硅材料与硅片
硅片和硅基材料行业行业痛点与解决措施
调整产业结构
01
鼓励企业加大技术改造和设备更新投入，提高生产 效率和产品质量。
02
推动硅片和硅基材料行业的产业结构调整，优化资 源配置，鼓励企业向高附加值领域转移。
03
加强行业协会的作用，引导企业进行行业自律，避 免恶性竞争，维护市场秩序。
强化环保法规
01
制定更加严格的环保法规和标准，加强对硅片和硅基材料行业 的环保监管，推动企业进行环保治理和绿色生产。
要点二
详细描述
企业应加强市场调研，了解国际市场需求和趋势，制定针 对性的市场拓展策略。同时，提高产品质量和性能，加强 品牌建设和宣传，提升国际形象和市场认可度。
建立绿色供应链
总结词
绿色供应链是未来发展的必然趋势，硅片和硅基材料企 业应建立绿色供应链，实现可持续发展。
详细描述
企业应选择环保合规的供应商，推行绿色采购政策，优 化物流运输环节，降低能源消耗和排放。同时，加强供 应链的环保监管和信息披露，推动全链条的绿色化进程 。
产能过剩
总结词
硅片和硅基材料行业的产能过剩问题严重，导致企业竞争加剧，利润下滑。
详细描述
由于前期投资不足和盲目扩张，硅片和硅基材料行业的产能严重过剩，企业之 间竞争激烈，产品价格不断下降，企业利润受到严重挤压。同时，产能过剩还 可能导致资源浪费和环境问题，影响行业的可持续发展。
环境污染
总结词
硅片和硅基材料行业的生产过程中产生大量污染物，对环境造成严重污染。
加强环保意识
总结词
随着环保要求的日益严格，硅片和硅基材料 企业应积极履行社会责任，加强环保意识。
详细描述
企业应建立健全环保管理制度，严格控制污 染物排放，推广清洁生产技术和循环经济模 式。同时，加大环保设施投入，提高资源利
硅片和硅基材料简介演示
02
硅基材料特性
物理特性
晶体结构
硅基材料主要以晶体形式存在，最常见的是单晶硅，其晶体结构 为金刚石型立方结构，具有高度的对称性和稳定性。
硬度与机械强度
硅基材料具有较高的硬度和机械强度，使得其在制造过程中能够保 持较好的形状和尺寸稳定性。
热学性质
硅基材料具有优异的热导率，使得热量能够快速传递和扩散，对于 高功率电子器件的散热具有重要意义。
全球化的市场竞争
随着全球半导体产业的飞速发展，硅片和硅基材料市场将形成全球化 竞争态势，为企业提供更多发展机遇。
环境与可持续发展
环保生产
在硅片生产和硅基材料制备过程中，企业需要采取环保措施，减 少废气、废水排放，降低对环境的影响。
资源回收与循环利用
对废旧硅片进行回收和再利用，提高资源的利用率，促进可持续 发展。
化学特性
01
02
03
化学稳定性
硅基材料在常温下与大多 数化学物质不反应，具有 较高的化学稳定性，能够 保持长期使用的可靠性。
耐腐蚀性
硅基材料对于酸、碱等腐 蚀性物质具有较好的抗性 ，不易被腐蚀和氧化。
可掺杂性
硅基材料可通过掺杂其他 元素改变其电学性质，实 现材料性能的调控和优化 。
电学特性
1 2
面平整、厚度均匀的硅片。
硅片的应用领域
集成电路
硅片是制造集成电路的基础材料 ，通过在硅片上沉积、掺杂、刻 蚀等工艺，可以制造出各种功能
的芯片。
太阳能电池
硅片也是太阳能电池的主要原料， 太阳能电池板就是由多个硅片串联 或并联而成的。
传感器
硅片还可用于制造各种传感器，如 压力传感器、温度传感器等，广泛 应用于汽车、医疗、家电等领域。
工业硅有机硅和半导体硅片的关系
工业硅有机硅和半导体硅片的关系下载提示：该文档是本店铺精心编制而成的，希望大家下载后，能够帮助大家解决实际问题。
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硅片和硅基材料行业发展分析与投资前景分析报告
