集成电路布图设计电子申请快速入门手册
集成电路布图设计电子申请快速入
门手册
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依次录入上述基本信息后，点击"保存",将自动跳转到申
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2.在打开的申请文件上传页面中
a)选择上传的文件类型，上传文件，点击"确认"按钮。
b)点击已经上传的"图样"，可以在保密页挑选列表中，
通过"设置为保密页"按钮设置为保密页。
c)文件上传完毕后,点击"提交",采集数据将在线提交至
专利局集成电路审查系统进行审查。
注:图样、图样的目录为首次申请必须提交的申请文件。
中间文件提交
登录系统后，点击"其它文件提交"，点击"普通中间文件
"打开中间文件上传页面。
a）选择"表格下载"，将需提交的中间文件表格下载到本
地电脑。
b)填写中间文件表格,并制作成符合规定的电子图形文
档。（制作方法参见《图形文档的制作》）
b)输入案件申请号; 选择上传的文件类型，上传文件点
击"确认"按钮。
c)文件上传完毕后,点击"提交",中间文件将在线提交至
专利局集成电路审查系统进行审查。
著录项目变更请求
1.登录系统后，点击"著录项目变更请求"打开著录项目
变更请求页面。
通过申请号、布图设计名称,查询可进行著录项目变更的
案件信息.
2.选中相关案件,点击"著录项目变更",进入著录项目变
更操作页面.
a)可对基本信息进行"修改"操作。
b)可对申请人、联系人、代理机构进行"新增、删除、修
改"操作。
c)可对变更后内容进行"取消"操作.
d)上传著变证明文件. (无证明文件也可直接点击"提交
")
e)点击"提交",填写的著录项目变更信息将在线提交至
专利局集成电路审查系统进行审查.
注: 此处的"提交"按钮,是将所有著变的信息提交审查系
统,并不是单独指提交上传的"著变证明文件"。
通知书接收
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a)列出当前用户所申请案件的所有未处理通知书。
b)提供通知书下载功能
待提交案件
登录系统后，所有保存过但尚未"提交"的新申请将展现
在"待提交案件"案件页面。
a)查看未提交的新申请案件。
b)点击"修改",对新申请数据进行修改操作。（具体功能
详情同新申请采集）
c)点击"提交",新申请数据将在线提交至专利局集成电路
审查系统进行审。
案件查询
1.登录系统后，点击"案件查询"，打开案件查询页面。
a)通过相关条件，查询已提交的集成电路布图设计。
b)单个案件详情查看。
2. 选中记录，单击"查看"，进入单个案件详情页面。
a)著录项目信息查看。
b)著录项目变更信息查看。
c)通知书信息查看。
d)文件信息查看。
e)缴费信息查看。
f)期限信息查看
g)审查历史信息查看
h)公开公告信息查看
i)原纸件文件信息
j
)原纸件著变信息
集成电路版图设计基础第二章：基本IC单元版图设计
电流 10 1 2 3 4 5 80 6 7 8
school of phye
basics of ic layout design
3
基本IC单元版图设计 – 电阻
方块/薄层电阻： - 设计/工艺/规则手册： 薄层电阻（率）ρ - 对于薄层电阻，同一种材料层，不同制造商的数值会有所不同，其中 一个可能的原因是厚度的不同。 - 用“四探针测试”法探测每方欧姆数值（R=V/I）。 - ic中典型的电阻值： poly栅： 2~3欧姆/方 metal层： 20~100m欧姆/方 diffusion： 2~200欧姆/方 - 工艺中的任何材料都可以做电阻。 常用的材料有poly和diffusion。 常用电阻器阻值范围： 10~50 欧姆 100~2k 欧姆 2k~100k 欧姆 - 电阻值计算公式： R = （L/W）* ρ
