二氧化锡薄膜电阻

厚膜电阻薄膜电阻金属膜电阻寿命

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厚膜电阻、薄膜电阻和金属膜电阻是电子元件中常见的三种类型的电阻，它们在电路中起着至关重要的作用。本文将分析这三种电阻的特点及其在不同应用中的寿命表现，以帮助读者更好地了解不同类型电阻的使用场景和选择方法。

溶胶-凝胶法制备掺氟二氧化锡

景德镇陶瓷学院

测试技术综合性实验

题目：溶胶-凝胶法制备掺氟二氧化锡

（FTO）透明导电薄膜

学号：

姓名：

院（系）：

专业：

指导教师：

二○一○ 年十二月

溶胶-凝胶法制备掺氟二氧化锡（FTO）透明导电薄膜

摘要

透明导电薄膜是一种重要的光电材料,透明导电薄膜既有高导电性，又在可见光范围内有很高的透光性，在光电产业中有着很高的应用前景,己经成为微电子学、光电子学、磁电子学、材料表面改性、传感器、太阳能利用、液晶显示等新兴交叉科学的重要材料基础。透明导电薄膜本身具有高的载流子浓度，是电的良导体;并在不同的电磁波频率范围内具有光选择性，它会反射红外光，并吸收紫外光，又使可见光穿透。由于具有这些优异的特性，使其在太阳能电池、液晶显示器、气体传感器、飞机和汽车导热窗玻璃(防雾和防结冰)等领域得到广泛应用。透明导电薄膜的质量主要体现在薄膜的结构、表面形貌、在其可见光区的透射率和电阻率。FTO即SnO2掺杂F的透明导电薄膜材料，因其具有良好的透光率，导电性等光电特性，现今已愈来愈受到导电薄膜界的重视。本文以溶胶一凝胶法制备出FTO透明导电薄膜。经XRD分析表明，FTO薄膜为四方金红石结构，其晶格常数为:a=0.4738nm，c=0.3191nm，晶粒大小为40.5nm. 扫描电镜拍照了它的表观形貌,如图4所示。从图4中看出,膜表面由均匀致密的晶粒组成。

关键词：二氧化锡 FTO薄膜溶胶-凝胶法透明导电薄膜

1前言

综述国内外关于氧化锡透明导电薄膜制备的有关文献，掺氟氧化锡薄膜的制备主要是以喷涂、高温热分解、CVD等方法为主，氟源主要是NH4F或HF，用溶胶一凝胶法的很少，原因在于掺杂剂的选择非常困难，尤其对于无机盐溶胶一凝胶法来说更是如此，如何选择掺杂剂使得在能够有效掺杂的条件下不影响薄膜的质量，应该是溶胶一凝胶法法制备FTO薄膜的首要问题。

锑掺杂纳米二氧化锡的制备与表征

本科毕业设计（论文）

学院(部) 材料与化学化工学部

题目锑掺杂纳米二氧化锡的

制备与表征

年级 2014级

专业

材料化学

班级材料化学班

学号

1409404007

姓名陆柏松

指导老师王作山

职称副教授

论文提交日期 2018年5月20日

锑掺杂纳米二氧化锡的制备与表征

中文摘要 ........................................ 1

Abstract ........................................ 2

第一章前言 ..................................... 3

1.1纳米材料 .................................. 3

1.1.1纳米材料定义 ......................... 3

1.1.2纳米材料的研究意义及研究进展 ......... 3

1.1.3纳米材料的应用 ....................... 4

1.1.4纳米材料的制备 ....................... 5

1.2纳米SnO2 .................................. 6

1.2.1纳米SnO2 ............................. 6

1.2.2锑掺杂纳米SnO2 ....................... 6

1.2.3锑掺杂纳米SnO2的电性能 ............... 7

1.2.4锑掺杂纳米SnO2的制备方法 ............. 8

1.3纳米粉体的表征手段 ....................... 12

1.3.1透射电子显微分析 .................... 12

1.3.2能量弥散X射线谱 .................... 12

薄膜电阻和厚膜电阻阻值范围

薄膜电阻和厚膜电阻是电子元件中常见的两种电阻器类型，它们的阻值范围可以根据不同的制造工艺和材料有所不同。

首先，我们来看薄膜电阻。薄膜电阻的阻值范围通常较广，一般可以从几欧姆到几兆欧姆不等。具体的阻值范围取决于薄膜电阻的尺寸、材料以及制造工艺。一般来说，薄膜电阻的阻值较为稳定，温度系数较低，因此在精密电路中得到广泛应用。

接下来是厚膜电阻。厚膜电阻的阻值范围也比较广泛，一般可以从几欧姆到几兆欧姆不等。与薄膜电阻相比，厚膜电阻的制造工艺相对简单，成本较低，但是其温度系数一般较高，阻值的稳定性也稍逊色于薄膜电阻。