行业市场规模
在全球电子信息行业发展加快背景下，全球信息电子行业产品将迎来新一轮变革。新一代物联网、人工智能等高科技产业的发展将推动全球半导体产业崛起，成为推动全球半导体硅片和硅基市场行业发展的主要动力，半导体硅片和硅基销售规模有望进一步扩大。除此之外，在中国政府鼓励半导体材料国产化的政策导向下，本土硅片和硅基材料厂商不断提升硅片和硅基研发能力和产品技术水平，逐渐打破了国外半导体厂商的垄断格局，推进中国硅片和硅基国产化进程。随着本土硅片和硅基厂商在8-12英寸硅片产能逐步释放，本土品牌企业有望迅速壮大，逐步进入全球硅片和硅基市场，促进全球硅片和硅基材料行业的发展。未来全球硅片和硅基材料行业市场将持续增长，到2023年全球硅片和硅基材料市场销售规模有望达到127.5亿美元，全球半导体硅片和硅基材料行业存在较大增长空间。
2）本土硅片和硅基材料企业的研发技术不断提高，逐渐发展扩大，丰富了硅片和硅基材料行业产品的种类，扩大了市场规模；
行业得以保持快速增长，主要因为受到以下三个因素的影响：
1）硅片和硅基材料行业的发展需要大量科学实验的支持，拉动产品的需求提升；
3）相关政策的逐渐完善，使得硅片和硅基材料的监管愈加完善，生产、消费、使用流程得到安全保障，促进了行业的发展。
中国当前的环境下，挑战与危机并存，中国正面临着最好的发展机遇期，在风险中寻求机遇，抓住机遇，不断壮大自己。自改革开放以来，政治体系日趋完善、法治化进程也逐步趋近完美，市场经济体系也在不断蓬勃发展；虽在一些方面上弊端漏洞仍存，但在整体上，我国总体发展稳中向好，宏观环境稳定繁荣，二十一世纪的华夏繁荣美好，对于青年人来说，也是机遇无限的时代。
半导体硅片和硅基是集成电路、光电器件、分立器件、传感器行业制造环节中的关键材料。受益于全球半导体厂商积极推进集成电路、光电器件、分立器件、传感器生产线扩张，全球半导体硅片和硅基市场需求得到快速释放。在经历了2013年-2014年连续增长后，2015年全球半导体硅片和硅基市场呈现下滑趋势，其主要原因是硅片和硅基厂商技术相对成熟，产品技术提升缓慢。与此同时，受经济危机影响，半导体行业的应用终端市场接近饱和致使应用终端市场增速放缓，导致半导体硅片和硅基市场低迷，硅片和硅基供需情况出现恶化。直到2016年下半年，全球经济回暖，通信、计算机、汽车产业、消费电子需求带动半导体硅片和硅基销量增加上升。2017年全球半导体硅片和硅基市场销售规模87.1亿美元，较2016年增长20.5%。2018年，随着全球半导体硅片和硅基厂商扩产产能逐步释放，6-8英寸半导体硅片出货量稳定。与此同时，物联网、云计算产业的崛起带动半导体硅片和硅基需求增长，2018年全球半导体硅片销售规模达到112亿元。但自2018年4月以来，受中美贸易战影响，半导体终端应用市场需求紧缩，芯片厂商囤货，导致半导体硅片和硅基市场销售规模下跌，2019年半导体硅片和硅基市场销售规模为110.6亿美元。
硅片简介演示
用于从石英矿中提取高纯度硅的设备，包括 挖掘机、粉碎机、筛选机等。
切片设备
用于将合成的硅锭切成硅片的设备，包括线 切割机、研磨机等。
合成炉和精炼炉
用于合成和精炼硅的设备，包括合成炉、精 炼炉等。
清洗设备
用于清洗硅片表面的设备，包括超声波清洗 机等。
主要硅片供应商介绍
01
Sumco
02
竞争格局
全球硅片市场主要由几家 大型企业主导，包括信越 化学、SUMCO、 Siltronic和MEMC等。
地区分布
全球硅片市场主要分布在 亚太、欧洲和北美地区。
中国硅片市场概况
市场规模
中国硅片市场规模不断扩 大，占全球市场的比例逐 渐提高。
竞争格局
中国硅片市场主要由几家 大型企业主导，包括隆基 股份、中环股份、晶澳科 技等。