3
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高阻值电阻的狗骨结构
方块数=5+2个拐角=6方
school of phye basics of ic layout design 13
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基本IC单元版图设计 – 电阻
设计的重要依据: 电流密度 - 对于选择电阻的宽度，电流密度是重要的。 如果需要通过电阻大量的电流，你会使用一个大的、粗的线。 - 电流密度是材料中能够可靠流过的电流量。 工艺手册中有关于某些特定材料电流密度的介绍，工艺中任何能够被 用于传导电流的材料都有一个对应的电流密度，制造商的这些数据是 根据薄层厚度来确定的。 典型的电流密度大约是“每微米宽度0.5mA”。和宽度有关是因为设计 得越宽，能够通过的电流越多。 - 有时，在工艺手册中会告知“熔断电流”大小，就是在一定的时间内 毁 坏电阻所需的电流大小。 Imax = D * W Imax：最大允许可靠流过的电流mA D： 材料的电流密度 mA/um W： 材料的宽度 um
集成电路设计与制造技术作业指导书
集成电路设计与制造技术作业指导书第1章集成电路设计基础 (3)1.1 集成电路概述 (3)1.1.1 集成电路的定义与分类 (3)1.1.2 集成电路的发展历程 (3)1.2 集成电路设计流程 (4)1.2.1 设计需求分析 (4)1.2.2 设计方案制定 (4)1.2.3 电路设计与仿真 (4)1.2.4 布局与布线 (4)1.2.5 版图绘制与验证 (4)1.2.6 生产与测试 (4)1.3 设计规范与工艺限制 (4)1.3.1 设计规范 (4)1.3.2 工艺限制 (4)第2章基本晶体管与MOSFET理论 (5)2.1 双极型晶体管 (5)2.1.1 结构与工作原理 (5)2.1.2 基本特性 (5)2.1.3 基本应用 (5)2.2 MOSFET晶体管 (5)2.2.1 结构与工作原理 (5)2.2.2 基本特性 (5)2.2.3 基本应用 (5)2.3 晶体管的小信号模型 (5)2.3.1 BJT小信号模型 (6)2.3.2 MOSFET小信号模型 (6)2.3.3 小信号模型的应用 (6)第3章数字集成电路设计 (6)3.1 逻辑门设计 (6)3.1.1 基本逻辑门 (6)3.1.2 复合逻辑门 (6)3.1.3 传输门 (6)3.2 组合逻辑电路设计 (6)3.2.1 组合逻辑电路概述 (6)3.2.2 编码器与译码器 (6)3.2.3 多路选择器与多路分配器 (6)3.2.4 算术逻辑单元（ALU） (7)3.3 时序逻辑电路设计 (7)3.3.1 时序逻辑电路概述 (7)3.3.2 触发器 (7)3.3.3 计数器 (7)3.3.5 数字时钟管理电路 (7)第4章集成电路模拟设计 (7)4.1 放大器设计 (7)4.1.1 放大器原理 (7)4.1.2 放大器电路拓扑 (7)4.1.3 放大器设计方法 (8)4.1.4 放大器设计实例 (8)4.2 滤波器设计 (8)4.2.1 滤波器原理 (8)4.2.2 滤波器电路拓扑 (8)4.2.3 滤波器设计方法 (8)4.2.4 滤波器设计实例 (8)4.3 模拟集成电路设计实例 (8)4.3.1 集成运算放大器设计 (8)4.3.2 集成电压比较器设计 (8)4.3.3 集成模拟开关设计 (8)4.3.4 集成模拟信号处理电路设计 (8)第5章集成电路制造工艺 (9)5.1 制造工艺概述 (9)5.2 光刻工艺 (9)5.3 蚀刻工艺与清洗技术 (9)第6章硅衬底制备技术 (10)6.1 硅材料的制备 (10)6.1.1 硅的提取与净化 (10)6.1.2 高纯硅的制备 (10)6.2 外延生长技术 (10)6.2.1 外延生长原理 (10)6.2.2 外延生长设备与工艺 (10)6.2.3 外延生长硅衬底的应用 (10)6.3 硅片加工技术 (10)6.3.1 硅片切割技术 (10)6.3.2 硅片研磨与抛光技术 (10)6.3.3 硅片清洗与检验 (10)6.3.4 硅片加工技术的发展趋势 (11)第7章集成电路中的互连技术 (11)7.1 金属互连 (11)7.1.1 金属互连的基本原理 (11)7.1.2 金属互连的制备工艺 (11)7.1.3 金属互连的功能评价 (11)7.2 多层互连技术 (11)7.2.1 多层互连的原理与结构 (11)7.2.2 多层互连的制备工艺 (11)7.2.3 多层互连技术的挑战与发展 (11)7.3.1 铜互连技术 (12)7.3.2 低电阻率金属互连技术 (12)7.3.3 低电阻互连技术的发展趋势 (12)第8章集成电路封装与测试 (12)8.1 封装技术概述 (12)8.1.1 封装技术发展 (12)8.1.2 封装技术分类 (12)8.2 常见封装类型 (12)8.2.1 DIP封装 (12)8.2.2 QFP封装 (13)8.2.3 BGA封装 (13)8.3 集成电路测试方法 (13)8.3.1 功能测试 (13)8.3.2 参数测试 (13)8.3.3 可靠性测试 (13)8.3.4 系统级测试 (13)第9章集成电路可靠性分析 (13)9.1 失效机制 (13)9.2 热可靠性分析 (14)9.3 电可靠性分析 (14)第10章集成电路发展趋势与展望 (14)10.1 先进工艺技术 (14)10.2 封装技术的创新与发展 (14)10.3 集成电路设计方法学的进展 (15)10.4 未来集成电路的发展趋势与挑战 (15)第1章集成电路设计基础1.1 集成电路概述1.1.1 集成电路的定义与分类集成电路（Integrated Circuit，IC）是指在一个半导体衬底上，采用一定的工艺技术，将一个或多个电子电路的组成部分集成在一起，以实现电子器件和电路的功能。
集成电路布图设计权
,a click to unlimited possibilities
汇报人：
目录
集成电路布图设计 权的定义
集成电路布图设计 权的应用和发展
集成电路布图设计 权的申请和审批
集成电路布图设计 权的案例分析
集成电路布图设计 权的保护措施
集成电路布图设计 权的法律风险和防 范措施
集成电路布图设计权 的定义
行政责任：罚款、 没收等
维权途径和措施
行政保护：向国家 知识产权局申请集 成电路布图设计登 记
司法保护：通过民 事诉讼等方式维护 权益
自主保护：加强知 识产权管理，建立 专利预警机制
国际保护：加强国 际合作，共同打击 侵权行为
集成电路布图设计权 的应用和发展
在微电子领域的应用
集成电路布图设计权的应用 范围
审核流程：包括 初审、复审、终 审等环节，确保 申请材料的质量 和审批的公正性。
集成电路布图设计权 的保护措施
保护范围和期限
保护范围：集 成电路布图设
计专有权
保护期限：自 布图设计创作 完成起20年
侵权行为和责任
未经许可制造、 复制、发行或反 向工程
侵犯商业秘密
侵权责任：停止 侵权、赔偿损失 等
THANK YOU
汇报人：
案例地点：中国某地法院
案例处理过Leabharlann 和结果案例背景介绍案例结果分析
添加标题
添加标题
案例处理过程
添加标题
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案例总结与启示
案例启示和意义
保护创新：集成电路布图设计权保护了技术创新和研发成果，鼓励了企业投入研发和创新。