需要注意的是，不同厂家生产的薄膜电阻和厚膜电阻的阻值范围可能会有所不同，因此在选择电阻器时，需要根据具体的电路设计要求和性能指标来进行选择。

总的来说，薄膜电阻和厚膜电阻的阻值范围都比较广泛，可以满足不同电路的需求。在实际应用中，需要根据具体的电路设计和性能要求来选择合适的电阻器类型和阻值范围。

纳米锑掺杂二氧化锡(ATO)水凝胶的水热法制备以及ATO导电薄膜的透明和隔热性能

张文豪;李彦良;高彦杰;赵晓伟;王维勋;郭炜;郭建辉;张经纬

【摘要】A wet gel of antimony-doped tin dioxide(ATO)was prepared by

acetate co-precipitation route.The obtained ATO wet gel was adopted as

the precursor to afford an ATO hydrogel via hydrother-mal reaction at a

certain temperature.The effects of the washing degree of the precursor,the

hydrother-mal reaction temperature and pH as well as the calcination

temperature on the electric conductivity of the ATO hydrogel were

investigated.Furthermore, the ATO hydrogel obtained under acidic

condition was made into conductive film, and the transparency and heat-insulating performance of the as-pre-pared ATO conductive film were

investigated.It indicates that the washing degree of the precursor has little

effect on the electric conductivity of the ATO hydrogel,and the electric

SnO_2纳米薄膜的制备及光学性能研究

二氧化锡（SnO2）是一种宽带隙半导体材料［1］，禁带宽度3.6～4.0eV，具有对可见光透光性好、紫

外吸收系数大、电阻率低、化学性能稳定等优点，已

被广泛应用于高频电子器件、太阳能电池及显示器

的电极材料以及气敏传感器［2］等方面。SnO2薄膜对

于玻璃及陶瓷材料的粘附强度可达200㎏/cm2［3］。SnO2薄膜对环境的相对湿度也十分敏感，国内有

研究学者［4］发现，SnO2薄膜从低湿到高湿响应比较

快。多种工艺可以用来制备二氧化锡薄膜，如磁控

溅射、射频溅射、金属有机物热分解法、超声波喷雾

热解法、热蒸发法、激光脉冲沉积、化学气相沉积、溶胶-凝胶法等。其中热蒸发法镀膜具有设备简单、操作容易、成本低廉等优点而成为一种具有重要工

艺价值的制备方法。本研究试图通过对氧化锡薄膜

热蒸发制备工艺的探索为工业应用提供参考。1试验方法

将SnO2粉末放入陶瓷舟中，然后把陶瓷舟置

于陶瓷管中心，在陶瓷管的下气流方向等距（7.5cm）放置Si片，如图1所示，实验结束后取出坩埚，发

现SnO2体积减少不明显，在适当位置的Si片上有

薄膜沉积。

图1Si片放置图SnO2纳米薄膜的制备及光学性能研究

陈玉莲，曾大新

（湖北汽车工业学院材料工程系，湖北十堰442002）

摘要：采用热蒸发法制备氧化锡薄膜，结合相关理论制定了一系列实验。在不同的工艺条件下制备了氧化锡薄膜，研究了温度、基片距离和环境压力对薄膜的影响，并利用X射线衍射仪、拉曼谱仪对薄膜进行了成分及结构测试，用阴极发光方法测定了薄膜的发光性质。关键词：氧化锡；薄膜；热蒸发法；阴极发光中图分类号：TB34文献标志码：A文章编号：1008-5483（2009）04-0056-04

PreparationandOpticalPropertyofNanoTinOxideThinFilms

ChenYulian，ZengDaxin

（Dept.ofMaterialEngineering，HubeiAutomotiveIndustriesInstitute，Shiyan442002，China）

溶胶-凝胶法在玻璃纤维表面制备锑掺杂二氧化锡薄膜的工艺

第３４卷第１１期　２０ｌ３年１１月　纺织学　报　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｔｅｘｔｉｌｅ　Ｒｅｓｅａｒｃｈ　Ｖｏ１．３４．Ｎｏ．１１　ＮＯＶ．，２０１３　