硅片简介演示
汇报人： 2023-11-23
contents
目录
• 硅片概述 • 硅片的制造工艺 • 硅片的市场状况 • 硅片的技术参数及性能测试 • 硅片的生产设备及供应商 • 硅片的应用案例及前景展望
硅片概述
01
硅片的定义
硅片
又称矽片，是一种以硅为原材料制成 的半导体芯片，具有体积小、集成度 高、处理速度快、功耗低等优点，是 现代电子信息技术的基础之一。
传感器领域
硅片由于其良好的热敏性和电敏性，被广泛应用于传感器制造。硅片制作的传感器具有高 灵敏度、快速响应和稳定性好等优点，因此在环境监测、医疗诊断等领域具有广泛的应用 前景。
硅片的前景展望
市场需求持续增长
随着光伏、半导体等行业的快速发展，硅片市场需求持续增长。未来，随着新能源和智能化技术的不断发展，硅 片的应用领域将进一步扩大，市场需求也将保持快速增长。
硅片与硅料的容配比
硅片与硅料的容配比摘要：1.硅片与硅料的定义与关系2.硅片与硅料的容配比的概念3.硅片与硅料的容配比的重要性4.如何确定硅片与硅料的容配比5.硅片与硅料的容配比对太阳能电池性能的影响正文：硅片与硅料的容配比是指在制造太阳能电池的过程中，硅片与硅料之间的比例关系。
硅片是太阳能电池的主要结构材料，而硅料则是制造硅片的原材料。
硅片与硅料的容配比的确定，直接影响到太阳能电池的性能和效率。
一、硅片与硅料的定义与关系硅片，又称硅单晶片，是由高纯度单晶硅制成的薄片，是制造太阳能电池、半导体器件等电子元器件的关键材料。
硅料，即硅单晶硅，是制造硅片的原材料。
硅片与硅料之间的关系简单来说，就是原材料与成品的关系。
二、硅片与硅料的容配比的概念硅片与硅料的容配比，是指在制造太阳能电池的过程中，硅片与硅料之间的比例关系。
这个比例关系的确定，直接影响到太阳能电池的性能和效率。
三、硅片与硅料的容配比的重要性硅片与硅料的容配比是制造太阳能电池的关键参数之一，它的确定直接影响到太阳能电池的性能和效率。
如果容配比不合适，可能会导致太阳能电池的效率低下，甚至无法工作。
四、如何确定硅片与硅料的容配比确定硅片与硅料的容配比，需要考虑多方面的因素，包括硅片的厚度、硅料的纯度、硅片的电阻率等。
一般来说，硅片越薄，所需的硅料越多；硅料的纯度越高，所需的硅料越少；硅片的电阻率越高，所需的硅料越多。
五、硅片与硅料的容配比对太阳能电池性能的影响硅片与硅料的容配比对太阳能电池的性能有重要影响。
如果容配比不合适，可能会导致太阳能电池的效率低下，甚至无法工作。
归类废硅料
归类废硅料硅材料是电子工业制造过程中必不可缺的原材料，其制成的硅片一般有两种：一是电子级硅片，二是太阳能级硅片。
电子级硅片是制作集成电路芯片及二极管等半导体器件最主要的组成部分，一般硅纯度要达到11N(99.999999999％)；太阳能级硅片是制作太阳能电池的主要元件，一般硅纯度为6N(99.9999％)以上。
由于电子级硅片的质量要远高于太阳能级硅片，因此一些制作太阳能电池的企业就利用电子级硅片的报废片，经过一系列加工，使之变成太阳能级硅片的原料。
电子级硅片从原料的生产到最后制作成集成电路，有多达二三百个步骤，制作太阳能电池的企业进口的电子级报废片可谓种类繁多，五花八门。
只有了解了各种不同类型的硅废料以及它们的加工处理过程，才能更好地对其进行归类。
定义及废硅料的分类要想对硅废料进行归类，首先要知道单晶硅片的制作过程。
如图1至图6所示。
图l：硅砂图2：多晶硅图3：拉单晶硅棒图4：已抛光的单晶硅片图5：印刷好的芯片图6：切割下来的芯片其次，要了解什么样的硅属于硅废料。
特别要指出的是本文中所称的“废硅料”是指制作电子级硅片在加工过程中产生的报废品，而非太阳能级的硅废料。
