EUV光致抗蚀剂研究进展
专论与综述EUV光致抗蚀剂研究进展
贾 越1,刘永富2(1北京师范大学化学学院,北京 100875;2中国石油化工股份有限公司北京化工研究院,北京 100013)摘 要:波长1315nm的极紫外(EUV)光刻技术可以刻画线幅<32nm的图像,能满足信息技术对于光致抗蚀剂高分辨率的要
求,即将成为下一代纳米成像技术,利用EUV成像技术,可以实现集成电路的超小型化。本文调研了近几年来EUV抗蚀剂的研究进展,指出影响抗蚀剂性能的主要因素,包括分辨率、LWR、LER、成像灵敏度、产气作用、成像侧面角度等,对近几年来有关EUV光致抗蚀剂的研究开发情况进行了归纳总结。关键词:EUV;抗蚀剂;LWR;产气作用
ResearchProgressonEUVPhotoresistJIAYue1,LIUYong-fu2(1ChemicalInstituteofBeijingNormalUniversity,Beijing100875;2BeijingResearchInstituteofChemicalIndustry,SINOPEC,Beijing100013,China)
Abstract:Theextremeultraviolet(EUV,wavelength=1315nm)lithographytechnologycanetchtheimagesoffinepatternsoflessthan32nmlinewidth,itisabletomeettherequirementsofinformationtechnologyforhigh-resolutionphotoresist,anditwillbecomethenextgenerationofnano-imagingtechniques1TheEUVlithographytechnologycanreal2izetheultrasmallintegratedcircuits1ThestudyofEUVresistprogressinrecentyearswasreferenced1Themainimpactfactorsoftheresistperformancewereindicatedasfollows:thetransparency,LWR,LER,imagingsensitivity,outgassing,sidewallprofilesetc.TheresearchanddevelopmentprogressofEUVphotoresistinrecentyearsweresummarized1Keywords:EUV;resis;tLWR;outgassing
为了能在一枚芯片上安装更多晶体管,半导体制造商必须不断缩小部件的尺寸。那么随着集成电路制造技术的发展,集成度的加大,线条的微细化对光刻技术的分辨率提出更高的要求,光刻胶的极限分辨率与曝光机曝光波长成正比,因此缩短曝光波长是提高分辨率的主要途径。目前之所以开发EUV光刻技术,是因为预计当前的芯片印刷技术将在未来几年内达到极限。具有波长1315nm的EUV射线被认为是生产下一代光刻技术特征尺寸<32nm的首选。为了满足日益减小的尺寸和增长的集成电路密度的要求,极紫外光刻成像技术(EUVL)将会在2011年大展用途。光致抗蚀剂的开发作为对EUVL开发过程中面临的三大挑战之一,与光源的制造和掩模缺陷的改善同时对EUV的开发起着很重要的影响。为了适应EUV光刻技术的发展,研究人员对光致抗蚀剂进行了大量的研究,抗蚀剂透明度是这个技术结点下一个关键性的问题。在这个波长下,原子的组成决定吸光度,而且所有的元素在这个波长下吸收都很高。使研究更具挑战性的是,氧和氟是在吸收最强的几种元素之列,那么对于当前现有的化学增幅型光致抗蚀剂是普遍不能应用于EUVL的。除了透明度,敏感度、抗蚀刻性和线边缘粗糙度也是十分重要的因素,是在设计新抗蚀剂时需要重点解决的问题。本文对可以应用于EUV光刻技术的光致抗蚀剂的上述影响因素进行了简单介绍,并对现在研究出的主要几种用于EUV光刻技术的光致抗蚀剂体系进行了介绍。
