材料微观结构晶体中的位错与层错
3. 密排六方晶体中的层错与扩展位错
HCP晶体中密排面是(0001)， 整个晶体以它为基面一层一 层按ABABAB…顺序堆垛，如 果出现ABABABCABAB…，如 图4-15，那么其中的ABC， CAB，ABCAB都是错排，即 层错，它们其实相当于FCC的 堆垛方式。
正顺序：ABC，BCA，CAB 逆顺序：CBA，BAC，ACB
ABABCBABAB
另一种情况是从正常的HCP排列顺序中加入两个 FCC排列，如ABCBA，就形成了中间的五层孪晶。
在WC硬质合金研究工作中，在粘结相Co中曾经观 察到HCP的βCo中，出现了ABC排列的FCC胚胎， 最终形成FCC的αCo，即发生了βCo→αCo的相变。
在电镜观察HCP时，若要知道引起层错衬度的 (0001)层数的多少，可以用出现的ABC(含逆顺序) 的层数减2得到，上面两种情况下应该是5-2=3层， 这在计算层错衬度和计算由于层错引起的系统能 量升高有用。
第二种情况
参看图4-14(b)，若正常排列中某C1的原子层作a/3[11-1]或 a/6[-1-11]滑移，此时C1层变成了A1层，以后各层顺序位错 a/3[11-1]或a/6[-1-11]，就得到图4-14(b)的新排列： C1C2A1A2B1B2A1A2B1B2C1C2…，这相当于正常顺序中抽出了 C1C2，其结果是形成了四层层错A1A2B1B2，这和FCC的抽出型 层错相当。
a [111] a [111] a [111] a [111]
2
6
6
6
三个a/6[111]位错分别扩展到三个相交的{112}面上，如图 (a)(b)，此时分解后的位错组态极不稳定，以致常转成非对称 分布，如图(c)。
全位错a/2[111]在[110]上运动，可以
通过下述反应完成：
a [111] a [110] a [112] a [110]
2
8
4
8
b b1 b2 b3
BCC中的层错
BCC完整晶体的{112}堆垛顺序为 A1A2B1B2C1C2A1A2…，有时也记作 ABCDEFAB…，当{112}堆垛顺序发 生错排时，便形成层错，分三种情 况：
Байду номын сангаас
第一种情况
参看图4-11(c)，正常排列顺序 中，若C1层上面的晶体相对下 面晶体作a/6[11-1]或a/3[-111]位移，便产生内禀层错， 如图4-14(a),其顺序 是…A1A2B1B2C1C2C1C2A1A2B1B 2C1C2…，这相当于正常顺序中 插进C1C2两层。而C2C1C2正好 是一个三原子层的薄层孪晶。 这相当于FCC中的插入型层错。
BCCa/2<111>全位错的分解
在a/2<111>全位错 的诸多可能分解中， 从能量上考虑应是形 成a/6<111>不全位 错的那些分解。因为 从能量上考虑，这样 的反应是可以自动进 行的。
a [11 1] a [11 1] a [11 1]
2
3
6
3 a2 a2 a2 5 a2 4 3 12 12
层错和四周完整晶体的边界，便是不全位错
BCC中a/2<111>型全位错的分解，主要结论如下：
若a/6<11-1>沿{112}扩 展，将形成如左图所示 的孪晶薄层。这时的领 先位错为a/3[11-1]，此 方向正好是孪生的逆方 向，原子错排严重，层 错能很高，分解将是不 稳定的。
若全位错平行于[111]，则为螺位错，
分解可按下式进行：
2. BCC中的层错与扩展位错
(1) BCC中的孪晶：孪生面是{112}，孪生方向是<111>
将(1-10)面躺平，原子在(1-10)面上的投影如下图所示，“°”和“•”分别代 表上下两层原子。图中由左上指向右下方的实线是(112)面在(1-10)面上的投 影迹线。BCC(112)面各原子层的堆垛顺序是：A1A2B1B2C1C2 A1A2B1B2C1C2…。
a [111] a [1 1 1] a[100]
2
2
a[100] a[010] a[110]
BCC中的全位错存在着分解的可能性
即它的滑移不对称性，晶体单向压缩和同