即生产电子级硅片(空白硅片、裸露硅片或原料晶圆)的厂家及生产半导体芯片(成品晶圆)的厂家的报废料。
根据硅材料与硅芯片生产厂家的不同可分为两类：原生型废硅料原生型废硅料是指由多晶硅从拉制单晶硅棒到制作成电子级裸片或空白片过程中所产生的报废料，即多晶硅通过拉晶、切片、研磨、抛光等物理方法制成初成品过程中所产生的报废料。
按形状不同，大致可分为以下几种：碳头料：碳在多晶硅提纯过程中起引晶作用，也就是硅包围在碳的周围结晶生成多晶硅，因此多晶硅靠近碳的地方黏附碳头，形状为不规则块状。
如图7所示。
锅底料：指在拉成单晶硅棒后，残留在石英坩锅底上的硅料。
由于锅底的多晶硅料还未完全拉成单晶硅，所以锅底料应为多晶硅。
而且由于锅底的多晶硅料在拉晶时多晶硅熔融在石英坩锅上，因此灰色的硅料上会有白色的石英坩锅残余附着在上面。
硅材料的制备
1硅材料的制备导语：现阶段光伏行业，单晶硅电池和多晶硅电池是比较常见的两种太阳能电池，他们各有优缺点，近来集合两种电池优点于一身的准单晶电池逐渐进入人们的视野。
生产制造这几种太阳能电池的原材料是硅锭，根据分类的不同，硅锭可以由多种不同的制备方法制得。
硅锭再经过表面整形、定向、切割、研磨、腐蚀、抛光和清洗等一系列工艺处理之后，加工成制造太阳能电池的基本材料——硅片。
一、单晶硅 1.概念单晶硅，英文，Monocrystalline silicon ，是硅的单晶体。
具有基本完整的点阵结构的晶体。
不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。
纯度要求达到99.9999%，甚至达到99.9999999%以上。
用于制造半导体器件、太阳能电池等。
用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。
熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。
2单晶硅 2.制备方法单晶硅按晶体生长方法的不同，主要分为直拉法（CZ ）和区熔法（FZ ）。
直拉法：直拉法又称切克劳斯基法，它是在1917年有切克劳斯基（Czochralski ）建立起来的一种晶体生长方法，简称CZ 法。
直拉单晶制造是把原料多硅晶块放入石英坩埚中，在单晶炉中加热融化 ，再将一根直径只有10mm 的棒状晶种（称籽晶）浸入融液中。
在合适的温度下，融液中的硅原子会顺着晶种的硅原子排列结构在固液交界面上形成规则的结晶，成为单晶体。
把晶种微微的旋转向上提升，融液中的硅原子会在前面形成的单晶体上继续结晶，并延续其规则的原子排列结构。
若整个结晶环境稳定，就可以周而复始的形成结晶，最后形成一根圆柱形的原子排列整齐的硅单晶晶体，即硅单晶锭。
当结晶加快时，晶体直径会变粗，提高升速可以使直径变细，增加温度能抑制结晶速度。
反之，若结晶变慢，直径变细，则通过降低拉速和降温去控制。
拉晶开始，先引出一定长度，直径为3～5mm的细颈，以消除结晶位错，这个过程叫做引晶。
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(一) 改良西门子法的几项关键技术
4 四氯化硅(SiCl4)氢化反应技术
用西门子法生产多晶硅时在氯化工序和还原工序都要产生 大量的副产物— SiC14·大量的SiC14生成，不但增加了多晶硅 生产的单耗，而且该物很难处理，对环境造成污染。为此，大 阪钛公司、联合碳化物等公司很早就致力于开展SiC14转化成 SiHCl3,的研究工作。世界各大型多晶硅生产厂，也都进行了这 方面的研究，使生产多晶硅仅需补充纯硅和少量H2作原料成为 可能.