1 应用于EUV抗蚀剂的特性2009年英特尔公司对EUV抗蚀剂提出的要求简要介绍如表1[1]。研发符合英特尔公司图形要求的EUV抗蚀剂是一个重要的挑战。
表1 2009年产业化EUV抗蚀剂成像目标2009resolution-gate/nm15resolution-1/2pitch/nm50LWR-3R/nm115sensitivity/(mJ/cm2)2~5absorbance/Lm-1111DOF/Lm>=012outgassinglimited
研发符合英特尔公司图形要求的EUV抗蚀剂是一个重要的挑战。因此应用于EUV的化学增幅型抗蚀剂需要具备如下的特征[2-3]:
¹低吸光率,高透明度;º高的抗蚀刻性;
#7#2009年37卷第6期广州化工»高分辨率;¼高感度,曝光剂量小于10mJ/cm2;½高的环境稳定性;¾低的产气作用,产气材料能在光学元件上沉积减少原件的反射率和寿命;¿低的线边缘粗糙度;À侧壁角度不小于85b。2 应用于EUV的常见抗蚀材料211 聚对羟基苯乙烯(PHS)系列[4]几乎所有的抗蚀剂材料在1315nm波长处都有很高的吸收系数。对于决定抗蚀剂的分辨率和灵敏度,线性吸光系数是很重要的。为此,经过对150种聚合物线性吸光系数的计算得出[4],在抗蚀剂聚合物中引入苯环可以减小在1315nm处的吸收,同时也可以提高聚合物的抗蚀刻能力。所以KrF抗蚀剂中基于对羟基苯乙烯结构的抗蚀剂可以应用于EUVL的单层抗蚀剂材料。以聚对羟基苯乙烯和聚甲基丙烯酸甲酯为主体的抗蚀剂应用于EUV通常带有各种取代基团(乙缩醛二乙醇,叔丁基羰基丁醚,叔丁基等),但是因为这些保护基团是脂肪结构,所以他们的抗蚀刻能力很差。在聚合物主链上引入可酸分解的酯环族取代基,像2-甲基-2-金刚烷基可以克服这个问题。K1E1Gonsalves[5]等人合成了以对羟基苯乙烯为主链同金刚烷基保护的甲基丙烯酸聚合物P(HOST-co-MBAMA)来提高分辨率、灵敏度、抗蚀刻性等。Poly(HOStyco-MBAMA)是poly(AcOSty-co-MBAMA)在氢氧化铵的甲醇溶液中水解制得,具体的合成路线如图1[5]。图1 Poly(HOST-co-MBAMA)的合成路线Poly(HOST-co-MBAMA)的平均分子重量(Mw)范围是2000~3300,玻璃化转变温度(Tg)大约在145e,P(HOST-co-MBAMA)组成的负性光致抗蚀剂时,在EUV光刻下曝光,灵敏度为9mJ/cm2,对比度为210,在传统的2138wt%TMAH中显影,可得到35nmL/S的图形。P(HOST-co-MBAMA)作为正性光致抗蚀剂时灵敏度为512mJ/cm2,经曝光得到50nm的图形。212 含有机元素抗蚀剂由于EUV下的高的吸光性,JunyanDai等人设计合成了几类新型抗蚀剂,尽量减少氧含量来提高透明度,加入硅或硼这类低吸光系数的元素,这样得到的含硅或硼的共聚物抗蚀剂既可以提高抗蚀刻性又可以提高透明度[6-7]。21211 含硅抗蚀剂FrancoCerrina[8]等通过自由基聚合反应合成以下具有不同分子重量和组成的两种共聚物PTMSS-co-CMS和PPMDSS-co-CMS(图2),硅含量的计算方法是依据75mo%l含硅基团。他们显示出有很高的透明性和抗氧等离子蚀刻能力,在EUV光刻后可得到2215nmL/S的图形。图2 PTMSS-co-CMS和PPMDSS-co-CMS光致抗蚀剂材料对EUV波长的吸收只决定于其原子结构,如果给出抗蚀剂材料的化学组成、膜层厚度和密度,可以计算材料的透光率。在前几种抗蚀剂像聚羟基苯乙烯和聚甲基丙烯酸甲酯中,由于有氧原子这样高吸收原子的存在降低了透光性。而这种只含硅的聚合物则显示了更高的透光性。对于抗蚀刻剂是否可用,抗氧等离子蚀刻速率是一个决定性的参数,实验数据表明:聚合物中硅原子的加入显著地增加了抗氧等离子蚀刻速率(小于015nm/s),而其他酚醛类抗蚀剂的抗氧蚀刻速率是518nm/s。21212 含硼抗蚀剂含硼抗蚀剂具有很高的EUV透过率,可以通过一种可控制的方式把羧酸碳硼烷粘附到共聚物的骨架上从而引入硼元素[8]。改变吸附比例来调节硼浓度,基础研究表明:少量硼的引入可以显著提高抗蚀剂性能。含硼共聚物通过含硼基团的硼氢化反应和酯化反应来制备,其结构式如图3所示。
