释放，同时产生电子激
发和离化等过程。
电子能量损失谱是通过测量电 子束与物质相互作用后电子能 量分布的变化来研究物质内部
结构和能量的方法。
电子能量损失谱的测量
使用电子能量损失谱仪（EELS） 测量电子能量分布的变化。
在本研究中，我们成功地应用电子能量 损失谱对多种材料进行了实验研究，并 获得了丰富的实验数据和结果。
通过电子能量损失谱，可以深入了解材 料的电子结构和物理性质，为材料科学 和凝聚态物理学的发展提供重要信息。
实验结果表明，电子能量损失谱在研究材料 电子结构和能量损失机制方面具有很高的灵 敏度和分辨率，为未来的研究提供了有力支 持。
医学诊断和病理研究
电子能量损失谱可以用于医学诊断和病理研究，通过检测生物样 品中元素的特征能量损失，可以用于诊断疾病和了解病理过程。
环境监测
大气污染监测
电子能量损失谱可以用于监测大气中的有害 物质，如二氧化硫、氮氧化物等，有助于评 估空气质量和环境污染程度。
水质监测
通过电子能量损失谱可以检测水体中元素的含量， 有助于评估水质和了解水体的污染状况。
朱静-EELS讲解
电子与物质交互作用
E. M. Lab. Tsinghua, J.ZHU
弹性散射与非弹性散射
电子衍射图中包含了弹 性和非弹性散射的信息
非弹性散射： Phonons Interband transition Plasma ionization
E. M. Lab. Tsinghua, J.ZHU
E. M. Lab. Tsinghua, J.ZHU
电子显微镜/电子能量损失谱仪组合
E. M. Lab. Tsinghua, J.ZHU
组合要求
具不同能量的电子有不同通道 能量色散面上显示具不同能量的
电子的分布 动能相同的电子聚焦在同一线上
磁棱镜
能量色散面的共轭面 TEM：投影镜的后焦面 DSTEM：物平面 TEMFEF：在？
Spatial resolution
取决于采集谱时，所选择的电子显微镜的模式
TEM mode: 谱仪光栏直径/放大倍率 ＝ 1mm/100000 = 10nm 能量损失大时，受物镜色差影响，可造成偏离物位置约 100nm 适合于采用大的谱仪接收角，获得好的能量分辨率，空间分辨率差
TEM diff. : 空间分辨率 ＝ 样品上的束斑直径 一般电镜：由选区衍射光栏确定样品上对EELS譜有贡献的区域
X orbit (the plane perpendicular to the magnetic field)
Y orbit (the plane parallel to the magnetic field)
E. M. Lab. Tsinghua, J.ZHU
内置Ω 型 JEM2010FEF
E. M. Lab. Tsinghua, J.ZHU
eels能谱原理
eels能谱原理EELS（Electron Energy Loss Spectroscopy）是一种电子能谱技术，通过分析材料中电子与入射电子发生能量损失的过程来研究材料的性质。
本文将详细介绍EELS的原理及其应用。
EELS技术基于电子与材料中原子或分子的相互作用，当高能电子进入材料之后，与材料中的电子进行相互作用时会发生能量损失。
这种能量损失可以分为两种类型：弹性散射和非弹性散射。
弹性散射是指入射电子与材料中的电子碰撞后改变方向而不改变能量，而非弹性散射是指入射电子与材料中的电子碰撞后改变能量。
在非弹性散射过程中，入射电子通过与材料中电子的相互作用，发生了能量损失。
EELS技术通过测量入射电子能量和出射电子能量之间的能量差，获得材料的能量损失谱。
这个能量差称为能量损失峰（Energy Loss Peak），能量损失峰的位置和强度能够提供关于材料中各种电子激发态的信息。
根据材料的能量损失谱，可以得到关于材料的元素成分、电子结构以及物理性质的信息。
EELS技术可以通过透射电子显微镜（Transmission Electron Microscope，TEM）来实现。
透射电子显微镜是一种能够通过样品中的材料成分的电子束显微镜。
在EELS实验中，透射电子显微镜将高能电子束聚焦到样品上，并收集从样品中透射出来的电子。
通过在透射电子显微镜上加装一个能量分析器，可以测量出透射电子的能量分布，从而得到材料的能量损失谱。
EELS技术具有很多应用领域。
首先，EELS技术可以用于确定材料的元素成分。
通过分析能量损失谱中不同能量损失峰的位置，可以确定材料中的元素类型。
其次，EELS技术可以提供关于材料的电子结构信息。
通过分析能量损失谱中的能量损失峰的形状和强度，可以得到关于材料中电子激发态的信息，如价带结构、能带宽度等。
此外，EELS技术还可以用于研究材料的光学性质、表面等离子体共振等。