文章编号：０２５３—９７２１（２０１３）１１—００１１—０４　

溶胶一凝胶法在玻璃纤维表面　

制备锑掺杂二氧化锡薄膜的工艺　

李明超　，张　毅　

（１．天津工业大学纺织学部，天津３００３８７；２．天津工业大学先进纺织复合材料教育部重点实验室，天津３００３８７）　

摘要在热处理条件和掺锑的质量比例不同的情况下，对玻璃纤维的表面进行锑掺杂二氧化锡（ＡＴＯ）镀膜处　理，进而测得纤维比电阻值。采用田口实验法对实验数据进行优化分析，并探讨了初始ＳｎＣＩ　浓度、热处理温度、处　理时间、掺杂比例对实验结果的影响程度。使用扫描式电子显微镜（ＳＥＭ）对比观察了玻璃纤维表面结构在处理前　后的差异。实验表明：ＡＴＯ镀膜处理后的玻璃纤维，导电性能明显增强；最优工艺条件是热处理温度４５０℃，掺杂　比例０．９％，热处理时间１．５　ｈ，初始ＳｎＣ１　浓度０．８　ｍｏｌ／Ｌ，且因子影响程度依次递减。　关键词ＡＴＯ薄膜；溶胶一凝胶法；田口实验法；玻璃纤维　中图分类号：ＴＳ　１５１　文献标志码：Ａ　

Ｐｒｏｃｅｓｓ　ｆｏｒ　ｐｒｅｐａｒｉｎｇ　Ｓｂ－ｄｏｐｅｄ　ｔｉｎ　ｄｉｏｘｉｄｅ　ｆｉｌｍ　ｏｎ　ｓｕｒｆａｃｅ　ｏｆ　ｇｌａｓｓ　

ｆｉｂｅｒ　ｂｙ　ｓｏｌ－ｇｅｌ　ｍｅｔｈｏｄ　

ＬＩ　Ｍｉｎｇｃｈａｏ　一，ＺＨＡＮＧ　Ｙｉ　，　（１．Ｔｅｘｔｉｌｅ　Ｄｅｖ￣ｉｏｎ，Ｔｉａｎｊｉｎ　Ｐｏｌｙｔｅｃｈｎｉｃ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｔｉａｎｊｉｎ　３００３８７，Ｃｈｉｎａ；　２　Ｋｅｙ　Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ　ｏｆＡｄｖａｎｃｅｄ　Ｔｅｘｔｉｌｅ　Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ（Ｔｉａｎｊｉｎ　Ｐｏｌｙｔｅｃｈｎｉｃ　Ｕｎｉｖｅ￣ｉｔｙ），Ｍｉｎ￣ｔｒｙ　ｏｆＥｄｕｃａｔｉｏｎ，Ｔｉａｎｊｉｎ　３００３８７，Ｃｈｉｎａ）　

RYG1、2型金属氧化膜电阻器

山东航天正和电子有限公司 RYG1、RYG2型金属氧化膜电阻器产品说明：本产品使用温度范围宽，具有抗潮湿、抗氧化、过负荷能力强、长期工作稳定和阻燃性等特点，适合各种有高温、过负荷和阻燃要求的电路使用。执行标准：国家标准（总规范）： GB/T5729-2003 《电子设备用固定电阻器第一部分总规范》电子行业标准（详细规范）： SJ/T 10618-1995《RYG1型金属氧化膜电阻器》 SJ/T 10619-1995《RYG2型金属氧化膜电阻器》外形图注：引线直径d的公差为±0.05mm 技术特性（主要参数及外形尺寸）尺寸单位：毫米规格型号 70℃额定功耗(W) max.（参考）阻值范围（Ω）允许偏差（±%） d 温度系数 (×10-6/℃) 元件极限电压(V) L D （mm） RYG1 0.5 10 4.0 1-75k 2,5 0.6（或0.8） ±250 250 1 13 4.5 1-100k 0.8 350 2 16 6.5 1-120k 350 3 24.9 9.5 1-150k 500 RYG2 0.5 7.0 2.7 1-22k 0.6 ±350 250 1 10 4.0 1-68k 0.8 350 2 13 4.5 1-68k 350 3 16 6.5 1-100k 350 5 24.9 9.5 1-100k 500 山东航天正和电子有限公司额定功耗与环境温度的关系

基于溶胶凝胶法ITO薄膜材料的制备与表征

第２６卷第３期　２０１０年５月　齐齐哈尔大学学报　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｑｉｑｉｈａｒ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ　Ｖ０１．２６．Ｎｏ．３　Ｍａｙ，２０１　０　

基于溶胶凝胶法ＩＴＯ薄膜材料的制备与表征　

宣鑫科，陶佰睿，张健’　

（华东师范大学信息学院，上海２０００６２）　

摘要：基于溶胶凝胶法制备了掺铟二氧化锡（ＩＴＯ）薄膜，探讨聚乙二醇（ＰＥＧ）、退火温度、退火过程氧气浓度　等因素对ＩＴＯ薄膜性能的影响。实验结果表明：在相同实验条件下，添加ＰＥＧ能够降低ＩＴＯ薄膜表面粗糙度，退　