图3 含硼聚合物PSI-B大多数的有机金属化合物的稳定性很差,很容易被氧化和水解。所以进一步的工作就是提高这种抗蚀剂的硼原子在聚合物中的稳定性,使其作为抗蚀剂可以在常态下保存。二异丙基硼烷作为硼氢化反应的试剂,反应后得到的硼烷中的异丙基基团的原子空间障碍可以使硼原子稳定。这种聚合物表现高的稳定性可以在空气中短时间曝光,可以在干燥的氮气保护下稳定几个月,在100e下没有分解,这种共聚物具有很窄的分子量分布。213 无机聚合物抗蚀剂由于使用薄膜成像的方法可以消除低吸光性的要求,开始大家简单的认为传统的DUV抗蚀剂可以应用于EUVL,然而现在普遍认为只有低吸收性才能实现好的侧面成像图形,因此需要制备透明度高的聚合物。通过使用对紫外X光吸收低的元素
#8#广州化工2009年37卷第6期(如碳、氢和硅)来代替或减少高吸收元素的原子浓度(如氧和氟)可以实现高透明度。对于EUV抗蚀剂的另一个重要的要求是,要有非常低的产气水平,挥发性的有机物和硅碎片可能沉积在反射掩模上面,潜在地减少了它们的光反射性,由于EUV工具是高真空环境而且价格昂贵,所以这种现象是很不期望的。为了减小聚合物的吸光性,曾引入了一些低吸光性的元素作为支链。但是这些含硅有机物仅仅作为苯环的取代基对产气作用不好,所以寻找更好的硅聚合物作为抗蚀剂来满足EUV的需要,包括聚碳硅烷抗蚀剂、聚硅烷、聚硅氮烷。J1PabloBravo-Vasquez等人用硅烷合成一系列的无机聚合物抗蚀剂,硅烷包括甲基三氯硅烷、二甲基二氯硅烷、三甲基氯硅烷、苯基三氯硅烷和环己基三氯硅烷。21311 聚碳硅烷抗蚀剂利用Pt催化剂对烯丙基二氯硅烷进行氢化硅烷化反应(图4),产物分子量很低,仅为650左右,将其应用于抗蚀剂Tg偏低[9-10]。
图4 氢化硅烷化反应制备聚碳硅烷抗蚀剂21312 聚硅烷抗蚀剂可酸分解取代基的加入能使聚硅烷作为一种抗蚀剂来应用,为了提高水溶性,J1PabloBravo-Vasquez[11]等人把醋酸正丁酯加入到聚合物中,合成路线示于图5。
图5 醋酸正丁酯改性的聚硅烷抗蚀剂合成路线在引入醋酸正丁酯后,能观察到抗蚀剂在极性溶剂中的溶解度有显著的增加。之前不溶于PGMEA,现在变得可溶。尽管此种抗蚀剂在248nm处有吸收,但是这种在主体骨架上由Si-Si键组成的聚合物可以在13nm的光照射下没有小分子气体出现。21312 聚硅氮烷(PSSQZ)抗蚀剂聚硅氮烷与聚硅氧烷相似,只是其中的氧原子被氮原子取代。在合成过程中,氯硅烷同氨水反应生成有支链的聚合物,PSSQZ的一个问题是湿度灵敏性和热稳定性,为了控制PSSQZ热稳定性和化学反应性,制备了一系列含甲基和苯基取代基的化合物。在合成过程中增加苯基取代的氯硅烷会显著的提高PSSQZ的水解稳定性,PSSQZ的Tg也随着苯基的增加而提高,桥形骨架密度也影响Tg,在合成中开始时三氯甲基硅烷比二氯甲烷硅烷高[8]。PSSQZ主要合成路线如图6。
半导体抗光腐蚀研究取得新进展
光学精密机械2020年第3期（总第158期）-13-俄罗斯科研人员运用中微子相干弹性散射效应研发出全新的双相发射探测器，完善了中微子探测法，有助于把核反应堆远程控制的精确度提高近1000倍。
亚历山大·博洛兹德尼亚称，目前，研究人员已完成了对利用中微子相干弹性散射效应所获得数据的分析，大幅修正了理论模型。
他表示，在这次试验中使用了相对轻的氩核作为中微子靶。
氩的性质接近于试验性探测器中所采用的氙，价格却仅相当于氙的几分之一。