总之，EELS技术通过分析电子与材料中的相互作用来研究材料的性质，具有很多应用领域。
eels能谱原理
eels能谱原理eels（透射电子能量损失谱）是一种利用电子透过固体样品，损失能量的分布特性来研究物质的结构和性质的分析技术。
这种技术主要用于研究材料的元素组成、化学键特性以及电子结构等方面。
EELS是通过实验测量透射电子的能量损失来获得电子和样品之间发生的相互作用、散射和激发等信息。
eels的实验原理主要包括以下几个方面：1.基本原理：eels 测量的基本原理是把能量 E 的高速电子作为探针射入样品，并且测量纵深方向上，透射电子损失的能量与强度。
电子射入样品后，与原子核或电子发生散射，散射会使电子损失能量，同时，还会通过离子激发或电子激发等方式释放能量，形成能量损失峰。
这些能量损失峰的位置和峰形特征提供了关于样品结构的信息。
2.能量分辨率：电子电路可以通过低通滤波器来将噪音和背景信号剔除掉，提高能谱的分辨率。
同时，减小能量分辨度也有助于进一步提高能谱的分辨率，减小仪器系统的响应宽度。
3.电子损失过程：能量传递过程主要由电子和样品中的自由载流子（如电子、空穴等）相互作用驱动。
在透过样品的过程中，电子可以通过碰撞和散射来损失能量。
这些散射作用包括电子-电子散射、电子-原子核散射、电子-电子轰击等。
这些散射事件造成了电子能量的损失。
4.能量损失谱的特征：通过测量透射电子的能量损失，可以获得一系列能量损失峰。
这些能量损失峰反映了样品中原子和分子的结构和磁性等性质。
根据经典物理学的散射理论，能量损失谱能够提供关于样品的元素组成、电子结构、化学键、晶体结构等信息。
5.仪器设备：为了获得高质量的能量损失谱，通常需要使用高分辨率的透射电子显微镜和能谱仪。
透射电子显微镜提供了必要的束缚电子束制备、聚焦和探测样品的能力。
能谱仪则用于测量透射电子的能量并进行谱线分析。
eels技术在材料科学、固体物理学、电子学等领域有着广泛的应用。
它能够提供关于材料的微观结构和化学键的信息，帮助科学家研究材料的性质、表面特性、界面反应等。
ELNES的原理及应用实例
ELNES的原理及应用实例1.ELNES的原理Electron energy-loss near edge structure (ELNES) 是一种基于透射电子显微镜的电子能量损失光谱技术，它可以提供元素的局部化电子结构信息。
ELNES是通过测量样品中的电子能量损失谱来实现的。
ELNES的原理包括以下几个步骤：1.透射电子束与样品相互作用：透射电子束通过样品时，与样品中的原子和电子发生相互作用。
这种相互作用导致透射电子失去一部分能量，这种能量损失称为电子能量损失。
2.电子能量损失谱的测量：在透射电子显微镜中，使用电子能量损失谱仪测量从样品中散射的电子。
通过测量透射电子束的入射和散射电子束的能谱之间的差异，可以获得样品中原子和电子的局部电子结构信息。
3.分析与解释：通过分析电子能量损失谱的结构和特征，可以确定样品中不同原子的电子能级结构、化学键和配位环境等信息。
这些信息对于研究材料的结构和性质非常重要。
2.ELNES的应用实例1.分析材料的晶体结构：ELNES可以用来研究材料的晶格结构和晶体缺陷。
通过测量样品中不同原子的电子能量损失谱，可以确定材料的晶体结构和晶格参数，从而揭示材料的物理性质。
2.研究材料的化学成分：ELNES可以用来确定材料中不同元素的存在及其化学状态。
通过分析样品中元素特定的电子能级结构，可以确定材料的化学成分和组成，从而了解材料的化学性质和反应活性。
3.研究催化剂和纳米材料：ELNES可以用来研究催化剂和纳米材料中原子的局部电子结构。
通过测量样品中纳米尺度上的电子能量损失谱，可以揭示催化剂的表面结构和活性中心，从而设计和优化催化剂的性能。
4.研究电子输运性质：ELNES可以用来研究材料中电子的输运性质和能级结构。
通过测量样品中不同原子的电子能量损失谱，可以确定电子的能带结构、费米能级和带隙大小，为理解材料的电子输运性质提供重要信息。
总的来说，ELNES技术提供了一种非常强大的表征手段，可以揭示材料的微观结构和电子性质。
电子能量损失谱
电子能量损失谱
电子能量损失谱（EELS）是一种电子显微分析技术，用于测量物体表面和内部深层中各种电子结构的谱图。
它最初是用来研究原子和分子的晶体电子结构的。
它的使用范围扩大到了单层材料的原子位置及其电子结构的分析。
它的特点是可以采集高分辨率电子能量损失谱图，从而对原子距离，核磁共振和各种复杂材料构型进行测量。
EELS是在电子显微镜（TEM）中使用的一种方法，通过在外加一个电场来激发已在TEM检测管投影中强烈衰减的微量电子束。