一晶向拉伸时可观察到不同的滑移面。这 说明在某一滑移面上沿某一方向运动所需 之切应力与在此滑移面上沿相反方向运动 所需之切应力是不同的。由此推测BCC金属 中全位错芯区的原子弛豫状况是不对称的。 这种位错芯区弛豫不对称，说明在一定外 力条件下，全位错仍然可能分解。
第三种情况
参看图4-11(d)，这是BCC层错的特例，也是典型的BCC孪晶排列。 形{B序12成→：12过A…}滑2程A，移1是CAa12含→B/61中[AB1121间…C-11的最C]2或CC终21a的B形/32上B成[11半A下1-2部述1A]1各，顺…层于，顺是这序A就1不→是动C典1，，型中A的2间→BCCBC22以，孪下B晶1各不。层动，
每两个相邻的(112)面的间距为a/6[112]，但彼此相对位移一个矢量，此 矢量在[11-1]和[1-10]方向的分量分别为a/6[11-1]和a/2[1-10]。下图表示的 是以C2表示的(112)为镜面，(1-10)面的原子沿[11-1]方向滑移1/6[11-1]或 沿反方向滑移1/3[-1-11]而形成的。
电镜中会经常看到波纹状的滑移线，这说明层错 能γ很高，扩展位错宽度d很小，一般观察不到。 至今未见这方面的报道。
BCC中还有一种次短全位错a<100>
若按下式分解：
a[100] a [111] a [1 1 1]
2
2
容易计算反应前后的能量分别为a2和3a2/2，能量升高，不可取。
但下述反应可以进行：
孪晶的切变为：
a [11 1]
6 a [112]
1 2
或
a [1 1 1] 3 a [112]
2
6
3
这和莫特1951年在α-Fe中的观察结果一致。
(2) BCC全位错的分解与层错
BCC中全位错的分解
BCC金属的滑移方向是<111>，全位错柏氏矢量 为a/2<111>。
滑移面有三种类型{110}(3个同族面)、{112}(3个) 和{123}(6个)，它们都包含<111>方向。这些面 都 会相交于一个<111>方向，所以BCC会经常出 现交滑移。
晶体缺陷-位错的基本类型与特征
混合位错
总结词
混合位错是一种同时具有刃型和螺旋型 特征的晶体缺陷，其特征是晶体中某处 的原子既发生了平移又发生了螺旋式的 位移。
VS
详细描述
混合位错是刃型位错和螺旋位错的组合体 ，其原子位移同时包含了平移和螺旋式的 位移。混合位错通常出现在晶体的复杂区 域，如晶界、相界等。由于混合位错同时 具有刃型和螺旋型位错的特征，其对晶体 的性能影响也较为复杂，需要进行深入研 究。
滑移与攀移
在切应力作用下，位错能够沿滑移面整列移动，称为滑移； 而垂直于滑移面方向的移动称为攀移。这两种运动方式是 位错在塑性变形中的重要表现。
应变梯度与几何必须位错
当材料的局部区域发生不均匀变形时，会产生应变梯度， 进而促使位错的形成和运动，以协调这种不均匀变形。
位错与材料疲劳断裂
01
疲劳裂纹的萌生与扩展
强化机制
加工硬化
在塑性变形过程中，位错的运动和交 互作用导致材料逐渐变硬，即加工硬 化。这是金属材料常用的强化手段。
通过引入位错，可以增加材料的内应 力，从而提高其屈服强度。这种强化 机制称为位错强化。
位错与材料塑性变形
塑性变形机制
位错在受力时能够运动，从而改变材料的形状。这种运动 机制是金属等材料发生塑性变形的内在原因。
在循环载荷作用下，位错容易在材料的应力集中区域（如晶界、相界或
表面）聚集，形成位错塞积群，进而导致疲劳裂纹的萌生。裂纹的扩展
通常沿特定晶体学平面进行。
02
影响疲劳性能的因素
位错的运动和交互作用对疲劳裂纹的萌生和扩展具有重要影响，进而影
响材料的疲劳性能。例如，材料的抗疲劳性能可以通过引入阻碍位错运
动的合金元素来改善。
晶体缺陷的分类
材料科学基础
空位：如果晶体中，某结点上的原子空缺了，则称为空位刃型位错：晶体中多了一部分半原子面，它终止于晶体中部，好像插入的刀刃，这列原子及周围区域就是刃型位错晶体中的位错，属于线性缺陷，称为刃型位错。
螺型位错：局部滑移是沿着与位错线平行的方向移动一个原子间距，在滑移区与未滑移区的边界上形成位错，原子平面在位错线周围已经扭曲为螺旋面，所以在位错线周围原子呈螺旋状分布，故称为螺型位错。
柏氏矢量：在实际晶体中，作一柏氏回路，在完整晶体中按其相同的路线和步伐作回路，自路线终点向起点的矢量即为柏氏矢量。