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（二）改良西门子法生产工艺流程
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改良西门子法示意图
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改良西门子工艺法生产多晶硅所用设备主要有： 氯化 氢合成炉，三氯氢硅沸腾床加压合成炉，三氯氢硅水解凝 胶处理系统，三氯氢硅精馏、精馏塔提纯系统，硅芯炉， 节电还原炉，磷检炉，硅棒切断机，腐蚀、清 洗、干燥、 包装系统装置，还原尾气干法回收装置；其他包括分析、 检测仪器，控制仪表，热能转换站，压缩空气站，循环水 站，变配电站，净化厂房等。
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1 合成HCl
生成三氯氢硅所需的HCl 是由工厂自行合成的，其 装置如图一所示。
经干燥的氢气和氯气通 入反应炉中的燃烧室中燃 烧，生成的HCl经冷却后成 为液态，经管道储存备用 。
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图一
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2 合成SiHCl3（三氯氢硅）
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一 多晶硅的合成
从上世纪五，六十年代至今，高纯多晶硅生产广泛采 用氢气还原三氯氢硅，即西门子法。回首过去，传统西门 子法在我国的应用也有几十年了，但无论是生产规模，能 耗，环保，以及副产物的综合利用与国外的技术相差都很 大。
改良西门子法主要优点是：节能降耗显著、成本低、质 量高，采用综合利用技术，对环境产生污染小。其主要技 术是:大直径对多对棒节能型还原炉技术、导热油循环冷却 硅还原炉系统技术、还原炉尾气封闭式干法回收技术以及 副产品SiCl4氢化生成SiHCl3技术。
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(一) 改良西门子法的几项关键技术
1 大型多对棒节能型还原炉 多晶硅还原炉，出于节能降耗的考虑，必须大型化，与之相适应的
电器也必须大型配套。大型节能还原炉有几项关键的技术: (1)炉内可同时加热许多根金属丝，以减少炉壁辐射所造成的热损失； (2)炉的内壁加工成镜面，使辐射热能反射，以减少散热损失热能； (3)提高炉内压力，加大供气量，以提高反应速度，加快硅的沉积生成 速度采用这种改进的大型还原炉之后，其炉产量可以从改良前的每炉 次 100-200公斤提高到每炉次5-6吨。这种大型还原炉的显著特点是:能耗 低、产量高、质量稳定 。
如果在凝固过程中控制液固界面的温度梯度，形成单方 向热流，实行可控的定向凝固，则可形成物理机械性能各向异 性的多晶柱状晶，太阳电池多晶硅锭就是采用这种定向凝固 的方法生产的。
在实际生产中，太阳电池多晶硅锭的定向凝固生长方法 主要有浇铸法、热交换法（ H E M ）、布里曼（ B ridgem an）法、 电磁铸锭法，其中热交换法与布里曼法通常结合在一起。
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3 三氯氢硅的提纯
三氯氢硅的提纯过程是一个物 理过程，这一过程是在精馏塔 中进行的，其结构见图三
如图所示，在精馏塔内部有很多层带孔的筛板，合 成的三氯氢硅通入塔釜，经加热后进入到精馏塔内，加 热挥发成气态的SiHCl3在塔内向上挥发，逐步变冷，凝 结成液态。注入的原料中相对于三氯氢硅为高沸点的物 质首先凝结为液态，流入塔的下部，而相对于三氯氢硅 为低沸点的物质将挥发到他的上部，这样就将高沸点和 低沸点的杂质赶到塔的两端，从塔的中部适当位置可以 提取纯的三氯氢硅。由塔顶部挥发的三氯氢硅以及杂质 可经冷却后再进入到塔内再提纯，如此循环，不仅使三 氯氢硅的纯度不断提高，而且可分离杂质用于其他用途 。提出的三氯氢硅可进入到下一级提纯塔再提纯，最终 可以得到PPB达10-9的三氯化硅.