法律维权：集成电路布图设计权的案例展示了法律在保护知识产权方面的重要作用，为权利人 维护自身权益提供了法律支持。
集成电路设计说明书
图书基本信息书名：<<集成电路设计>>13位ISBN编号：978712108805610位ISBN编号：7121088053出版时间：2009-6出版时间：电子工业作者：王志功//陈莹梅页数：292版权说明：本站所提供下载的PDF图书仅提供预览和简介，请支持正版图书。
更多资源请访问：内容概要 《集成电路设计（第2版）》是普通高等教育“十一五”国家级规划教材，全书遵循集成电路设计的流程，介绍集成电路设计的一系列基础知识。
主要内容包括集成电路的材料、制造工艺和器件模型、集成电路模拟软件SPICE的基本用法、集成电路版图设计、模拟集成电路基本单元、数字集成电路基本单元、集成电路数字系统设计和集成电路的测试与封装等。
本书提供配套电子课件。
本书可作为高等学校电子信息、微电子等专业高年级本科生和硕士生的教材，也可供集成电路设计工程师学习参考。
作者简介 王志功：东南大学无线电系教授，博士生导师，电路与系统学科带头人，东南大学射频与光电集成电路研究所所长。
1998年获得“国家杰出青年科学基金”。
1998-2003年担任两届国家。
“863”计划光电子主题专家组专家，2000年获教育部长江学者特聘教授。
2001年以来担任教育部高等学校电子电气基础课程教学指导分委员会主任委员。
2003年荣获“留学回国人员成就奖”。
2004年荣获“全国侨界十杰”称号。
2006年5月荣获“全国五一劳动奖章”。
获得1项中国发明专利。
7项德国发明专利和3项国际发明专利。
出版专著1部、译著4部．教材4部。
在国际和国家级重要学术会议和期刊上发表论文260余篇。
书籍目录第1章 集成电路设计概述 1.1 集成电路的发展 1.2 集成电路设计流程及设计环境 1.3 集成电路制造途径 1.4 集成电路设计的知识范围 思考题第2章 集成电路材料、结构与理论 2.1 集成电路材料 2.1.1 硅 2.1.2 砷化镓 2.1.3 磷化铟 2.1.4 绝缘材料 2.1.5 金属材料 2.1.6 多晶硅 2.1.7 材料系统 2.2 半导体基础知识 2.2.1 半导体的晶体结构 2.2.2 本征半导体与杂质半导体 2.3 PN结与结型二极管 2.3.1 PN结的扩散与漂移 2.3.2 PN结型二极管 2.3.3 肖特基结二极管 2.3.4 欧姆型接触 2.4 双极型晶体管 2.4.1 双极型晶体管的基本结构 2.4.2 双极型晶体管的工作原理 2.5 MOS晶体管 2.5.1 MOS晶体管的基本结构 2.5.2 MOS晶体管的工作原理 2.5.3 MOS晶体管的伏安特性 思考题 本章参考文献第3章 集成电路基本工艺 3.1 外延生长 3.2 掩模版的制造 3.3 光刻原理与流程 3.3.1 光刻步骤 3.3.2 曝光方式 3.4 氧化 3.5 淀积与刻蚀 3.6 掺杂原理与工艺 思考题 本章参考文献第4章 集成电路器件工艺 4.1 双极型集成电路的基本制造工艺 4.1.1 双极型硅工艺 4.1.2 HBT工艺 4.2 MESFET和HEMT工艺 4.2.1 MESFET工艺 4.2.2 HEMT工艺 4.3 MOS和相关的VLSI工艺 4.3.1 PMOS工艺 4.3.2 NMOS工艺 4.3.3 CMOS工艺 4.4 BiCMOS工艺 思考题 本章参考文献第5章 MOS场效应管的特性 5.1 MOS场效应管 5.1.1 MOS管伏安特性的推导 5.1.2 MOS电容的组成 5.1.3 MOS电容的计算 5.2 MOS FET的阈值电压VT 5.3 体效应 5.4 MOSFET的温度特性 5.5 MOSFET的噪声 5.6 