位错滑移：在一定的切应力作用下，位错在滑移面上受到垂直于位错线的作用力，当此力足够大，足以克服位错运动时受到的阻力时。
位错便可以沿着滑移面移动，这种沿着滑移面移动的位错运动称为滑移。
位错攀移：刃型位错的半原子面向上或向下的运动。
扭折：在滑移面上的折线。
位错反应：由一根位错分解成两根以上的位错，或由两根以上的位错合并为一根位错，统称为位错反应。
线张力：表示增加一个单位长度位错线所需要的能量，在数值上等于位错应变能——T 位错线增加一个单位长度是，引起的晶体的能量的增加。
全位错（单位位错）：通常把柏氏矢量等于点阵矢量的位错称为全位错或单位位错不全位错：把柏氏矢量小于点阵矢量的位错称为分位错或不全位错晶界：同一种相得晶粒于晶粒的边界称为晶界相界：不同相之间的边界称为相界大，小角度晶界：根据晶界两侧晶粒位向差（Q）角的不同可把晶界分为：小角度晶界（角度小于10°）大角度晶界（角度＞10°）割阶：垂直滑移面得折线攀移时位错线上带有很多台阶，称为割阶派纳力：位错移动受到的阻力，点阵阻力，又叫派纳力层错：在“J”处堆垛顺序发生局部错乱，形成了晶面错排的面缺陷称为堆垛层错位错线：晶界偏聚：成分过冷：由于液体中成分差别和温度梯度所引起的过冷称为成分过冷固溶体：以和静中某一组元作为溶剂，其他组元为溶质, 所形成的与溶剂油相同晶体结构，晶格常数稍有变化的固相，的固溶体、臵换固溶体：是指溶质原子占据溶剂晶格某些结点位臵所形成的固溶体。
第五章 位错和层错的电子衍射衬度分析-大学ppt
纯螺型位错g•be=g•b×u=0，所以 g•b=0就作为位错像衬度消失的判据。
表5-1 弹性各向同性材料中位错消像判据
刃Байду номын сангаас错
g•b=0 g•b×u=0
螺位错 g•b=0
混合位错
g•b=0 g•be=0 g•b×u=0
刃位错的运动
螺位错的运动
混合位错 的运动
各向同性弹性体
物理意义——物体各个方向上的弹性性质完全 相同，即物理性质的完全对称。
5.1.2 b测定的实际操作
前提：
❖ 选择好感兴趣的视场 ❖ 正确选择衍射条件 ❖ 拍摄含有待测位错的显微图像及相应的选区
域衍射谱
1. 位错衬度形成基本过程
在合适的ghkl反射下（g•b≠0），位错芯区附近的(hkl)晶 面较好地满足布拉格条件。明场下，入射电子束大部分 被衍射到物镜光阑以外，所以位错呈现暗色条纹衬度。 附近区域有时因晶体弯曲，在一个带状区内取向均匀渐 变，也会显示类似位错线的暗带，但这是“消光轮廓”， 应当加以区别．办法是微调样品取向，消光轮廓将缓慢 移动，位错线则因g改变，在原处时隐时现，却无明显 移动。明场下位错畸变场以外的完整晶体基体不满足衍 射条件，呈亮的衬度．取g反射成中心暗场像，视场衬 度反转，位错和消光轮廓显示亮衬度，基体呈暗衬度。
对于弹性各向异性材料，表5-1给出的判据，仍然 是近似有效的，特别对下述情况：
➢ 立方结构材料，垂直于弹性对称平面{110}和{100} 的纯刃型和纯螺型位错；
➢ 密排六方结构材料，垂直于或位于弹性对称的基 面的位错．
国内外大部分工作，在测定位错柏氏矢量的时候 仍是以表５－１的判据做为依据进行测量的．
缺陷存在时，缺陷附近晶体柱的畸变
Chapter 3-1 晶体缺陷-点缺陷、位错
杂质（异类）原子
定义： 任何纯金属中都或多或少会存在杂质, 即其它
元素, 这些原子称杂质（异类）原子
热缺陷： 热起伏促使原子脱离点阵位置而形成的点缺陷。 热缺陷的两种基本形式
弗伦克尔缺陷
肖特基缺陷
热缺陷示意图
弗兰克尔缺陷
肖特基缺陷
化合物离子晶体中的两种点缺陷
金属晶体：弗兰克尔缺陷比肖特基缺陷少得多 离子晶体：结构配位数低-弗兰克尔缺陷较常见
ρ理论
=
n理论 NA
V
M
=
4 6.022 1023
26.98
4.049 10-8 3
g
cm 3 = 2. 6997g
cm 3
空位数 cm3
ρ ρ theoretical
observed
NA
M 4.620 10 20 cm 3 Al
例5 MgO晶体的肖特基缺陷生成能为84KJ/mol，计算该晶体 1000K和1500K的缺陷浓度
平移对称性的示意图
平移对称性的破坏
②分类
点缺陷（零维缺陷）--原子尺度的偏离.