亚历山大·博洛兹德尼亚称，他们研发的新探测器技术有助于使核能变得安全和透明，因此吸引了国际原子能机构的关注。
同时，该项新技术还可以用于分析太阳或超新星的中微子辐射，以了解它们内部所发生的过程。
研究团队计划明年在俄罗斯加里宁格勒核电站开展首批试验。
半导体抗光腐蚀研究取得新进展内蒙古大学王蕾研究员带领的科研团队在半导体抗光腐蚀研究方面取得新进展，得到国家自然科学基金等多个项目的认可支持。
“钝化层助力BiVO4抗光腐蚀研究”的相关成果已于近日在国际化学期刊《德国应用化学》发表，将有助于提高太阳能制氢的光电转换效率。
王蕾研究员介绍，新型洁净能源氢能素来是新能源的研究热点，光解水制氢是获得氢能的主要技术之一，而太阳能制氢转换效率是光解水主要性能指标。
半导体较低的光吸收率和较高的载流子复合率是影响转换效率的首要因素，因此，如何提高光电转换效率是当前光电催化研究领域的重中之重。
BiVO4半导体因具有2.4电子伏特的合适带隙宽度、良好的光吸收性能以及适合的低电位下进行水氧化的导带位置，成为太阳能光电催化制氢领域的重要材料之一。
然而，BiVO4材料的电子与空穴相复合，严重影响了光生电荷传输，使其太阳能光电催化性能低于理论值；同时，也由于光腐蚀，使其无法适用长期光解水反应。
通常的解决办法是采用表面助催化剂修饰，提高半导体电荷分离效率，抑制电荷二次复合，加速表面反应动力学。
科研团队通过改善材料制备工艺以及恒电位光极化测试方法，有效提高了BiVO4活性及稳定性。
摩尔定律全靠它 CPU光刻技术分析与展望
CPU光刻技术分析与展望前言：光刻技术作为半导体工业的“领头羊”，在半个世纪的进化历程中为整个产业的发展提供了最为有力的技术支撑。
历经50年，集成电路已经从上世纪60年代的每个芯片上仅几十个器件发展到现在的每个芯片上可包含约10亿个器件。
在摩尔定律的指引下，半导体技术的集成度每3年提高4倍。
半导体光刻的工艺高低，决定了在单位圆晶片上能够集成晶体管的数目。
我们通常所说的90纳米45纳米是指在圆晶片上能够刻蚀的晶体管的最短沟道。
沟道越短则芯片的速度越快，时钟的上升沿就越短，进而提高集成芯片的系统时钟。
●光刻技术在半导体产业中的重要地位人类社会对于“刻”、“做标记”并不陌生。
作为文明的标志，远古的人们在洞穴中刻出了生命的图腾。
作为现代科学的象征，今天的人们在半导体晶片上刻出电路的结构。
远古的人们用的是木头，石头，今天人们更加聪明，需要刻在更加微小的尺度上，人们用的是电和光。
同样是一个刻，刻在半导体上就成了电路。
当然实际上没有理论分析地这么简单。
光刻只是在半导体上刻出晶体管器件的结构，以及晶体管之间连接的通路。
要真正地实现电路，则还需要搀杂，沉积，封装等系列芯片工艺手段。
但光刻是第一步，整个芯片工艺所能达到的最小尺寸是由光刻工艺决定的。
自从1947年第一个晶体管发明以来，科学技术一直在迅猛发展，为更高级、更强大、成本效益和能效更高的产品发明铺平了道路。
尽管进步巨大，但是晶体管发热和电流泄露问题始终是制造更小的晶体管、让摩尔定律持久发挥效力的关键障碍。
毫无疑问，过去40年一直用来制造晶体管的某些材料需要进行替代。
世界上第一个晶体管从第一个晶体管问世算起，半导体技术的发展已有多半个世纪了，现在它仍保持着强劲的发展态势，继续遵循Moore定律即芯片集成度18个月翻一番，每三年器件尺寸缩小0.7倍的速度发展。
大尺寸、细线宽、高精度、高效率、低成本的IC生产，正在对半导体设备带来前所未有的挑战。
集成电路在制造过程中经历了材料制备、掩膜、光刻、清洗、刻蚀、渗杂、化学机械抛光等多个工序，其中尤以光刻工艺最为关键，决定着制造工艺的先进程度。
面向EUV光源的实验流体力学研究进展
面向EUV光源的实验流体力学研究进展
邓巍巍;翟天琪;高立豪;许晟昊;赵新彦;刘艳初
【期刊名称】《力学进展》
【年(卷),期】2024(54)1