MOSFET尺寸按比例缩小 5.7 MOS器件的二阶效应 5.7.1 L和W的变化 5.7.2 迁移率的退化 5.7.3 沟道长度的调制 5.7.4 短沟道效应引起的阈值电压的变化 5.7.5 狭沟道效应引起的阈值电压的变化 思考题 本章参考文献第6章 集成电路器件及SPICE模型 6.1 无源器件结构及模型 6.1.1 互连线 6.1.2 电阻 6.1.3 电容 6.1.4 电感 6.1.5 分布参数元件 6.2 二极管电流方程及SPICE 模型 6.2.1 二极管的电路模型 6.2.2 二极管的噪声模型 6.3 双极型晶体管电流方程及SPICE模型 6.3.1 双极型晶体管的EM模型 6.3.2 双极型晶体管的GP模型 6.4 结型场效应JFET(NJFPJF)模型 6.5 MESFET(NMFPMF)模型(SPICE3.x) 6.6 MOS管电流方程及SPICE模型 思考题 本章参考文献第7章 SPICE数模混合仿真程序的设计流程及方法 7.1 采用SPICE的电路设计流程 7.2 电路元件的SPICE输入语句格式 7.3 电路特性分析语句 7.4 电路特性控制语句 7.5 缓冲驱动器设计实例 7.6 跨导放大器设计实例 思考题 本章参考文献第8章 集成电路版图设计与工具 8.1 工艺流程的定义 8.2 版图几何设计规则 8.3 图元 8.3.1 MOS晶体管 8.3.2 集成电阻 8.3.3 集成电容 8.3.4 寄生二极管与三极管 8.4 版图设计准则 8.4.1 匹配设计 8.4.2 抗干扰设计 8.4.3 寄生优化设计 8.4.4 可靠性设计 8.5 电学设计规则与布线 8.6 基于Cadence平台的全定制IC设计 8.6.1 版图设计的环境 8.6.2 原理图编辑与仿真 8.6.3 版图编辑与验证 8.6.4 CMOS差动放大器版图设计实例 8.7 芯片的版图布局 8.8 版图设计的注意事项 思考题 本章参考文献第9章 模拟集成电路基本单元 9.1 电流源电路 9.1.1 双极型镜像电流源 9.1.2 MOS电流镜 9.2 基准电压源设计 9.2.1 双极型三管能隙基准源 9.2.2 MOS基准电压源 9.3 单端反相放大器 9.3.1 基本放大电路 9.3.2 改进的CMOS推挽放大器 9.4 差分放大器 9.4.1 BJT差分放大器 9.4.2 MOS差分放大器 9.4.3 CMOS差分放大器设计实例 9.5 运算放大器 9.5.1 性能参数 9.5.2 套筒式共源共栅运放 9.5.3 折叠式共源共栅运放 9.5.4 两级运放 9.5.5 CMOS运算放大器设计实例 9.6 振荡器 9.6.1 环形振荡器 9.6.2 LC振荡器 思考题 本章参考文献第10章 数字集成电路基本单元与版图 10.1 TTL基本电路 10.1.1 TTL反相器 10.1.2 TTL与非门 10.1.3 TTL或非门 10.2 CMOS基本门电路及版图实现 10.2.1 CMOS反相器 10.2.2 CMOS与非门和或非门 10.2.3 CMOS传输门和开关逻辑 10.2.4 三态门 10.2.5 驱动电路 10.3 数字电路标准单元库设计 10.3.1 基本原理 10.3.2 库单元设计 10.4 焊盘输入输出单元 10.4.1 输入单元 10.4.2 输出单元 10.4.3 输入输出双向三态单元(IO PAD) 10.5 了解CMOS存储器 10.5.1 动态随机存储器(DRAM) 10.5.2 静态随机存储器(SRAM) 10.5.3 闪存 思考题 本章参考文献第11章 集成电路数字系统设计基础 11.1 数字系统硬件描述语言 11.1.1 基于HDL语言的设计流程 11.1.2 Verilog HDL语言介绍 11.1.3 硬件描述语言VHDL 11.2 数字系统逻辑综合与物理实现 