火温度会改变ＩＴＯ薄膜的结晶度，提高含锡量和氧浓度会增加ＩＴＯ薄膜的电阻率。本研究为ＩＴＯ埋栅结构气敏传　感器制备提供了实验基础。　

关键词：溶胶凝胶，二氧化锡薄膜，聚乙二醇，氧浓度，薄膜电阻率　

中图分类号：ＴＱＩ５０．１　文献标识码：Ａ　文章编号：１００７—９８４Ｘ（２０１　ｏ１０３—００４５—０３　

ＩＴＯ（铟锡金属氧化物）薄膜是目前应用最广泛的一种透明和导电半导体金属氧化物。其中，源于ＩＴＯ　

吸附气体后会导致自身电阻率发生较大变化，使得它在气敏传感器方面的应用越来越受到人们重视。虽然　溅射法、蒸发法、有机材料制备等方法都可以完成ＩＴＯ薄膜的制备，但其所需要设备昂贵、工艺复杂、成　

本较高。本文采用ｓｏｌ—ｇｅｌ（溶胶凝胶）法制备ＩＴＯ薄　”，具有工艺简单和成本低等优点。制备过程中，　通过在材料中添加ＰＥＧ（聚乙二醇，分子量４００）和对锡含量、氧气浓度、退火温度的控制　等工艺过程来　

调控ＩＴＯ薄膜的形貌和电阻率等属性，以期为单埋栅ＩＴＯ气体传感器的制备准备实验基础。　

１实验　

１．１材料制备　首先，称量３　ｇ无水ＩｎＣ１，和２２．６１　ｍｌ乙酰丙酮在室温下超声混合，然后升温至６０％并磁力搅拌至ＩｎＣｈ　

全部溶解；其次，量取Ｏ．１６　ｍｌ　ＳｎＣ１　和２．２６　ｍｌ无水乙醇并在室温下超声溶解；第三，将预制的溶胶凝胶分　

成Ａ—Ｄ四组，其中Ｂ—Ｄ三组样品中分别添加１．０４　ｇ　ＰＥＧ并搅拌均匀，以期改善薄膜的表面属性；最后，　通过ＳｎＣｌ。和无水乙醇混合溶液的添加来调控样品中的含锡量，在室温下混合并磁力搅拌１　ｈ后在自然条件　

ITO

1 透明导电氧化物ITO薄膜的制备研究

摘要：以掺二氧化锡的氧化铟为靶材，采用射频磁控溅射在玻璃衬底制备了ITO薄膜。分别用紫外-可见光-红外分光光度计，X射线衍射仪，扫描电子显微镜和四试探针测试仪对所制备的ITO薄膜的透过率、晶体结构、表面形貌和电阻率（方块电阻）进行了表征分析；利用霍尔测试仪对ITO的电学特性进行表征分析。研究了不同溅射气压、不同溅射功率和不同衬底温度对薄膜质量的影响。分析结果表明在溅射气压为0.3pa在溅射功率为80W和衬底温度为300℃时所制备的薄膜的透过率最高电阻率最低，薄膜的质量最好。

关键词：ITO薄膜；磁控溅射法；透过率；电导率。

0引言

ITO薄膜是一种高度简并的n型掺杂半导体，ITO薄膜材料具有载流子浓度高、电子迁移率高和禁带宽度比较宽的优点，而且ITO薄膜材料在可见光范围内透过率高、电阻率低、附着性良好、硬度及化学稳定性质等优点，使其同时具有好的导电性和高的透光率[1,2]，由于这些优越的性能，现在ITO薄膜材料被广泛运用于太阳能电池中做窗口电极层，并取得了高的效率。近年来特别随着平板显示器的开发和实用化进展，ITO 膜也广泛用于平板显示装置，因此对ITO膜的研制具有广泛的市场前景。从应用角度出发，通常要求ITO薄膜的成份是In2O3和SnO2，薄膜中铟锡低价化合物愈少愈好[3,5]。制备ITO薄膜的方法有很多中，主要有磁控溅射[6]、脉冲激光沉积[7]、超声雾化热分解方法[8]和溶胶-凝胶法[9]。其中磁控溅射制备薄膜因可以准确地控制工艺参数使得成膜速率可以很高、也可在大面积衬底上均匀成膜且重复性好，可获得光电性能优异的 ITO薄膜等优点[10]。本文采用射频磁控溅射方法制备ITO薄膜，并重点研究了不同溅射气压（0.3pa、0.5pa、0.8pa、1.5pa、2pa)、不同溅射功率（40W、60W、80W、100W）不同衬底温度（100℃ 200℃ 300℃)对薄膜光电性能的影响，并对ITO薄膜的光电性能进行表征分析。由于ITO薄膜的生长受到多种因素的影响，因此在制备ITO薄膜试验中，应该要严格的控制溅射功率、溅射气压、磁控溅射衬底温度等。要想提高薄膜太阳能电池的效率，窗口层的质量起着至关重要的作用，因此在本课题中通过实验综合各个因素的考虑要得出一个制备高透光性、高导电性、高结晶性质量好的ITO薄膜。