【摘要】EUV(极紫外)光源是EUV光刻机的核心部件,其原理是基于纳秒脉冲激光轰击锡液滴靶产生的等离子体辐射发光.EUV光源本质是一种流体光源,涉及丰富而复杂的流体力学基本问题,跨越从皮秒到毫秒的四个特征时间尺度.本文综述了面向EUV光源的实验流体力学研究进展.首先根据靶的类型,分别介绍了射流、液滴和液膜靶的生成与调控基本原理和技术路线.之后对三种靶与激光相互作用过程的特征
时刻与典型现象进行了梳理,重点放在各个特征时间尺度内激光轰击液滴靶的研究
进展,总结了不同参数激光脉冲轰击后靶的推进、变形和破碎规律.最后对EUV光源中值得重点关注的实验流体力学关键问题进行了总结和展望,提出改善激光等离子
体EUV光源稳定性、亮度和寿命需要从以下三方面持续开展研究:高频率、小直径、长间距液滴靶串的精准生成和调控,激光辐照产生等离子体的膨胀和辐射规律,以及
液滴靶变形破碎机理和碎屑抑制、收集及清洁技术.
【总页数】35页(P138-172)
【作者】邓巍巍;翟天琪;高立豪;许晟昊;赵新彦;刘艳初
【作者单位】南方科技大学力学与航空航天工程系
【正文语种】中文
【中图分类】O35
【相关文献】
1.Cymer推进EUV光刻光源
2.下一代光刻技术的EUV光源收集系统的发展
3.IMEC利用配备LA—DPP光源的EUV曝光装置成功曝光晶圆
4.“LPP-EUV”光源中的高功率CO_2激光监测与控制系统
5.晶方科技:公司未涉及EUV光源业务
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含POSS光刻胶材料研究进展
2019-06-15 收稿，2019-06-17 录用 $ 通讯作者? E-mail: wly@bnu. edu. cn
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影像科学 与 光化学
第37卷
Hale Waihona Puke 会被消耗，提高了反应效率,从而大大提升了光刻 胶的感度和分辨率分辨率是光刻技术中最 重要的性能指标，图形的分辨率越高所制作集成 电路的集成程度也就越高，而图形分豹率与其曝 光波长成反比，因此缩小光刻技术的曝光波长是 提高图形分辨率的主要途径。光刻技术按照所用 曝光光源波长的不同，经历了几个阶段:g线(436 nm)、i 线(365 nm)、KrF 激光(248 nm)、ArF 激光 (193 nm),以及近几年开始进入实用阶段的EUV (13 〜14 nm)光刻。
1含POSS光刻胶的主要类型
1.1环氧・POSS光刻胶 Li等/40将环氧环己基接入到POSS上(如图2
图1多面体低聚倍半硅氧烷的结构 ThestructureofPOSS
第5期
尤凤娟等:含POSS光刻胶材料研究进展
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所示'制备了一种负性光刻胶，加入光产酸剂 (photoacid generator,PAG),利用干涉光刻技术! 经两束波长为532 nm的干涉光曝光后，环氧基团
多面体低聚倍半硅氧烷(polyhedral oligosilsesquioxane,POSS)结构如图1所示，它由无机硅 氧笼型结构和外层的有机基团R构成,R为提高 相容性与增溶作用的有机基团，X为含有一个或 多个可参与聚合反应的活性基团。有机-无机杂化 结构使得POSS的热力学和化学性质都得到增
先进光刻胶材料的研究进展
图 ２ 化 学 放 大 正 像 光 刻 胶 Ｃｈｅｍｉｃａｌｌｙ ａｍｐｌｉｆｉｅｄ ｐｏｓｉｔｉｖｅ－ｔｏｎｅ ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ
光酸产生剂分为离子型（图３中Ｉ和ＩＩ）和非离子型（图 ３ 中ＩＩＩ和ＩＶ）两 类［１３］．离 子 型 ＰＡＧ 常由二芳基碘鎓盐或三芳基硫鎓盐组成，非离子型 ＰＡＧ 最常见的是硝基苄基酯 或含磺酸酯类化合物．通常离子型 ＰＡＧ 溶解 性 较 非 离 子 型 差［１３］；非 离 子 型 ＰＡＧ 通 过 在 分子结构的特定位置引入合适的位阻基团可以显著的提高热稳定性 ，而其对光敏 感 性 较 差 ，与 离 子 型 相 比 需 要 更 大 的 光 强 和 更 长 的 曝 光 时 间 ．
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影 像 科 学 与 光 化 学
第 ２９ 卷
图 ３ 光 酸 产 生 剂 Ｅｘａｍｐｌｅｓ ｏｆ ｐｈｏｔｏａｃｉｄ ｇｅｎｅｒａｔｏｒｓ（ＰＡＧｓ）
３ １９３ｎｍ 光刻胶材料
３．１ １９３ ｎｍ 浸没式双重曝光光刻 浸没式光刻（如图４所示）是指在棱镜和光刻胶之间填充折射率比空气大的介 质 （如
光致产酸剂
聚酯衍生物分子玻
璃单组分材料
ＥＵＶ 光刻胶
电子束
掩膜版制备
光致产酸剂
甲基丙烯酸脂及其 电子束光刻胶
共聚物
目前光刻生产中最先进的１９３ｎｍ 浸没式光刻配合双重曝光技术可以达到３２ｎｍ 节 点 ． ［４，９］ 而这一技术要求增加了光刻的难度和步 骤，使 得 成 本 显 著 增 加，生 产 能 力 也 明 显
图 １ 光 刻 的 基 本 原 理 Ｇｅｎｅｒａｌ ｐｒｉｎｃｉｐｌｅ ｏｆ ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ
表 １ 光 刻 技 术 及 其 光 刻 胶 的 发 展 Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ ｏｆ ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ａｎｄ ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔｓ
asml公司的EUV光刻设备的光源技术研究
asml公司的EUV光刻设备的光源技术研究EUV光源是EUV光刻装置的核心部件，直接决定了光刻之后半导体芯片的线宽和生产效率。
本文对ASM公司的EUV光源技术，改进和反污染技术进行来梳理。
标签：EUV光源；光刻；ASML；激光等离子体源多年来，集成电路技术的发展始终是随着光学光刻技术的不断创新所推进的。
在摩尔定律的驱动下，光刻技术经历了接触/接近投影、扫描等倍投影、步进投影、缩小步进投影、步进扫描投影曝光方式的变革，曝光波长由436nm的h 线向365nm的i线、继而到248nm的KrF到193nm的ArF准分子光源，而实现光刻进步的直接方法，是降低使用光源的波长，使用193nmArF光源的干法光刻机，结合浸没式与光学邻近效应矫正等技术，其极限工艺节点可达28nm。
到了2010年后，制程工艺尺寸进化到22nm，已经超越浸没式DUV极限，于是行业开始导入二次图形曝光工艺，以间接方式来制作线路。
对于使用浸没式+二次图形曝光的ArF光刻机，工艺节点的极限是10nm。
在从32/28nm节点迈进22/20nm节点时，由于光刻精度不足，需使用二次曝光等技术来实现，设备与制作成本双双提高，晶体管的单位成本首次出现不降反升。
而极紫外光刻（EUVL）设备的高精度能帮助厂商减少光刻的工艺步骤，实现7nm以下的晶圆量产[1]。
目前能够生产的EUVL的只有荷兰阿斯麦（ASML）一家，2017年EUVL 设备采用13nmEUV作为光源，实现13纳米的线宽，并且采用磁悬浮系统来加速掩模及工作台，吞吐量可达每小时125片晶圆，目前，ASML在EUVL领域处于垄断地位。
1EUV光源工业上对于EUV光源的基本要求是：足够高的带内极紫外辐射功率，对光学收集系统极低的污染以确保整个系统长时间稳定运行。
获得EUV辐射光源主要有三种途径：同步辐射源、气体放电等离子体（DPP）和激光等离子体光源（LPP）。
同步辐射源是通过在真空中磁场能够使电子在环形加速器中做高速循环曲线运动，在沿运动轨道切线方向产生电磁波。