11.2.1 逻辑综合的流程 11.2.2 Verilog HDL与逻辑综合 11.2.3 自动布局布线 11.3 数字系统的FPGACPLD硬件验证 11.3.1 PLD概述 11.3.2 现场可编程门阵列(FPGA) 11.3.3 基于FPGA的数字系统硬件验证 思考题 本章参考文献第12章 集成电路的测试和封装 12.1 集成电路在芯片测试技术 12.2 集成电路封装形式与工艺流程 12.3 芯片键合 12.4 高速芯片封装 12.5 混合集成与微组装技术 12.6 数字集成电路测试方法 12.6.1 可测试性的重要性 12.6.2 测试基础 12.6.3 可测试性设计 思考题 本章参考文献版权说明本站所提供下载的PDF图书仅提供预览和简介，请支持正版图书。
第二十五章 集成电路布图设计权
第二十五章集成电路布图设计权第一节集成电路布图设计权概述一、集成电路布图设计1.集成电路是以蚀刻工艺技术将特定模型置于两层以上金属的绝缘物或半导体的涂层之上，并使其发挥电子电路技术功能的电子产品。
包括布图设计和工艺技术。
集成电路属于微电子技术的范畴，是现代电子信息的基础，它具有体积小、速度快、能耗低的特点，被广泛应用于各种电子产品。
2.集成电路布图设计是集成电路中至少有一个是有源元件的两个以上元件和部分或者全部互连线路的三维配置，或者为制造集成电路而准备的上述三维配置。
二、集成电路布图设计权概述（一）保护模式1.集成电路布图设计具有智力资源密集、资金消耗大、复制成本低的特点，依照拍摄电路涂层所得到的照片掩膜即可便捷地完成复制工作，所以有必要立法保护。
2.集成电路布图设计实质上是一种图形设计，但其并不取决于集成电路的外观，而决定于具有电子功能的每一元件的实际位置，故不属于专利法上的工业品外观设计；此外，布图设计技术发展迅速，产品更新很快，而专利审查耗时较长，不宜采用耗费时间较多的专利法保护。
3.集成电路布图设计是一种三维配置形态的图形设计，是一种由电子元件及其连线所组成、执行着某种电子功能的电子产品，不表现任何思想，不以其“艺术性”作为法律保护的条件，这不同于著作权法上的图形作品或造型艺术作品；此外，著作权保护期长，如果将布图设计作为一般作品保护，不利于集成电路产业的发展。
4.由于专利法、著作权法对集成电路布图设计无法给予有效保护，世界各国转而单行立法，确认布图设计的专有权，即给予其他知识产权的保护。
（二）保护条件1.主体资格。
我国《条例》第3条规定，中国自然人、法人或者其他组织创作的布图设计，依照本条例享有布图设计专有权；外国人创作的布图设计首先在中国境内投入商业利用的，依照本条例享有布图设计专有权；外国人创作的布图设计，其创作者所属国同中国签订有关布图设计保护协议或与中国共同参加有关布图设计保护国际条约的，依照本条例享有布图设计专有权。
集成电路设计流程及相关工具使用教程
集成电路设计流程及相关工具使用教程在现代科技发展的浪潮下，集成电路扮演着无可替代的重要角色。
它是电子设备中必不可少的组成部分，也是促进技术进步和创新的关键。
本文将介绍集成电路的设计流程，并介绍一些相关工具的使用教程，以帮助读者更好地理解和使用集成电路设计。
一、集成电路设计流程集成电路设计是一个复杂而系统的过程，包括了从需求分析到电路验证的多个环节。
下面将按照一般的设计流程，逐一介绍。
1. 需求分析需求分析是集成电路设计的第一步，它定义了电路的功能、性能和特性。
在这个阶段，设计工程师需要与客户或用户进行沟通，了解他们的需求和期望。
然后，设计团队会对需求进行综合评估，并确定电路设计的基本参数。
2. 电路设计在电路设计阶段，设计团队将根据需求分析的结果，开始设计电路的架构和电路图。
设计师需要选择合适的器件和元器件，进行电路搭建和模拟仿真。