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（一） 浇铸法
浇铸法将熔炼及凝固分开， 熔炼在一个石英砂炉衬的感应炉 中进行，熔融的硅液浇入一个石 墨模型中，石墨模型置于一个升 降台上，周围用电阻加热，然后以 1m m /m in 的速度下降（ 见左图 ）。 其特点是熔化和结晶在两个不同 的坩埚中进行，从图中可以看出， 这种生产方法可以实现半连续化 生产，其熔化、结晶、冷却分别位于 不同的地方，可以有效提高生产效 率，降低能源消耗。缺点是因为熔 融和结晶使用不同的坩埚，会导致 二次污染，此外因为有坩埚翻转机构 及引锭机构，使得其结构 相对较复杂。
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5 尾气回收系统
SiHCl3,，SiCl4，H2,HCl放入还原炉中，通过闭路循环，对原料而 言可以降低成本，对环境而言可以保护环境。
对不同的物质处理方法不同： SiHCl3可进行提纯、H2压缩净化处理、HCl压缩脱吸、，SiCl4冷 凝提纯可做为光纤或其他有机物质的制备。经过回收系统， 90%的原料都能完全利用。若没有回收系统，H2只能利用2%， 这样就造成大量的资源浪费。
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硅材料与硅片的生产
Contents
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一
多晶硅的合成
二 多晶硅锭的生产过程
三
单晶硅的生产过程
四
硅片加工
五
小结
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硅半导体的生产主要分为多晶硅的合成及生 长、单晶硅的生长和硅晶片加工这三个步骤。其中， 多晶硅合成主要是应用化学方法，通过一系列的化 学反应完成多晶硅的提纯生长过程，得到高纯硅； 太阳电池多晶硅锭主要采用定向凝固的方法生产的； 单晶硅的生长是将已生产的高纯多晶硅制备为单晶 硅，这一过程是通过物理方法实现的，主要介绍提 拉(CZ)和区熔(FZ)两种单晶生长方法；硅片加工主 要是机械加工的过程，包括硅片的定向、切割、打 磨、抛光等过程。下面分别介绍多晶硅合成及生长， 单晶硅生长和硅片加工这几个工艺步骤。
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一 多晶硅的合成
多晶硅是由硅纯度较低的冶金级硅提炼而来，由于各 多晶硅生产工厂所用主辅原料不尽相同，因此生产工艺技 术不同；进而对应的多晶硅产品技术经济指标、产品质 量 指标、用途、产品检测方法、过程安全等方面也存在差异， 各有技术特点和技术秘密，总的来说，目前国际上多晶硅 生产主要的传统工艺有：改良西门子法、硅烷法和硫化床 法。改良西门子法是目前主流的生产方法，采用此方法生 产的多晶硅约占多晶硅全球总产量的85％。但这种提炼技 术的核心工艺仅仅掌握在美、德、日 等7家主要硅料厂商手 中。这些公司的产品占全球多晶硅总产量的90%，它们形成 的企业联盟实行技术封锁，严禁技术转让。短期内产业化 技术垄断封锁的局面不 会改变。
SiHCl3 加热 Si SiCl4 H2
这一反映是在还原炉中进行的，如左图所示