按
例：空位、间隙原子、杂质原子等
缺
陷 线缺陷（一维缺陷）--原子行列的偏离.
的
例：位错等
几 何
面缺陷（二维缺陷）--表面、界面处原子排列混乱.
形
例：表面、晶界、堆积层错、镶嵌结构等
态 体缺陷（三维缺陷）--局部的三维空间偏离理想晶体的周期性
CV ,1000
n N
exp( ΔGS RT
)
exp(
84000 8.3145 1000
) 4.096 10-5
CV ,1500
n N
ρ
( 单位晶胞原子数n )( 55.847g / mol ) ( 2.866 108 cm )3 ( 6.02 1023 / mol )
中南大学材料科学基础课后习题答案1位错
一、解释以下基本概念肖脱基空位：晶体中某结点上的原子空缺了，则称为空位。
脱位原子进入其他空位或者迁移至晶界或表面而形成的空位称为肖脱基空位弗兰克耳空位：晶体中的原子挤入结点的空隙形成间隙原子，原来的结点位置空缺产生一个空位，一对点缺陷（空位和间隙原子）称为弗兰克耳（Frenkel ）缺陷。
刃型位错：晶体内有一原子平面中断于晶体内部，这个原子平面中断处的边沿及其周围区域是一个刃型位错。
螺型位错：沿某一晶面切一刀缝，贯穿于晶体右侧至BC 处，在晶体的右侧上部施加一切应力τ，使右端上下两部分晶体相对滑移一个原子间距，BC 线左边晶体未发生滑移，出现已滑移区与未滑移区的边界BC 。
从俯视角度看，在滑移区上下两层原子发生了错动，晶体点阵畸变最严重的区域内的两层原子平面变成螺旋面，畸变区的尺寸与长度相比小得多，在畸变区范围内称为螺型位错混合位错：位错线与滑移矢量两者方向夹角呈任意角度，位错线上任一点的滑移矢量相同。
柏氏矢量：位错是线性的点阵畸变，表征位错线的性质、位错强度、滑移矢量、表示位错区院子的畸变特征，包括畸变位置和畸变程度的矢量就称为柏氏矢量。
位错密度：单位体积内位错线的总长度ρυ=L/υ ；单位面积位错露头数ρs =N/s位错的滑移：切应力作用下，位错线沿着位错线与柏氏矢量确定的唯一平面滑移, 位错线移动至晶体表面时位错消失，形成一个原子间距的滑移台阶，大小相当于一个柏氏矢量的值. 位错的攀移: 刃型位错垂直于滑移面方向的运动, 攀移的本质是刃型位错的半原子面向上或向下运动，于是位错线亦向上或向下运动。
弗兰克—瑞德源：两个结点被钉扎的位错线段在外力的作用下不断弯曲弓出后，互相邻近的位错线抵消后产生新位错，原被钉扎错位线段恢复到原状，不断重复产生新位错的，这个不断产生新位错、被钉扎的位错线即为弗兰克-瑞德位错源。
派—纳力：周期点阵中移动单个位错时，克服位错移动阻力所需的临界切应力单位位错：b 等于单位点阵矢量的称为“单位位错”。
实际晶体和面心立方晶体中的位错
材料科学基础
a. 螺型位错的应力场
一个各向同性材料的空心圆柱体，把圆柱体沿XZ面切开，使两个切开面沿Z方向做
相对位移b，再把两个面胶合起来，形成一个柏氏矢量为b的螺型位错。轴的中心为位 错线，XZ面为其滑移面。 只有一个切应变：z=b/2r,相应的切应力：Z=Z=GZ =Gb/2r 螺型位错所产生的切应力分量只与r有关（成反比），而与θ和z无关。只要r一定， 应力就为常数。 其余应力分量均为零：rr==zz=r=r=rz=zr=0。 螺型位错不引起晶体的膨胀和收缩
的能量，因此可近似地用下式表达： T
k = 0.5—1.0
Gb2
位错的线张力
Gb 2r
假如切应力产生的作用在位错线上的力b作用于不能自由运动的位错上，则位错将向 外弯曲，其曲率半径r与成反比。
7
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材料科学基础
• 作用在单位长度位错线上的力用Fd:
Fd b
材料科学基础
复杂的位错反应可用汤普逊记号表示：： (111)面上的单位位错BC可分解为两个肖克
莱不全位错B、C，其反应式为：
BCB+C 即：
a a a 1 10 1 2 1 2 11 2 6 6
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材料科学基础
b、扩展位错 A
C(密排六方) B
Gb1b2 2r
f
Gb1b2 2d