这个过程中，设计工程师需要有深入的电路知识和丰富的设计经验。
3. 电路验证电路验证是为了确保设计的正确性和可靠性。
设计师会进行电路的功能验证、时序验证和功耗验证等。
同时，他们还需要通过原理图仿真和电路板验证来验证设计的可行性。
4. 电路布局与布线完成电路验证后，设计师需要将电路进行布局和布线。
电路布局是指将电路元件在实际硅片上的物理位置确定下来，而布线则是指将电路元件之间的连线进行布置。
电路布局和布线的优化对电路性能的影响非常大。
5. 物理设计物理设计包括光刻版图设计和物理布局设计。
光刻版图设计是将电路设计信息转化为光刻版图，用于芯片的制造。
物理布局设计是根据光刻版图和设计要求，确定电路元件的具体位置和尺寸。
6. 物理验证在物理验证阶段，设计师会对光刻版图进行物理验证和仿真，以确保物理布局的正确性和可行性。
这个过程中，常用的工具包括DRC（Design Rule Check）和LVS（Layout Versus Schematic）等。
7. 芯片制造最后，设计完成的芯片将被送至芯片制造厂商进行生产。
集成电路设计与验证技术手册
集成电路设计与验证技术手册一、前言集成电路设计与验证技术手册旨在介绍和解析集成电路设计与验证的相关技术和方法。
本手册包含了从集成电路设计到验证的整个流程，涵盖了设计原理、关键技术以及验证方法等内容。
通过阅读本手册，读者将获得深入了解集成电路设计与验证的知识，为其在相关领域的实践提供指导。
二、概述集成电路设计与验证是现代电子信息产业中的关键环节，其重要性不言而喻。
设计阶段包括电路原理设计、布局与布线、逻辑与功能仿真等，验证阶段则包括功能验证、时序验证、电气验证等。
本手册将重点介绍集成电路设计与验证的相关技术和方法，帮助读者系统地掌握整个流程。
三、集成电路设计技术1. 电路原理设计电路原理设计是集成电路设计的第一步，它涉及到电路拓扑结构的选择、元器件的选型以及模拟与数字电路的选择等。
在本节中，将详细介绍电路原理设计的基本原理和常用技术。
2. 布局与布线布局与布线是集成电路设计中的关键环节，它涉及到电路的物理布局、线路的走线规划以及电路布线的优化等。
在本节中，将介绍布局与布线的基本概念和一些常用的布局与布线规则。
3. 逻辑与功能仿真逻辑与功能仿真是集成电路设计中的重要环节，它涉及到电路功能的验证、逻辑电路的优化以及功能仿真的方法等。
在本节中，将介绍逻辑与功能仿真的基本原理和常用方法。
四、集成电路验证技术1. 功能验证功能验证是集成电路验证的核心内容，它涉及到电路功能的正确性验证、错误的排除以及对功能性问题的修复等。
在本节中，将详细介绍功能验证的主要流程和常见方法。
2. 时序验证时序验证是集成电路验证的重要环节，它涉及到电路中各个时序要求的验证、时序问题的诊断以及时序约束的优化等。
在本节中，将介绍时序验证的基本原理和常用技术。
3. 电气验证电气验证是集成电路验证的关键环节，它涉及到电路的电气特性验证、信号完整性分析以及电路功耗的测量等。
在本节中，将详细介绍电气验证的主要内容和常见方法。
五、总结本手册通过对集成电路设计与验证技术的介绍和综述，旨在帮助读者全面了解和掌握相关知识和方法。
现代集成电路实用手册
现代集成电路实用手册
《现代集成电路实用手册》是一本针对现代集成电路设计和应用的实用指南。
该手册涵盖了广泛的主题，包括集成电路设计基础知识、电路仿真和验证技术、封装与布线技术、功耗优化技术、时钟和时序设计、故障诊断与测试技术等。
该手册不仅提供了详细的理论知识，还包含了大量的实际案例和工程实施经验。
读者可以通过实际操作和实例分析，了解如何设计、调试和验证集成电路，以及如何优化电路性能和功耗。
此外，该手册也介绍了现代集成电路领域的最新技术和发展趋势，如深亚微米工艺、片上系统设计、三维集成电路等。