。 该还原炉加热系统采用导热油循环完成，液态的导
热油可以携带大量的热量循环释放到室内，为室内提供 稳定的热源。还原炉外部有硅酸钙保温层，导热油和保 温层使炉内的温度保持在1080—1100℃范围内。H2和被 加热挥发的SiHCl3(g)注入到炉内，SiHCl3被还原，还原 出的Si(s)在炉内的籽晶棒上沉积,得到多晶硅棒的同时三 氯化硅还发生分解反应，同样可以分解出Si，但这一反 应相对产率较小。在还原反应过程中只有2%的氢气被 利用，98%的氢气从废气口排出，排出的氢气竟会被提 纯后重复利用。
三氯氢硅的合成是在沸腾炉中 完成的，反应式如下：
HCl+Si C SiHCl3 +H2
这一反应过程是可逆的，在 280—320℃下正向反应系数较 大，三氯化硅的产率较高，其 经注干入要燥的含的HC硅量l(g粉)大在由反沸于应腾8炉炉3中中%部上，反部应才注，入能生到成进炉的中入S，iH下与Cl3由、下H部2 以及一未步反应。的沸Si(s腾)、炉HCl的等由结沸构腾炉如的图上部二排。出，经
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(一) 改良西门子法的几项关键技术
3. 还原尾气的干法回收技术
在还原生长多晶硅之后，还有部分还原尾气。如果尾气放空排放，不 仅浪费了能源和原材料，还会对环境造成污染。
多晶硅还原炉尾气中的氢、氯化氢、三氯氢硅、四氯化硅等成分，经过 加工和冷却达到一定的条件之后，其中的二氯氢硅和四氯化硅被冷凝分离 出来，然后把分离出的三氯氢硅直接送到还原炉，以生产多晶硅，而把四 氯化硅送到氢化工序，经氢化后，部分转化成三氯氢硅，把氢化后的气体 再经分离塔分离出二氯氢硅和四氯化硅，再分别把三氯氢硅送到还原系统 ，再把四氯化硅送到氢化工序，这样连续不断地循环进行 下去 。另外， 经加压和冷却后的不凝气体，主要是氢和氯化氢，它们在加压和低温条件 下，通过特殊的分离工艺，使氢和氯化氢分离出来，把没有杂质和水分的 纯氢送往氯化氢合成工序或还原工序利用，而氯化氢则送到三氯氢硅的合 成工序。还原尾气干法回收的整套工艺都不接触水分，只是把尾气中各种 成分逐一分离，并且不受污染地回收，再送回相适应的工序重复利用，实 行闭路循环式 工作。
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（二） 热交换法及布里曼法
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热交换法及布里曼法都是把熔化及凝固置 于同一坩埚中（ 避免了二次污染），其 中热交换法是将硅料在坩埚中熔化后，在 布元硅界的近水坩热生炉过结通里件仍面生常流埚量长示程晶过曼移然形长数量底交。意中时冷法动处成。，控部换左图，则却则使于比其生制通，图。底将台是结加较特长趋冷形该部它带为在晶热稳点速近却成炉用移走一硅好区定是度于水温型一开，个料的，的液受常或度采个以从使熔晶这温相工数冷梯用可便而用化体样度温作，气度顶移将形热后离在梯度台生体，底动坩成交，开结度梯下长，促加的埚温换将加晶，度移速在使热热底度法坩热过有速度d底晶，开部梯T的埚区程利度可/部体在关的度d结或，中于及以X进定熔绝热。晶加而液晶冷调接行向化热量热液固体却节，。 实际生产所用结晶炉大都是采用热交换与布 里曼相结合的技术。