d
Gb 1b2 2
扩展位错的宽度d与晶体单位面积的层错能成反比，与切变模量G成正比。
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材料科学基础
(2)扩展位错的束集：扩展位错的局部区域受到某种障碍，在外力作用下宽度 缩小，甚至收缩成原来的全位错的过程。
fcc的层错能
fcc的层错能fcc的层错能（Fraunhofer 形成的密集晶体结构位错）层错能（Translation Energy）是描述晶体中位错能量的重要参数之一。
层错能主要用于描述面心立方（FCC）晶格结构中的层错位错。
层错位错是指晶体内两个相邻的面心立方结构层之间不完全一致排列的位错。
在FCC结构中，晶体的原子排列方式就像一些紧密堆砌的球堆，每一层的原子在下一层上方移动半个晶格常数的位置。
当两个相邻层的位错相互错位时，就形成了层错位错。
层错能是指恢复相邻两个层错位错造成的形变所需的能量。
当晶体中存在层错位错时，晶体的原子排列会发生一定程度的错位和形变，层错能则是量化这种形变能量的度量。
层错能的计算方法涉及复杂的晶体弹性理论和计算机模拟方法。
在实验中，可以通过传统力学测试和分析方法来估算层错能。
例如，可以通过实验测试晶体材料的形变特性，然后将结果与计算的位错形变相匹配，以估算层错能。
层错能的大小直接影响晶体的力学性能。
较低的层错能意味着晶体中位错的移动能量较小，使得晶体更容易发生位错的堆积和滑移，从而增加了材料的可塑性。
相反，较高的层错能则使晶体中位错的移动障碍变大，降低了材料的可塑性。
层错能还可以影响晶体材料的断裂行为。
当位错发生扩展和结合时，层错能会在位错轨道之间形成一个能量障碍，这可能会造成晶体材料的断裂。
因此，层错能对于材料的韧性和断裂韧性具有重要影响。
总之，层错能是描述晶体中位错能量的重要参数。
在面心立方结构的晶体中，层错能直接影响材料的可塑性和断裂行为。
通过准确测量和理解层错能，可以为材料设计和工程应用提供重要的指导和参考。
参考文献：1. Hull, D., & Bacon, D. J. (2011). Introduction to dislocations. Butterworth-Heinemann.2. Hirth, J. P., & Lothe, J. (1992). Theory of dislocations. Cambridge university press.3. Inoue, A., Sumi, T., & Mishin, Y. (2016). Temperature dependence of Peierls and cross-slip barriers in hexagonal close-packed metals: A molecular dynamics study. Journal of the Mechanics and Physics of Solids, 91, 117-139.。
材料科学基础2复习题及答案
材料科学基础2复习题及答案材料科学基础2复习题及部分参考答案一、名词解释1、再结晶：指经冷变形的金属在足够高的温度下加热时，通过新晶粒的形核及长大，以无畸变的等轴晶粒取代变形晶粒的过程。
2、交滑移：在晶体中，出现两个或多个滑移面沿着某个共同的滑移方向同时或交替滑移。
3、冷拉：在常温条件下，以超过原来屈服点强度的拉应力，强行拉伸聚合物，使其产生塑性变形以达到提高其屈服点强度和节约材料为目的。
（《笔记》聚合物拉伸时出现的细颈伸展过程。
）4、位错：指晶体材料的一种内部微观缺陷，即原子的局部不规则排列（晶体学缺陷）。
（《书》晶体中某处一列或者若干列原子发生了有规律的错排现象）5、柯氏气团：金属内部存在的大量位错线，在刃型位错线附近经常会吸附大量的异类溶质原子（大小不同吸附的位置有差别）,形成所谓的“柯氏气团”。
（《书》溶质原子与位错弹性交互作用的结果，使溶质原子趋于聚集在位错周围，以减小畸变，降低体系的能量，使体系更加稳定。
）6、位错密度：单位体积晶体中所含的位错线的总长度或晶体中穿过单位截面面积的位错线数目。
7、二次再结晶：晶粒的不均匀长大就好像在再结晶后均匀、细小的等轴晶粒中又重新发生了再结晶。