读者可以通过阅读该手册，了解集成电路行业的最新发展，并将其应用到自己的设计和应用中。
总体而言，《现代集成电路实用手册》是一本全面而实用的
资料，适用于集成电路设计师、工程师和研究人员使用。
无论是初学者还是有一定经验的人士，都可以从中获得实际应用的指导和技术支持。
第28章 集成电路布图设计权 《知识产权法》PPT课件
28.2.3集成电路布图设计权的期限和撤销
• 集成电路布图设计权的期限 • 集成电路布图设计权的撤销 • 布图设计获准登记后，国务院知识产权行政部门
发现该登记不符合规定的，由专利复审委员会予 以撤销，通知布图设计权利人，并予以公告。这 些情形主要包括
– 不属于集成电路或者集成电路布图设计 – 不具备权利主体资格 – 不具有独创性 – 该布图设计自创作完成之日起已满15年 – 该布图设计自其在世界任何地方首次商业利用之日起2
28.3.2集成电路布图设计权的保护
• 国际保护 • 我国集成电路布图设计保护概况 • 侵权行为及救济措施
• 集成电路（Integrated Circuits）英文简称IC ，也有人习 惯将之称为芯片。它是以半导体材料为基片，将至少有一 个是有源元件的两个以上元件和部分或者全部互连线路集 成在基片之中或者基片之上，以执行某种电子功能的中间 产品或者最终产品
• 集成电路作为一种综合性技术成果，它包括布图设计和工 艺技术
• 集成电路布图设计产品，指的是集成电路生产过程中的布 图设计这一中间产品
• 现在的集成电路产品，由于工艺水平的提高，集成度越来 越高，其体积和外形越来越小，基本表现在不断地提高集 成度、节约材料、降低能耗上
28.1.2集成电路布图设计权的概念和特征
• 在知识产权领域，集成电路布图设计权是一种新 类型权利
第28章 集成电路布图设计权
• 28.1集成电路布图设计权概述 • 28.2集成电路布图设计权的取得和撤销 • 28.3集成电路布图设计权的限制和保护
28.1集成电路布图设计权概述
• 28.1.1集成电路布图设计的概念和特征 • 28.1.2集成电路布图设计权的概念和特征
28.1.1集成电路布图设计的概念和特征
第二章 集成电路布图设计
异议和撤销
撤销
布图设计获准登记后，国务院知识产权行政部 门发现该登记不符合本条例规定的，应当予以撤 销，通知布图设计权利人，并予以公告。布图设 计权利人对国务院知识产权行政部门撤销布图设 计登记的决定不服的，可以自收到通知之日起3 个月内向人民法院起诉。
五、集成电路布图设计权的限制
1 合理使用 2 权利穷竭 3 善意侵权 4 强制许可
知识产权法
集成电路布图设计（拓扑图）权
1 概念和特征 2 内容 3 权利的取得、限制和保护期限 4 权利保护
集成电路布图设计（拓扑图）权
集成电路 布图设计
概念
是指集成电路中至少有一个是有源元件的两 个以上元件和部分或者全部互连线路的三维 配置，或者为制造集成电路而准备的上述三 维配置。 《集成电路布图设计保护条例》第2条
七、集成电路布图设计权的保护
民法保护
第30条规定
除本条例另有规定的外，未经布图设计权利 人许可，有下列行为之一的，行为人必须立即停 止侵权行为，并承担赔偿责任： (一)复制受保护的布图设计的全部或者其中任何 具有独创性的部分的； (二)为商业目的进口、销售或者以其他方式提供 受保护的布图设计、含有该布图设计的集成电路 或者含有该集成电路的物品的。
布图设计权利人可以将其专有权转让或者 许可他人使用其布图设计。
《集成电路布图设计保护条例》第7条、第22条规定
四、集成电路布图设计权的取得 （登记取得制）
提交相关文件
1
审查（初步审查）
2
异议
3
撤销或授予
4
提交相关文件包括： (一)布图设计登记申请表； (二)布图设计的复制件或者图样； (三)布图设计已投入商业利用的，提交含有该布图设 他材料。