其原理是电子被击中原子的表面，并会遭受能量的损失，其能量从塞贝克效应衰减到电子移动至原子内部时发生变化。
从而，根据被测物体的电子结构，可以得到一个电子分辨率的能量损失谱图。
EELS在特定应用方面表现出强大的功能，其中包括：研究添加物，分析表面电荷分布以及在微尺度材料中调控原子位置。
现代电子分析中该技术被广泛应用于检测材料表面，抵消外加的腐蚀剂，探测电荷分布以及检测微结构材料的电荷状态等。
电子能量损失谱（EELS）技术在金属，金属化合物，特种半导体，具有连接功能的组装体，绝缘体表面成分研究，材料颗粒大小检测和生物材料中均得到了应用。
它使得科学家可以探索自然界更深层、更复杂的地方，是将有机和无机材料研究到更深层次的重要工具。
材料物理分析技术-EELS
高能损失范围－广延精细结构
中心是一被电离的原子 入射电子经电离损失能量后， 多余的能量可使由于电离而 被激发的电子产生几率波 λ=12.25/(E – Ec)1/2 若 E=Ec+100eV, 则 λ=0.12nm 此几率波被相邻原子散射， 散射波与几率波相干，形成 振荡。振荡波振幅受相邻原 子的种类和距离影响。
损失能量范围：E>Ec+50eV 表现为在电离损失峰之后几百个电 子伏特范围内存在的微弱的振荡
电离损失峰----广延精细结构
4、EFTEM---能量过滤像
选择零损失峰成像
能量过滤成像应用
能量过滤成像应用
EELS小结
从Ni的L-edge研究硼对 多晶Ni3Al的影响
Subramania and Muller et al, Materials Science and Engineering A192/193(1995)936-944
两种类型的TEM— EELS结构
非弹性散射电子的色散
4 R 1 + E0 / m0 c 2 ( ) ∆x = ∆E0 2 E0 2 + E0 / m0 c
色散度-- △ x/ △E
电子能量损失谱仪的工作原理
3、电子能量损失谱EELS所包含的信息
Байду номын сангаас
电子能量损失谱示意图
零损失峰(ZLP)
低能损失－等离子损失峰（plasmons)
近阈精细结构ELNES－化学位移
电离损失峰化学位移 (Chemical shift) 两类原子形成离子晶体，正（负）离子由于失去（得到）电子，使它们的内 壳层电子处于更深（更外）的轨道能级上，电离所需能量更大（小）一些。由此 产生edge Ec的位移。
电子能量损失谱基本原理及应用
• 这些振荡电场就会使入射电子产生非弹性散射，结果在 电子的反射方向上出现了一个非弹性散射蜂。
22
23
• 一个简单的双原子分子直立地吸附在表面上，如CO在 过渡金属表面的吸附就属于这种情况。 • CO分子的拉伸振动产生的振荡偶极子垂直于表面，这 个偶极子在晶体表面产生了一个镜像偶极子，当入射电 子接近表面时所看到的是振荡偶极子的总强度2p如图 7—4(a)所示。 • 如激发CO的平行于表面的振动，那振荡偶极矩也是平 行于表面，不过由它产生的镜像阴极矩与它的方向相反， 如图7—4(b)所示，因此表面偶极矩的总和为零。 • 所以在这种情况下入射电子只与吸附分子的振荡偶极矩 的垂直分量起作用而产生散射。
11
HREELS
• 当低能电子束接近表面或离开表面对会跟晶体表面振动模发 生作用，产生能量损失； • 由分子的振动谱、振动实体的动力学性质以及振动谱的选择 定则等可以从被反射回来的电子得到固体表面结构的信息。
• 表面吸附分子的振动模还提供了被吸附分子和衬底之间的化 学键性质的信息。
• 最近对清洁表面和吸附表面的物理性质和化学现象的研究十 分活跃，它促进了对表面吸附物质的运动和几何结构的了解， 也促进了对催化和腐蚀过程的了解。
• 韧致辐射（连续X射线）。
• 最后两个激发过程只形成谱的背底
5
等离子体
• 在金属中，整个系统在宏观尺度上保持 着电中性，然而在微观尺度上往往存在 有电子密度的起伏。由于电子之间的库 仑相互作用是长程作用，电子密度的起 伏将会引起整个电子系统的集体运动， 称为等离子体。
6
电子能量损失谱现象
• 电子所损失的能量使物体产 生各种激发； • 主要四种类型：
26
27
• 图7—6是解理面Si(111)2×1吸附氧时的低能电子损失谱。 • 当氧的覆盖度θ＜0.2时，在离弹性峰56毫电子伏的地方由 于激发声子而出现损失峰，这和图7—3的结果是一致的。 但在90毫电子伏和125毫电子伏的地方出现另外两个损失 峰，这两个损失峰属于氧的振动模。 • 当θ＝0.6时，表面声子激发几乎消失，吸附氧的振动模移 到94meV和130meV，且在175meV的地方能看到一个小峰。