8、滑移的临界分切应力：滑移系开动所需要的最小分切应力。
（《书》晶体开始滑移时，滑移方向上的分切应力。
） 9、加工硬化：金属材料在再结晶温度以下塑性变形时强度和硬度升高，而塑性和韧性降低的现象，又称冷作硬化。
（《书》随塑性变形的增大，塑性变形抗力不断增加的现象。
）10、热加工：金属铸造、热扎、锻造、焊接和金属热处理等工艺的总称。
（《书》使金属在再结晶温度以上发生加工变形的工艺。
）11、柏氏矢量：是描述位错实质的重要物理量。
反映出柏氏回路包含的位错所引起点阵畸变的总积累。
（《书》揭示位错本质并描述位错行为的矢量。
）反映由位错引起的点阵畸变大小的物理量。
12、多滑移：晶体的滑移在两组或者更多的滑移面（系）上同时进行或者交替进行。
6第六节课-位错运动和交互作用和实际晶体中的位错
时，在晶体表面产生一个宽度为 柏氏矢量大小的台阶。
图2-8 刃型位错滑移过程
21:05:49
1
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b）螺型位错的滑移
材料科学基础
图2-9 螺型位错的滑移 螺型位错运动特征：位错移动方向与位错线垂直，也与柏氏矢量垂直。
rr==zz=r=r=rz=zr=0 若采用直角坐标：
XZ
ZX
Gb
2
y (x2 y2)
yZ
Zy
Gb
2
(x2
x
y2)
xx yy zz xy yx 0
21:05:49
螺型位错的连续介质模型
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2．位错的攀移(dislocation climb)：刃型位错在垂直于滑移面方向上的运动。 多余半原子面向上运动称为正攀移，向下运动称为负攀移。 刃型位错的攀移实际上就是多余半原子面扩大和缩小的过程，可以通过物质迁移
即原子或者空位的扩散进行。
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2、堆垛层错（层错）：密排面的正常堆垛顺序遭到破坏和错排的缺陷。 形成层错时几乎不产生点阵畸变，但它破坏了晶体的完整性和正常的周
期性，使电子发生反常的衍射效应，故使晶体的能量有所增加，这部分增加 的能量称“堆垛层错能（J/m2）”。
3、不全位错 若堆垛层错不是发生在晶体的整个原子面上而只是部分区域存在，那么，
材料科学基础
材料科学基础第三章 晶体缺陷
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化学与材料科学学院
SCHOOL OF CHEMISTRY AND MATERIAL SCIENCE OF GUIZHOU NORMAL UNIVERSITY
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二、点缺陷的产生 1. 平衡点缺陷及其浓度 虽然点缺陷的存在使晶体的内能增高，但 同时也使熵增加，从而使晶体的能量下降。因 此，点缺陷是晶体中热力学平衡的缺陷。 等温等容条件下，点缺陷使晶体的亥姆霍 A U T S 兹自由能变化为：
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三、点缺陷与材料行为 1. 点缺陷的运动 1）空位的运动
2）间隙原子的运动 3）空位片的形成
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第三章 晶体缺陷
CRYSTAL DEFECTS
点缺陷 位错的基本概念 位错的弹性性质 作用在位错线上的力 实际晶体结构中的位错 晶体中的界面
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一、点缺陷的类型
点缺陷的类型: (a) Schottky 空位; (b) Frenkel 缺陷; (c) 异类间隙原子; (d) 小置换原子; (e) 大置换原子
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